專(zhuān)利名稱(chēng)：無(wú)核心層的封裝基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種封裝基板,尤指一種無(wú)核心層(coreless)的封裝基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢(shì)。目前半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)已開(kāi)發(fā)出不同的封裝型態(tài)，例如打線(xiàn)式或覆晶式，其通過(guò)于一封裝基板上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，且該半導(dǎo)體芯片借由導(dǎo)線(xiàn)或焊錫凸塊電性連接至該封裝基板上。為了滿(mǎn)足半導(dǎo)體封裝件高整合度(integration)及微型化(miniaturization)的封裝需求，以供更多主、被動(dòng)組件及線(xiàn)路載接，封裝基板也逐漸由雙層電路板演變成多層電路板(multi-layer board),以于有限的空間下運(yùn)用層間連接技術(shù)(interlayer connection)以擴(kuò)大封裝基板上可供利用的線(xiàn)路布局面積，并能配合高線(xiàn)路密度的集成電路(integrated circuit)的使用需求，且降低封裝基板的厚度，而能達(dá)到封裝結(jié)構(gòu)輕薄短小及提高電性功能的目的。現(xiàn)有技術(shù)中，封裝基板是由一具有內(nèi)層線(xiàn)路的核心板及對(duì)稱(chēng)形成于其兩側(cè)的線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。因使用核心板將導(dǎo)致整體結(jié)構(gòu)厚度增加，所以難以滿(mǎn)足電子產(chǎn)品功能不斷提升而體積卻不斷縮小的需求。因此，遂發(fā)展出無(wú)核心層(coreless)的封裝基板，以縮短導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度及降低整體結(jié)構(gòu)厚度而符合高頻化、微小化的趨勢(shì)。如圖I所示的無(wú)核心層的封裝基板1，其制造方法包括于一承載板(圖未不)上形成第一介電層10,且于該第一介電層10上形成具有多個(gè)第一電性接觸墊110的第一線(xiàn)路層11 ;于該第一介電層10與第一線(xiàn)路層11上形成線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)12，該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)12具有至少一第二介電層120，且于該第二介電層120上形成有第二線(xiàn)路層121，并借由導(dǎo)電盲孔122電性連接該第一與第二線(xiàn)路層11，121，又最上層的第二線(xiàn)路層121具有多個(gè)第二電性接觸墊123 ;移除該承載板，以外露該第一介電層10 ;于該第一介電層10、最上層的第二介電層120與第二線(xiàn)路層121上形成如綠漆的防焊層14a，14b ;于該防焊層14a, 14b與第一介電層10上形成多個(gè)開(kāi)孔140a, 140b,以對(duì)應(yīng)外露各該第一及第二電性接觸墊110，123的部分頂表面；于該開(kāi)孔140a，140b中形成金屬凸塊13a，13b，以結(jié)合焊球15a，15b，令上側(cè)焊球15b用以接置芯片的焊錫凸塊(圖未示)，而下側(cè)焊球15a用以接置電路板(圖未示)。然而,現(xiàn)有封裝基板I中，需于該防焊層14a，14b上形成開(kāi)孔140a，140b，而焊球15a，15b與開(kāi)孔140a，140b之間的對(duì)位不易，因而增加工藝難度。此外，該防焊層14b的開(kāi)孔140b僅露出該第二電性接觸墊123的部分頂表面，而非外露全部頂表面，以致于該金屬凸塊13b的頂表面的面積縮小，導(dǎo)致于后續(xù)接置芯片時(shí)，該金屬凸塊13b與芯片之間的結(jié)合力減小，使該芯片容易脫落因而損毀。另外，為了避免該上側(cè)焊球15b之間相連接而產(chǎn)生短路，且需考量該防焊層14b的開(kāi)孔140b的尺寸以維持該金屬凸塊13b的結(jié)合力，所以各該第二電性接觸墊123之間的距離需增加，使該第二電性接觸墊123的間距無(wú)法細(xì)間距化，導(dǎo)致難以提高該第二電性接觸墊123的布設(shè)密度。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的種種問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種無(wú)核心層的封裝基板及其制造方法，可增加該金屬凸塊與芯片之間的結(jié)合力。本發(fā)明的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，包括提供一具有相對(duì)兩表面的承載板，且于該承載板的表面上形成多個(gè)電性接觸墊；于該承載板及該些電性接觸墊上形成線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)，該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、設(shè)于各該介電層上的線(xiàn)路層、及設(shè)于各該介電層中且電性連接各該線(xiàn)路層的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該電性接觸墊埋設(shè)于該最下層的介電層中，且該最下層的介電層中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該些電性接觸墊；于該最上層的線(xiàn)路層上形成多個(gè)金屬凸塊；于該最上層的介電層與最上層的線(xiàn)路層上形成介電保護(hù)層，以包覆該 些金屬凸塊；移除該介電保護(hù)層的部分材質(zhì)及該金屬凸塊的部分材質(zhì)，使該金屬凸塊具有金屬柱及設(shè)于該金屬柱上的翼部，以外露該些翼部的全部頂表面，以供電性連接半導(dǎo)體芯片；以及移除該承載板，使各該電性接觸墊外露于該最下層的介電層表面。依上述制造方法可知，借由該金屬凸塊的全部頂表面完全外露該介電保護(hù)層，而無(wú)需于該介電保護(hù)層上形成開(kāi)孔，可避免如現(xiàn)有技術(shù)的焊球與開(kāi)孔之間的對(duì)位問(wèn)題，所以于后續(xù)接置半導(dǎo)體芯片時(shí)，只需將半導(dǎo)體芯片直接放置于該金屬凸塊上即可，因而使制造方法簡(jiǎn)易化。此外，該金屬凸塊的全部頂表面完全外露，相比于現(xiàn)有技術(shù)，不僅增加該金屬凸塊與半導(dǎo)體芯片之間的結(jié)合面積，使該金屬凸塊與半導(dǎo)體芯片之間的結(jié)合力增加，所以該芯片不會(huì)脫落及損毀。又，因該金屬凸塊面積較小，使該金屬凸塊之間的距離可縮小，所以各該金屬凸塊之間的距離可細(xì)間距化，以提高金屬凸塊的布設(shè)密度。另外，依前述的本發(fā)明無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，本發(fā)明還提供一種無(wú)核心式封裝基板及該制造方法的更具體技術(shù)，詳如后述。


圖I為現(xiàn)有無(wú)核心層的封裝基板的剖視示意圖；圖2A至圖2E為本發(fā)明無(wú)核心層的封裝基板的制造方法的剖視示意圖；其中，圖2E’為圖2E的另一實(shí)施例；圖3、圖3’及圖3”為本發(fā)明無(wú)核心層的封裝基板的不同實(shí)施例的剖視示意圖；以及圖4、圖4’及圖4”為本發(fā)明無(wú)核心層的封裝基板后續(xù)應(yīng)用的不同實(shí)施例的剖視示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明1,2,2a封裝基板10第一介電層11第一線(xiàn)路層
110第一電性接觸墊12，22線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)120第二介電層121第二線(xiàn)路層122,222 導(dǎo)電盲孔123第二電性接觸墊13a，13b，，23 金屬凸塊14a, 14b 防焊層
140a, 140b 開(kāi)孔15a, 15b 焊球20承載板201剝離層21，21’電性接觸墊220介電層220a 線(xiàn)路槽221，221’ 線(xiàn)路層222’ 導(dǎo)電柱23a 阻層230金屬柱231蕈狀結(jié)構(gòu)231’ 翼部24,24a介電保護(hù)層3 焊球4半導(dǎo)體芯片40焊錫凸塊41 底膠W 寬度D端面直徑。
具體實(shí)施例方式
以下借由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技藝的人士可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技藝的人士的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”、“下方”、“上方”及“一”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，也當(dāng)視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
請(qǐng)參閱圖2A至圖2E，其為本發(fā)明無(wú)核心層的封裝基板的制造方法的剖視示意圖。如圖2A所不,首先,提供一具有相對(duì)兩表面的承載板20,且于該承載板20的兩表面上形成多個(gè)電性接觸墊21。接著，于該承載板20及該些電性接觸墊21上形成線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22，該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22具有至少一介電層220、設(shè)于各該介電層220上的線(xiàn)路層221、及設(shè)于各該介電層220中且電性連接各該線(xiàn)路層221的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(于此為導(dǎo)電盲孔222)，該電性接觸墊21埋設(shè)于該最下層的介電層220中，且該最下層的介電層中的導(dǎo)電盲孔222電性連接該些電性接觸墊21。于本實(shí)施例中，該承載板20的相對(duì)兩表面上設(shè)有剝離層201，令該些電性接觸墊21與該最下層的介電層220結(jié)合于該剝離層201上。另外，該剝離層201上可形成銅層，以電鍍形成該第一電性接觸墊21。
如圖2B所示，于該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22上借由圖案化工藝，以于阻層23a開(kāi)口區(qū)中的該最上層的線(xiàn)路層221上形成多個(gè)具有金屬柱230及設(shè)于該金屬柱230上的蕈狀結(jié)構(gòu)231的金屬凸塊23。其中，形成該金屬凸塊23的材料為銅、鎳、錫、金、銀或銅錫合金，且該圖案化工藝可為加成法、半加成法、減成法、電鍍、無(wú)電鍍沉積(electroless plating deposit)、化學(xué)沉積或印刷的方式形成該蕈狀金屬凸塊23。然而，有關(guān)形成蕈狀金屬凸塊的方式與材料種類(lèi)繁多，并不限于上述。如圖2C所示，移除該阻層23a，再于該最上層的介電層220與最上層的線(xiàn)路層221上形成介電保護(hù)層24a，以包覆該些金屬凸塊23。如圖2D所示，經(jīng)整平工藝，如刷磨、機(jī)械研磨、或化學(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanical Polishing)等方式，以移除該介電保護(hù)層24a的部分材料及蕈狀結(jié)構(gòu)231的部分材料，使該蕈狀結(jié)構(gòu)231成為翼部231’而外露。于本實(shí)施例中，該些金屬凸塊23的翼部231’表面與該介電保護(hù)層24的表面齊平，且該翼部231’的寬度W大于該金屬柱230的端
面直徑D。如圖2E所示，借由分離該剝離層201以移除該承載板20，使各該電性接觸墊21外露于該最下層的介電層220表面，以制作出本發(fā)明無(wú)核心層的封裝基板2。如圖2E’所示，若該剝離層201上具有銅層，則于移除該承載板20后，需以蝕刻方式移除該銅層，使該電性接觸墊21’微凹于該最下層的介電層220表面。請(qǐng)參閱圖3及圖4，借由切單工藝，以取得單一封裝基板2a，且將半導(dǎo)體芯片4借由焊錫凸塊40覆晶結(jié)合至該金屬凸塊23的翼部231’外露表面上，再于該半導(dǎo)體芯片4與該介電保護(hù)層24之間形成底膠41以包覆該焊錫凸塊40，并于該電性接觸墊21的外露表面上結(jié)合例如焊球3、針腳的導(dǎo)電組件以接置例如電路板或封裝結(jié)構(gòu)的電子裝置(圖未示)。另外，請(qǐng)參閱圖3’、圖3”、圖4’及圖4”，其為圖2A的其它制造方法。如圖3’所示，于制作該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22時(shí)，可于該介電層220中借由激光灼燒或電漿蝕刻形成線(xiàn)路槽220a，使線(xiàn)路層221’形成于該線(xiàn)路槽220a中，且同時(shí)形成導(dǎo)電盲孔222，以形成嵌埋式線(xiàn)路層221’。也可以如圖3”所示，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電柱222’，以電性連接各層線(xiàn)路層221’及第一電性接觸墊21，且該線(xiàn)路層221’與該導(dǎo)電柱222’為分開(kāi)制作。于圖3’及圖3”中，該線(xiàn)路槽220a的另一種制造方法，其可先于介電層220上形成高分子薄膜(圖未示)，形成薄膜的材料可為液態(tài)或固態(tài)的高分子材料；再以激光燒蝕貫穿該薄膜與介電層220而形成該線(xiàn)路槽220a，且以電漿增強(qiáng)該線(xiàn)路槽220a的表面極性強(qiáng)度；接著，借由浸鍍方式，于該些線(xiàn)路槽220a的孔壁上形成活化層(圖未示)，也就是將該介電層220浸泡于含有金屬顆粒的化學(xué)溶液中，使該些金屬顆粒作為活化層而附著該些線(xiàn)路槽220a的孔壁上；最后，借由剝除、研磨或化學(xué)蝕刻方式移除該高分子薄膜，而保留該線(xiàn)路槽220a的孔壁上的金屬顆粒，使該線(xiàn)路層221’形成于該線(xiàn)路槽220a中的活化層上。其中，形成活化層的材料可為鈀、鉬、金或銀，且鈀材可以來(lái)自于氯化物錫鈀膠體或硫酸鈀螯合物(chelator)。本發(fā)明的制造方法借由整平工藝，使該金屬凸塊23的全部頂表面完全外露于該介電保護(hù)層24，以避免如現(xiàn)有技術(shù)的于防焊層上形成開(kāi)孔，所以于后續(xù)接置半導(dǎo)體芯片4時(shí)，半導(dǎo)體芯片4不需以開(kāi)孔對(duì)位，而是將半導(dǎo)體芯片4的焊錫凸塊40直接放置于該金屬凸塊23上即可，不需再于該金屬凸塊23上形成如圖I所示的焊球15b，因而使制造方法簡(jiǎn) 易化。另外，該金屬凸塊23的全部頂表面完全外露于該介電保護(hù)層24,可增加該金屬凸塊23與該焊錫凸塊40之間的結(jié)合面積，使該金屬凸塊23與該焊錫凸塊40之間的結(jié)合力增加，因而該半導(dǎo)體芯片4不會(huì)脫落及損毀。又，因該金屬凸塊23的面積較小，使該金屬凸塊23之間的距離可縮小，所以各該金屬凸塊23之間的距離可達(dá)細(xì)間距設(shè)計(jì)，以提高該金屬凸塊23的布設(shè)密度。本發(fā)明還提供一種無(wú)核心層的封裝基板2a，其包括線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22、設(shè)于該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22下方的多個(gè)電性接觸墊21、設(shè)于該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22上方的多個(gè)金屬凸塊23、以及設(shè)于該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22與該金屬凸塊23上的介電保護(hù)層24。所述的線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)22具有至少一介電層220、設(shè)于各該介電層220上的線(xiàn)路層221、及設(shè)于各該介電層220中且電性連接各該線(xiàn)路層221的多個(gè)導(dǎo)電盲孔222。于一實(shí)施例中，線(xiàn)路層221’可嵌埋于該介電層220中，如圖3’所示。于另一實(shí)施例中，以導(dǎo)電柱222’取代導(dǎo)電盲孔222，以電性連接各層線(xiàn)路層221’，如圖3”所示。所述的電性接觸墊21嵌埋于該最下層的介電層220，且電性連接部分該導(dǎo)電盲孔222或?qū)щ娭?22’，又該電性接觸墊21外露于該最下層的介電層220表面。其中，該電性接觸墊21可齊平于該最下層的介電層220表面、或該電性接觸墊21’可微凹于該最下層的介電層220表面。所述的金屬凸塊23設(shè)于該最上層的線(xiàn)路層221上，且具有金屬柱230及設(shè)于該金屬柱230上的翼部231’。所述的介電保護(hù)層24設(shè)于該最上層的介電層220、最上層的線(xiàn)路層221與該些金屬凸塊23上，且外露該些金屬凸塊23的全部頂表面，令該金屬凸塊23的外露表面供電性連接半導(dǎo)體芯片4。又該些金屬凸塊23的表面可與該介電保護(hù)層24的表面齊平。綜上所述，本發(fā)明無(wú)核心層的封裝基板及其制造方法，主要借由介電保護(hù)層取代現(xiàn)有的防焊層，使該介電保護(hù)層無(wú)需開(kāi)孔即可外露該金屬凸塊的全部頂表面，以于后續(xù)接置半導(dǎo)體芯片時(shí)，可使制造方法簡(jiǎn)易化。此外，該金屬凸塊的全部頂表面完全外露于該介電保護(hù)層，可增加該金屬凸塊的結(jié)合力，而避免該半導(dǎo)體芯片脫落及損毀。
又，該金屬凸塊的全部頂表面完全外露于該介電保護(hù)層，所以各該金屬凸塊的間距可作細(xì)間距設(shè)計(jì)，以達(dá)到提高該電性接觸墊的布設(shè)密度的目的。 上述實(shí)施例僅用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
權(quán)利要求
1.一種無(wú)核心層的封裝基板，包括 線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)，其具有至少一介電層、設(shè)于各該介電層上的線(xiàn)路層、及設(shè)于各該介電層中且電性連接各該線(xiàn)路層的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)； 多個(gè)電性接觸墊，其嵌埋于該最下層的介電層，且電性連接部分該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并外露于該最下層的介電層表面； 多個(gè)金屬凸塊，其設(shè)于該最上層的線(xiàn)路層上，且具有金屬柱及設(shè)于該金屬柱上的翼部；以及 介電保護(hù)層，其設(shè)于該最上層的介電層、最上層的線(xiàn)路層與該些金屬凸塊上，且外露該些金屬凸塊的翼部全部頂表面，令該翼部的外露頂表面供電性連接半導(dǎo)體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)核心層的封裝基板，其特征在于，該線(xiàn)路層嵌埋于該介電層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)核心層的封裝基板，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電盲孔或?qū)щ娭?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)核心層的封裝基板，其特征在于，該電性接觸墊表面的高度齊平或低于該最下層的介電層表面的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)核心層的封裝基板，其特征在于，該些金屬凸塊的翼部的表面與該介電保護(hù)層的表面齊平。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無(wú)核心層的封裝基板，其特征在于，該翼部的寬度大于該金屬柱的端面直徑。
7.一種無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，包括 提供一具有相對(duì)兩表面的承載板，且于該承載板的表面上形成多個(gè)電性接觸墊； 于該承載板及該些電性接觸墊上形成線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)，該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、設(shè)于各該介電層上的線(xiàn)路層、及設(shè)于各該介電層中且電性連接各該線(xiàn)路層的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該電性接觸墊埋設(shè)于該最下層的介電層中，且部分該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該些電性接觸墊； 于該最上層的線(xiàn)路層上形成多個(gè)金屬凸塊； 于該最上層的介電層與最上層的線(xiàn)路層上形成介電保護(hù)層，以包覆該些金屬凸塊； 移除該介電保護(hù)層的部分材質(zhì)及該金屬凸塊的部分材質(zhì)，使該金屬凸塊具有金屬柱及設(shè)于該金屬柱上的翼部，以外露該些翼部的全部頂表面，以供電性連接半導(dǎo)體芯片；以及 移除該承載板，使各該電性接觸墊外露于該最下層的介電層表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，該承載板的相對(duì)兩表面上設(shè)有剝離層，以令該些電性接觸墊與該最下層的介電層結(jié)合于該剝離層上，且借由分離該剝離層以移除該承載板。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，該介電層中形成有線(xiàn)路槽，以于該線(xiàn)路槽中形成該線(xiàn)路層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電盲孔或?qū)щ娭?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，該介電保護(hù)層是以涂布方式形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，形成該金屬凸塊的材料為銅、鎳、錫、金、銀或銅錫合金。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，該金屬凸塊是以加成法、半加成法、減成法、電鍍、無(wú)電鍍沉積、化學(xué)沉積或印刷的方式形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，移除該介電保護(hù)層的部分材質(zhì)的方式是以整平工藝，令該些翼部的表面與該介電保護(hù)層的表面齊平，以外露該些翼部的全部頂表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，該整平工藝是以刷磨、機(jī)械研磨、或化學(xué)機(jī)械研磨方式進(jìn)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，形成該翼部的制造方法包括先于該最上層的線(xiàn)路層上形成具有金屬柱及設(shè)于該金屬柱上的蕈狀結(jié)構(gòu)的該些金屬凸塊，再移除該介電保護(hù)層的部分材料及蕈狀結(jié)構(gòu)的部分材料，使該蕈狀結(jié)構(gòu)成為翼部。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的無(wú)核心層的封裝基板的制造方法，其特征在于，該翼部的寬度大于該金屬柱的端面直徑。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種無(wú)核心層的封裝基板及其制造方法，該無(wú)核心層的封裝基板包括由至少一介電層、線(xiàn)路層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所組成的線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)、埋設(shè)于該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)最下層介電層中的電性接觸墊、設(shè)于該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)最上層線(xiàn)路層上的多個(gè)金屬凸塊、設(shè)于該線(xiàn)路增層結(jié)構(gòu)最上層表面與該金屬凸塊上且外露該金屬凸塊的介電保護(hù)層。該金屬凸塊具有金屬柱及設(shè)于該金屬柱上的翼部，借由該金屬凸塊的翼部的全部頂表面完全外露，以增加該金屬凸塊與芯片之間的結(jié)合力。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102867807SQ20111021562
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
發(fā)明者曾子章, 何崇文 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司