專(zhuān)利名稱：基板交換方法以及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用運(yùn)送裝置對(duì)在基板處理室中處理的被處理基板進(jìn)行交換的基板 運(yùn)送方法以及能夠進(jìn)行這樣的基板交換的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備的制造工序中，針對(duì)作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)記為基 板或者晶片。)大多使用成膜處理或蝕刻處理等在真空環(huán)境下進(jìn)行的真空處理。最近從這 樣的真空處理的效率化的觀點(diǎn)和抑制氧化或污染物(contamination)等污染的觀點(diǎn)來(lái)看， 關(guān)注以下集群工具(Clustertool)式的多腔室型(multi chamber type)基板處理裝置將 進(jìn)行多個(gè)真空處理的基板處理室與保持為真空的運(yùn)送室連接，通過(guò)設(shè)置在運(yùn)送室中的運(yùn)送 裝置向各基板處理室運(yùn)送晶片。在多腔室型的基板處理裝置中，為了從設(shè)置在大氣中的晶片盒向保持為真空的運(yùn) 送室運(yùn)送晶片，在運(yùn)送室和晶片盒之間設(shè)置進(jìn)片室(load lockchamber)，并經(jīng)由進(jìn)片室運(yùn) 送晶片。以往的進(jìn)片室和基板處理室之間的晶片的傳遞通過(guò)設(shè)置在運(yùn)送室的運(yùn)送裝置進(jìn) 行。以往的運(yùn)送裝置為了能夠在所需最小限度的空間回旋并且能夠?qū)⒕\(yùn)送到遠(yuǎn)方而具 有被制成能夠伸縮的兩個(gè)運(yùn)送臂。在各個(gè)運(yùn)送室中，為了自如地進(jìn)行旋轉(zhuǎn)和伸縮，被設(shè)置成 旋轉(zhuǎn)軸和臂的組合從運(yùn)送裝置的基臺(tái)連接成數(shù)級(jí)，并且，在設(shè)置于其前端的前端臂的兩端 各設(shè)置一個(gè)用于載置晶片并進(jìn)行運(yùn)送的運(yùn)送部件(拾取器)。在使用設(shè)置有這樣的運(yùn)送臂和運(yùn)送部件的運(yùn)送裝置運(yùn)送晶片，并在多個(gè)基板處理 室一片片地處理多個(gè)晶片的情況下，存在一定要確定在哪個(gè)室中進(jìn)行晶片的處理的調(diào)度 (schedule)。例如公開(kāi)了以下基板處理裝置的例子對(duì)多個(gè)室的各室分配優(yōu)先級(jí)，向優(yōu)先級(jí) 最高的室運(yùn)送晶片并進(jìn)行基板處理(例如參考專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。另外，公開(kāi)了以下基板處理裝置的例子進(jìn)行多個(gè)基板處理室能否運(yùn)轉(zhuǎn)的狀態(tài)判 斷，并使用運(yùn)送裝置將晶片僅運(yùn)送到有效運(yùn)轉(zhuǎn)的基板處理室中進(jìn)行基板處理(例如參考專(zhuān) 利文獻(xiàn)2)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利文獻(xiàn)特開(kāi)平10-189687號(hào)公報(bào)；專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本專(zhuān)利文獻(xiàn)特開(kāi)平11-67869號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在使用上述的基板處理裝置交換基板處理室中的晶片的情況下，存在以下 問(wèn)題。在如專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2所記載的基板處理裝置中，能夠預(yù)先選擇要運(yùn)送的基板處理 室。但是，最近存在以下情況為了維持基板處理室中的狀態(tài)，在完成某個(gè)晶片的基板處理并運(yùn)出處理完的晶片后，并在運(yùn)入下一個(gè)未處理的晶片并進(jìn)行基板處理之前，在基板處理 室中進(jìn)行例如等離子體清潔等的清潔處理。進(jìn)行清潔處理期間不能向基板處理室運(yùn)入下 一晶片。因此，運(yùn)送裝置存在必須保持著將下一個(gè)進(jìn)行處理的未處理晶片支撐在運(yùn)送部件 (拾取器)上的狀態(tài)并等待的問(wèn)題。特別是隨著半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)計(jì)規(guī)則的細(xì)致化，由于形成在晶片上并且構(gòu)成半導(dǎo) 體設(shè)備的各層的膜厚度變薄，因此在基板處理室中進(jìn)行成膜處理或者蝕刻處理的處理時(shí) 間變短。其結(jié)果是，基板處理室中的清潔處理的處理時(shí)間相對(duì)基板處理的處理時(shí)間所占 的比例增大。因此，存在如下問(wèn)題在基板處理室的清潔處理期間，當(dāng)運(yùn)送裝置支撐著該 基板處理室中下一個(gè)進(jìn)行處理的未處理晶片并等待時(shí)，由于運(yùn)送裝置不能進(jìn)行其他的操 作，因此不能發(fā)揮運(yùn)送裝置本來(lái)所具有的每單位時(shí)間的基板的運(yùn)送片數(shù)、即總處理能力 (throughput)o本發(fā)明就是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供以下一種基板交換方法以及 基板處理裝置在進(jìn)行基板處理裝置的基板處理室的清潔處理的期間也使運(yùn)送裝置工作， 由此能夠發(fā)揮運(yùn)送裝置本來(lái)所具有的總處理能力，并能夠提高基板處理裝置整體的總處理 能力。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的特征在于謀求以下描述的各個(gè)手段。第一發(fā)明是一種基板處理裝置的基板交換方法，其中，所述基板處理裝置包括基 板處理室、進(jìn)片室以及運(yùn)送裝置，所述運(yùn)送裝置能夠通過(guò)兩個(gè)運(yùn)送部件將基板運(yùn)入所述基 板處理室和所述進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述進(jìn)片室運(yùn)出基板，所述基板交換方法進(jìn) 行在所述基板處理室中處理的基板的交換，所述基板交換方法的特征在于，包括通過(guò)第一 運(yùn)送部件從所述基板處理室運(yùn)出第一基板的第一運(yùn)出工序；以及通過(guò)第二運(yùn)送部件向所述 基板處理室運(yùn)入第二基板的第一運(yùn)入工序，并且，在進(jìn)行所述第一運(yùn)出工序后并在進(jìn)行所 述第一運(yùn)入工序之前，執(zhí)行以下工序通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板 的第二運(yùn)出工序；以及通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板的第二運(yùn)入工 序。第二發(fā)明是在第一發(fā)明的基板交換方法中，其特征在于，在所述第二運(yùn)入工序中， 在進(jìn)行所述第二運(yùn)出工序之后，向在所述第二運(yùn)出工序中運(yùn)出了所述第二基板的進(jìn)片室運(yùn) 入所述第一基板。第三發(fā)明是在第二發(fā)明的基板交換方法中，其特征在于，所述基板處理裝置包括 多個(gè)基板處理室，基板交換方法進(jìn)行以下工序在進(jìn)行所述第一運(yùn)出工序之后并在進(jìn)行所 述第二運(yùn)出工序之前，通過(guò)所述第二運(yùn)送部件向第二基板處理室運(yùn)入第三基板的第三運(yùn)入 工序；以及在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之后并在進(jìn)行所述第一運(yùn)入工序之前，通過(guò)所述第一 運(yùn)送部件從第三基板處理室運(yùn)出第四基板的第三運(yùn)出工序。第四發(fā)明是在第一發(fā)明的基板交換方法中，其特征在于，所述基板處理裝置包括 多個(gè)進(jìn)片室，基板交換方法在所述第二運(yùn)入工序中向第一進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板，在所 述第二運(yùn)出工序中，在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之后從第二進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板。第五發(fā)明是在第四發(fā)明的基板交換方法，其特征在于，所述基板處理裝置包括多 個(gè)進(jìn)片室，所述基板交換方法在進(jìn)行所述第一運(yùn)出工序之后并在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之 前，進(jìn)行通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從所述第一進(jìn)片室運(yùn)出第三基板的第四運(yùn)出工序，并且在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之后并在進(jìn)行所述第二運(yùn)出工序之前，進(jìn)行通過(guò)所述第二運(yùn)送部 件向第二基板處理室運(yùn)入所述第三基板的第四運(yùn)入工序；以及通過(guò)所述第一運(yùn)送部件從第 三基板處理室運(yùn)出第四基板的第五運(yùn)出工序，并且在進(jìn)行所述第二運(yùn)出工序之后并在進(jìn)行 所述第一運(yùn)入工序之前，進(jìn)行通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向所述第二進(jìn)片室運(yùn)入所述第四基板 的第五運(yùn)入工序。第六發(fā)明是一種基板處理裝置，包括基板處理室；進(jìn)片室；運(yùn)送裝置，所述運(yùn)送 裝置具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件，并能夠通過(guò)所述兩個(gè)運(yùn)送部件將基板運(yùn)入所述基板處 理室和所述進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述進(jìn)片室運(yùn)出基板；以及控制部，所述控制部 控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出，基板處理裝置的特征在于，所述控制部控制所述運(yùn) 送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出，以便在通過(guò)第一運(yùn)送部件從所述基板處理室運(yùn)出第一基板之后 并在通過(guò)第二運(yùn)送部件向所述基板處理室運(yùn)入第二基板之前，通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從所 述進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向所述進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基 板。第七發(fā)明是一種基板處理裝置，包括多個(gè)基板處理室；進(jìn)片室；運(yùn)送裝置，所述 運(yùn)送裝置具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件，并能夠通過(guò)所述兩個(gè)運(yùn)送部件將基板運(yùn)入所述基 板處理室和所述進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述進(jìn)片室運(yùn)出基板；以及控制部，所述控 制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出；所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn) 出，以便在通過(guò)第一運(yùn)送部件從第一基板處理室運(yùn)出第一基板之后并在通過(guò)第二運(yùn)送部件 向所述第一基板處理室運(yùn)入第二基板之前，通過(guò)所述第二運(yùn)送部件向第二基板處理室運(yùn)入 第三基板，接著通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從所述進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板，接著通過(guò)所述第 一運(yùn)送部件向所述進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件從第三基板處理 室運(yùn)出第四基板。第八發(fā)明是一種基板處理裝置，包括多個(gè)基板處理室；多個(gè)進(jìn)片室；運(yùn)送裝置， 所述運(yùn)送裝置具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件，并能夠通過(guò)所述兩個(gè)運(yùn)送部件將基板運(yùn)入所 述多個(gè)基板處理室和所述多個(gè)進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述多個(gè)進(jìn)片室運(yùn)出基板；以 及控制部，所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出；所述控制部控制所述運(yùn)送裝 置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出，以便在通過(guò)第一運(yùn)送部件從第一基板處理室運(yùn)出第一基板之后并在 通過(guò)第二運(yùn)送部件向所述第一基板處理室運(yùn)入第二基板之前，通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從第 一進(jìn)片室運(yùn)出第三基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向所述第一進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基 板，接著通過(guò)所述第二運(yùn)送部件向第二基板處理室運(yùn)入所述第三基板，接著通過(guò)所述第一 運(yùn)送部件從第三基板處理室運(yùn)出第四基板，接著通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從第二進(jìn)片室運(yùn)出 所述第二基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向所述第二進(jìn)片室運(yùn)入所述第四基板。根據(jù)本發(fā)明，在進(jìn)行基板處理裝置的基板處理室的清潔處理的期間也使運(yùn)送裝置 工作，由此能夠發(fā)揮運(yùn)送裝置本來(lái)所具有的總處理能力，并能夠提高基板處理裝置整體的 總處理能力。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式涉及的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2是說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換方法中的運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及基板處理室和進(jìn)片室的內(nèi)部狀態(tài)的時(shí)間 表；圖3的(a) (e)是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的基板交換方法的圖，是示意性地 說(shuō)明運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及運(yùn)送部件和晶片的移動(dòng)的 平面圖；圖4是說(shuō)明以往的基板處理裝置的基板交換方法中的運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn) 片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及運(yùn)送部件和進(jìn)片室的內(nèi)部的狀態(tài)的時(shí)間表；圖5的(a) (e)是用于說(shuō)明以往的基板交換方法的圖，是示意性地說(shuō)明運(yùn)送部 件、基板處理室和進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及運(yùn)送部件和晶片的移動(dòng)的平面圖；圖6的(a)和(b)是示意性地表示本發(fā)明實(shí)施方式的基板交換方法和以往的基板 交換方法中的每一片的基板處理時(shí)間和基板處理裝置的總處理能力的關(guān)系的曲線圖；圖7是說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施方式的第一變形例的基板處理裝置的基板交換方法中 的運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及基板處理室和進(jìn)片室的內(nèi)部 狀態(tài)的時(shí)間表；圖8是說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施方式的第二變形例的基板處理裝置的基板交換方法中 的運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及基板處理室和進(jìn)片室的內(nèi)部 狀態(tài)的時(shí)間表。
具體實(shí)施例方式接著，結(jié)合附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。(實(shí)施方式)首先參考圖1對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的具有基板交換機(jī)構(gòu)的基板處理裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。基板處理裝置100包括對(duì)作為被處理基板的晶片W進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理等各 種處理的處理單元10 ；以及相對(duì)處理單元10使晶片W運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)送單元20。運(yùn)送單元 20具有在運(yùn)送晶片W時(shí)被共用的運(yùn)送室(運(yùn)送單元側(cè)運(yùn)送室)30。運(yùn)送室30例如由能夠循環(huán)N2氣等惰性氣體或清新空氣的截面近似為多角形的 箱體構(gòu)成。在構(gòu)成運(yùn)送室30的近似多角形截面的長(zhǎng)邊的一個(gè)側(cè)面上并列設(shè)置有多個(gè)盒臺(tái) 32 (這里是32a和32b)。盒臺(tái)32a、32b分別被構(gòu)成為能夠載置作為基板容納容器的一個(gè)例 子的盒容器34a、34b。在各盒容器34a、34b中能夠?qū)⒗缱疃?5片的晶片W以等間隔載置多級(jí)來(lái)容納， 內(nèi)部例如是充滿N2氣氣氛下的密閉結(jié)構(gòu)。運(yùn)送室30被構(gòu)成為能夠使晶片W經(jīng)由閥門(mén)36a、 36b被運(yùn)入其內(nèi)部或從其內(nèi)部運(yùn)出。這里，在盒容器34a、34b中分別容納在后述的基板處理室40a 40f中被處理的 晶片。不過(guò)，如果知道哪個(gè)晶片在哪個(gè)基板處理室進(jìn)行處理，則不一定需要將由各個(gè)基板處 理室40a 40f處理的晶片分到各個(gè)盒容器34a、34b中進(jìn)行容納。例如，可以在例如盒容 器34a、34b的一個(gè)或者兩者中混合容納由各個(gè)基板處理室40a 40f處理的晶片。另外， 在圖1中例舉了例如在各個(gè)盒臺(tái)32a、32b將兩臺(tái)盒容器34a、34b各載置一臺(tái)，但是盒臺(tái)和 盒容器的數(shù)目并不限于此，例如可以是三臺(tái)以上。
在運(yùn)送室30的端部、即在構(gòu)成近似多角形截面的短邊的一個(gè)側(cè)面上，設(shè)置有作為 定位裝置的定位器37。定位器37是檢測(cè)出晶片W的定位平面或槽口等進(jìn)行定位的。處理單元10具有基板處理室40，所述基板處理室40對(duì)晶片例如實(shí)施成膜處理 (例如等離子體CVD處理)或蝕刻處理(例如等離子體蝕刻處理)等預(yù)定的處理。在圖1 中，例示了具有六個(gè)基板處理室40 (40a 40f)的情況。在各個(gè)基板處理室40a 40f 中 設(shè)置有用于載置晶片W的載置臺(tái)42a 42f。另外，基板處理室40并不限定于六個(gè)，可以少 于六個(gè)，還可以多于六個(gè)。在各個(gè)基板處理室40a 40f中進(jìn)行的處理可以是同種處理，也可以是不同處理。 各個(gè)晶片基于預(yù)先存儲(chǔ)在控制部的存儲(chǔ)器等的表示蝕刻處理等處理工序等的信息(工序、 方法)在各個(gè)基板處理室40a 40f 中被實(shí)施預(yù)定的處理。關(guān)于各個(gè)晶片在哪個(gè)基板處理 室中進(jìn)行處理例如可以通過(guò)上述工序、方法進(jìn)行判斷。處理單元10具有向基板處理室40a 40f運(yùn)入或從中運(yùn)出晶片的運(yùn)送室(處理 單元側(cè)運(yùn)送室)50。運(yùn)送室50被形成為多角形(例如六角形)，各個(gè)基板處理室40a 40f 分別經(jīng)由閥門(mén)44a 44f配置在運(yùn)送室50周?chē)?。在運(yùn)送室50的周?chē)渲米鳛榕c運(yùn)送單元20連接的真空準(zhǔn)備室的一個(gè)例子的第 一、第二進(jìn)片室60a、60b。具體而言，第一、第二的進(jìn)片室60a、60b的頂端分別經(jīng)由閥門(mén)(真 空側(cè)閥門(mén))54a、54b連接在運(yùn)送室50的周?chē)谝?、第二進(jìn)片室60a、60b的底端部分別經(jīng) 由閥門(mén)(大氣側(cè)閥門(mén))64a、64b連接在構(gòu)成運(yùn)送室30的近似多角形截面的長(zhǎng)邊的另一側(cè)面上。第一、第二進(jìn)片室60a、60b被構(gòu)成為可以抽真空，具有暫時(shí)保持晶片W并在壓力調(diào) 整后進(jìn)入到下一級(jí)的功能。另外，在第一、第二進(jìn)片室60a、60b中分別設(shè)置有用于載置晶片 W的載置臺(tái)62a、62b。另外，第一、第二進(jìn)片室60a、60b還可以為具有冷卻機(jī)構(gòu)或加熱機(jī)構(gòu) 的結(jié)構(gòu)。如上所示，運(yùn)送室50和各基板處理室40a 40f之間、以及運(yùn)送室50和上述各個(gè) 進(jìn)片室60a、60b之間被構(gòu)成為分別能夠氣密地開(kāi)閉，并被集群工具化，根據(jù)需要能夠與運(yùn) 送室50連通。另外，上述第一、第二進(jìn)片室60a、60b與運(yùn)送室50之間也被構(gòu)成為分別能夠 氣密地開(kāi)閉。在運(yùn)送室50中，例如設(shè)置有由被構(gòu)成為能夠屈伸、升降、回旋的多關(guān)節(jié)臂構(gòu)成的 處理單元側(cè)運(yùn)送裝置(下面簡(jiǎn)稱為“運(yùn)送裝置”)80。該運(yùn)送裝置80能夠?qū)Ω鬟M(jìn)片室60a、 60b以及各基板處理室40a 40f進(jìn)行存取(access)。例如當(dāng)晶片被運(yùn)入到上述各個(gè)進(jìn)片 室60a、60b中時(shí)，該晶片通過(guò)運(yùn)送裝置80被運(yùn)入到處理該晶片的基板處理室40a 40f中 的某一個(gè)中。運(yùn)送裝置80由具有兩個(gè)拾取器的雙臂機(jī)構(gòu)構(gòu)成，能夠一次操作兩片晶片。由此， 例如在對(duì)各基板處理室40a 40b中的某一個(gè)運(yùn)入運(yùn)出晶片時(shí)，能夠交換處理完的晶片和 未處理的晶片。另一方面，在運(yùn)送單元20的運(yùn)送室30中設(shè)置有將晶片W沿著其長(zhǎng)度方向(圖1 所示的方向)進(jìn)行運(yùn)送的運(yùn)送單元側(cè)運(yùn)送裝置70。運(yùn)送單元側(cè)運(yùn)送裝置70也與處理單元 側(cè)運(yùn)送裝置(運(yùn)送裝置)80同樣，由具有兩個(gè)拾取器的雙臂機(jī)構(gòu)構(gòu)成，并能夠一次操作兩片 晶片。由此，例如能夠?qū)腥萜?4(34a、34b)、定位器37、進(jìn)片室60a、60b等進(jìn)行運(yùn)入運(yùn)出以交換晶片。另外，處理單元側(cè)運(yùn)送裝置80的拾取器數(shù)目不限于上述，例如可以是具有僅 一個(gè)的拾取器的單臂機(jī)構(gòu)。在上述基板處理裝置100中也設(shè)置有控制部90，所述控制部90除了進(jìn)行對(duì)各運(yùn) 送裝置 70、80、各閥門(mén) 36 (36a、36b)、44 (44a 44f)、54 (54a、54b)、64 (64a、64b)、定位器 37 等的控制之外，還對(duì)包含求出來(lái)自盒容器34的晶片的運(yùn)送定時(shí)的處理以及基于該晶片運(yùn) 送定時(shí)從盒容器34運(yùn)出晶片的控制等對(duì)該基板處理裝置整體的動(dòng)作進(jìn)行控制。控制部90 例如包括構(gòu)成該控制部90的整體的微型計(jì)算機(jī)、存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)等的存儲(chǔ)器等。另外，控制 部90在本發(fā)明中是用于對(duì)處理單元側(cè)運(yùn)送裝置(運(yùn)送裝置)80的晶片W的運(yùn)入運(yùn)出進(jìn)行 控制的。接著，參考圖2和圖3的(a) (e)，對(duì)本實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換方 法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換方法中，在將第一基板處理室的晶片從 處理完的晶片交換成未處理的晶片的第一運(yùn)出工序和第一運(yùn)入工序間，進(jìn)行第二運(yùn)出工序 和第二運(yùn)入工序這兩個(gè)其他的步驟。另外，能夠進(jìn)行本實(shí)施方式的基板交換方法的基板處理裝置包括基板處理室、進(jìn) 片室、具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件并能夠通過(guò)兩個(gè)運(yùn)送部件將基板在基板處理室或進(jìn)片 室運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)送裝置、以及控制運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出的控制部。即，在圖1所示的 基板處理裝置中，可以至少具有一個(gè)基板處理室并至少具有一個(gè)進(jìn)片室即可。另外，在本實(shí) 施方式中，作為一個(gè)例子，對(duì)具有兩個(gè)基板處理室和兩個(gè)進(jìn)片室的情況進(jìn)行說(shuō)明。另外，下面提起運(yùn)送裝置時(shí)是指處理單元側(cè)運(yùn)送裝置。圖2是說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換方法中的運(yùn)送部件、基 板處理室以及進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及基板處理室和進(jìn)片室的內(nèi)部狀態(tài)的時(shí)間 表。圖3的(a) (e)是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的基板交換方法的圖，是示意性地說(shuō)明 運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及運(yùn)送部件和晶片的移動(dòng)的平面 圖。在圖2所示的時(shí)間表中，從上邊的行依次表示步驟號(hào)、運(yùn)送裝置80的第一運(yùn)送部 件80a所支撐的晶片的晶片號(hào)、運(yùn)送裝置80的第二運(yùn)送部件80b所支撐的晶片的晶片號(hào)、 第一基板處理室40a中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第一基板處理室40a的狀態(tài)、第二基板處理 室40b中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第二基板處理室40b的狀態(tài)、第一進(jìn)片室60a中被支撐的 晶片的晶片號(hào)、第一進(jìn)片室60a的狀態(tài)、第二進(jìn)片室60b中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第二進(jìn) 片室60b的狀態(tài)。圖3的(a)表示剛要開(kāi)始后述的步驟S1之前(步驟S1之前的步驟SO 結(jié)束了時(shí))的狀態(tài)。從圖3的(b)到(e)分別表示從步驟S1到步驟S4結(jié)束了時(shí)的狀態(tài)。本實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換操作的最小單位包含圖2所示的步驟S1 到步驟S4。步驟S1、步驟S2、步驟S3、步驟S4分別相當(dāng)于本發(fā)明的第一運(yùn)出工序、第二運(yùn) 出工序、第二運(yùn)入工序、以及第一運(yùn)入工序。即，在本實(shí)施方式的基板交換方法中，在進(jìn)行步 驟S1的第一運(yùn)出工序之后并在進(jìn)行步驟S4的第一運(yùn)入工序之前，進(jìn)行步驟S2的第二運(yùn)出 工序和步驟S3的第二運(yùn)入工序。步驟S1是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第一基板處理室40a運(yùn)出的工序。 步驟S2是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b從第一進(jìn)片室60a運(yùn)出的工序。步驟S3是將
9晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一進(jìn)片室60a的工序。步驟S4是將晶片W3通過(guò) 第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一基片處理室40a的步驟。另外，晶片W1相當(dāng)于本發(fā)明的第一 基板，晶片3相當(dāng)于本發(fā)明的第二基板。開(kāi)始步驟S1之前的狀態(tài)是圖2的步驟SO結(jié)束了的狀態(tài)，即是在第一基板處理室 40a進(jìn)行了第一基板處理后的狀態(tài)。如圖2的步驟SO的列和圖3的(a)所示，在第一運(yùn)送 部件80a和第二運(yùn)送部件80b中任一個(gè)都沒(méi)有支撐晶片，在第一基板處理室40a的載置臺(tái) 42a上支撐有作為處理完的晶片的晶片W1，在第一進(jìn)片室60a的載置臺(tái)62a上支撐有作為 未處理的晶片的晶片W3。首先，進(jìn)行步驟S1。步驟S1是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第一基板處理 室40a運(yùn)出的工序。在完成第一基板處理室40a的基板處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第一基板處理 室40a的閥門(mén)44a，使第一運(yùn)送部件80a進(jìn)入第一基板處理室40a，并通過(guò)第一運(yùn)送部件80a 支撐被支撐在第一基板處理室40a的載置臺(tái)42a上的晶片W1，使第一運(yùn)送部件80a保持著 支撐晶片W1的狀態(tài)從第一基板處理室40a退出，并關(guān)閉第一基板處理室40a的閥門(mén)44a。 如圖2的步驟S 1的列和圖3的(b)所示，在進(jìn)行了步驟SI之后，在第一運(yùn)送部件80a上 支撐有晶片W1，第二運(yùn)送部件80b沒(méi)有支撐晶片，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支撐 著，在第一進(jìn)片室60a中支撐有晶片W3。這里，在關(guān)閉了第一基板處理室40a的閥門(mén)44a之后，當(dāng)在載置臺(tái)42a沒(méi)有支撐晶 片的狀態(tài)下，在第一基板處理室40a中開(kāi)始清潔處理。例如，能夠使用設(shè)置在第一基板處理 室40a中的未圖示的等離子體產(chǎn)生單元在第一基板處理室40a中產(chǎn)生等離子體，通過(guò)蝕刻 除去在成膜處理等的基板處理期間粘著在第一基板處理室40a的內(nèi)壁的粘著物，來(lái)進(jìn)行清 潔處理。接著進(jìn)行步驟S2。步驟S2是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b從第一進(jìn)片室60a 運(yùn)出的工序。在第一進(jìn)片室60a是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的閥 門(mén)54a，使第二運(yùn)送部件80b進(jìn)入第一進(jìn)片室60a中，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b支撐被支撐在 第一進(jìn)片室60a的載置臺(tái)62a上的晶片W3，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W3的狀 態(tài)從第一進(jìn)片室60a中退出，由此運(yùn)出晶片W3，并且關(guān)閉第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的 閥門(mén)54a。如圖2的步驟S2的列和圖3的(c)所示，在進(jìn)行了步驟S2之后，在第一運(yùn)送部 件80a上支撐有晶片W1，在第二運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W3，在第一基板處理室40a中 沒(méi)有晶片被支撐著，在第一進(jìn)片室60a中也沒(méi)有晶片被支撐著。另外，在進(jìn)行步驟S2期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S3。步驟S3是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一進(jìn)片室 60a的工序。在第一進(jìn)片室60a是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的閥 門(mén)54a，使第一運(yùn)送部件80a保持著支撐晶片W1的狀態(tài)進(jìn)入第一進(jìn)片室60a中，通過(guò)第一運(yùn) 送部件80a使晶片W1被支撐在第一進(jìn)片室60a的載置臺(tái)62a上，使沒(méi)有支撐晶片的第一運(yùn) 送部件80a從第一進(jìn)片室60a中退出，并關(guān)閉第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的閥門(mén)54a。 如圖2的步驟S3的列和圖3的(d)所示，在進(jìn)行了步驟S3之后，在第一運(yùn)送部件80a中沒(méi) 有晶片被支撐著，在第二運(yùn)送部件80b中支撐有晶片W3，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片 被支撐著，在第一進(jìn)片室60a中支撐有晶片W1。另外，大致與步驟S3結(jié)束的同時(shí)、或者在結(jié)束了步驟S3之后并開(kāi)始下一步驟S4之前，結(jié)束第一基板處理室40a的清潔處理。接著進(jìn)行步驟S4。步驟S4是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一基板 處理室40a的工序。在第一基板處理室40a的清潔處理完成了的狀態(tài)下，打開(kāi)第一基板處 理室40a的閥門(mén)44a，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W3的狀態(tài)進(jìn)入第一基板處理室 40a中，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b使晶片W3被支撐在第一基板處理室40a的載置臺(tái)42a上， 使沒(méi)有支撐晶片的第二運(yùn)送部件80b從第一基板處理室40a中退出，并關(guān)閉第一基板處理 室40a的閥門(mén)44a。如圖2的步驟S4的列和圖3的(e)所示，在進(jìn)行了步驟S4之后，在第 一、第二運(yùn)送部件80a、80b上沒(méi)有晶片被支撐著，在第一基板處理室40a中支撐有晶片W3， 在第一進(jìn)片室60a中支撐有晶片W1。如上所示，通過(guò)進(jìn)行從步驟S1到步驟S4,能夠進(jìn)行將第一基板處理室40a的基板 從晶片W1交換為晶片W3的操作。如圖2所示，在從步驟S1到步驟S3的三個(gè)步驟期間能 夠進(jìn)行第一基板處理室40a的清潔處理，步驟S1是從第一基板處理室40a運(yùn)出作為處理完 的晶片的晶片W1的步驟，所述步驟S3是向第一基板處理室40a運(yùn)入作為未處理晶片的晶 片W3的步驟的前一個(gè)步驟，在該期間，運(yùn)送裝置80能夠進(jìn)行將第一進(jìn)片室60a的基板從晶 片W3交換為晶片W1的操作。然后，通過(guò)進(jìn)行從步驟S5到步驟S8，此次能夠進(jìn)行將第二基板處理室40b的基板 從晶片W2交換為晶片W4的操作。如圖2所示，在從步驟S5到步驟S8的三個(gè)步驟期間能 夠進(jìn)行第二基板處理室40b的清潔處理，步驟S5是從第二基板處理室40b運(yùn)出處理完的晶 片的晶片W2的步驟，所述步驟S7是向第二基板處理室40b運(yùn)入作為未處理晶片的晶片W4 的步驟的前一個(gè)步驟，在該期間，運(yùn)送裝置80能夠進(jìn)行將二進(jìn)片室60b的基板從晶片W4交 換為晶片W2的操作。另外，步驟S5到步驟S7期間能夠在第一基板處理室40a中進(jìn)行晶片W3的基板處理。另外，在使用第一、第二兩個(gè)基板處理室40a、40b、第一、第二進(jìn)片室60a、60b的情 況下，在步驟S9之后，能夠重復(fù)與從步驟S1到步驟S8同樣的動(dòng)作。即，在具有兩個(gè)基板處 理室和兩個(gè)進(jìn)片室的基板處理裝置中，基板處理室的處理的最小單位是從步驟S1到步驟 S8的八個(gè)步驟，基板處理室的處理也包含基板處理。接著，參考圖4到圖6的(a)和(b)，對(duì)在本實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換 方法中能夠不使運(yùn)送裝置等待來(lái)提高運(yùn)送裝置的總處理能力的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。首先，參考圖4和圖5的(a) (e)，對(duì)在本實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換 方法中將能夠不使運(yùn)送裝置等待來(lái)進(jìn)行基板交換的作用效果與以往的基板交換方法進(jìn)行 比較說(shuō)明。圖4是說(shuō)明以往的基板處理裝置的基板交換方法中的運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn) 片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及運(yùn)送部件和進(jìn)片室的內(nèi)部的狀態(tài)的時(shí)間表。圖5的(a) (e)是用于說(shuō)明以往的基板交換方法的圖，是示意性地說(shuō)明運(yùn)送部件、基板處理室和進(jìn)片室 中有沒(méi)有被支撐的晶片以及運(yùn)送部件和晶片的移動(dòng)的平面圖。圖4所示的時(shí)間表也與圖2所示的時(shí)間表同樣，從上邊的行開(kāi)始依次是步驟號(hào)、運(yùn) 送裝置80的第一運(yùn)送部件80a所支撐的晶片的晶片號(hào)、運(yùn)送裝置80的第二運(yùn)送部件80b所 支撐的晶片的晶片號(hào)、第一基板處理室40a中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第一基板處理室40a的狀態(tài)、第二基板處理室40b中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第二基板處理室40b的狀態(tài)、第一 進(jìn)片室60a中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第一進(jìn)片室60a的狀態(tài)、第二進(jìn)片室60b中被支撐 的晶片的晶片號(hào)、第二進(jìn)片室60b的狀態(tài)。圖5的(a)表示剛要開(kāi)始后述的步驟S1，之前 (步驟S1，之前的步驟SO’結(jié)束了時(shí))的狀態(tài)。從圖5的(b)到圖5的(e)分別表示從步 驟S1，到步驟S4’結(jié)束了時(shí)的狀態(tài)。以往的基板處理裝置的基板交換操作的最小單位也包含圖4所示的步驟S1’到步 驟S4’。如圖4的步驟S1’的列以及圖5的(b)所示，步驟sr是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送 部件80a從第一基板處理室40a運(yùn)出的工序。如圖4的步驟S4’和圖5的(e)所示，步驟 S4’是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一基板處理室40a的步驟。另外，如圖4 的步驟S1’的列到步驟S3’的列所示的那樣，在從步驟S1’到步驟S3’期間，在第一基板處 理室40a中進(jìn)行清潔處理。但是，在以往的基板處理裝置的基板交換操作中，在步驟S1’之前的步驟SO’中， 如圖4和圖5的(a)所示那樣是預(yù)先在第二運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W3的狀態(tài)。另外， 在進(jìn)行圖5的(b)所示的步驟S1’后通過(guò)第一運(yùn)送部件80a將晶片W1從第一基板處理室 40a運(yùn)出后，在進(jìn)行圖5的(e)所示的步驟S5’并通過(guò)第二運(yùn)送部件80b將晶片W3運(yùn)入到 第一基板處理室40a之前使運(yùn)送裝置80不進(jìn)行其他操作。從而，在圖5的(c)所示的步驟 S2’、圖5的(d)所示的步驟S3’中，在第一基板處理室40a中進(jìn)行清潔處理的期間，運(yùn)送裝 置80以使第一、第二運(yùn)送部件80a、80b支撐著基板的狀態(tài)等待第一基板處理室40a的清潔 處理結(jié)束。其結(jié)果是，與第一實(shí)施方式同樣，在使具有第一、第二基板處理室40a、40b、第一、 第二進(jìn)片室60a、60b的基板處理裝置中的運(yùn)送裝置80進(jìn)行動(dòng)作的情況下，由于在步驟S2，、 步驟S3’不能進(jìn)行其他操作，因此在第一、第二基板處理室40a、40b中產(chǎn)生等待時(shí)間。例如 在圖4的例子中，在進(jìn)行步驟S4’后在第一基板處理室40a中進(jìn)行基板處理的情況下，即使 與本實(shí)施方式同樣地在步驟S5’到步驟S7’期間進(jìn)行基板處理，也不能之后馬上將晶片W3 從第一基板處理室40a運(yùn)出。這是因?yàn)?，運(yùn)送裝置80以第一、第二運(yùn)送部件80a、80b支撐 晶片W2、晶片W4的狀態(tài)等待第二基板處理室40b的清潔處理結(jié)束。其結(jié)果是，包含基板處 理在內(nèi)的基板處理室的處理的最小單位為步驟S1到步驟S12的12個(gè)步驟。另外，包含基 板處理在內(nèi)的基板處理室的處理的最小單位所需要的時(shí)間是后述的基板處理裝置的總處 理能力的說(shuō)明中的速控時(shí)間T0，在TO中包含基板處理室的清潔處理的等待時(shí)間。另一方面，如前所示，在本實(shí)施方式中，包含基板處理在內(nèi)的基板處理室的處理的 最小單位是從步驟S1到步驟S8的八個(gè)步驟。因此，在進(jìn)行相同時(shí)間的清潔處理的情況下， 本實(shí)施方式能夠縮短一個(gè)基板處理室中的一片晶片的基板處理所需要的時(shí)間。另外，在本 實(shí)施方式中，包含基板處理在內(nèi)的基板處理室的處理的最小單位所需要的時(shí)間是相當(dāng)于后 述的速控時(shí)間T1的時(shí)間，在T1中不包含基板處理室的清潔處理的等待時(shí)間。接著，參考圖6的(a)和(b)，與以往的基板交換方法進(jìn)行比較來(lái)說(shuō)明在本實(shí)施方 式的基板處理裝置的基板交換方法中能夠提高基板處理裝置整體的總處理能力、并發(fā)揮運(yùn) 送裝置本來(lái)所具有的總處理能力的作用效果。圖6的(a)和(b)是示意性地表示本發(fā)明實(shí)施方式的基板交換方法和以往的基板 交換方法中的每一片的基板處理時(shí)間和基板處理裝置的總處理能力的關(guān)系的曲線圖。圖6的(a)示出本實(shí)施方式的基板交換方法，圖6的(b)示出以往的基板交換方法。當(dāng)假定基板處理裝置的總處理能力與每一片的基板處理時(shí)間成反比時(shí)，每一片的 基板處理時(shí)間越短，基板處理裝置的總處理能力就越大。但是，當(dāng)設(shè)為包含基板處理時(shí)間以 外的等待時(shí)間等的某個(gè)時(shí)間TO是速控時(shí)間TO時(shí)，即使基板處理時(shí)間變得比TO短，也不能 使基板處理裝置的總處理能力比與速控時(shí)間TO對(duì)應(yīng)的總處理能力P0大。如圖6的(b)所 示，在以往的基板交換方法中，包含基板處理室的清潔處理的等待時(shí)間的時(shí)間TO是速控時(shí) 間。另一方面，在本實(shí)施方式的基板交換方法中，如前所述，不包含基板處理室的清潔 處理的某時(shí)間T1為速控時(shí)間。不包含基板處理室的清潔處理的速控時(shí)間T1比包含基板處 理室的清潔處理的速控時(shí)間T0小。S卩，Tl < T0。因此，如圖6的(a)所示，與不包含基板 處理室的清潔處理的速控時(shí)間T1對(duì)應(yīng)的基板處理裝置的總處理能力P1比與包含基板處理 室的清潔處理的速控時(shí)間T0對(duì)應(yīng)的基板處理裝置的總處理能力P0大。S卩，PI > P0。因 此，根據(jù)本實(shí)施方式的基板交換方法，能夠提高基板處理裝置整體的總處理能力，并能夠使 運(yùn)送裝置發(fā)揮本來(lái)所具有的總處理能力。并且，在本實(shí)施方式的基板交換方法中，即使使基板處理室的清潔處理的時(shí)間更 長(zhǎng)，速控時(shí)間T1也幾乎不增加，基板處理裝置的總處理能力P1幾乎沒(méi)有減少。因此，能夠 在確保與以往的基板處理裝置相同的總處理能力的同時(shí)進(jìn)行充分長(zhǎng)的基板處理室的清潔處理。另外，在本實(shí)施方式中，在進(jìn)行通過(guò)第二運(yùn)送部件80b將晶片W3從第一進(jìn)片室60a 運(yùn)出的步驟S2之后，在步驟S3中，將晶片W1運(yùn)入到運(yùn)出了晶片W3的第一進(jìn)片室60a。但 是，在步驟S3中，可以將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一進(jìn)片室60a以外的進(jìn)片 室，例如可以運(yùn)入到第二進(jìn)片室60b。另外，可以以逆序進(jìn)行步驟S2和步驟S3的動(dòng)作。S卩，在步驟S2中，通過(guò)第一運(yùn)送 部件80a將晶片W1運(yùn)入到第二進(jìn)片室60b，接著，在步驟S3中，可以通過(guò)第二運(yùn)送部件80b 將晶片W3從第一進(jìn)片室60a運(yùn)出。并且，在開(kāi)始步驟S1時(shí)，也可以分別交換第一、第二運(yùn) 送部件80a、80b并分別交換第一、第二進(jìn)片室60a、60b來(lái)進(jìn)行各個(gè)步驟。(實(shí)施方式的第一變形例)接著，參考圖7對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的第一變形例的基板處理裝置的基板交換方法 進(jìn)行說(shuō)明。本變形例的基板處理裝置的基板處理方法在以下問(wèn)題上與實(shí)施方式的基板處理 裝置的基板處理方法不同在將第一基板處理室的晶片從處理完的晶片交換成未處理的晶 片的第一運(yùn)出工序和第一運(yùn)入工序之間進(jìn)行四個(gè)步驟。即，與在實(shí)施方式的基板處理裝置 的基板處理方法中在進(jìn)行第一運(yùn)出工序之后在進(jìn)行第一運(yùn)入工序之前進(jìn)行所述的第二運(yùn) 出工序和第二運(yùn)入工序這兩個(gè)步驟不同，在本變形例的基板處理裝置的基板交換方法中， 除了在第一運(yùn)出工序和第一運(yùn)入工序之間進(jìn)行第二運(yùn)出工序和第二運(yùn)入工序這兩個(gè)步驟 之外，在第一運(yùn)出工序和第二運(yùn)出工序之間進(jìn)行第三運(yùn)入工序，在第二運(yùn)入工序和第一運(yùn) 入工序之間進(jìn)行第三運(yùn)出工序。S卩，在本變形例的基板處理裝置的基板交換方法中，在進(jìn)行第一運(yùn)出工序之后進(jìn) 行第一運(yùn)入工序之前，進(jìn)行第三運(yùn)入工序、第二運(yùn)出工序、第二運(yùn)入工序、第三運(yùn)出工序這
13四個(gè)步驟。另外，能夠進(jìn)行本變形例的基板交換方法的基板處理裝置包括多個(gè)基板處理室、 進(jìn)片室、具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件并能夠通過(guò)兩個(gè)運(yùn)送部件將基板在基板處理室或進(jìn) 片室運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)送裝置、控制運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出的控制部。即，在圖1所示的基 板處理裝置中，至少具有兩個(gè)基板處理室，并至少具有一個(gè)進(jìn)片室即可。另外，在本變形例 中，作為一個(gè)例子，對(duì)具有三個(gè)基板處理室和兩個(gè)進(jìn)片室的情況進(jìn)行說(shuō)明。另外，與實(shí)施方式同樣，下面提起運(yùn)送裝置時(shí)是指處理單元側(cè)運(yùn)送裝置。圖7是說(shuō)明在本變形例的基板處理裝置的基板交換方法中的運(yùn)送部件、基板處理 室以及進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及基板處理室和進(jìn)片室的內(nèi)部狀態(tài)的時(shí)間表。在圖7所示的時(shí)間表中，從上邊的行依次表示步驟號(hào)、運(yùn)送裝置80的第一運(yùn)送部 件80a所支撐的晶片的晶片號(hào)、運(yùn)送裝置80的第二運(yùn)送部件80b所支撐的晶片的晶片號(hào)、 第一基板處理室40a中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第一基板處理室40a的狀態(tài)、第二基板處理 室40b中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第二基板處理室40b的狀態(tài)、第三基板處理室40c中被支 撐的晶片的晶片號(hào)、第三基板處理室40c的狀態(tài)、第一進(jìn)片室60a中被支撐的晶片的晶片 號(hào)、第一進(jìn)片室60a的狀態(tài)、第二進(jìn)片室60b中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第二進(jìn)片室60b的 狀態(tài)。本變形例的基板處理裝置的基板交換操作的最小單位包含圖7所示的步驟S101 至步驟S106。步驟S101至步驟S106分別依次相當(dāng)于本發(fā)明的第一運(yùn)出工序、第三運(yùn)入工 序、第二運(yùn)出工序、第二運(yùn)入工序、第三運(yùn)出工序、以及第一運(yùn)入工序。步驟S101是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第一基板處理室40a運(yùn)出的工 序。步驟S102是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第二基板處理室40b的工序。步 驟S103是將晶片W4通過(guò)第二運(yùn)送部件80b從第一進(jìn)片室60a運(yùn)出的工序。步驟S104是 將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一進(jìn)片室60a的步驟。步驟S105是將晶片W2 通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第三基板處理室40c運(yùn)出的工序。步驟S106是將晶片W4通過(guò)第 二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一基板處理室40a的步驟。另外，晶片W1相當(dāng)于本發(fā)明的第一基 板，晶片W4相當(dāng)于本發(fā)明的第二基板，晶片W3相當(dāng)于本發(fā)明的第三基板，晶片W2相當(dāng)于本 發(fā)明的第四基板。開(kāi)始步驟S101之前的狀態(tài)是結(jié)束了圖7的步驟S100的狀態(tài)，即是在第一基板處 理室40a進(jìn)行晶片W1的基板處理后的狀態(tài)。如圖7的步驟S100的列所示，在第一運(yùn)送部 件80a中沒(méi)有晶片被支撐著，第二運(yùn)送部件80b支撐有作為未處理的晶片的晶片W3，在第一 基板處理室40a中支撐有作為未處理的晶片的晶片W1，在第二基板處理室40b中沒(méi)有晶片 被支撐著，在第三基板處理室40c中支撐有作為處理中的晶片的晶片W2，在第一進(jìn)片室60a 中支撐有作為未處理的晶片的晶片W4。首先，進(jìn)行步驟S101。步驟S101是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第一基板 處理室40a運(yùn)出的工序。在完成了第一基板處理室40a的基板處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第一基 板處理室40a的閥門(mén)44a，使第一運(yùn)送部件80a進(jìn)入第一基板處理室40a中，并通過(guò)第一運(yùn) 送部件80a支撐被支撐在第一基板處理室40a的載置臺(tái)42a上的晶片W1，使第一運(yùn)送部件 80a保持著支撐晶片W1的狀態(tài)從第一基板處理室40a退出，并關(guān)閉第一基板處理室40a的 閥門(mén)44a。如圖7的步驟S101的列所示，在進(jìn)行了步驟S101之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐有晶片W1，在第二運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W3，在第一、第二基板處理室40a、40b中 沒(méi)有晶片被支撐著，在第三基板處理室40c中支撐有作為處理中的晶片的晶片W2，在第一 進(jìn)片室60a中支撐有作為未處理的晶片的晶片W4。這里，在關(guān)閉了第一基板處理室40a的閥門(mén)44a之后，當(dāng)在載置臺(tái)42a沒(méi)有晶片被 支撐著的狀態(tài)下，在第一基板處理室40a中開(kāi)始清潔處理。與實(shí)施方式同樣，例如能夠使用 設(shè)置在第一基板處理室40a中的未圖示的等離子體產(chǎn)生單元在第一基板處理室40a中產(chǎn)生 等離子體，通過(guò)蝕刻除去在成膜處理等的基板處理期間粘著在第一基板處理室40a的內(nèi)壁 的粘著物，由此進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S102。步驟S102是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第二 基板處理室40b的工序。在完成第二基板處理室40b的清潔處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第二基板 處理室40b的閥門(mén)44b，使二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W3的狀態(tài)進(jìn)入第二基板處理室 40b,并通過(guò)第二運(yùn)送部件80b使晶片W3被支持在第二基板處理室40b的載置臺(tái)42b上，并 使沒(méi)有支撐晶片的第二運(yùn)送部件80b從第二基板處理室40b退出，并關(guān)閉第二基板處理室 40b的閥門(mén)44b。如圖7的步驟S102的列所示，在進(jìn)行步驟S102之后，在第一運(yùn)送部件80a 上支撐有晶片W1，第二運(yùn)送部件80b沒(méi)有支撐晶片，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支 撐著，在第二基板處理室40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室40c中支撐有晶片W2，在 第一進(jìn)片室60a中支撐有晶片W4。另外，在進(jìn)行步驟S102期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S103。步驟S103是將晶片W4通過(guò)第二運(yùn)送部件80b從第一進(jìn)片 室60a運(yùn)出的工序。在第一進(jìn)片室60a是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50 側(cè)的閥門(mén)54a，使第二運(yùn)送部件80b進(jìn)入第一進(jìn)片室60a中，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b支撐被 支撐在第一進(jìn)片室60a的載置臺(tái)62a上的晶片W4，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W4 的狀態(tài)從第一進(jìn)片室60a退出，并關(guān)閉第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的閥門(mén)54a。如圖7 的步驟S103的列所示，在進(jìn)行了步驟S103之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐有晶片W1，在 第二運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W4，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支撐著，在第二 基板處理室40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室40c中支撐有晶片W2，在第一進(jìn)片室 60a中沒(méi)有晶片被支撐著。另外，在進(jìn)行步驟S103的期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S104。步驟S104是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一進(jìn) 片室60a的工序。在第一進(jìn)片室60a是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè) 的閥門(mén)54a，使一運(yùn)送部件80a保持著支撐晶片W1的狀態(tài)進(jìn)入第一進(jìn)片室60a中，通過(guò)第一 運(yùn)送部件80a使第一進(jìn)片室60a的載置臺(tái)62a支撐晶片W1，使沒(méi)有支撐晶片的第二運(yùn)送部 件80b從第一進(jìn)片室60a退出，并關(guān)閉第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的閥門(mén)54a。如圖7 的步驟S104所示，在進(jìn)行步驟S104之后，第一運(yùn)送部件80a沒(méi)有支撐晶片，在第二運(yùn)送部 件80b上支撐有晶片W4，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支撐著，在第二基板處理室 40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室4c中支撐有晶片W2，在第一進(jìn)片室60a中支撐有 晶片W1。另外，在進(jìn)行步驟S104期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S105。步驟S105是將晶片W2通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第三基板處理室40c運(yùn)出的工序。在完成第三基板處理室40c的基板處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第三基板處 理室40c的閥門(mén)44c，使第一運(yùn)送部件80a進(jìn)入第三基板處理室40c中，并通過(guò)第一運(yùn)送部 件80a支撐被支撐在第三基板處理室40c的載置臺(tái)42c上的晶片W2，使第一運(yùn)送部件80a 保持著支撐晶片W2的狀態(tài)從第三基板處理室40c內(nèi)退出，并關(guān)閉第三基板處理室40c的閥 門(mén)44c。如圖7的步驟S105所示，在進(jìn)行了步驟S105之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐有 晶片W2，在第二運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W4，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支撐 著，在第二基板處理室40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室40c中沒(méi)有晶片被支撐著， 在第一進(jìn)片室60a中支撐有晶片W1。另外，大致與步驟S105結(jié)束的同時(shí)、或者在結(jié)束了步驟S105之后并在開(kāi)始下一步 驟S106之前，結(jié)束第一基板處理室40a的清潔處理。接著進(jìn)行步驟S106。步驟S106是將晶片W4通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一基 板處理室40a的工序。在完成第一基板處理室40a的清潔處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第一基板處 理室40a的閥門(mén)44a，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W4的狀態(tài)進(jìn)入第一基板處理室 40a中，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b使晶片W4被支撐在第一基板處理室40a的載置臺(tái)42a上，使 沒(méi)有支撐晶片的第二運(yùn)送部件80b從第一基板處理室40a中退出，并關(guān)閉第一基板處理室 40a的閥門(mén)44a。如圖7所示，在進(jìn)行了步驟S106之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐有晶片 W2，第二運(yùn)送部件80b沒(méi)有支撐晶片，在第一基板處理室40a中支撐有晶片W4，在第二基板 處理室40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室40c中沒(méi)有晶片被支撐著，在第一進(jìn)片室 60a中支撐有晶片W1。如上所示，通過(guò)進(jìn)行從步驟S101到步驟106，能夠進(jìn)行將第一基板處理室40a的基 板從晶片W1交換為晶片W4的操作。如圖7所示，在從步驟S101到步驟S105的五個(gè)步驟 期間能夠進(jìn)行第一基板處理室40a的清潔處理，所述步驟S101是從第一基板處理室40a運(yùn) 出作為處理完的晶片的晶片W1的步驟，所述步驟S105是向第一基板處理室40a運(yùn)入作為 未處理晶片的晶片W4的步驟的前一個(gè)步驟，在該期間，運(yùn)送裝置80能夠進(jìn)行以下操作將 晶片W3運(yùn)入到第二基板處理室40b，將晶片W4從第一進(jìn)片室60a運(yùn)出，將晶片W1運(yùn)入到第 一進(jìn)片室60a，將晶片W2從第三基板處理室40c運(yùn)出。之后，通過(guò)進(jìn)行從步驟S107到步驟S112的動(dòng)作能夠進(jìn)行以下操作將晶片W5從 第二進(jìn)片室60b運(yùn)出(步驟S107)并運(yùn)入到第三基板處理室40c (步驟S110)的操作、將晶 片W2運(yùn)入到第二進(jìn)片室60b (步驟S108)的操作、將晶片W3從第二基板處理室40b運(yùn)出 (步驟S109)并運(yùn)入到第一進(jìn)片室60a (步驟S112)的操作、將晶片W6從第一進(jìn)片室60a運(yùn) 出(步驟S111)的操作。如圖7所示，在從步驟S105到步驟S109的五個(gè)步驟期間能夠進(jìn) 行第三基板處理室40c的清潔處理。另外，在從步驟S107到步驟S111的期間能夠在第一基板處理室40a進(jìn)行晶片W4 的基板處理。另外，在使用第一 第三的三個(gè)基板處理室40a 40c、第一、第二的兩個(gè)進(jìn)片室 60a、60b的情況下，在步驟S113之后，能夠重復(fù)與從步驟S101到步驟S112同樣的動(dòng)作。即， 在兩個(gè)基板處理室的處理的最小單位是從步驟S101到步驟S112的12個(gè)步驟。在本變形例中也與實(shí)施方式相同，運(yùn)送裝置不會(huì)以使第一和第二運(yùn)送部件支撐著 晶片的狀態(tài)等待各個(gè)基板處理室的清潔處理結(jié)束。因此，與以往的方法相比，能夠縮短一個(gè)基板處理室中的一片晶片的基板處理所需要的時(shí)間。另外，即使在本變形例也與在實(shí)施方式中使用圖6的(a)和(b)進(jìn)行說(shuō)明的相同， 不包含基板處理室的清潔處理的速控時(shí)間T1比以往的包含基板處理室的清潔處理的速控 時(shí)間TO小。因此，本變形例中的基板處理裝置的總處理能力P1比以往的基板處理裝置的 總處理能力P0大。即，能夠提高基板處理裝置整體的總處理能力，并能夠發(fā)揮運(yùn)送裝置本 來(lái)所具有的總處理能力。并且，即使在本變形例中，在使運(yùn)送裝置發(fā)揮本來(lái)所具有的總處理能力的狀態(tài)下， 能夠以比實(shí)施方式更長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行各個(gè)基板處理室的清潔處理。(實(shí)施方式的第二變形例)接著，參考圖8對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的第二變形例的基板處理裝置的基板交換方法 進(jìn)行說(shuō)明。本變形例的基板處理裝置的基板交換方法是在使第一基板處理室的晶片從處理 完的晶片交換成未處理的晶片的第一運(yùn)出工序和第一運(yùn)入工序期間進(jìn)行六個(gè)其他的步驟 的問(wèn)題上與實(shí)施方式的基板處理裝置的基板交換方法不同。即，與在實(shí)施方式的基板處理 裝置的基板交換方法中的在進(jìn)行第一運(yùn)出工序之后進(jìn)行第一運(yùn)入工序之前進(jìn)行所述的第 二運(yùn)出工序和第二運(yùn)入工序的兩個(gè)其他的步驟不同，在本變形例的基板處理裝置的基板交 換方法中，在進(jìn)行第一運(yùn)出工序之后進(jìn)行第二運(yùn)入工序之前進(jìn)行第四運(yùn)出工序，在進(jìn)行第 二運(yùn)入工序之后進(jìn)行第二運(yùn)出工序之前進(jìn)行第四運(yùn)入工序和第五運(yùn)出工序，在進(jìn)行第二運(yùn) 出工序之后進(jìn)行第一運(yùn)入工序之前進(jìn)行第五運(yùn)入工序。S卩，在本變形例的基板處理裝置的基板交換方法中，在進(jìn)行第一運(yùn)出工序之后進(jìn) 行第一運(yùn)入工序之前進(jìn)行第四運(yùn)出工序、第二運(yùn)入工序、第四運(yùn)入工序、第五運(yùn)出工序、第 二運(yùn)出工序、第五運(yùn)入工序這六個(gè)步驟。另外，在能夠進(jìn)行本變形例的基板交換方法的基板處理裝置中包括多個(gè)基板處 理室、多個(gè)進(jìn)片室、具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件并能夠通過(guò)兩個(gè)運(yùn)送部件將基板在基板 處理室或進(jìn)片室中運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)送裝置、控制運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出的控制部。即，在 圖1所示的基板處理裝置中，至少具有兩個(gè)基板處理室，并至少具有兩個(gè)進(jìn)片室即可。另 外，在本變形例中，作為一個(gè)例子，對(duì)具有三個(gè)基板處理室和兩個(gè)進(jìn)片室的情況進(jìn)行說(shuō)明。另外，與實(shí)施方式同樣，下面提起運(yùn)送裝置時(shí)是指處理單元側(cè)運(yùn)送裝置。圖8是說(shuō)明在本變形例的基板處理裝置的基板交換方法中的運(yùn)送部件、基板處理 室和進(jìn)片室中有沒(méi)有被支撐的晶片以及基板處理室和進(jìn)片室的內(nèi)部狀態(tài)的時(shí)間表。在圖8所示的時(shí)間表中，從上邊的行依次表示步驟號(hào)、運(yùn)送裝置80的第一運(yùn)送部 件80a所支撐的晶片的晶片號(hào)、運(yùn)送裝置80的第二運(yùn)送部件80b所支撐的晶片的晶片號(hào)、 第一基板處理室40a中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第一基板處理室40a的狀態(tài)、第二基板處理 室40b中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第二基板處理室40b的狀態(tài)、第三基板處理室40c中被支 撐的晶片的晶片號(hào)、第三基板處理室40c的狀態(tài)、第一進(jìn)片室60a中被支撐的晶片的晶片 號(hào)、第一進(jìn)片室60a的狀態(tài)、第二進(jìn)片室60b中被支撐的晶片的晶片號(hào)、第二進(jìn)片室60b的 狀態(tài)。本變形例的基板處理裝置的基板交換方法的最小單位包含圖8所示的步驟S201 至步驟S208。步驟S201至步驟S208分別相當(dāng)于本發(fā)明的第一運(yùn)出工序、第四運(yùn)出工序。第二運(yùn)入工序、第四運(yùn)入工序、第五運(yùn)出工序、第二運(yùn)出工序、第五運(yùn)入工序以及第一運(yùn)入 工序。步驟S201是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第一基板處理室40a運(yùn)出的工序。 步驟S202是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b從第一進(jìn)片室60a運(yùn)出的工序。步驟S203 是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一進(jìn)片室60a的步驟。步驟S204是將晶片W3 通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一基板處理室40b的工序。步驟S205是將晶片W2通過(guò)第 一運(yùn)送部件80a從第三基板處理室40c運(yùn)出的工序。步驟S206是將晶片W4通過(guò)第二運(yùn)送 部件80b從第二進(jìn)片室60b運(yùn)出的工序。步驟S207是將晶片W2通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn) 入到第二進(jìn)片室60b的工序。步驟S208是將晶片W4通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一基 板處理室40a的工序。另外，晶片W1相當(dāng)于本發(fā)明的第一基板，晶片W4相當(dāng)于本發(fā)明的第 二基板，晶片W3相當(dāng)于本發(fā)明的第三基板，晶片W2相當(dāng)于本發(fā)明的第四基板。開(kāi)始步驟S201之前的狀態(tài)是結(jié)束了圖8的步驟S200的狀態(tài)，即是在第一基板處 理室40a進(jìn)行晶片W1的基板處理后的狀態(tài)。如圖8的步驟S200的列所示，在第一、第二運(yùn) 送部件80a、80b中沒(méi)有晶片被支撐著，在第一基板處理室40a中支撐有作為處理完的晶片 的晶片W1，在第二基板處理室40b中沒(méi)有晶片被支撐著，在第三基板處理室40c中支撐有作 為未處理的晶片的晶片W2，在第一進(jìn)片室60a中有支撐作為未處理的晶片的晶片W3。另外 在第二進(jìn)片室60b中可以沒(méi)有晶片被支撐著，也可以支撐有晶片。首先，進(jìn)行步驟S201。步驟S201是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第一基板 處理室40a運(yùn)出的工序。在完成第一基板處理室40a的基板處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第一基板 處理室40a的閥門(mén)44a，使第一運(yùn)送部件80a進(jìn)入第一基板處理室40a中，并通過(guò)第一運(yùn)送 部件80a支撐被支撐在第一基板處理室40a的載置臺(tái)42a上的晶片W1，使第一運(yùn)送部件80a 保持著支撐晶片W1的狀態(tài)從第一基板處理室40a退出，并關(guān)閉第一基板處理室40a的閥門(mén) 44a。如圖8的步驟S201的列所示，在進(jìn)行了步驟S201之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐 有晶片W1，在第二運(yùn)送部件80b沒(méi)有晶片被支撐著，在第一、第二基板處理室40a、40b中沒(méi) 有晶片被支撐著，在第三基板處理室40c中支撐有作為處理中的晶片的晶片W2，在第一進(jìn) 片室60a中支撐有作為未處理的晶的撐晶片W3。另外，在第二進(jìn)片室60b中可以沒(méi)有晶片 被支撐著，也可以支撐有晶片。這里，在關(guān)閉了第一基板處理室40a的閥門(mén)44a之后，當(dāng)在 載置臺(tái)42a沒(méi)有晶片被支撐著的狀態(tài)下，在第一基板處理室40a中開(kāi)始清潔處理。與實(shí)施 方式相同，例如使用設(shè)置在第一基板處理室40a中的未圖示的等離子體產(chǎn)生單元在第一基 板處理室40a中產(chǎn)生等離子體，通過(guò)蝕刻除去在成膜處理等的基板處理期間粘著在第一基 板處理室40a的內(nèi)壁的粘著物，由此能夠進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S202。步驟S202是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b從第一進(jìn)片室 60a運(yùn)出的工序。在第一進(jìn)片室60a是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè) 的閥門(mén)54a，使第二運(yùn)送部件80b進(jìn)入第一進(jìn)片室60a中，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b支撐被支 撐在第一進(jìn)片室60a的載置臺(tái)62a的晶片W3，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W3的狀 態(tài)從第一進(jìn)片室60a中退出，并關(guān)閉第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的閥門(mén)54a。如圖8的 步驟S202的列所示，在進(jìn)行步驟S202之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐有晶片W1，在第二 運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W3，在第一、第二基板處理室40a、40b中沒(méi)有晶片被支撐著，在 第三基板處理室40c中支撐有晶片W2，在第一進(jìn)片室60a中沒(méi)有晶片被支撐著，在第二進(jìn)片室60b中支撐有晶片W4。另外，在進(jìn)行步驟S202期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S203。步驟S203是將晶片W1通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一 進(jìn)片室60a的工序。在第一進(jìn)片室60a是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50 側(cè)的閥門(mén)54a，使第一運(yùn)送部件80a保持著支撐晶片W1的狀態(tài)進(jìn)入第一進(jìn)片室60a中，通過(guò) 第一運(yùn)送部件80a使晶片W1被第一進(jìn)片室60a的載置臺(tái)62a，使沒(méi)有支撐晶片的第一運(yùn)送 部件80a從第一進(jìn)片室60a中退出，并關(guān)閉第一進(jìn)片室60a的運(yùn)送室50側(cè)的閥門(mén)54a。如 圖8的步驟S203的列所示，在進(jìn)行步驟S203之后，在第一運(yùn)送部件80a上沒(méi)有晶片被支撐 著，在第二運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W3，在第一、第二基板處理室40a、40b中沒(méi)有晶片被 支撐著，在第三基板處理室4c中支撐有晶片W2，在第一進(jìn)片室60a中支撐有晶片W1，在第 二進(jìn)片室60b中支撐有晶片W4。另外，在進(jìn)行步驟S203期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行的清潔處理。接著，進(jìn)行步驟S204。步驟S204是將晶片W3通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第二 基板處理室40b的工序。在結(jié)束了第二基板處理室40b的清潔處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第二基 板處理室40b的閥門(mén)44b，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W3的狀態(tài)進(jìn)入第二基板處 理室40b進(jìn)出，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b將晶片W3載置在第二基板處理室40b的載置臺(tái)42b 上，使沒(méi)有支撐晶片的第二運(yùn)送部件80b從第二基板處理室40b中退出，并關(guān)閉第二基板處 理室40b的閥門(mén)44b。如圖8的步驟S204的列所示，在進(jìn)行了步驟S204之后，第一、第二運(yùn) 送部件80a、80b沒(méi)有支撐晶片，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支撐著，在第二基板處 理室40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室40c中支撐有晶片W2，在第一進(jìn)片室60a中 支撐有晶片W1，在第二進(jìn)片室60b中支撐有晶片W4。另外，在進(jìn)行步驟S204期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。 接著進(jìn)行步驟S205。步驟S205是將晶片W2通過(guò)第一運(yùn)送部件80a從第三基板處理室40c 運(yùn)出的工序。在完成了第三基板處理室40c的基板處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第三基板處理室40c 的閥門(mén)44c，使第一運(yùn)送部件80a進(jìn)入第三基板處理室40c中，并通過(guò)第一運(yùn)送部件80a支 撐被支撐在第三基板處理室40c的載置臺(tái)42c上的晶片W2，使第一運(yùn)送部件80a保持著支 撐晶片W2的狀態(tài)從第三基板處理室40c內(nèi)退出，并關(guān)閉第三基板處理室40c的閥門(mén)44c。 如圖8的步驟S205的列所示，在進(jìn)行了步驟S205之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐有晶片 W2，第二運(yùn)送部件80b沒(méi)有支撐晶片，在第一基板處理室40a上沒(méi)有晶片被支撐著，在第二 基板處理室40b上支撐有晶片W3，在第三基板處理室40c上沒(méi)有晶片被支撐著，在第一進(jìn)片 室60a中支撐有晶片W1，在第二進(jìn)片室60b上支撐有晶片W4。另外，在進(jìn)行步驟S205期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S206。步驟S206是將晶片W4通過(guò)第二運(yùn)送部件80b從第二進(jìn)片 室60b運(yùn)出的工序。在第二進(jìn)片室60b是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第二進(jìn)片室60b的運(yùn)送室50 側(cè)的閥門(mén)54b，使第二運(yùn)送部件80b進(jìn)入第二進(jìn)片室60b中，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b支撐被 支撐在第二進(jìn)片室60b的載置臺(tái)62b上的晶片W4，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W4 的狀態(tài)從第二進(jìn)片室60b退出，并關(guān)閉第二進(jìn)片室60b的運(yùn)送室50側(cè)的閥門(mén)54b。如圖8 的步驟S206的列所示，在進(jìn)行了步驟S206之后，在第一運(yùn)送部件80a上支撐有晶片W2，在 第二運(yùn)送部件80b上支撐有晶片W4，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支撐著，在第二基板處理室40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室40c中沒(méi)有晶片被支撐著，在第一進(jìn)片室 60a中支撐有晶片W5，在第二進(jìn)片室60b中沒(méi)有晶片被支撐著。另外，在進(jìn)行步驟S206期間，在第一基板處理室40a的內(nèi)部繼續(xù)進(jìn)行清潔處理。接著進(jìn)行步驟S207。步驟S207是將晶片W2通過(guò)第一運(yùn)送部件80a運(yùn)入到第一進(jìn) 片室60a的工序。在第二進(jìn)片室40b是真空的狀態(tài)下，打開(kāi)第二進(jìn)片室60b的運(yùn)送室50側(cè) 的閥門(mén)54b，使一運(yùn)送部件80a保持著支撐晶片W2的狀態(tài)進(jìn)入第二進(jìn)片室60b中，通過(guò)第一 運(yùn)送部件80a使第二進(jìn)片室60b的載置臺(tái)62b支撐晶片W2，使沒(méi)有支撐晶片的第一運(yùn)送部 件80a從第二進(jìn)片室60b退出，并關(guān)閉第二進(jìn)片室60b的運(yùn)送室50側(cè)的閥門(mén)54b。如圖8 的步驟S207的列所示，在進(jìn)行步驟S207之后，第一運(yùn)送部件80a沒(méi)有支撐晶片，在第二運(yùn) 送部件80b上支撐有晶片W4，在第一基板處理室40a中沒(méi)有晶片被支撐著，在第二基板處理 室40b中支撐有晶片W3，在第三基板處理室4c中沒(méi)有晶片被支撐著，在第一進(jìn)片室60a中 支撐有晶片W5，在第二進(jìn)片室60b中支撐有晶片W2。另外，大致與步驟207結(jié)束的同時(shí)、或者在結(jié)束了步驟S207之后并在開(kāi)始下一步 驟S208之前，結(jié)束第一基板處理室40a的清潔處理。接著，進(jìn)行步驟S208。步驟S208是將晶片W4通過(guò)第二運(yùn)送部件80b運(yùn)入到第一 基板處理室40a的工序。在結(jié)束了第一基板處理室40a的清潔處理的狀態(tài)下，打開(kāi)第一基 板處理室40a的閥門(mén)44a，使第二運(yùn)送部件80b保持著支撐晶片W4的狀態(tài)進(jìn)入第一基板處 理室40a中，通過(guò)第二運(yùn)送部件80b使第一基板處理室40a的載置臺(tái)42a支撐晶片W4，使沒(méi) 有支撐晶片的第二運(yùn)送部件80b從第一基板處理室40a中退出，并關(guān)閉第一基板處理室40a 的閥門(mén)44a。如圖8所示，在進(jìn)行了步驟S208之后，第一、第二運(yùn)送部件80a、80b沒(méi)有支撐 晶片，在第一基板處理室40a中支撐有晶片W4，在第二基板處理室40b中支撐有晶片W3，在 第三基板處理室40c中沒(méi)有晶片被支撐著，在第一進(jìn)片室60a中支撐有晶片W5，在第二進(jìn)片 室60b中支撐有晶片W2。如上所示，通過(guò)進(jìn)行從步驟S201到步驟208，能夠進(jìn)行將第一基板處理室40a的 基板從晶片W1交換為晶片W4的操作。如圖8所示，在從步驟S201到步驟S207的七個(gè)步 驟期間能夠進(jìn)行第一基板處理室40a的清潔處理，所述步驟S201是從第一基板處理室40a 運(yùn)出作為處理完的晶片的晶片W1的步驟，所述步驟S207是向第一基板處理室40a運(yùn)入作 為未處理晶片的晶片W3的步驟的前一個(gè)步驟，在該期間，運(yùn)送裝置80能夠進(jìn)行以下操作 將晶片W3從第一進(jìn)片室60a運(yùn)出，將晶片W1運(yùn)入到第一進(jìn)片室60a，將晶片W3運(yùn)入到第 二基板處理室40b，將晶片W2從第三基板處理室40c運(yùn)出，將晶片W4從第二進(jìn)片室60b運(yùn) 出，將晶片W2運(yùn)入到第二進(jìn)片室60b。之后，通過(guò)進(jìn)行從步驟S209到步驟S212的動(dòng)作，能夠進(jìn)行將晶片W3從第二基板 處理室40b運(yùn)出(步驟S209)等操作。如圖8所示，在從步驟S205到步驟S211這七個(gè)步 驟期間能夠進(jìn)行第三基板處理室40c的清潔處理。另外，在從步驟S209到步驟S211的期間能夠在第一基板處理室40a進(jìn)行晶片W4 的基板處理。另外，在使用第一 第三的三個(gè)基板處理室40a 40c、第一、第二的兩個(gè)進(jìn)片室 60a、60b的情況下，在步驟S213之后，能夠重復(fù)與從步驟S201到步驟S212同樣的動(dòng)作。即， 在一個(gè)基板處理室的處理的最小單位是從步驟S201到步驟S212的12個(gè)步驟。
在本變形例中也與實(shí)施方式相同，運(yùn)送裝置不會(huì)以使第一和第二運(yùn)送部件支撐著 晶片的狀態(tài)等待各個(gè)基板處理室的清潔處理結(jié)束。因此，與以往的方法相比，能夠縮短一個(gè) 基板處理室中的一片晶片的基板處理所需要的時(shí)間。另外，即使在本變形例也與在實(shí)施方式中使用圖6的(a)和(b)進(jìn)行說(shuō)明的相同， 不包含基板處理室的清潔處理的速控時(shí)間T1比以往的包含基板處理室的清潔處理的速控 時(shí)間TO小。因此，本變形例中的基板處理裝置的總處理能力P1比以往的基板處理裝置的 總處理能力P0大。即，能夠提高基板處理裝置整體的總處理能力，并能夠發(fā)揮運(yùn)送裝置本 來(lái)所具有的總處理能力。并且，在本變形例中，也可以在使運(yùn)送裝置發(fā)揮本來(lái)所具有的總處理能力的狀態(tài) 下，以比實(shí)施方式更長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行各個(gè)基板處理室的清潔處理。以上，對(duì)本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不限于該特定的實(shí)施 方式，在記載在權(quán)利要求的范圍內(nèi)的本發(fā)明的主旨范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種的變形、變更。
2權(quán)利要求
一種基板處理裝置的基板交換方法，其中，所述基板處理裝置包括基板處理室、進(jìn)片室以及運(yùn)送裝置，所述運(yùn)送裝置能夠通過(guò)兩個(gè)運(yùn)送部件將基板運(yùn)入所述基板處理室和所述進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述進(jìn)片室運(yùn)出基板，所述基板交換方法進(jìn)行在所述基板處理室中處理的基板的交換，所述基板交換方法的特征在于，包括通過(guò)第一運(yùn)送部件從所述基板處理室運(yùn)出第一基板的第一運(yùn)出工序；以及通過(guò)第二運(yùn)送部件向所述基板處理室運(yùn)入第二基板的第一運(yùn)入工序，并且，在進(jìn)行所述第一運(yùn)出工序后并在進(jìn)行所述第一運(yùn)入工序之前，執(zhí)行以下工序通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板的第二運(yùn)出工序；通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板的第二運(yùn)入工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板交換方法，其特征在于，在所述第二運(yùn)入工序中，在進(jìn)行所述第二運(yùn)出工序之后，向在所述第二運(yùn)出工序中運(yùn) 出了所述第二基板的進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板。
3.如權(quán)利要求2所述的基板交換方法，其特征在于， 所述基板處理裝置包括多個(gè)基板處理室，基板交換方法進(jìn)行以下工序在進(jìn)行所述第一運(yùn)出工序之后并在進(jìn)行所述第二運(yùn)出工序之前，通過(guò)所述第二運(yùn)送部 件向第二基板處理室運(yùn)入第三基板的第三運(yùn)入工序；以及在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之后并在進(jìn)行所述第一運(yùn)入工序之前，通過(guò)所述第一運(yùn)送部 件從第三基板處理室運(yùn)出第四基板的第三運(yùn)出工序。
4.如權(quán)利要求1所述的基板交換方法，其特征在于， 所述基板處理裝置包括多個(gè)進(jìn)片室，基板交換方法在所述第二運(yùn)入工序中向第一進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板，并且 在所述第二運(yùn)出工序中，在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之后從第二進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板。
5.如權(quán)利要求4所述的基板交換方法，其特征在于， 所述基板處理裝置包括多個(gè)進(jìn)片室，所述基板交換方法在進(jìn)行所述第一運(yùn)出工序之后并在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之前，進(jìn)行通過(guò)所述第二運(yùn) 送部件從所述第一進(jìn)片室運(yùn)出第三基板的第四運(yùn)出工序，并且在進(jìn)行所述第二運(yùn)入工序之后并在進(jìn)行所述第二運(yùn)出工序之前，進(jìn)行通過(guò)所述第二 運(yùn)送部件向第二基板處理室運(yùn)入所述第三基板的第四運(yùn)入工序；以及通過(guò)所述第一運(yùn)送部 件從第三基板處理室運(yùn)出第四基板的第五運(yùn)出工序，并且在進(jìn)行所述第二運(yùn)出工序之后并在進(jìn)行所述第一運(yùn)入工序之前，進(jìn)行通過(guò)所述第一運(yùn) 送部件向所述第二進(jìn)片室運(yùn)入所述第四基板的第五運(yùn)入工序。
6.一種基板處理裝置，包括 基板處理室；進(jìn)片室；運(yùn)送裝置，所述運(yùn)送裝置具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件，并能夠通過(guò)所述兩個(gè)運(yùn)送部件將基板運(yùn)入所述基板處理室和所述進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述進(jìn)片室運(yùn)出基板； 以及控制部，所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出， 基板處理裝置的特征在于，所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出，以便在通過(guò)第一運(yùn)送部件從所述基 板處理室運(yùn)出第一基板之后并在通過(guò)第二運(yùn)送部件向所述基板處理室運(yùn)入第二基板之前， 通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從所述進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件 向所述進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板。
7.一種基板處理裝置，包括 多個(gè)基板處理室；進(jìn)片室；運(yùn)送裝置，所述運(yùn)送裝置具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件，并能夠通過(guò)所述兩個(gè)運(yùn)送部 件將基板運(yùn)入所述基板處理室和所述進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述進(jìn)片室運(yùn)出基板； 以及控制部，所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出；所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出，以便在通過(guò)第一運(yùn)送部件從第一基 板處理室運(yùn)出第一基板之后并在通過(guò)第二運(yùn)送部件向所述第一基板處理室運(yùn)入第二基板>. 、r -Z 刖，通過(guò)所述第二運(yùn)送部件向第二基板處理室運(yùn)入第三基板，接著通過(guò)所述第二運(yùn)送部件 從所述進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向所述進(jìn)片室運(yùn)入所述第一 基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件從第三基板處理室運(yùn)出第四基板。
8.一種基板處理裝置，包括 多個(gè)基板處理室；多個(gè)進(jìn)片室；運(yùn)送裝置，所述運(yùn)送裝置具有運(yùn)送基板的兩個(gè)運(yùn)送部件，并能夠通過(guò)所述兩個(gè)運(yùn)送部 件將基板運(yùn)入所述多個(gè)基板處理室和所述多個(gè)進(jìn)片室或從所述基板處理室和所述多個(gè)進(jìn) 片室運(yùn)出基板；以及控制部，所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出；所述控制部控制所述運(yùn)送裝置對(duì)基板的運(yùn)入運(yùn)出，以便在通過(guò)第一運(yùn)送部件從第一基 板處理室運(yùn)出第一基板之后并在通過(guò)第二運(yùn)送部件向所述第一基板處理室運(yùn)入第二基板>. 、r -Z 刖，通過(guò)所述第二運(yùn)送部件從第一進(jìn)片室運(yùn)出第三基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向所 述第一進(jìn)片室運(yùn)入所述第一基板，接著通過(guò)所述第二運(yùn)送部件向第二基板處理室運(yùn)入所述 第三基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件從第三基板處理室運(yùn)出第四基板，接著通過(guò)所述第 二運(yùn)送部件從第二進(jìn)片室運(yùn)出所述第二基板，接著通過(guò)所述第一運(yùn)送部件向所述第二進(jìn)片 室運(yùn)入所述第四基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板交換方法以及基板處理裝置，通過(guò)在進(jìn)行基板處理室的清潔處理的期間也使運(yùn)送裝置進(jìn)行工作，能夠發(fā)揮運(yùn)送裝置本來(lái)所具有的總處理能力，能夠提高基板處理裝置整體的總處理能力。在包括基板處理室、進(jìn)片室、以及能夠通過(guò)兩個(gè)運(yùn)送部件將基板在基板處理室和進(jìn)片室運(yùn)入運(yùn)出的運(yùn)送裝置的基板處理裝置中，當(dāng)進(jìn)行在第一基板處理室中處理的基板的交換時(shí)，在進(jìn)行將第一基板(W1)通過(guò)第一運(yùn)送部件從第一基板處理室運(yùn)出的第一運(yùn)出工序(S1)之后、并在進(jìn)行將第二基板(W3)通過(guò)第二運(yùn)送部件運(yùn)入到第一基板處理室的第一運(yùn)入工序(S4)之前執(zhí)行以下工序?qū)⒌诙?W3)通過(guò)第二運(yùn)送部件從第一進(jìn)片室運(yùn)出的第二運(yùn)出工序(S2)以及將第一基板(W1)通過(guò)第一運(yùn)送部件運(yùn)入到第一進(jìn)片室的第二運(yùn)入工序(S3)。
文檔編號(hào)H01L21/677GK101859723SQ20101015115
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月1日
發(fā)明者大木達(dá)也, 小泉浩, 石沢繁 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社