專利名稱：金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件及其制造方法，更具體地，涉及一 種具有快速頻率并爭斗生(fast frequency characteristic )的金屬畫絕纟彖體-金屬(MIM)電容器及其制造方法。
背景技術：
近來用于半導體器件的高度集成技術引起對其中集成了模擬 電容器與邏輯電路的半導體器件的研究和發(fā)展。目前，可以獲得這 種產(chǎn)品。對于在互補金屬氧化硅(CMOS)邏輯部件中使用的模擬 電容器而言，其可以采用多晶硅-絕緣體-多晶硅(PIP)或金屬-絕 纟彖體-金屬(MIM)的形式。
相比于MOS型電容器或結(jié)電容器，這種PIP或MIM電容器需 要被相對精確地構(gòu)造，這是因為其不依賴于偏壓。對于具有PIP結(jié) 構(gòu)的電容器而言，導電的多晶硅被用做電容器的上部電極和下部電 極。由于這個原因，在電極和介電薄膜之間的接觸面處可能發(fā)生氧 化?？赡苄纬勺匀谎趸?天然氧化膜，natural oxide film )，減小 了電容器的總電容。此外，由于形成在多晶硅層中的勢壘區(qū)，可能 出現(xiàn)電容的減小。由于這些原因，PIP電容器不適用于高速和高頻 操作。
為了解決這個問題，提出了在其中都使用金屬層來形成上部電
極和下部電極的MIM電容器。目前，MIM電容器可以:故用于高性 能的半導體器件中，這是因為該MIM電容器呈現(xiàn)出{氐的電阻率 (specific resistance ),且不呈現(xiàn)出由內(nèi)在損耗引起的寄生電容。
然而，相關的MIM電容器對于他們使用的有效區(qū)具有相對低 的電容量。通過增大電容器面積或通過4吏用具有高介電常數(shù)的膜來 增加電容值也許是可能的。
增大電容器面積的方法遺憾地增大了芯片的面積。同樣，使用 具有高介電常數(shù)的膜需要在設備中額外的投入(investment)或新的 工藝。此外，在對銅線的化學才幾械拋光(CMP)工藝期間可能在形 成大的下部電容器銅圖樣處出現(xiàn)凹陷(dishing)現(xiàn)象。也就是，可 能使銅線凹進去。在這種情況下，幾乎不可能獲得精確的電容值。 這可能導致模擬器件特性的惡化，包括泄漏和擊穿電壓的降低。從 而，可靠性成為一個問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例涉及一種半導體器件及其制造方法，更具體地， 涉及一種具有快速頻率特性的金屬-絕緣體一金屬(MIM)電容器及
其制造方法。本發(fā)明實施例涉及一種能夠?qū)崿F(xiàn)增加半導體器件的可 靠性的金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法。
本發(fā)明實施例涉及一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，該 金屬-絕緣體-金屬電容器可以包括第一金屬間絕緣膜、形成于第 一金屬間絕緣膜上方的下部金屬層、形成于下部金屬層周圍的第二
金屬間絕緣膜，以及形成于下部金屬層上方的第三金屬間絕緣膜。 第一電容器下部金屬層、第一電容器絕緣膜、第一電容器上部金屬 層和第一覆蓋層可以順序地形成在第三金屬間絕緣膜的一個部分 上方。第一層間絕緣膜、第四金屬間絕緣膜和第二層間絕緣膜可以 順序地形成在包括第 一覆蓋層的第三金屬間絕緣膜上方。第二電容 器下部金屬層可以延伸穿過第二層間絕緣膜和第 一覆蓋層以便第 二電容器下部金屬層連接至第一電容器上部金屬層?？梢栽诘诙?容器下部金屬層上方形成第一鈍化膜。第二電容器上部金屬層可以 形成在第一鈍化膜的一個部分上方并且在布置了第二電容器下部 金屬層的區(qū)域中延伸穿過第一鈍化膜，以便第二電容器上部金屬層 連接至第二電容器下部金屬層?？梢栽诎ǖ诙娙萜魃喜拷饘賹?的第 一鈍化膜上方順序地形成第二鈍化膜至第四鈍化膜。
本發(fā)明實施例涉及一種用于制造金屬-絕緣體-金屬(MIM)電 容器的方法，該方法包括形成第一金屬間絕緣膜；在第一金屬間 絕緣膜上方形成下部金屬層；在下部金屬層的周圍形成第二金屬間 絕緣膜；在下部金屬層上方形成第三金屬間絕緣膜；在第三金屬間 絕緣膜上方順序地形成第一電容器下部金屬層、第一電容器絕緣 膜、第一電容器上部金屬層和第一覆蓋層；在包括第一覆蓋層的第 三金屬間絕緣膜上方形成第一層間絕緣膜、第四金屬間絕緣膜和第 二層間絕緣膜；形成第二電容器下部金屬層，該第二電容器下部金 屬層延伸穿過第二層間絕緣膜和第 一覆蓋層，并且連接至第 一電容 器上部金屬層；在第二電容器下部金屬層上方形成第一鈍化膜；在 第一鈍化膜的一個部分上方形成第二電容器上部金屬層以便該第 二電容器上部金屬層在布置了第二電容器下部金屬層的區(qū)域中延 伸穿過第一鈍化膜，以便第二電容器上部金屬層連接至第二電容器 下部金屬層；以及在包括第二電容器上部金屬層的第 一鈍化膜上方 順序地形成第二4屯化膜至第四鈍化膜。


實例圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的金屬-絕緣體-金屬
(MIM)電容器的^L圖。
實例圖2是才艮據(jù)本發(fā)明實施例的具有平行結(jié)構(gòu)的MIM電容器。
實例圖3A至圖3H是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造 MIM電容器的方法的^L圖。
具體實施例方式
實例圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的金屬-絕緣體-金屬 (MIM)電容器的視圖。如實例圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的 MIM電容器可以包括第一金屬間絕緣膜IOO、形成于第一金屬間 絕緣膜100上方的第二金屬間絕緣膜110、形成于第二金屬間絕緣 膜110的一個部分中的下部金屬層120，以及形成于包括下部金屬 層120的第二金屬間絕緣膜110上方的第三金屬間絕緣膜125。 MIM 電容器還可以包括形成于第三金屬間絕緣膜125的 一個部分上方的 第一電容器下部金屬層。第一電容器下部金屬層可以包括兩個層 130和140。 MIM電容器可以進一步包4舌形成于第一電容器下部 金屬層的層140上方的第一電容器絕緣膜150、形成在第一電容器 絕緣膜150的一個部分上方的第一電容器上部金屬層160、形成于 包括第一電容器上部金屬層160的第一電容器絕纟彖膜150上方的第 一覆蓋層170、形成在包括第一覆蓋層170的第三金屬間絕纟彖膜125 上方的第一層間絕纟彖力莫180、形成在第一層間絕纟彖力莫180上方的第 四金屬間絕緣力莫190,以及形成在第四金屬間絕緣膜190上方的第 二層間絕緣膜200。
iiMIM電容器可以進一步包括第二電容器下部金屬層210,該 第二電容器下部金屬層210延伸穿過第二層間絕緣膜200和第 一覆 蓋層170以便第二電容器下部金屬層210連接至第一電容器上部金 屬層160，形成于第二電容器下部金屬層210上方的第一鈍化膜 220，以及形成于第一鈍化膜220的一個部分上方的第二電容器上 部金屬層230。第二電容器上部金屬層230可以在布置了第二電容 器下部金屬層210的區(qū)域中延伸穿過第一4屯化膜220以1更第二電容 器上部金屬層230連4妄至第二電容器下部金屬層210。 at匕外，MIM 電容器可以包括順序地形成在包括第二電容器上部金屬層230的第 一鈍化膜220上方的第二鈍化膜240、第三鈍化膜250和第四鈍化 膜260。
在才艮據(jù)本發(fā)明實施例的MIM電容器中，可以通過第一電容器 下部金屬層，也就是層130和140、第一電容器絕纟彖膜150和第一 電容器上部金屬層160來構(gòu)成第一電容器Cx?？梢酝ㄟ^第二電容器 下部金屬層210、第一4屯化力莫220和第二電容器上部金屬層230來 構(gòu)成第二電容器C2?？梢栽诘谝浑娙萜鰿x上方層壓第二電容器C2。 乂人而，可以形成如實例圖2中所示的平4亍連4妄的兩個電容器的結(jié)構(gòu)。 結(jié)果，可能獲得"Cx+C2"的電容。根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例 對于相同的區(qū)域可以獲得增加的電容，也就是，"Cx+C2",而沒有 4壬4可掩月菱附力口物(mask addition )。
在下文中，將詳細描述一種用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的MIM 電容器的方法。實例圖3A至圖3H是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的 MIM電容器的制造方法的視圖。如實例圖3A所示，第一金屬間絕 緣膜100和第二金屬間絕緣膜110可以順序地沉積在半導體襯底上 方。然后，可以才艮才居干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝來蝕刻第一金屬間絕 緣膜100和第二金屬間絕緣膜110以形成溝槽。然后，可以在溝槽 中形成下部金屬層120。其后，第三金屬間絕緣膜125、第一電容器下部金屬層，即層130和140、第一電容器絕緣膜150和第一電 容器上部金屬層160可以順序地沉積在包4舌下部金屬層120的第二 金屬間絕緣膜110上方。然后，可以蝕刻第一電容器上部金屬層160 以部分暴露第一電容器絕纟彖膜150。
隨后，第一覆蓋層170可以沉積在包括第一電容器上部金屬層 160的半導體4于底的整個上部表面上方?？梢圆鹏迵?jù)曝光和顯影工藝 在第一覆蓋層170上方形成掩膜圖樣。其后，可以根據(jù)干蝕刻工藝 或濕蝕刻工藝使用該掩膜圖樣蝕刻第一電容器下部金屬層，即層 130和140、第一電容器絕緣膜150、第一電容器上部金屬層160和 第一覆蓋層170，以便第三金屬間絕緣膜125被部分暴露。然后， 可以去除掩膜圖樣。
第一金屬間絕纟彖膜100可以由氟硅酸鹽玻璃(FSG)氧化物 (fluorosilicate glass oxide )制成。第二金屬間絕緣膜110可以由SiH4 氧化物(SiH4 oxide)制成。第三金屬間絕》彖月莫125可以由SiN制 成。包括層130和140的第一電容器下部金屬層可以由Ti/TiN制成。 第一電容器絕緣膜150可以由SiN制成。第一電容器上部金屬層160 可以由TiN制成。
其后，如實例圖3B所示，可以在包:^舌第一覆蓋層170的半導 體襯底的整個上部表面上方沉積第一層間絕纟彖膜180。為了消除由 尋皮蝕刻的第一電容器上部金屬層160形成的階梯(step),可以根據(jù) 化學機械拋光(CMP)工藝平坦化第一層間絕緣膜180。然后，可 以在第 一層間絕纟彖力莫180上方沉積第四金屬間絕纟彖力莫190。第 一層 間絕桑彖月莫180可以由正石圭酸乙酯(TEOS)制成。第四金屬間絕縛^ 月莫190可以由SiN制成。
隨后，如實例圖3C所示，可以^使用才艮據(jù)曝光和顯影工藝形成 的接觸孔掩膜圖樣，根據(jù)干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝形成延伸穿過第
三金屬間絕緣膜125、第 一層間絕纟彖膜180和第四金屬間絕纟彖l莫190 的接觸孔。同樣地，還可以形成延伸穿過第一電容器絕緣膜150、 第一覆蓋層170、第一層間絕緣膜180和第四金屬間絕緣膜190的 接觸孔，以及延伸穿過第一覆蓋層170、第一層間絕緣膜180和第 四金屬間絕緣膜190的接觸孔。然后，可以在包括接觸孔的半導體 襯底的整個上部表面上方沉積第二層間絕緣膜200。第二層間絕緣 月莫200可以由TEOS制成。
其后，如實例圖3D所示，可以使用才艮據(jù)曝光和顯影工藝形成 的金屬掩膜圖樣，根據(jù)干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝蝕刻第四金屬間絕 *彖膜l卯和第二金屬間絕緣膜200所期望的部分，以形成4妾觸孔來 對應于在實例圖3C所示過程中形成的接觸孔。在這些4妄觸孔中， 可以形成上部金屬層和第二電容器下部金屬層210?？梢圆贾脼橹?間層的第四金屬間絕緣膜l卯可以具有的蝕刻選擇性不同于第二層 間絕纟彖力莫200的蝕刻選擇性。結(jié)果，可以形成只又重《裏嵌(dual damascene )結(jié)構(gòu)。由于金屬掩膜可以具有與對應于接觸孔的區(qū)域中 的接觸孔掩膜相同的尺寸，在該接觸孔中將形成第二電容器下部金 屬層210,所以可以蝕刻第二層間絕纟彖力莫200和第四金屬間絕纟彖月莫 190以使J妄觸^L具有無階才弟的垂直側(cè)壁。
隨后，如實例圖3E所示，可以在包括二接觸3L的半導體^H"底的 整個上部表面上方沉積i者如銅的金屬。然后，可以4艮纟居CMP工藝 平坦4t所沉積的金屬。
其后，如實例圖3F所示，為了保護第二電容器下部金屬層210， 可以在第二層間絕緣膜200上方沉積第一4屯化膜220,。第一4屯化膜 220可以由SiN制成。為了形成第二電容器上部金屬層230和襯墊， 可以使用根據(jù)曝光和顯影工藝形成的掩膜圖樣，根據(jù)干蝕刻工藝或 濕蝕刻工藝在其中布置了第二電容器下部金屬層210的區(qū)域中部分 蝕刻第一鈍化膜220。
:i口實例圖3G所示，然后，可以沉積鋁(Al)以形成4于墊。隨: 后可以使用根據(jù)曝光和顯影形成的掩膜圖樣，根據(jù)干蝕刻工藝或濕 蝕刻工藝蝕刻所沉積的鋁。可以爿夸所沉積的鋁分成爿夸#:用作4十墊的 第一部分和將被用作第二電容器上部金屬層230的第二部分。
其后，如實例圖3H所示，可以在包4舌^"墊和第二電容器上部 金屬層230的半導體一于底的整個上部表面上方順序地沉積第二4屯化 膜240、第三鈍化膜250和第四鈍化膜260，以保護半導體器件。 隨后，可以蝕刻第二4屯化膜240、第三4屯化膜250和第四《屯化膜260 以部分暴露第二電容器上部金屬層230。 乂人上面的描述可以清楚的 知道，才艮據(jù)本發(fā)明實施例的MIM電容器對于相同的區(qū)域可以獲得 增加的電容，而沒有任何掩膜附加物(mask addition )。
這對于本
領域的4支術人員而言是顯而易見且明顯的。因此，本發(fā)明意在涵蓋 在所附權(quán)利要求及其等同替換的范圍內(nèi)的對4皮露的本發(fā)明實施例 的顯而易見且明顯的^f奮改和變形。
權(quán)利要求
1. 一種裝置，包括:第一金屬間絕緣膜；下部金屬層，形成于所述第一金屬間絕緣膜上方；第二金屬間絕緣膜，形成于所述下部金屬層周圍；第三金屬間絕緣膜，形成于所述下部金屬層上方；第一電容器下部金屬層、第一電容器絕緣膜、第一電容器上部金屬層和第一覆蓋層，順序地形成于所述第三金屬間絕緣膜的一個部分上方；第一層間絕緣膜、第四金屬間絕緣膜和第二層間絕緣膜，順序地形成于包括所述第一覆蓋層的所述第三金屬間絕緣膜上方；第二電容器下部金屬層，延伸穿過所述第二層間絕緣膜和所述第一覆蓋層以便所述第二電容器下部金屬層連接至所述第一電容器上部金屬層；第一鈍化膜，形成于所述第二電容器下部金屬層上方；第二電容器上部金屬層，形成于所述第一鈍化膜的一個部分上方，并且在布置了所述第二電容器下部金屬層的區(qū)域中延伸穿過所述第一鈍化膜以便所述第二電容器上部金屬層連接至所述第二電容器下部金屬層；以及第二鈍化膜至第四鈍化膜，順序地形成于包括所述第二電容器上部金屬層的所述第一鈍化膜上方。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二電容器下部金屬 層、所述第 一鈍化膜和所述第二電容器上部金屬層層壓在由所 述第一電容器下部金屬層、所述第一電容器絕緣膜和所述第一 電容器上部金屬層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)上方。
3. —種方法，包4舌形成第一金屬間絕緣膜；在所述第 一金屬間絕緣膜上方形成下部金屬層；在所述下部金屬層周圍形成第二金屬間絕緣膜；在所述下部金屬層上方形成第三金屬間絕緣膜；在所述第三金屬間絕纟彖膜上方順序地形成第一電容器下 部金屬層、第一電容器絕緣膜、第一電容器上部金屬層和第一 覆蓋層；在包括所述第 一覆蓋層的所述第三金屬間絕緣膜上方形 成第 一層間絕緣膜、第四金屬間絕緣膜和第二層間絕緣膜；形成第二電容器下部金屬層，所述第二電容器下部金屬 層延伸穿過所述第二層間絕緣膜和所述第 一覆蓋層，并且連接 至所述第一電容器上部金屬層；在所述第二電容器下部金屬層上方形成第一鈍化膜；在所述第一鈍化膜的一個部分上方形成第二電容器上部 金屬層以便所述第二電容器上部金屬層在布置了所述第二電 容器下部金屬層的區(qū)域中延伸穿過所述第 一鈍化膜，以便所述 第二電容器上部金屬層連接至所述第二電容器下部金屬層；以及在包括所述第二電容器上部金屬層的所述第 一鈍化膜上 方順序地形成第二4屯化膜至第四鈍化膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在包括所述第一覆蓋層的 所述第三金屬間絕緣膜上方形成所述第 一層間絕緣膜、所述第 四金屬間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜，包括在所述第三金屬間絕緣膜的整個上部表面上方沉積所述 第 一層間絕緣膜，并且根據(jù)化學機械拋光工藝平坦化所述第一 層間絕緣膜；在所述第 一層間絕緣膜上方形成所述第四金屬間絕緣膜；形成延伸穿過所述第一覆蓋層、所述第一層間絕緣膜和 所述第四金屬間絕緣膜的接觸孔，以部分暴露所述第一電容器 上部金屬層；在包括所述接觸孔的所得到的結(jié)構(gòu)的整個上部表面上方 形成所述第二層間絕纟彖膜；以及在對應于所述接觸孔的區(qū)域中蝕刻所述第四金屬間絕緣 膜和所述第二層間絕緣膜。
5. 才艮據(jù)4又利要求4所述的方法，其中，在所述第一鈍化膜的一個 部分上方形成第二電容器上部金屬層以便所述第二電容器上 部金屬層在布置了所述第二電容器下部金屬層的區(qū)域中延伸 穿過所述第一鈍化膜，以便所述第二電容器上部金屬層連接至 所述第二電容器下部金屬層，包括在包括所述第 一覆蓋層的所述第三金屬間絕緣膜上方形 成所述第 一層間絕緣膜、所述第四金屬間絕緣膜和所述第二層 間絕纟彖膜之后，在所得到的結(jié)構(gòu)的整個上部表面上方沉積銅， 以形成所述第二電容器下部金屬層，并且4艮據(jù)化學4幾械拋光工 藝平坦化所形成的第二電容器下部金屬層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在所述第一鈍化膜的一個 部分上方形成第二電容器上部金屬層以便所述第二電容器上 部金屬層在布置了所述第二電容器下部金屬層的區(qū)域中延伸 穿過所述第 一鈍化膜，以便所述第二電容器上部金屬層連接至 所述第二電容器下部金屬層，包括在布置了所述第二電容器下部金屬層的區(qū)域中部分蝕刻 所述第一鈍化膜；在所述第一4屯化力莫上方沉積鋁，并且蝕刻所述沉積的鋁 以《更所述沉積的鋁^皮分成一尋用作4于墊的第 一部分和爿奪用作所 述第二電容器上部金屬層的第二部分。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在所述第三金屬間絕緣膜 上方順序地形成所述第 一 電容器下部金屬層、所述第 一電容器 絕緣膜、所述第一電容器上部金屬層和所述第一覆蓋層的步驟 進一步包4舌蝕刻所述第一電容器下部金屬層、所述第一電容器絕緣 膜、所述第一電容器上部金屬層和所述第一覆蓋層以便部分暴 露所述第三金屬間絕緣膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法， 氟石圭酸鹽玻璃氧化物制成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法, SiN制成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法, 硅酸乙酯制成。其中，所述第 一金屬間絕緣膜由 其中，所述第三金屬間絕緣膜由 其中，所述第一層間絕緣膜由正
11. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成延伸穿過所述第一覆 蓋層、所述第 一層間絕緣膜和所述第四金屬間絕緣膜的所述接 觸孔，以部分暴露所述第一電容器上部金屬層的步驟包括形成延伸穿過所述第一電容器絕緣膜、所述第一覆蓋層、 所述第 一層間絕緣膜和所述第四金屬間絕緣膜的所述接觸孔； 以及使用接觸孔掩膜圖樣根據(jù)蝕刻工藝形成延伸穿過所述第 三金屬間絕緣膜、所述第 一層間絕緣膜和所述第四金屬間絕緣 膜的接觸孔。
12. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，延伸穿過所述第一覆蓋層、 所述第 一層間絕緣膜和第四金屬間絕纟彖膜以部分暴露所述第 一電容器上部金屬層的所述4妄觸孔纟皮蝕刻成具有無階梯的垂 直側(cè)壁。
13. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第四金屬間絕緣膜在 除了將形成所述第二電容器下部金屬層的接觸孔以外的接觸 孔區(qū)域中具有雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一電容器下部金屬 層、所述第一電容器絕緣膜和所述第一電容器上部金屬層構(gòu)成 第一電容器，而所述第二電容器下部金屬層、所述第一鈍化膜 和所述第二電容器上部金屬層構(gòu)成第二電容器，以形成平行結(jié)構(gòu)，在所述平行結(jié)構(gòu)中所述第一電容器和所述第二電容器平行 連接。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一電容器下部金屬 層、所述第一電容器絕緣膜和所述第一電容器上部金屬層構(gòu)成 第一電容器，而所述第二電容器下部金屬層、所述第一鈍化膜和所述第二電容器上部金屬層構(gòu)成第二電容器，以形成平行結(jié) 構(gòu)，在所述平行結(jié)構(gòu)中所述第一電容器和所述第二電容器平行 連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法， SiH4氧化物制成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法, 層由Ti/TiN制成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法, SiN制成。
19. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法, 層由TiN制成。
20. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法, SiN制成。其中，所述第二金屬間絕緣膜由 其中，所述第一電容器下部金屬 其中，所述第一電容器絕緣膜由 其中，所述第一電容器上部金屬 其中，所述第四金屬間絕緣膜由
全文摘要
本發(fā)明披露了一種具有快速頻率特性的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器及其制造方法。本發(fā)明所披露的MIM電容器可以包括第一金屬間絕緣膜，在第一金屬間絕緣膜上方形成的下部金屬層，在下部金屬層周圍形成的第二金屬間絕緣膜和在下部金屬層上方形成的第三金屬間絕緣膜。可以在第三金屬間絕緣膜的一個部分上方順序地形成第一電容器下部金屬層、第一電容器絕緣膜、第一電容器上部金屬層和第一覆蓋層。可以在包括第一覆蓋層的第三金屬間絕緣膜上方順序地形成第一層間絕緣膜、第四金屬間絕緣膜和第二層間絕緣膜。第二電容器下部金屬層可以延伸穿過第二層間絕緣膜和第一覆蓋層，以便第二電容器下部金屬層連接至第一電容器上部金屬層?？梢栽诘诙娙萜飨虏拷饘賹由戏叫纬傻谝烩g化膜。第二電容器上部金屬層可以形成在第一鈍化膜的一個部分上方并且在布置了第二電容器下部金屬層的區(qū)域中延伸穿過第一鈍化膜，以便第二電容器上部金屬層連接至第二電容器下部金屬層。可以在包括第二電容器上部金屬層的第一鈍化膜上方順序地形成第二鈍化膜至第四鈍化膜。
文檔編號H01L27/02GK101378057SQ20081021390
公開日2009年3月4日 申請日期2008年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月29日
發(fā)明者姜明一 申請人:東部高科股份有限公司