專(zhuān)利名稱(chēng):半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件,更具體地,涉及一種構(gòu)造的半導(dǎo) 體器件以4吏源電才及和漏電才及在沖冊(cè)才各結(jié)構(gòu)(grid structure )中相互連才妄, 或源電極的指(fingers)和漏電極的指在柵格結(jié)構(gòu)中相互連接,從 而^是高射頻品質(zhì)因凄丈(radio frequency figure of merit) (RF FOM)。
背景技術(shù):
測(cè)量各種特性(characteristics )以計(jì)算例如金屬氧4匕物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的半導(dǎo)體器件的射頻(RF)性能。顯著 特性包括最大振蕩步貞率(maximum oscillation frequency ) ( fMAx )和 截止頻率(fT)。 fMAX和fr是與器件的操作頻率相關(guān)的特性。特別
地,在特性fMAx處根據(jù)電功率來(lái)計(jì)算操作頻率,而在特性fr處根據(jù)
電流來(lái)計(jì)算操作頻率。
圖1是示出了設(shè)置在具有地信號(hào)地(ground signal ground) (GSG)電極結(jié)構(gòu)的襯底10上方的半導(dǎo)體器件20的視圖。圖2是 示出了該半導(dǎo)體器件20的指型電極結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖1和圖2
所示,為了在RF應(yīng)用中提高fMAx和fV,該半導(dǎo)體器件被制造具有
指型結(jié)構(gòu)。
6
參照?qǐng)D1,在4于底10上方形成六個(gè)電才及11-1至11-4、 12-1 和12-2。在襯底的四個(gè)拐角處形成的四個(gè)電極11-1至11-4分別被 用fN妄;也電才及(ground electrodes )。 ^f立于相應(yīng)的4妻;也電才及之間的兩 個(gè)電才及12-1和12-2 一皮用作4言號(hào)電才及。
接地電極11-1至11-4以及信號(hào)電極12-1和12-2通過(guò)導(dǎo)電圖 樣13和14相互連4妾。半導(dǎo)體器件20 ^殳置在^N"底10的中心上方以 便半導(dǎo)體器件20電連4妄至導(dǎo)電圖樣13和14。
參照?qǐng)D2,半導(dǎo)體器件20由布置于有源區(qū)24周?chē)乃膫€(gè)電極 21、 22,口23的主體(body)沖勾成。沖旨型電才及乂人各自的電才及21、 22 和23的主體分叉至有源區(qū)24中。兩個(gè)源電才及21形成在有源區(qū)24 的相只于兩側(cè)。源電才及21的指21-1和漏電才及22的指22-1交*#地布 置于才冊(cè)電才及23的指23-1到23-4之間。
位于如圖1所示的襯底10上側(cè)的兩個(gè)接地電極11-1和11-2連 接至半導(dǎo)體器件20的上部源電極21。位于該襯底10的下側(cè)的兩個(gè) 接地電極11-3和11-4連接至半導(dǎo)體器件20的下部源電極21。半導(dǎo) 體器件20的柵電極23連接至襯底10的左信號(hào)終端12-1。半導(dǎo)體 器件20的漏電才及22連4妾至^H"底10的右信號(hào)纟冬端12-2。
然而,在半導(dǎo)體器件20的每個(gè)指電極的結(jié)構(gòu)中,單金屬線從 相應(yīng)的主體中分叉,限制了RF性能,即fMAx和fr的提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件,更具體地,涉及一種構(gòu)造 的半導(dǎo)體器件以使源電極和漏電極在柵格結(jié)構(gòu)中相互連接,或源電
極的指和漏電極的指在柵格結(jié)構(gòu)中相互連接,從而提高射頻品質(zhì)因
數(shù)(RF特性)。本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件,在該半導(dǎo)體器 件中通過(guò)優(yōu)化的電極結(jié)構(gòu)提高了諸如fMAX和fr的RF特性。
本發(fā)朋實(shí)施例涉及一種包括有源區(qū)的半導(dǎo)體器件,該有源區(qū)包 括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。柵電極、源電極和漏電極形成在有源區(qū)的 周?chē)?。多個(gè)柵指(gate fingers)從柵電極分叉至溝道區(qū)中。多個(gè)源 指(source fingers) 乂人源電才及分叉至源區(qū)中,這些源指以預(yù)定的圖 樣布置于柵指之間,并具有至少兩根通過(guò)至少一才艮柵格線相互連接 的指線(finger lines )。多個(gè)漏指(drain fingers )從漏電極分叉至漏 區(qū)中,這些漏指布置于其中沒(méi)有布置源指的柵指之間。
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種包括有源區(qū)的半導(dǎo)體器件,該有源區(qū)包 括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。柵電極、源電極和漏電極形成在有源區(qū)的 周?chē)?。多個(gè)柵指從4冊(cè)電極分叉至溝道區(qū)中。多個(gè)源指乂人源電極分叉 至源區(qū)中,這些源指以預(yù)定的圖樣布置于4冊(cè)指之間。多個(gè)漏指/人漏 電極分叉至漏區(qū)中,這些漏指布置于其中沒(méi)有布置源指的柵指之 間,并且具有至少兩根通過(guò)至少一根柵格線相互連接的指線。
圖1是示出了設(shè)置在GSG電極結(jié)構(gòu)的襯底上方的半導(dǎo)體器件 的浮見(jiàn)圖。
圖2是示出了半導(dǎo)體器件的指型電極結(jié)構(gòu)的平面圖。 面圖。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電極結(jié)構(gòu)的平 面圖。
面圖。
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的fr特性的曲線圖。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的fMAX特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)例圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100的電極 結(jié)構(gòu)的平面圖。參照實(shí)例圖3,半導(dǎo)體器件100包括有源區(qū)140、 沖冊(cè)電才及130、源電才及120a和120b、漏電才及110、多個(gè)沖冊(cè)指132、多. 個(gè)源指123和多個(gè)漏指112。存在兩個(gè)源電才及120a和120b。為了 1"更于描述,上部源電4及稱(chēng)作第一源電才及120a,而下部源電才及稱(chēng)作第 二源電才及120b。
半導(dǎo)體器件100可以i殳置在圖1所示的GSG電才及結(jié)構(gòu)的4于底 10上方。對(duì)具有GSG電極結(jié)構(gòu)的襯底以及半導(dǎo)體器件的設(shè)置的重 復(fù)描述將,皮省略。有源區(qū)140包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū),該有源區(qū) 將被簡(jiǎn)要地描述。可以通過(guò)隔離層來(lái)限定襯底的有源區(qū)140,可以 在有源區(qū)上形成阱,并且可以在襯底的一個(gè)部分處形成柵極電介質(zhì) (gate dielectric )??梢栽?冊(cè)才及電介質(zhì)上方形成4冊(cè)指132 。
其后,可以將離子注入到在各個(gè)4冊(cè)指132的相對(duì)側(cè)處的有源區(qū) 中以形成LDD區(qū)??梢栽诟鱾€(gè)4冊(cè)指132的相對(duì)側(cè)上形成Si02材泮牛 的側(cè)壁??梢栽诟鱾€(gè)側(cè)壁的相對(duì)側(cè)處形成SiN材沖牛的隔離體。側(cè)壁 可以用于消除隔離體和柵指132之間的層間應(yīng)力并且增加隔離體和 4冊(cè)指132之間的粘合力。
其后,離子注入工藝可以被用來(lái)在隔離體的相對(duì)側(cè)上的有源區(qū)
中形成源區(qū)和漏區(qū)。可以在源區(qū)和漏區(qū)處分別形成源指123和漏指 112。可以在4冊(cè)指132之間交^,地形成源指123和漏指112。
可以在有源區(qū)140的周?chē)纬蓶烹姌O130、源電極120a和120b 以及漏電才及110。 ^口實(shí)例圖3所示,可以以頭巨形的形^)犬形成有源區(qū) 140??梢栽谟性磪^(qū)一側(cè)的上方(實(shí)例圖3中有源區(qū)140的左側(cè)) 形成4冊(cè)電4及130。
可以在有源區(qū)140與柵電極130相對(duì)的一側(cè)的上方(實(shí)例圖3 中有源區(qū)140的右側(cè))形成漏電才及110??梢栽谟性磪^(qū)140的剩余 側(cè)的上方形成第一源電4及120a和第二源電4及120b以1更第一源電核_ 120a和第二源電4及120b 4皮此相對(duì)。
多個(gè)沖冊(cè)指132 AM冊(cè)電才及130分叉至有源區(qū)140中。多個(gè)漏指112 從漏電才及110分叉至有源區(qū)140中。這些漏指112可以布置于每?jī)?個(gè)沖冊(cè)指132之間。
由于指型半導(dǎo)體器件可以由對(duì)稱(chēng)地位于柵指132附近的源指 123和漏指112構(gòu)成,所以通過(guò)控制施加至源指123和漏指112的 信號(hào)來(lái)選擇性的使用電極是可能的。也就是說(shuō),當(dāng)環(huán)境可能需要時(shí), 源電一及可以作為漏電招/使用,而漏電纟及可以作為源電核/使用。
第一源電才及120a和第二源電才及120b可以通過(guò)源電才及連4妄線 121相互連才妄。源電才及連4姿線121垂直地連接在有源區(qū)140外部的 第一源電才及120a和第二源電才及120b。
多個(gè)源指123從源電極連接線121分叉至有源區(qū)140。這些源 指123可以形成在其中沒(méi)有形成漏指112的沖冊(cè)指132之間的區(qū)i或上 方。^"指132、漏指112和源指123可以由金屬線比如銅線或鋁線
制成。并且,柵指132、漏指112和源指123可以形成在不同的半 導(dǎo)體層上方。
由于4冊(cè)指132和漏指112之間沒(méi)有重疊區(qū),所以可以在相同的 半導(dǎo)體層上方形成4冊(cè)指132和漏指112。另一方面,由于源指123 和漏指112可以在有源區(qū)140的右側(cè)相互重疊,所以可以在不同的 半導(dǎo)體層上形成源指123和漏指112。
第一源電極120a和第二源電極120b可以通過(guò)與源電極連接線 121類(lèi)似的柵格線122相互連接。柵格線122垂直地連接在有源區(qū) 140外部的第一源電極120a和第二源電極120b。柵格線122可以 在不同的層上形成以使^冊(cè)才各線不電連沖妄至源指123、源電才及連4妄線 121和漏指112。
可以示出柵*各線122以電連4妄源電4及120a和120b;然而,柵-才各線122可以連4姿源電才及120a和120b以及源指123或可以實(shí)現(xiàn)各 個(gè)源指123之間的連接。同樣,可以形成兩根或更多的柵格線122。 在這種情形下,棚4各線122可以相互平4亍。
當(dāng)通過(guò)如上所述的柵格線122連接源電極的各個(gè)部分時(shí),提高 了信號(hào)的模擬特性,信號(hào)模擬特性的提高可以通過(guò)RF特性的提高 來(lái)確定。與RF特性相關(guān)的描述將參照實(shí)例圖6和實(shí)例圖7《會(huì)出。
實(shí)例圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件200的電極 結(jié)構(gòu)的平面圖。參照實(shí)例圖4,半導(dǎo)體器件200包括柵電極230、 才冊(cè)沖旨232、源電才及220a禾口220b、源電才及連4妻纟戔221、源才旨223、》屬 電才及210、漏指213和有源區(qū)240。半導(dǎo)體器件200不同于實(shí)例圖3 所示的半導(dǎo)體器件100,該半導(dǎo)體器件200的4冊(cè)才各線211和212沒(méi) 有在源電極120a和120b (見(jiàn)實(shí)例圖3 )處形成而是在漏指213處
形成。剩余部件的布置和連4妄與參考實(shí)例圖3所描述的布置和連4妾 相同,因此,其重復(fù)的描述將^f皮省略。
至少兩個(gè)漏指213可以通過(guò)柵4各線211和212相互連4妄??梢?形成多個(gè)4冊(cè)格線211和212。漏指213的柵-才各線211和212可以形 成在與其中形成源電極220a和220b、源電極連接線221以及源指 223的層不同的半導(dǎo)體層上。漏指213的4冊(cè)才各線211和212可以與 源電極220a和220b、源電極連接線221以及源指223電隔離。
同才羊,可以在不同的層上形成多個(gè)棚4各線211和212。在這種 情況下,才冊(cè)才各線211和212可以通過(guò)通道孔(via holes)電連4妄至 漏指213。通過(guò)4吏用如上所述的漏指213的4冊(cè)才各結(jié)構(gòu),才是高參照實(shí) 例圖3所描述的RF特性是可能的。
圖5是示出了^f艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件300的電極結(jié)構(gòu) 的平面圖。參照實(shí)例圖5,半導(dǎo)體器件300包括柵電才及330、沖冊(cè) 指332、源電才及320a和320b、源電才及連4妄線321 、源指323、漏電 極310、漏指313以及有源區(qū)340。半導(dǎo)體器件300以實(shí)例圖3的 電極結(jié)構(gòu)和實(shí)例圖4的電極結(jié)構(gòu)的組合構(gòu)成。從而,半導(dǎo)體器件300 可以與實(shí)例圖3的電才及結(jié)構(gòu)和實(shí)例圖4的電才及結(jié)構(gòu)相區(qū)別,該半導(dǎo) *器<牛300的才冊(cè)才各纟戔在》爲(wèi)才旨313以&源電才及320a和320b處形成。 剩余部件的布置和連4妄與前述的布置和連4妄相同,因此,將^義在下 文描述區(qū)別特4正。
柵格線322連4妻在有源區(qū)340外部的第一源電才及320a和第二 源電才及320b。用于源電4及的4冊(cè)格線322可以平4亍于源電才及連4妻線 321。用于源電才及的柵4各線322可以連4妾源電4及320a和320b以及 源指323或可以實(shí)現(xiàn)各個(gè)源指323之間的連接。同樣,用于漏電極 310的棚4各線311和312連4妄在有源區(qū)外部的各個(gè)漏指313。
用于源電極的4冊(cè)格線322、用于漏電極310的柵格線311和312 以及源電才及連4妻線321可以交^齊;也堆疊在不同的層上方。當(dāng)柵才各線 322、 311和312在不同的層上方形成時(shí),才冊(cè)格線322、 311和312
可以通過(guò)通道孔電連^妄至相應(yīng)的部分。同才羊,4冊(cè)格線322、 311和 312的數(shù)量和連接結(jié)構(gòu)可以以先前參照實(shí)例圖3和實(shí)例圖4所描述 的各種形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。
實(shí)例圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的fr特性的 曲線圖。實(shí)例圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的fMAX 特性的曲線圖。在實(shí)例圖6和圖7中,符號(hào)"口"表示不具有柵格結(jié) 構(gòu)的半導(dǎo)體器件的測(cè)量,符號(hào)"A"表示實(shí)例圖3中所示的半導(dǎo)體器 件的測(cè)量。同樣,符號(hào)"O,,表示實(shí)例圖4中所示的半導(dǎo)體器件的測(cè) 量,而符號(hào)"V"表示實(shí)例圖5中所示的半導(dǎo)體器件的測(cè)量。
同樣,在實(shí)例圖6和圖7中,x軸表示頻帶(frequency band ), 而y軸表示電功率值。在實(shí)例圖6中,當(dāng)"fr"的值為"l"時(shí),電功率 值為"0"。因此,當(dāng)y軸的值是"O"時(shí),半導(dǎo)體器件的操作頻率被測(cè) 量如下。
首先,對(duì)于沒(méi)有柵格的結(jié)構(gòu),測(cè)量出半導(dǎo)體器件的操作頻率為 大約23GHz。其次,對(duì)于與圖3相關(guān)的實(shí)施例,測(cè)量出半導(dǎo)體器件 的操作頻率為大約23.2GHz。第三,對(duì)于與圖4和圖5相關(guān)的實(shí)施 例,測(cè)量出半導(dǎo)體器件的操作頻率為大約23.5 GHz。從而,可以看 出頻率才喿作特性相對(duì)于電流而沖是高。
在實(shí)例圖7中,當(dāng)"fMAx"的值為'T,時(shí),電功率值為"0"。因此,
當(dāng)y軸的值是"0"時(shí),半導(dǎo)體器件的操作頻率^皮測(cè)量如下。
首先,對(duì)于沒(méi)有柵格的結(jié)構(gòu),測(cè)量出半導(dǎo)體器件的操作頻率為 大約33.5GHz。其次,對(duì)于與圖3相關(guān)的實(shí)施例,測(cè)量出半導(dǎo)體器
件的操作頻率為大約36.2GHz。第三,對(duì)于與圖4相關(guān)的實(shí)施例, 測(cè)量出半導(dǎo)體器件的操作頻率為大約33.7GHz。第四,對(duì)于與圖5 相關(guān)的實(shí)施例,測(cè)量出半導(dǎo)體器件的纟乘作頻率為大約35.6 GHz。
測(cè)量顯示,對(duì)于與圖3相關(guān)的實(shí)施例,半導(dǎo)體器件的#:作頻率 #皮才是高了大約8%,而對(duì)于與圖5相關(guān)的實(shí)施例,半導(dǎo)體器件的梯: 作頻率被提高了大約6 %。
從上面的描述中可以清楚地知道,才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體
在柵格結(jié)構(gòu)中源電極的指和漏電極的指可以相互連接。因此,本發(fā) 明實(shí)施例具有4是高RF特性的作用。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是,在不背離本發(fā)明的
精神或范圍的情況下可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變更。因此,本 發(fā)明所披露的實(shí)施例旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求和其等同物的范 圍內(nèi)的顯然和明顯的^奮改和變更。
權(quán)利要求
1. 一種裝置,包括:有源區(qū),包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū);柵電極、源電極和漏電極,形成在所述有源區(qū)的周?chē)?;多個(gè)柵指,從所述柵電極分叉至所述溝道區(qū)中;多個(gè)源指,從所述源電極分叉至所述源區(qū)中,所述源指以預(yù)定的圖樣布置于所述柵指之間,所述源指具有至少兩根通過(guò)至少一根柵格線相互連接的指線;以及多個(gè)漏指,從所述漏電極分叉至所述漏區(qū)中,所述漏指布置于其中沒(méi)有布置所述源指的所述柵指之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述漏指具有至少兩根通 過(guò)至少 一才艮柵格線相互連接的指線。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述有源區(qū)以矩形的形狀形成,所述4冊(cè)電才及位于所述有源區(qū) 一側(cè)的上方,所述漏電才及位于與所述4冊(cè)電才及相對(duì)的所述有源區(qū)另 一 側(cè) 的上方,以及具有兩個(gè)源電才及,所述兩個(gè)源電招^立于所述有源區(qū)的剩 余側(cè)以1更所述源電招〃波此相對(duì)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,用于所述源指的所述至少 一根柵格線包括多根相互平行排列的柵格線。
5. 4艮據(jù)^^利要求1所述的裝置,其中,所述4冊(cè)指、所述漏指和所 述源指由金屬制成,并且所述^fr指、所述漏指和所述源指形成 在不同的半導(dǎo)體層上方。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述柵指、所述漏指和所 述源指由銅線或鋁線中的至少 一 種制成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述柵指和所述漏指形成 在相同的半導(dǎo)體層上方。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其中,所述源指和所述漏指形成 在不同的半導(dǎo)體層上方。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述至少一根柵格線垂直 地連接在所述有源區(qū)外部的第 一 源電極和第二源電極,并且所述至少一4艮4冊(cè)4各線形成在與其中形成所述源指和所述漏指的 半導(dǎo)體層不同的半導(dǎo)體層上以便所述至少一根柵格線不電連接至所述源指和所述漏指。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中,用于所述漏指的所述至少 一根柵格線包括多根相互平行排列的柵格線。
11. 一種裝置,包括有源區(qū),包>1舌源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū);柵電極、源電極和漏電極,形成在所述有源區(qū)的周?chē)?;多個(gè)柵指,從所述柵電極分叉至所述溝道區(qū)中;多個(gè)源指,乂人所述源電才及分叉至所述源區(qū)中,所述源指以 預(yù)定的圖樣布置于所述柵指之間;以及 多個(gè)漏指,乂人所述漏電才及分叉至所述漏區(qū)中,所述漏指布 置于其中沒(méi)有布置所述源指的所述柵指之間,所述漏指具有至少兩才艮通過(guò)至少 一才艮4冊(cè)格線相互連4妄的指線。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中,所述源指具有至少兩根通過(guò)至少 一根柵格線相互連接的指線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中所述有源區(qū)以矩形的形狀形成,所述才冊(cè)電才及位于所述有源區(qū) 一側(cè)的上方,所述漏電極位于與所述柵電極相對(duì)的所述有源區(qū)另 一側(cè) 的上方,以及兩個(gè)源電極位于所述有源區(qū)的4皮此相對(duì)的剩余側(cè)上方。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置,進(jìn)一步包括源電4及連4妄線,用于〗吏在所述有源區(qū)外部的所述兩個(gè)源 電極相互連接,所述源指從所述源電極連接線分叉。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置,包括柵格線,用于使在所述有源區(qū)外部的所述兩個(gè)源電才及相 互連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置,其中,用于所述源指的所述至 少一根柵格線包括多根相互平行排列的柵格線。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中,用于所述漏指的所述至 少一才艮柵格線包括多才艮相互平行排列的柵格線。
18. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中,所述至少一根柵格線包 括多根形成在不同層上方的柵格線。
19. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中,用于所述源指的所述至 少一根柵格線包括多根柵格線,而用于所述漏指的所述至少一 才艮4冊(cè)才各線包括多才艮4冊(cè)才各線,用于所述源指的所述棚"f各線和用于 所述漏指的所述一冊(cè)格線交替地堆疊在不同的半導(dǎo)體層上方。
20. 才艮據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中,所述4冊(cè)指、所述漏指和 所述源指由金屬制成,并且所述一冊(cè)指、所述漏指和所述源指形 成在不同的半導(dǎo)體層上方。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種半導(dǎo)體器件。本發(fā)明實(shí)施例涉及一種包括有源區(qū)的半導(dǎo)體器件,該有源區(qū)包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。在有源區(qū)的周?chē)纬蓶烹姌O、源電極和漏電極。多個(gè)柵指從柵電極分叉至溝道區(qū)中。多個(gè)源指從源電極分叉至源區(qū)中,源指以預(yù)定的圖樣布置于柵指之間,并具有至少兩根通過(guò)至少一根柵格線相互連接的指線。多個(gè)漏指從漏電極分叉至漏區(qū)中,這些漏指布置于其中沒(méi)有布置源指的柵指之間。
文檔編號(hào)H01L29/78GK101378079SQ20081021390
公開(kāi)日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2008年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月29日
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