專利名稱：：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
：圖像傳感器是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器大致分為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器(CIS)。在現(xiàn)有技術(shù)中，使用離子注入在具有晶體管電路的襯底中形成光電二極管。由于為了在不增加芯片大小的情況下增加像素的數(shù)目，從而使得光電二極管的大小越來(lái)越小，光接收部分的面積也減小，以致圖像質(zhì)量降低。此外，由于堆疊高度的減少程度比不上光接收部分的面積的減少程度，所以由于光的衍射(稱為愛(ài)里盤(airydisk))而使得入射到光接收部分的光子數(shù)目也減少。作為克服這種限制的選擇，實(shí)現(xiàn)了以下嘗試，使用非晶硅(Si)形成光電二極管，或在Si襯底中形成讀出電路以及使用例如晶片與晶片鍵合的方法在讀出電路上形成光電二極管(以下稱為"三維(3D)圖像傳感器")。通過(guò)互連件將光電二極管與讀出電路連接。同時(shí)，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，由于光電二極管的頂部與地連接，所以并沒(méi)有將額外的電子或額外的空穴(hole)有效地復(fù)位。因此，會(huì)出現(xiàn)暗電流或復(fù)位噪音。此外，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，由于讀出電路的轉(zhuǎn)移晶體管的源極和漏極都大量摻雜有N型雜質(zhì)，所以會(huì)發(fā)生電荷共享現(xiàn)象。當(dāng)發(fā)生電荷共享現(xiàn)象時(shí)，輸出圖像的敏感度降低，并且會(huì)發(fā)生圖像錯(cuò)誤。此外，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)楣怆姾刹蝗菀自诠怆姸O管和讀出電路之間移動(dòng)，所以會(huì)產(chǎn)生暗電流或降低飽和度和敏感度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提供一種圖像傳感器及其制造方法，該圖像傳感器在增大填充因數(shù)的同時(shí)可減少暗電流和復(fù)位噪音。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種圖像傳感器及其制造方法，該圖像傳感器在增大填充因數(shù)的同時(shí)可減少電荷共享的發(fā)生。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種圖像傳感器及其制造方法，該圖像傳感器通過(guò)為光電二極管和讀出電路之間的光電荷提供迅速移動(dòng)路徑，可最小化暗電流源并抑制飽和度和敏感度的降低。在一實(shí)施例中，一種圖像傳感器可包括第一襯底，包含互連件和讀出電路；和圖像感測(cè)器件，位于所述互連件上；其中將反向偏壓施加到所述圖像感測(cè)器件的頂部。在另一實(shí)施例中，一種圖像傳感器的制造方法可包括以下步驟在第一襯底中形成讀出電路和互連件；在所述互連件上形成圖像感測(cè)器件；其中形成所述讀出電路的步驟包括在第一襯底中形成電學(xué)結(jié)區(qū)(electricaljunctionregion);其中形成所述電學(xué)結(jié)區(qū)的步驟包括在所述第一襯底中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，以及在所述第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)上形成第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)。此外，可對(duì)圖像感測(cè)器件的頂部施加反向偏壓。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種圖像傳感器可包括第一襯底，包含互連件和讀出電路；和圖像感測(cè)器件，位于所述互連件上；其中第一襯底摻雜為第二導(dǎo)電型，其中讀出電路包括在第一襯底上的晶體管和在晶體管一端的第一襯底中形成的電學(xué)結(jié)區(qū)。此外，可將反向偏壓施加到圖像感測(cè)器件的頂部。在以下的附圖和描述中產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)。根據(jù)說(shuō)明書和附圖以及根據(jù)權(quán)利要求書，其它特征將變得清楚。圖1是根據(jù)一實(shí)施例的圖像傳感器的橫截面圖。圖2至圖6是根據(jù)一實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法的橫截面圖。圖7是根據(jù)另一實(shí)施例的圖像傳感器的橫截面圖。具體實(shí)施例方式以下，參照附圖描述圖像傳感器及其制造方法的實(shí)施例。在實(shí)施例的描述中，可以理解，當(dāng)提及一個(gè)層(或膜)在另一個(gè)層或襯底"上"時(shí)，其可以直接在另一個(gè)層或襯底上，或者也可以存在中間層。此外，可以理解，當(dāng)提及一個(gè)層在另一個(gè)層"下"時(shí)，其可以直接在另一個(gè)層或襯底下，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還可以理解，當(dāng)提及一個(gè)層在兩個(gè)層"之間"時(shí)，其可以是在兩個(gè)層之間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。本發(fā)明不限于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，也可以容易地應(yīng)用于需要光電二極管的任意圖像傳感器。圖1是根據(jù)一實(shí)施例的圖像傳感器的橫截面圖。參照?qǐng)D1，圖像傳感器可包括第一襯底100，包含互連件(interconnection)150和讀出電路120;和互連件150上的圖像感測(cè)器件210。將圖像感測(cè)器件210上的上電極240進(jìn)行連接，從而可對(duì)圖像感測(cè)器件210的頂部施加反向偏壓。圖像感測(cè)器件210可以是光電二極管。在另一個(gè)實(shí)施例中，圖像感測(cè)器件210可以是光電門(photogate)或光電二極管和光電門的組合。同時(shí)，盡管將光電二極管210描述為形成在結(jié)晶半導(dǎo)體層中，但是光電二極管不限于此。例如，光電二極管可形成在非結(jié)晶半導(dǎo)體層中。圖1中沒(méi)有說(shuō)明的附圖標(biāo)記在以下制造方法中進(jìn)行描述。以下參照?qǐng)D2至圖6描述根據(jù)一實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法。參照?qǐng)D2，可制備在其中形成互連件150和讀出電路120的第一襯底100。例如，可在第二導(dǎo)電型第一襯底100中形成器件隔離層110，以限定有源區(qū)。可在有源區(qū)中形成包含晶體管的讀出電路120。在一實(shí)施例中，讀出電路120可包括轉(zhuǎn)移晶體管Tx121、復(fù)位晶體管Rx123、驅(qū)動(dòng)晶體管Dxl25和選擇晶體管Sx127。在形成用于晶體管的柵極之后，可形成浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD131以及包括各個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)133、135和137的離子注入?yún)^(qū)130。此外，根據(jù)一實(shí)施例，可增加噪音去除電路(未示出)，以提高敏感度。在第一襯底100中形成讀出電路120的步驟可包括在第一襯底100中形成電學(xué)結(jié)區(qū)140;以及在電學(xué)結(jié)區(qū)140上形成與互連件150連接的第一導(dǎo)電型連接區(qū)147。電學(xué)結(jié)區(qū)140可以是但不限于PN結(jié)140。例如，電學(xué)結(jié)區(qū)140可包括在第二導(dǎo)電型阱141上形成的第一導(dǎo)電型離子注入層143(或第二導(dǎo)電型外延層)；以及在第一導(dǎo)電型離子注入層143上形成的第二導(dǎo)電型離子注入層145。例如，PN結(jié)140可以是但不限于P0(145)/N-(143)/P-(141)結(jié)，如圖2所示。在一實(shí)施例中，第一襯底IOO可以是第二導(dǎo)電型襯底。根據(jù)一實(shí)施例，設(shè)計(jì)一種器件，使得在轉(zhuǎn)移晶體管Tx的源極和漏極之間存在電位差，從而可完全傾卸(dump)光電荷。因此，從光電二極管產(chǎn)生的光電荷被完全傾卸到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)，從而可提高輸出圖像的敏感度。艮口，根據(jù)一實(shí)施例，在第一襯底100中形成電學(xué)結(jié)區(qū)140，其中形成讀出電路120，以允許在轉(zhuǎn)移晶體管Tx121的源極和漏極之間產(chǎn)生電位差，從而可完全傾卸光電荷。之后，詳細(xì)描述根據(jù)一實(shí)施例的光電荷的傾卸結(jié)構(gòu)。與浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD131的節(jié)點(diǎn)(它是N+結(jié))不同，以預(yù)定電壓夾斷(pinch-off)PNP結(jié)140(它是電學(xué)結(jié)區(qū)140，并且沒(méi)有將所施加的電壓完全轉(zhuǎn)移至它)。這種電壓稱為釘扎(pinning)電壓，其取決于P0區(qū)145和N-區(qū)143的摻雜濃度。具體地，從光電二極管210產(chǎn)生的電子移動(dòng)到PNP結(jié)140，并且在轉(zhuǎn)移晶體管Tx121導(dǎo)通時(shí)轉(zhuǎn)移到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD131的節(jié)點(diǎn)并被轉(zhuǎn)換成電壓。由于？0/:^-/-結(jié)140的最大電壓值變?yōu)獒斣妷?，并且浮?dòng)擴(kuò)散區(qū)FD131的最大電壓值變?yōu)閂dd-Rx123的閾值電壓Vth，所以從芯片上部的光電二極管210產(chǎn)生的電子可被完全傾卸到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)FD131的節(jié)點(diǎn)，而不存在由于轉(zhuǎn)移晶體管Tx131的側(cè)端之間的電位差引起的電荷共艮口，根據(jù)一實(shí)施例，在第一襯底100中形成P0/N-ZP-阱結(jié)，而不是N十/P-阱結(jié)，以允許在4-Tr有源像素傳感器(APS)復(fù)位操作期間對(duì)P0/NVP-阱結(jié)的N-區(qū)143施加+電壓，以及對(duì)PO145和P-阱141施加地電壓，從而以預(yù)定電壓或比雙極結(jié)型晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)更大的電壓在0/1^-/-阱雙結(jié)處產(chǎn)生夾斷。這稱為釘扎電壓。因此，在轉(zhuǎn)移晶體管1^121的源極和漏極之間產(chǎn)生電位差，以在轉(zhuǎn)移晶體管Tx的導(dǎo)通/切斷操作期間抑制電荷共享現(xiàn)象。因此，與現(xiàn)有技術(shù)中將光電二極管與N+結(jié)簡(jiǎn)單連接的情況不同，可避免例如飽和度降低和敏感度降低的限制。接下來(lái)，根據(jù)一實(shí)施例，可在光電二極管和讀出電路之間形成第一導(dǎo)電型連接區(qū)147，以提供光電荷的迅速移動(dòng)路徑，從而最小化暗電流源，以及可抑制飽和度降低和敏感度降低。為此，根據(jù)一實(shí)施例，可在？0^-*-結(jié)140的表面上形成用于歐姆接觸的第一導(dǎo)電型連接區(qū)147。可形成N+區(qū)147，以經(jīng)過(guò)P0區(qū)145并接觸N畫區(qū)143。同時(shí)，為了阻止第一導(dǎo)電型連接區(qū)147變成泄漏源，可最小化第一導(dǎo)電型連接區(qū)147的寬度。為此，在一個(gè)實(shí)施例中，在蝕刻用于第一金屬接觸部(contact)151a的導(dǎo)通孔之后，可進(jìn)行插塞式注入。在另一個(gè)實(shí)施例中，可在第一襯底100上形成離子注入圖案(未示出)，然后使用離子注入圖案作為離子注入掩模形成第一導(dǎo)電型連接區(qū)147。艮口，在本實(shí)施例中以N型雜質(zhì)僅局部地并大量地?fù)诫s接觸形成區(qū)的原因是在最小化暗信號(hào)的同時(shí)便于形成歐姆接觸。在大量摻雜整個(gè)轉(zhuǎn)移晶體管源極的情況下，可通過(guò)Si表面的懸鍵增加暗信號(hào)?？稍诘谝灰r底100上形成層間電介質(zhì)160，并且可形成互連件150?；ミB件150可包括但不限于，第一金屬接觸部151a、第一金屬151、第二金屬152、第三金屬153和第四金屬接觸部154a。參照?qǐng)D3，可在第二襯底200上形成結(jié)晶半導(dǎo)體層210a?？稍诮Y(jié)晶半導(dǎo)體層中形成光電二極管210。因此，根據(jù)一實(shí)施例，圖像感測(cè)器件可采用位于讀出電路上的三維(3D)圖像傳感器結(jié)構(gòu)，以增大填充因數(shù)。此外，通過(guò)在結(jié)晶半導(dǎo)體層內(nèi)部形成光電二極管210，可減少在圖像感測(cè)器件內(nèi)部的缺陷。在一實(shí)施例中，可使用外延生長(zhǎng)在第二襯底200上形成結(jié)晶半導(dǎo)體層210a。然后，可在第二襯底200和結(jié)晶半導(dǎo)體層210a之間注入氫離子，以形成氫離子注入層207a。在一個(gè)實(shí)施例中，可在用于形成光電二極管210的離子注入之后執(zhí)行氫離子的注入。接下來(lái)，參照?qǐng)D4，可使用離子注入方式在結(jié)晶半導(dǎo)體層210a中形成光電二極管210。例如，可在結(jié)晶半導(dǎo)體層210a的下部中形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層216。在具體實(shí)施例中，可通過(guò)在沒(méi)有掩模的第二襯底200的整個(gè)表面上執(zhí)行毯覆式離子注入的方式在結(jié)晶半導(dǎo)體層210a的下部中形成高濃度的P型導(dǎo)電層216。之后，可在第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層216上形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214。例如，可通過(guò)在沒(méi)有掩模情況的第二襯底200的整個(gè)表面上執(zhí)行毯覆式離子注入的方式在第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層216上形成低濃度的N型導(dǎo)電層214。然后，在另一實(shí)施例中，可在第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214上形成高濃度的第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層212。例如，可通過(guò)在沒(méi)有掩模的第二襯底200的整個(gè)表面上執(zhí)行毯覆式離子注入的方式在第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層214上形成高濃度的N+型導(dǎo)電層212，從而有助于歐姆接觸。接下來(lái)，參照?qǐng)D5，可將第一襯底100和第二襯底200鍵合(bond)，使得光電二極管210接觸互連件150。由此，在將第一襯底IOO和第二襯底200彼此鍵合之前，可通過(guò)用等離子體激活來(lái)增加待鍵合的表面的表面能量的方式來(lái)執(zhí)行鍵合。在某些實(shí)施例中，可通過(guò)在鍵合表面上設(shè)置的電介質(zhì)或金屬層執(zhí)行鍵合，以提高鍵合力?？赏ㄟ^(guò)執(zhí)行熱處理將氫離子注入層207a變成氫氣層(未示出)。然后，參照?qǐng)D6，可使用例如保留在氫氣層下的光電二極管210的葉片(blade)去除第二襯底200的一部分，從而可暴露光電二極管210?？蓪?duì)每個(gè)單位像素的光電二極管執(zhí)行蝕刻分離，并且可用像素間電介質(zhì)填充所蝕刻的部分(未示出)。接下來(lái)，可執(zhí)行用于形成上電極240和濾色片(未示出)的處理。在根據(jù)一實(shí)施例的圖像傳感器及其制造方法中，圖像傳感器可通過(guò)對(duì)圖像感測(cè)器件的頂部施加強(qiáng)反向偏壓，以在執(zhí)行復(fù)位操作的同時(shí)有效去除額外電子或額外空穴的方式抑制暗電流或復(fù)位噪音。艮口，根據(jù)一實(shí)施例，圖像傳感器可通過(guò)對(duì)圖像感測(cè)器件的頂部施加強(qiáng)反向偏壓以在復(fù)位的同時(shí)形成用于復(fù)位晶體管的強(qiáng)電場(chǎng)的方式有效去除額外電子或額外空穴。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表1示出當(dāng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例對(duì)光電二極管施加反向偏壓時(shí)的效果。參照表1，如果僅光電二極管的頂部接地(施加o.ov)，則與現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器類似，在光電二極管(PD)邊緣處的耗盡區(qū)距離大約是0.21,。同時(shí)，根據(jù)一實(shí)施例，如果對(duì)光電二極管施加-0.3V，則在PD邊緣處的耗盡區(qū)距離大約是0.158pm。如果對(duì)光電二極管施加-0.5V，則在PD邊緣處的耗盡區(qū)距離大約是0.147pm。因此，如果對(duì)光電二極管施加反向偏壓，則可擴(kuò)大耗盡區(qū)。艮P，根據(jù)實(shí)施例，可對(duì)圖像感測(cè)器件的頂部施加強(qiáng)反向偏壓，以創(chuàng)建高電場(chǎng)。在執(zhí)行復(fù)位操作(Tx:導(dǎo)通，Rx-導(dǎo)通)的同時(shí)，由于高電場(chǎng)使得光電二極管的電位差(VCND+Vdd)增加。根據(jù)實(shí)施例，圖像傳感器可通過(guò)對(duì)圖像感測(cè)器件的頂部施加強(qiáng)反向偏壓，以在執(zhí)行復(fù)位操作的同時(shí)形成用于復(fù)位晶體管的強(qiáng)電場(chǎng)的方式有效去除額外電子或額外空穴。此外，可通過(guò)對(duì)圖像感測(cè)器件的頂部施加強(qiáng)反向偏壓來(lái)擴(kuò)大耗盡區(qū)。此外，根據(jù)一實(shí)施例，可設(shè)計(jì)器件，使得在轉(zhuǎn)移晶體管Tx的源極和漏極之間存在電位差，從而可完全傾卸光電荷。此外，根據(jù)一實(shí)施例，可在光電二極管和讀出電路之間形成電荷連接區(qū)，以提供光電荷的迅速移動(dòng)路徑，從而最小化暗電流源，并且可抑制飽和度降低和敏感度降低。圖7是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器的橫截面圖，并且詳細(xì)示出含有互連件150的第一襯底。參照?qǐng)D7，圖像傳感器可包括第一襯底100，包含互連件150和讀出電路120;和互連件150上的圖像感測(cè)器件210，其中對(duì)圖像感測(cè)器件210的頂部施加反向偏壓。本實(shí)施例可采用相對(duì)于圖1至圖6所述的實(shí)施例的技術(shù)特征。同時(shí)，與上述實(shí)施例不同，在電學(xué)結(jié)區(qū)140的一端形成第一導(dǎo)電型連接區(qū)148。根據(jù)一實(shí)施例，可在P0/N-ZP-結(jié)140處形成用于歐姆接觸的N+連接區(qū)148。由此，由于通過(guò)對(duì)PO/N-ZP-結(jié)140施加反向偏壓使得器件運(yùn)行并使得可在Si表面上產(chǎn)生電場(chǎng)EF，所以用于形成N+連接區(qū)148和M1C接觸部151a的處理可提供泄漏源。在電場(chǎng)內(nèi)的接觸形成處理期間產(chǎn)生的結(jié)晶缺陷用作泄漏源。此外，在P0/NVP-結(jié)140的表面上形成N+連接區(qū)148的情況下，增加由于N+/P0結(jié)148/145所產(chǎn)生的電場(chǎng)。這種電場(chǎng)也用作泄漏源。因此，本實(shí)施例提出在沒(méi)有摻雜P0層但是包括N+連接區(qū)148的有源區(qū)中形成第一接觸插塞151a的布局。然后，通過(guò)N+連接區(qū)將第一接觸插塞151a與N-結(jié)143連接。根據(jù)一實(shí)施例，在Si表面上不產(chǎn)生電場(chǎng)，從而可有助于減少3D集成CIS的暗電流。在本說(shuō)明書中對(duì)于"一個(gè)實(shí)施例"、"一實(shí)施例"、"示例性實(shí)施例"等的任何引用表示結(jié)合該實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說(shuō)明書中各個(gè)位置中的這種短語(yǔ)的出現(xiàn)不必都涉及相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任意實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域一個(gè)普通技術(shù)人員可以預(yù)料，可結(jié)合其它實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)這種特征、結(jié)構(gòu)或特性。盡管參照本發(fā)明多個(gè)示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所設(shè)計(jì)的各種其它修改和實(shí)施例也落于本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本發(fā)明、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對(duì)主要組成配置的組件部分和/或排列進(jìn)行各種改變和修改。除了組成部分和/或排列的改變和修改之外，替代物的使用對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也是顯而易見(jiàn)的。'權(quán)利要求1.一種圖像傳感器，包括第一襯底，包含互連件和讀出電路；圖像感測(cè)器件，位于所述互連件上；和上電極，位于所述圖像感測(cè)器件上，連接為使得在復(fù)位操作期間反向偏壓施加到所述圖像感測(cè)器件的頂部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一襯底包括p型襯底。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中對(duì)所述圖像感測(cè)器件的頂部施加-3V-5V的反向偏壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述讀出電路包括在所述第一襯底中形成的電學(xué)結(jié)區(qū)，其中所述電學(xué)結(jié)區(qū)包括在所述第一襯底中的第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)；和在所述第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)上的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，還包括在所述電學(xué)結(jié)區(qū)和所述互連件之間的第一導(dǎo)電型連接區(qū)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中所述第一導(dǎo)電型連接區(qū)位于所述電學(xué)結(jié)區(qū)的一部分上。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中所述第一導(dǎo)電型連接區(qū)位于所述電學(xué)結(jié)區(qū)的一端處的所述第一襯底中。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中所述電學(xué)結(jié)區(qū)包括PNP結(jié)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中在所述讀出電路的晶體管的源極和漏極之間具有電位差。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其中所述晶體管包括轉(zhuǎn)移晶體管，并且所述晶體管的源極的離子注入濃度低于在所述晶體管的漏極的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的離子注入濃度。11.一種圖像傳感器的制造方法，該方法包括以下步驟在第一襯底中形成讀出電路和互連件；在所述互連件上形成圖像感測(cè)器件；和在所述圖像感測(cè)器件上形成上電極，用于連接至反向偏壓，從而在復(fù)位操作期間所述反向偏壓施加到所述圖像感測(cè)器件的頂部。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述讀出電路的步驟包括在與所述互連件電連接的所述第一襯底中形成電學(xué)結(jié)區(qū)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述電學(xué)結(jié)區(qū)的步驟包括在所述第一襯底中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，以及在所述第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)上形成第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括以下步驟在所述電學(xué)結(jié)區(qū)和所述互連件之間形成第一導(dǎo)電型連接區(qū)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在所述電學(xué)結(jié)區(qū)的一部分上形成所述第一導(dǎo)電型連接區(qū)。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在形成用于所述互連件的接觸蝕刻之后，形成所述第一導(dǎo)電型連接區(qū)。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在所述電學(xué)結(jié)區(qū)的一端的所述第一襯底中形成所述第一導(dǎo)電型連接區(qū)。全文摘要本發(fā)明提供一種圖像傳感器及其制造方法。該圖像傳感器包括第一襯底和在第一襯底上的圖像感測(cè)器件。第一襯底包含互連件和讀出電路。在互連件上形成圖像感測(cè)器件。在圖像感測(cè)器件上具有上電極，從而對(duì)圖像感測(cè)器件的頂部施加反向偏壓。本發(fā)明的圖像傳感器及其制造方法在增大填充因數(shù)的同時(shí)可減少暗電流和復(fù)位噪音，以及在增大填充因數(shù)的同時(shí)可減少電荷共享的發(fā)生，并且通過(guò)為光電二極管和讀出電路之間的光電荷提供迅速移動(dòng)路徑，可最小化暗電流源并抑制飽和度和敏感度的降低。文檔編號(hào)H01L21/82GK101383363SQ20081021382公開日2009年3月11日申請(qǐng)日期2008年9月8日優(yōu)先權(quán)日2007年9月7日發(fā)明者俊黃申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司