本發(fā)明屬于半導(dǎo)體橋火工品技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種集成半導(dǎo)體橋換能元件。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體橋火工品以其優(yōu)良的品質(zhì)在武器系統(tǒng)及民用爆破器材的點(diǎn)火、起爆系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。同時(shí)，隨著電磁環(huán)境的日趨惡劣，對(duì)半導(dǎo)體橋火工品的抗電磁環(huán)境的能力要求也越來(lái)越高。例如，對(duì)于其安全性，一般要求達(dá)到1.a.1w.5min不發(fā)火的鈍感或更高鈍感，對(duì)于其可靠性，一般要求其可靠度為0.995-0.9999(置信度0.95)?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體橋芯片已難以在惡劣的電磁環(huán)境下抵御外界電磁場(chǎng)能量干擾。另外，目前單個(gè)半導(dǎo)體橋芯片也不能直接可靠地點(diǎn)燃鈍感的火工藥劑。

申請(qǐng)?zhí)枮?01220055188.6的發(fā)明專利公開了一種電磁加固半導(dǎo)體橋雷管，該技術(shù)中，為了解決電磁干擾的問(wèn)題提出在現(xiàn)行單個(gè)半導(dǎo)體橋火工品裝置中增加一溫度敏感元件，用來(lái)吸收由于電磁能量干擾造成熱損傷，從而消除電磁輻射引起的半導(dǎo)體橋芯片熱積累損傷，但該技術(shù)任然存在其他不足之處。例如，該技術(shù)方案需要在半導(dǎo)體橋火工品裝置中另外增加溫度敏感元件，從而引發(fā)工藝復(fù)雜、可靠性降低的問(wèn)題，同時(shí)溫度敏感元件也會(huì)吸收部分半導(dǎo)體橋的點(diǎn)火輸入能量，因此會(huì)消耗一定的點(diǎn)火能量。

申請(qǐng)?zhí)枮?01210473888.1的專利申請(qǐng)中，公開了一種電火工品用半導(dǎo)體橋換能芯片，該芯片為單個(gè)半導(dǎo)體橋結(jié)構(gòu)，將半導(dǎo)體橋芯片的兩端的尖角改為圓弧，這樣可以大幅度提高了半導(dǎo)體橋抗靜電的能力。但該技術(shù)方案不能同時(shí)解決其他形式的電磁干擾問(wèn)題，如電磁輻射和雜散電流的干擾，這些干擾會(huì)引起的電火工品熱量積累造成的損傷。

總之，現(xiàn)有技術(shù)方案只能對(duì)電磁場(chǎng)的某一項(xiàng)損傷實(shí)現(xiàn)加固作用，僅是從某一方面提高半導(dǎo)體橋火工品的安全性，無(wú)法在提高安全性的同時(shí)兼顧點(diǎn)火的可靠性。例如，上述這些技術(shù)方案要么僅僅提高了防靜電的能力，要么僅僅提高了對(duì)電磁輻射或雜散電流的抗干擾能力，還不能通過(guò)一個(gè)技術(shù)方案來(lái)綜合解決全部電磁損傷問(wèn)題。另外，現(xiàn)有技術(shù)方案的點(diǎn)火可靠性能也存在不足，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體橋只有一個(gè)橋區(qū)，對(duì)輸入能量的換能利用率較低，只有一個(gè)單橋區(qū)換能形成有限的等離子作用，不能可靠點(diǎn)燃鈍感的火工藥劑。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種集成半導(dǎo)體橋換能元件，既提高了安全性，又提高了可靠性，還能夠?qū)崿F(xiàn)多點(diǎn)有序點(diǎn)火。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種集成半導(dǎo)體橋換能元件，包括兩個(gè)以上的半導(dǎo)體橋，至少有一個(gè)半導(dǎo)體橋用于吸收電磁干擾能量，其他半導(dǎo)體橋用于將輸入能量轉(zhuǎn)換為等離子體點(diǎn)火能量。

進(jìn)一步，至少有一個(gè)半導(dǎo)體橋的電阻值與其他半導(dǎo)體橋的電阻值不相同。

進(jìn)一步，至少有一個(gè)半導(dǎo)體橋的橋區(qū)面積與其他半導(dǎo)體橋的橋區(qū)面積不相同。

進(jìn)一步，至少有一個(gè)半導(dǎo)體橋的橋區(qū)形狀與其他半導(dǎo)體橋的橋區(qū)形狀不相同。

進(jìn)一步，至少有一個(gè)半導(dǎo)體橋的電阻值、橋區(qū)面積、橋區(qū)形狀與其他半導(dǎo)體橋不相同。

進(jìn)一步，根據(jù)點(diǎn)火的位置和時(shí)序確定各半導(dǎo)體橋的電阻值、橋區(qū)面積、或者橋區(qū)形狀。

進(jìn)一步，各半導(dǎo)體橋之間串聯(lián)連接。

進(jìn)一步，各半導(dǎo)體橋之間并聯(lián)連接。

進(jìn)一步，半導(dǎo)體橋之間串并聯(lián)混合連接。

進(jìn)一步，根據(jù)點(diǎn)火的位置和時(shí)序確定各半導(dǎo)體橋的電阻值、橋區(qū)面積、或者橋區(qū)形狀。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點(diǎn)在于：

(1)本發(fā)明所述集成半導(dǎo)體橋換能元件，在一顆半導(dǎo)體芯片的平面上，按照點(diǎn)火的時(shí)序和位置要求設(shè)置了多個(gè)點(diǎn)火位置，并在各個(gè)點(diǎn)火位置均生長(zhǎng)半導(dǎo)體橋，各個(gè)半導(dǎo)體橋通過(guò)串聯(lián)、并聯(lián)或者串并聯(lián)相結(jié)合的方式形成集成半導(dǎo)體橋，各個(gè)半導(dǎo)體橋的電阻值、面積的大小以及形狀可以相同，也可以不相同。多個(gè)半導(dǎo)體橋各自橋區(qū)能夠共同分擔(dān)惡劣的電磁環(huán)境干擾，從而使得在集成半導(dǎo)體橋中每個(gè)單橋上所承擔(dān)的電磁干擾壓力成倍減少。相比于現(xiàn)行單橋設(shè)計(jì)，本發(fā)明使得每個(gè)單橋的點(diǎn)火可靠性和安全性參數(shù)設(shè)計(jì)余量更大，形成整體共同抗電磁干擾，因此抗電磁干擾性能更強(qiáng)；

(2)在輸入電能的作用下，本發(fā)明通過(guò)改變或者設(shè)置各半導(dǎo)體橋的電阻值、面積的大小以及形狀，能夠?qū)崿F(xiàn)不同的發(fā)火時(shí)序，在各自的點(diǎn)火位置按時(shí)按序自行發(fā)火。因此，本發(fā)明成功地將經(jīng)典炸藥起爆的熱點(diǎn)理論應(yīng)用到半導(dǎo)體橋的點(diǎn)火技術(shù)中，并且把炸藥作用時(shí)隨機(jī)形成的熱點(diǎn)變?yōu)槟苡行蚩刂频臒狳c(diǎn)點(diǎn)火；

(3)本發(fā)明集成半導(dǎo)體橋，因?yàn)橛卸鄠€(gè)橋區(qū)換能，對(duì)輸入能量的利用率有大幅提高，響應(yīng)的電壓曲線會(huì)形成多次非線性振蕩，這些振蕩特別有利于點(diǎn)燃鈍感火工藥劑；

(4)本發(fā)明集成半導(dǎo)體橋中還可以串聯(lián)一顆功能為半導(dǎo)體橋作用后的點(diǎn)火電路開路的需求，以此解決半導(dǎo)體橋作用后開路電阻達(dá)不到系統(tǒng)的問(wèn)題；

(5)本發(fā)明集成半導(dǎo)體橋不需要增加其它部件，僅通過(guò)對(duì)模版的設(shè)計(jì)就能將傳統(tǒng)的單橋區(qū)橋變?yōu)閾碛卸鄠€(gè)橋區(qū)的集成橋，從而使半導(dǎo)體橋火工品的可靠性、安全性都得到極大地提高。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明集成半導(dǎo)體橋串并聯(lián)電路原理圖；

圖2是本發(fā)明集成半導(dǎo)體橋串并聯(lián)電路的平面圖；

圖3是適用于高鈍感的集成半導(dǎo)體橋雙橋并聯(lián)電路的平面圖；

圖4是適用于高鈍感的集成半導(dǎo)體橋三橋并聯(lián)電路的平面圖；

圖5是鈍感火工品的集成半導(dǎo)體橋兩顆橋串聯(lián)電路的平面圖；

圖6是鈍感火工品的集成半導(dǎo)體橋芯片三顆橋串聯(lián)電路的平面圖；

圖7是持續(xù)點(diǎn)火高鈍感集成半導(dǎo)體橋串并聯(lián)電路的平面圖；

圖8是點(diǎn)火作用后具有開路電阻功能的集成半導(dǎo)體橋圖。

具體實(shí)施方式

容易理解，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，在不變更本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神的情況下，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以想象出本發(fā)明集成半導(dǎo)體橋換能元件的多種實(shí)施方式。因此，以下具體實(shí)施方式和附圖僅是對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案的示例性說(shuō)明，而不應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明的全部或者視為對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制或限定。

本發(fā)明的基本思想是在一顆半導(dǎo)體芯片的平面上，設(shè)計(jì)了多個(gè)點(diǎn)火位置生長(zhǎng)半導(dǎo)體橋區(qū)，這些橋區(qū)的電阻值、面積和形狀可以相同或不相同形成串并聯(lián)集成電路，各半導(dǎo)體橋之間的組合可以采用多種不同的方式，例如一字型(多個(gè)不同或相同特征的半導(dǎo)體橋并聯(lián))、川字型(并聯(lián)后的半導(dǎo)體橋再串聯(lián))等。理論上可以根據(jù)不同的需要將n個(gè)半導(dǎo)體橋進(jìn)行串并聯(lián)組合。

本發(fā)明的集成半導(dǎo)體橋?qū)τ陔姶怒h(huán)境的干擾能量，由一顆芯片上的n半導(dǎo)體橋區(qū)來(lái)分擔(dān)吸收，每個(gè)半導(dǎo)體橋吸收的電能得到了有效控制，達(dá)到了對(duì)電磁加固的目的。

本發(fā)明的集成半導(dǎo)體芯片平面上并、串聯(lián)n個(gè)電阻橋，當(dāng)集成橋受到電磁環(huán)境干擾時(shí)，其電路中每個(gè)半導(dǎo)體橋電阻分別分擔(dān)了電磁干擾的能量，電磁環(huán)境干擾的能量由現(xiàn)行的一顆半導(dǎo)體電阻橋吸收，變成為多個(gè)橋共同吸收，用這種化整為零設(shè)計(jì)方案，使每顆橋吸收的電磁干擾能量大約是n分之一。并可以通過(guò)半導(dǎo)體橋的體積、形狀和電阻值大小的設(shè)計(jì)，分擔(dān)到每顆半導(dǎo)體橋芯片的電磁能量完全在它們的能力承擔(dān)的范圍內(nèi)，也可以理解為集體的力量。這一技術(shù)方案能一次性解決了電磁場(chǎng)多個(gè)方面的損傷問(wèn)題，如靜電、電磁輻射、雜散電流入侵等電磁干擾。

對(duì)于高鈍感火工品的要求，可以采用n個(gè)橋的串聯(lián)，其中通過(guò)對(duì)一單元橋的電阻值大、面積大和形狀的設(shè)計(jì)使其主要的功能是吸收電磁干擾的能量，其他單元橋主要功能是將輸入能量轉(zhuǎn)換為等離子體點(diǎn)火能量，使不同單元的橋各自發(fā)揮自身的功能來(lái)共同滿足高鈍感火工品的要求。

依據(jù)火工藥劑的熱點(diǎn)理論，炸藥作用的作用是首先隨機(jī)產(chǎn)生n個(gè)熱點(diǎn)，隨后形成爆炸，而集成半導(dǎo)體橋芯片上的熱點(diǎn)是完全可以按照有序的點(diǎn)火需求而設(shè)置?？梢酝ㄟ^(guò)設(shè)計(jì)不同大小體積的橋，實(shí)現(xiàn)有序的輸出n個(gè)發(fā)火點(diǎn)，由于有多個(gè)熱點(diǎn)持續(xù)輸出，可以有效點(diǎn)燃鈍感的火工藥劑。

集成半導(dǎo)體橋芯片多點(diǎn)點(diǎn)火的位置是完全可以按照炸藥起爆理論的要求而合理有序的設(shè)計(jì)，因此起爆效率高?，F(xiàn)行的半導(dǎo)體橋?qū)斎肽芰康睦寐蕛H是百分之十幾以上，而集成半導(dǎo)體橋?qū)δ芰康睦寐侍岣叩桨俜种迨陨?，輸出的發(fā)火能量明顯增強(qiáng)，可以點(diǎn)燃鈍感火工藥劑及炸藥，集成半導(dǎo)體橋的作用可靠性也就大幅度提高了.

集成半導(dǎo)體橋芯片中的n個(gè)橋的優(yōu)化組合，在n個(gè)橋形成并聯(lián)電路時(shí)，吸收電磁環(huán)境干擾能量由一顆電阻值小面積大的來(lái)橋承擔(dān)，其它的電阻值大的面積較小的多橋主要的功能是產(chǎn)生等離子體點(diǎn)燃火工藥劑，這樣的設(shè)計(jì)方法可以有效解決安全性能要求高，點(diǎn)火可靠的問(wèn)題。

集成的半導(dǎo)體橋芯片是由微電子加工工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，因此集成半導(dǎo)體橋元件實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，僅需通過(guò)對(duì)光刻版的設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)，流片工藝和后道封裝工藝也不需增加，光刻版的數(shù)量不增加，因此成本不增加。

制備本發(fā)明的集成半導(dǎo)體橋換能元件方法依次由以下步驟：

按照使用要求在一顆芯片上設(shè)計(jì)n橋形成串并聯(lián)電路，單個(gè)橋的面積可以在16-800000μm²，橋的組合數(shù)量2-28個(gè)橋組合的串、并聯(lián)集成橋的光刻版；

(a)選擇半導(dǎo)體襯底材料：?jiǎn)蚊鎾伖獾膿诫s多晶硅，摻雜濃度不大于8歐姆/厘米

(b)生長(zhǎng)氧化層，形成絕緣層厚度大于60納米

(c)生長(zhǎng)多晶硅層，厚度1-5微米

(d)n型摻雜濃度rs＝1.8-8ω/□

(e)光刻多晶硅

(f)生長(zhǎng)多層金屬層

(g)光刻金屬層

(i)形成歐姆接觸、流片完成

(j)劃片，封裝

本發(fā)明的集成半導(dǎo)體橋與現(xiàn)行的半導(dǎo)體都是采用微電子工藝完成，流片工藝，后道封裝工藝與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體一致，僅通過(guò)對(duì)光刻版的版圖的設(shè)計(jì)，就能制備出集成半導(dǎo)體橋，不需增加光刻版的數(shù)量，因此總體費(fèi)用也不需增加。

集成半導(dǎo)體橋是在一顆半導(dǎo)體芯片的平面上，設(shè)計(jì)n個(gè)的點(diǎn)火位置生長(zhǎng)半導(dǎo)體橋電阻，n半導(dǎo)體橋電阻的形成串并聯(lián)電路，電磁環(huán)境干擾的能量由現(xiàn)行的單顆半導(dǎo)體電阻橋吸收，而單顆橋是不具備安全吸收目前的電磁環(huán)境干擾的能量。本發(fā)明成為n個(gè)橋共同吸收，集成半導(dǎo)體橋中每顆橋吸收的電磁干擾能量大約是n分之一，從而使得單個(gè)橋上所承擔(dān)的電磁干擾壓力成倍減少,電磁能量的干擾完全可以通過(guò)對(duì)橋的設(shè)計(jì)控制在它們的能力承擔(dān)的范圍內(nèi)。這一技術(shù)方可同時(shí)解決了電磁場(chǎng)多個(gè)方面的損傷問(wèn)題,用這種集成半導(dǎo)體橋芯片可以大幅度提高抗電磁干擾的能力，也可以理解為集體的力量。

本發(fā)明的集成半導(dǎo)體橋，在輸入電能的作用下將按照設(shè)計(jì)的點(diǎn)火時(shí)序n點(diǎn)自行點(diǎn)火，現(xiàn)行的半導(dǎo)體橋?qū)斎肽芰康睦寐蕛H是百分十幾以上只能產(chǎn)生一個(gè)發(fā)火點(diǎn)，而集成半導(dǎo)體橋?qū)δ芰康睦寐侍岣叩桨俜治迨陨习l(fā)火能量增強(qiáng)，能產(chǎn)生n個(gè)發(fā)火點(diǎn)，因此大幅度提高了發(fā)火可靠性，可以直接對(duì)頓感藥劑進(jìn)行有效點(diǎn)火。

本發(fā)明可用于高鈍感火工品，將n個(gè)橋形成并聯(lián)電路，在并聯(lián)電路中電磁干擾的能量主要由電阻值小的芯片吸收的多，因此將其中一個(gè)半導(dǎo)體橋設(shè)計(jì)成面積大，電阻值小，主要承擔(dān)吸收電磁環(huán)境的干擾能量，其他半導(dǎo)體橋設(shè)計(jì)成、電阻值大、僅有部分電磁干擾能量需要該橋來(lái)吸收，主要由它承擔(dān)可靠點(diǎn)火的作用，因此將這類橋設(shè)計(jì)成的芯片面積小，電阻值大的點(diǎn)火輸入能量作用時(shí)能迅速產(chǎn)生等離子點(diǎn)火的作用。

本發(fā)明發(fā)明可用于鈍感集成半導(dǎo)體橋芯片，將n橋形成串聯(lián)電路，如三顆橋串聯(lián)是，當(dāng)系統(tǒng)對(duì)集成芯片的電阻值要求是1歐姆時(shí)，可以將三顆串聯(lián)的橋電阻值分別設(shè)計(jì)成一顆0.6歐姆，另外兩顆分別設(shè)計(jì)成0.2歐姆，這顆0.6歐姆的半導(dǎo)體橋主要承擔(dān)吸收電磁干擾的能量，將其設(shè)計(jì)成面積大，當(dāng)1a電流作用時(shí)持續(xù)5分鐘不發(fā)火。而另外兩顆0.2歐姆的半導(dǎo)體橋主要承擔(dān)可靠點(diǎn)火的作用，當(dāng)在1a電流作用時(shí)僅需該類橋吸收0.2w的電磁干擾能量，因此將其設(shè)計(jì)成小面積的有利于迅速氣化產(chǎn)生等離子體輻射的點(diǎn)火的半導(dǎo)體橋芯片。

因此當(dāng)n個(gè)橋的串聯(lián)時(shí)可以設(shè)計(jì)每個(gè)單元橋的電阻值不同，橋的面積不同，利用面積大、電阻大的橋以承擔(dān)吸收電磁干擾的能量為主要功能，而面積小、電阻小的橋在輸入能量作用下迅速氣化產(chǎn)生等離子體輻射的點(diǎn)火燃火工藥劑。

本發(fā)明可用于高鈍感持續(xù)點(diǎn)火的集成半導(dǎo)體橋，三顆橋并聯(lián)后與另外三顆橋并聯(lián)的橋串聯(lián)，這樣當(dāng)系統(tǒng)對(duì)集成半導(dǎo)體橋芯片要求為1歐姆時(shí)，每三顆并聯(lián)橋的電阻值僅為0.5歐姆，這樣在每組并聯(lián)橋的單個(gè)橋的電阻值都不會(huì)大，在電磁環(huán)境中每顆橋承擔(dān)的電磁干擾能量是可控的，因此安全性高，而且可以通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)每顆橋的面積和電阻值，可以使這些橋在輸入電量的作用下小面積的橋先作用，面積大的橋持續(xù)作用，形成在設(shè)計(jì)的位置有序持續(xù)點(diǎn)火，實(shí)現(xiàn)控制點(diǎn)火位置有序點(diǎn)火的功能。

實(shí)施例

圖1是集成半導(dǎo)體橋的串并聯(lián)電路原理圖，該集成半導(dǎo)體橋是根據(jù)點(diǎn)火系統(tǒng)對(duì)安全性和可靠性的要求設(shè)計(jì)各個(gè)單元橋的面積、形狀、電阻值、摻雜濃度以及n個(gè)單元橋組成串聯(lián)、并聯(lián)和串并聯(lián)混合電路，

結(jié)合圖2，圖中1、2、3、4、5和6分別是六個(gè)半導(dǎo)體橋區(qū)形成的串并聯(lián)的半導(dǎo)體橋，各具有不同的位置，7是電極層，8是絕緣層。電磁環(huán)境干擾能量的加固是由六個(gè)橋共同承擔(dān)，點(diǎn)火輸入能量作用時(shí)六個(gè)橋在各自的位置分別換能輸出六顆等離子體點(diǎn)燃火工藥劑。

結(jié)合圖3和圖4，高鈍感火工品集成并聯(lián)半導(dǎo)體橋中將n個(gè)橋形成并聯(lián)電路，兩顆橋并聯(lián)如圖3、三顆橋并聯(lián)如圖4。

武器系統(tǒng)對(duì)鈍感半導(dǎo)體橋點(diǎn)火元件安全的指標(biāo)為通過(guò)1a.1w.5min時(shí)火工藥劑不發(fā)火的要求，并且要求電阻值為1歐姆?，F(xiàn)行的單顆半導(dǎo)體橋芯片獨(dú)自承擔(dān)吸收1w電量橋必須安全的指標(biāo)，這樣的指標(biāo)單顆橋是難以承擔(dān)的，因此安全性能差。本發(fā)明集成并聯(lián)橋中，每顆橋所吸收的能量分配為：當(dāng)兩顆橋并聯(lián)時(shí)，將兩顆橋的電阻值設(shè)計(jì)成相等時(shí)，如每顆橋?yàn)?歐姆，這樣并聯(lián)后的總電阻值為1歐姆符合系統(tǒng)要求，而1a的電流在并聯(lián)電路中分配到每顆橋?yàn)?.5a,根據(jù)能量定律e＝i²r，每顆橋上吸收的電量為0.5w,因此每顆橋所承受的電量只是現(xiàn)行單橋的一半，集成并聯(lián)橋時(shí)對(duì)每顆橋的安全指標(biāo)壓力大幅度減少，因此安全性有效的提升。同時(shí)在點(diǎn)火輸入能量的作用時(shí)這兩顆橋都換能輸出等離子體點(diǎn)燃火工藥劑，能量利用率提高，因此點(diǎn)火可靠性也大幅提升。

為了進(jìn)一步提高安全性和點(diǎn)火作用的可靠性，還可采用優(yōu)化并聯(lián)橋的技術(shù)方案，將并聯(lián)的n顆橋設(shè)計(jì)成電阻值不同、橋區(qū)面積不同。以主要承擔(dān)吸收電磁環(huán)境的干擾能量的橋設(shè)計(jì)成橋區(qū)面積大，電阻值偏小，如圖3中的1號(hào)橋，或圖4中2號(hào)橋；以主要承擔(dān)可靠點(diǎn)火的作用橋設(shè)計(jì)成橋區(qū)面積小，電阻值大如圖3中2號(hào)橋，圖4中的1號(hào)橋和2號(hào)橋，在點(diǎn)火輸入能量作用時(shí)多顆橋區(qū)迅速作用產(chǎn)生等離子體點(diǎn)燃火工藥劑。

結(jié)合圖5和圖6，集成串聯(lián)半導(dǎo)體橋?qū)橋形成串聯(lián)電路，三顆橋串聯(lián)，當(dāng)系統(tǒng)對(duì)集成芯片的電阻值要求是1歐姆時(shí)，可以將三顆串聯(lián)的橋電阻值分成1號(hào)橋0.2歐姆；2號(hào)橋0.2歐姆；3號(hào)橋0.6歐姆，這顆0.6歐姆的半導(dǎo)體橋主要承擔(dān)吸收電磁干擾的能量，將其設(shè)計(jì)成面積大，當(dāng)1a電流作用它承擔(dān)0.6w.5min不發(fā)火。而另外兩顆0.2歐姆的半導(dǎo)體橋主要承擔(dān)可靠點(diǎn)火的作用，當(dāng)在1a電流作用時(shí)該類橋時(shí)僅需吸收0.2w的電磁干擾能量，因此將其設(shè)計(jì)成小面積的有利于迅速氣化產(chǎn)生等離子體輻射的點(diǎn)燃火工藥劑。因此當(dāng)n個(gè)橋的串聯(lián)時(shí)可以設(shè)計(jì)每個(gè)單元橋的電阻值不同，橋的面積不同，利用面積大、電阻大的橋以承擔(dān)吸收電磁干擾的能量為主要功能，而面積小、電阻小的橋在輸入能量作用下迅速氣化產(chǎn)生等離子體輻射的點(diǎn)火燃火工藥劑。小面積橋作用后，大面積橋繼續(xù)吸收輸入電量轉(zhuǎn)換為等離子點(diǎn)火，這就反映出集成半導(dǎo)體橋能量利用率高的特性。

結(jié)合圖7，持續(xù)點(diǎn)火的火工品用的集成半導(dǎo)體橋?qū)⑷w橋并聯(lián)電路和另外三顆橋并聯(lián)電路形成串聯(lián)電路，這樣當(dāng)系統(tǒng)對(duì)集成半導(dǎo)體橋芯片要求為1歐姆時(shí)，每三顆并聯(lián)橋的電阻值僅為0.5歐姆，這樣在每組并聯(lián)橋的單個(gè)橋的電阻值都不會(huì)大，因此在電磁環(huán)境中每顆橋承擔(dān)的電磁干擾能量是可控的，因此安全性高，而且可以通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)每顆橋的面積和電阻值，使這些橋在輸入電量的作用下小面積的橋先作用，面積大的橋持續(xù)作用，形成在設(shè)計(jì)的位置有序持續(xù)點(diǎn)火，實(shí)現(xiàn)控制點(diǎn)火位置有序點(diǎn)火的功能。如圖6在輸入能量的作用下就會(huì)形成1、2、3小面積橋先作用，4、5、6大面積橋持續(xù)作用，這種設(shè)計(jì)方案增加了發(fā)火作用時(shí)間，并且在設(shè)計(jì)的位置有序點(diǎn)火，實(shí)現(xiàn)控制點(diǎn)火位置有序點(diǎn)火的功能。

結(jié)合圖7，本發(fā)明還設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體橋點(diǎn)火作用后確保橋路開路電阻值符合系統(tǒng)規(guī)定要求的技術(shù)方案。電火工品發(fā)火后對(duì)開路電阻有規(guī)定的要求，而現(xiàn)行的半導(dǎo)體橋發(fā)火后往往開路電阻不能滿足系統(tǒng)要求，用戶只能在點(diǎn)火回路中增加熔斷絲等措施，本發(fā)明可以在半導(dǎo)體橋電極區(qū)如圖8中4電極區(qū)作為熔斷后的開路電阻，根據(jù)系統(tǒng)規(guī)定的開路電阻要求和點(diǎn)火輸入能量下的條件設(shè)計(jì)4電極區(qū)的長(zhǎng)寬或在集成半導(dǎo)體橋中串聯(lián)一顆開路橋，該橋區(qū)的電阻設(shè)計(jì)為0.2歐姆左右，設(shè)計(jì)橋區(qū)的長(zhǎng)度和寬。通過(guò)電極區(qū)或橋區(qū)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)開路規(guī)定電阻值的符合系統(tǒng)要求。以上技術(shù)方案可以有效確保點(diǎn)火作用后開路電阻值符合規(guī)定要求。