專利名稱：電光裝置、矩陣基板以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合于具有電光元件的電光裝置中的電源布線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于有機(jī)EL(electro luminescence)元件是電流驅(qū)動(dòng)型的自發(fā)光元件， 所以它不需要背照光，而且還具有消費(fèi)電力低、視角寬、能夠得到高對(duì)比 度等的優(yōu)點(diǎn)，可用于開發(fā)平面板顯示器。有機(jī)EL元件是在陽(yáng)極與陰極之 間夾持含有熒光性物質(zhì)的發(fā)光層所構(gòu)成的電光元件，通過(guò)對(duì)兩極間供給順 偏置電流，由陽(yáng)極注入的孔穴與由陰極注入的電子再結(jié)合時(shí)的再結(jié)合能量 而自發(fā)光。因此，使有機(jī)EL元件發(fā)光時(shí)，必須由外部電路供給電源。在 以往的有源矩陣變換驅(qū)動(dòng)型有機(jī)EL顯示器面板中，在像素領(lǐng)域內(nèi)設(shè)置的 各個(gè)像素中配置成為陽(yáng)極的像素電極，另一方面，作為共用電極的陰極， 一般是采用在像素區(qū)域全體覆蓋的結(jié)構(gòu)。例如在特平開11-24606號(hào)公報(bào) (專利文獻(xiàn)l)中，公布了以布線布局的最優(yōu)化來(lái)降低消費(fèi)電力與提高發(fā) 光效率為特征的顯示裝置。特平開11-24606號(hào)公報(bào)
但是，為了使用電光元件實(shí)現(xiàn)顯示器面板，共用電極的布線電阻就成 為問(wèn)題。也就是說(shuō)，由于在共用電極的布線電阻大時(shí)，圖像中央附近的像 素的電壓下降也增大，所以就不能對(duì)圖像中央附近供給充分的電流，難以 進(jìn)行正確的灰度表示，使顯示器面板的顯示性能下降。由于顯示器面板越 大，共用電極的布線電阻就越大，這樣的問(wèn)題也就越嚴(yán)重。
特別是在從透明的陰極一側(cè)射出光的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)中，能夠作為具有 與金屬層同等電阻值的透光性電極的合適的材料尚未開發(fā)，所以共用電極
的低電阻化仍是一個(gè)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是，提供一種具有能夠向電光元件的共用電極供 給充分電力的電源布線結(jié)構(gòu)的電光裝置及矩陣基板。而且，本發(fā)明的又一 目的是提供能夠?qū)崿F(xiàn)顯示器面板的窄邊緣化的電光裝置及矩陣基板。
本發(fā)明的電光裝置是，具備電光元件，該電光元件由包含在基板的有 效區(qū)域上方形成的第一電極層和在所述第一電極層的上方設(shè)置的第二電 極層的疊層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。電光裝置具有向所述第一電極層進(jìn)行電壓供給的 第一電源線以及與所述第二電極層電連接的第二電源線，所述第一電源線 及所述第二電源線，同時(shí)被設(shè)置在所述有效區(qū)域的上方，且被設(shè)置在與所 述第一電極層同層或在第一電極層的下層。
這樣，通過(guò)在基板的有效區(qū)域上疊層的多層結(jié)構(gòu)的任意一層中形成與 第二電極層相電連接的第二電源線，即使是在第二電極層高電阻化的情況 下，也能夠供給充分的電力。而且，由于第二電極層與第二電源線的電連 接點(diǎn)能夠設(shè)置在多層疊層結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，所以能夠?qū)崿F(xiàn)顯示器面板的窄邊緣 化。
這里，所謂"電光元件"，是指在電的作用下使光的光學(xué)狀態(tài)發(fā)生變 化的一般電子元件，除了有機(jī)電致發(fā)光元件等自發(fā)光元件之外，還包含液 晶元件等通過(guò)使光的偏向狀態(tài)發(fā)生變化來(lái)進(jìn)行灰度顯示的電子元件。還 有，所謂"有效區(qū)域"是指基板上對(duì)電光顯示有貢獻(xiàn)的區(qū)域，即應(yīng)該形成 電光元件的區(qū)域，與本實(shí)施例中的"顯示區(qū)域"的意義相同。所謂"多層 疊層結(jié)構(gòu)"，是指由基板上疊層的多層薄膜所組成的疊層結(jié)構(gòu)，不僅包含 構(gòu)成電光元件的設(shè)備層，還包含層間絕緣膜、電極層、電源線等。而且， 在本發(fā)明中，在第一電極層與第一電源線之間，還可以存在晶體管等電子 元件。
而且，根據(jù)制造工藝的情況，第一電源線與第二電源線可以在同一層 內(nèi)形成，也可以分別在不同的層內(nèi)形成。
在本發(fā)明的電光裝置中，理想的是把所述第一電源線與第二電源線的 至少一部分配置在同一層內(nèi)。這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使制造工藝簡(jiǎn)易化。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好使所述第二電極層具有作為所述電光元 件的陰極的功能。由第二電極層作為陰極，能夠使電光元件的電阻值下降。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好使所述第二電源線具有作為陰極輔助布 線的功能。由此，能夠向電光元件的陰極供給充分的電力。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好使所述第二電極層具有透光性。由此， 能夠?qū)崿F(xiàn)從第二電極層發(fā)射光的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)，使數(shù)值孔徑提高。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好使所述第二電源線在構(gòu)成所述多層疊層 結(jié)構(gòu)中以所規(guī)定的分散密度形成線狀。通過(guò)第二電源線以所規(guī)定的分散密 度的分散，能夠使第二電極層的電阻值下降。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好把所述第二電源線與所述第二電極層在 所述多層疊層結(jié)構(gòu)的不同層內(nèi)形成，使兩者在所述多層疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)相電連 接。通過(guò)將第二電極層與第二電源線的電連接點(diǎn)可設(shè)置在多層疊層結(jié)構(gòu)的 內(nèi)部，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示器面板的窄邊緣化。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好是所述第二電源線與所述第二電極層相 電連接的位置是在沿著所述第二電源線的延長(zhǎng)方向上的多個(gè)部位。通過(guò)將 第二電源線與所述第二電極層相電連接點(diǎn)設(shè)置為多處，能夠?qū)崿F(xiàn)第二電極 層的低電阻化。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好把所述第二電源線與所述第二電極層以 層間絕緣層為媒介在不同的層內(nèi)形成，使兩者通過(guò)在所述層間絕緣層上開 口的導(dǎo)電孔而電連接。通過(guò)第二電源線與第二電極層在多層疊層結(jié)構(gòu)體的 不同層內(nèi)形成，能夠使兩者的形成工序分離。
在本發(fā)明的電光裝置中，最好使所述第二電源線的排列方向與在略呈 直角的兩個(gè)方向上排列的電光元件的排列方向中的任意一個(gè)排列方向大 體平行。通過(guò)第二電源線的排列方向與電光元件的排列方向的平行設(shè)置， 能夠?qū)Τ手苯堑膬蓚€(gè)方向上排列電光元件的第二電極層供給充分的電力。
在本發(fā)明的電光裝置中，希望所述第二電源線的排列間距略為等間 隔。通過(guò)第二電源線的等間隔排列，能夠?qū)Τ手苯堑膬蓚€(gè)方向上排列電光 元件供給均等的電力。
在本發(fā)明的電光裝置中，所述電光元件最好是有機(jī)電致發(fā)光元件。通 過(guò)使用有機(jī)電致發(fā)光元件，能夠由電流的驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)發(fā)光灰度。
本發(fā)明的電子設(shè)備設(shè)置有所述的電光裝置。作為電子設(shè)備只要是設(shè)置 有顯示裝置的設(shè)備即可人，并無(wú)特別的限制，例如，可以用于移動(dòng)電話、 攝像機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、主安裝顯示器、放映機(jī)、傳真裝置、數(shù)碼相機(jī)、攜
帶型電視機(jī)、DSP (Digital Signal Processing數(shù)字信號(hào)處理)裝置、PDA (Personal Digital Assistant個(gè)人數(shù)字助理)、電子手冊(cè)等。
本發(fā)明的矩陣基板，用于形成電光元件，該電光元件由包含第一電極
層與第二電極層的多層疊層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。矩陣基板包含形成在基板上方 的第1電極層、向所述第一電極層進(jìn)行電壓供給的第一電源線、及與在所 述第一電極層的上方形成的第二電極層電連接的第二電源線；所述第一電 源線及所述第二電源線，被同時(shí)設(shè)置在所述有效區(qū)域的上方，且在與所述 第一電極層的同層或在第一電極層以下的層上。
這樣，通過(guò)應(yīng)在基板有效區(qū)域的上方疊層的電光元件的多層疊層結(jié)構(gòu) 中的任意一層形成為了與第二電極層相電連接的第二電源線，即使是在第 二電極層高電阻化的情況下，也能夠供給充分的電力。而且，由于第二電 極層與第二電源線的電連接點(diǎn)能夠設(shè)置在多層疊層結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，所以能夠 實(shí)現(xiàn)顯示器面板的窄邊緣化。這里，所謂"矩陣基板"，是指尚未形成電 光元件的布線基板。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第一電源線與第二電源線至少有一 部分配置在同一層內(nèi)。這樣的結(jié)構(gòu)能夠使制造工藝簡(jiǎn)易化。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電極層具有作為所述電光元件 的陰極的功能。通過(guò)第二電極層作為陰極，能夠使電光元件的陰極電阻值 下降。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電源線具有作為陰極輔助布線 的功能。由此，能夠?qū)﹄姽庠年帢O供給充分的電力。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電極層具有透光性。由此，能 夠?qū)崿F(xiàn)從第二電極層發(fā)生光的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)，使數(shù)值孔徑提高。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電源線在構(gòu)成所述多層疊層結(jié) 構(gòu)的任意層中以所規(guī)定的分散密度形成線狀。通過(guò)第二電源線以規(guī)定的分 散密度的分散，能夠使第二電極層的電阻值下降。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電源線與所述第二電極層在所 述多層疊層結(jié)構(gòu)的不同層內(nèi)形成，兩者在所述多層疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)相電連接。 通過(guò)將第二電極層與第二電源線的電連接點(diǎn)能夠設(shè)置在多層疊層結(jié)構(gòu)的 內(nèi)部，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示器面板的窄邊緣化。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電源線與所述第二電極層相電 連接的位置是在沿著所述第二電源線的延長(zhǎng)方向上的多個(gè)部位。通過(guò)將第 二電源線與所述第二電極層相電連接點(diǎn)設(shè)置為多處，能夠?qū)崿F(xiàn)第二電極層 的低電阻化。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電源線與所述第二電極層是以 層間絕緣層為媒介在不同的層內(nèi)形成，兩者通過(guò)在所述層間絕緣層上開口 的導(dǎo)電孔構(gòu)成電連接。通過(guò)第二電源線與第二電極層在多層疊層結(jié)構(gòu)體的 不同層內(nèi)形成，能夠使兩者的形成工序分離。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電源線的排列方向與在略呈直 角的兩個(gè)方向上排列的電光元件的排列方向中的任意一個(gè)排列方向大體 平行。通過(guò)第二電源線的排列方向與電光元件的排列方向的平行設(shè)置，能 夠?qū)Τ手苯堑膬蓚€(gè)方向上排列電光元件的第二電極層供給充分的電力。
在本發(fā)明的矩陣基板中，希望所述第二電源線的排列間距為大致等間 隔。通過(guò)第二電源線的等間隔排列，能夠?qū)Τ手苯堑膬蓚€(gè)方向上排列電光 元件供給均等的電力。


圖1是本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板的全體結(jié)構(gòu)圖。
圖2是像素的主要電路構(gòu)成圖。
圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例中布線布局的說(shuō)明圖。
圖4是沿圖3中A-A'線的剖面圖。
圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例中布線布局的說(shuō)明圖。
圖6是沿圖5中B-B'線的剖面圖
圖7是本發(fā)明第三實(shí)施例中布線布局的說(shuō)明圖。
圖8是沿圖7中C-C'線的剖面圖
圖9是沿圖7中D-D'線的剖面圖
圖IO是表示本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板的適用例的圖。
圖中10—像素，ll一像素區(qū)域，12—掃描線驅(qū)動(dòng)器，13—數(shù)據(jù)線驅(qū)
動(dòng)器，14一陰極，15_基板，16—陰極輔助布線，16-1—第一陰極輔助布 線，16-2—第二陰極輔助布線，17—像素電極，18—ITO層，19一堤岸層， 20—平坦化膜，21—層間絕緣膜，30—多層疊層結(jié)構(gòu)，IOO—有機(jī)EL顯 示器面板，Trl—開關(guān)晶體管，Tr2—驅(qū)動(dòng)晶體管，C一保持電容，OLED 一發(fā)光部，Vsel—掃描線，Idat—數(shù)據(jù)線，Vdd—電源供給線。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
以下參照附圖對(duì)本實(shí)施例加以說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板100的全體結(jié)構(gòu)圖。如該圖所示， 在基板15上設(shè)置有，由在顯示區(qū)域11上形成的多層疊層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的多 個(gè)像素10、向連接于在行方向排列的一組像素10的掃描線輸出掃描信號(hào) 的掃描線驅(qū)動(dòng)器12以及向連接于在列方向排列的一組像素10的數(shù)據(jù)線及 電源供給線供給數(shù)據(jù)信號(hào)及電源電壓的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器13。像素10以N行 M列在垂直的兩個(gè)方向上排列，形成像素矩陣。在各個(gè)像素10內(nèi)，形成 RGB (紅綠藍(lán))三原色的發(fā)光有機(jī)EL元件。在顯示區(qū)域11上形成的多 層疊層結(jié)構(gòu)，被作為共用電極的陰極14全面覆蓋成膜。作為陰極14中所 使用的材料，最好是能夠注入盡量多的電子的材料，即，最好是功函數(shù)小 的材料。作為這樣的導(dǎo)電材料，理想的是鈣、鋰、鋁等金屬薄膜。
還有，在同圖中所表示的有機(jī)EL顯示器面板100，雖然是從基板15
側(cè)發(fā)射光，即底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的類型，但本發(fā)明并不限于此，也可以通過(guò)使 用透光性的導(dǎo)電膜作為陰極14，采用從陰極發(fā)射光，即頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的 類型。在采用頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況下，作為陰極14，可以采用ITO等透 光性導(dǎo)電材料，此外，還可以采用將鈣、鋰、鋁等金屬薄膜進(jìn)行透光性薄 膜處理而得到的導(dǎo)電性半透明金屬層。通過(guò)使用導(dǎo)電性半透明金屬層，能 夠?qū)崿F(xiàn)陰極14的低電阻化。
圖2是像素的主要電路構(gòu)成圖。像素10設(shè)置有開關(guān)晶體管Trl、驅(qū) 動(dòng)晶體管Tr2、保持電容C、以及發(fā)光部OLED而構(gòu)成，以2晶體管方式 進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。開關(guān)晶體管Trl是n溝道型FET(Field Effect Transistor場(chǎng)
效應(yīng)晶體管)，其柵極端子連接有掃描線Vsd，漏極端子連接有數(shù)據(jù)線Idat。
驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2是p溝道型FET，其柵極端子與開關(guān)晶體管Trl的源極端 子相連接。而且，該晶體管的源極端子與電源供給線Vdd相連接，漏極端 子與發(fā)光部OLED相連接。進(jìn)而，在該晶體管的柵極/源極之間形成保持 電容C。在所述結(jié)構(gòu)中，對(duì)掃描線V^輸出選擇信號(hào)，使開關(guān)晶體管Trl
為開狀態(tài)時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)線Idat供給的數(shù)據(jù)信號(hào)則作為電壓值寫入保持電容
C。這樣，保持電容C中寫入的保持電壓就能夠在一個(gè)幀期間保持，根據(jù) 相應(yīng)的保持電壓，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的電導(dǎo)模擬地變化，向發(fā)光部OLED供 給與發(fā)光灰度相對(duì)應(yīng)的順偏置電流。
圖3是說(shuō)明像素區(qū)域中的布線布局的說(shuō)明圖。在本發(fā)明中，為了實(shí)現(xiàn) 陰極14的低電阻化，在與顯示區(qū)域11上覆蓋疊層的多層結(jié)構(gòu)的上面的面 狀陰極14所不同的層上形成細(xì)線狀的陰極輔助布線16，兩者通過(guò)層間絕 緣膜而電氣導(dǎo)通。形成陰極輔助布線16的層雖然沒(méi)有特別的限制，但考 慮到顯示器的制造工藝，通過(guò)在同一工序中與掃描線V^等金屬布線在同 一工序中同一層上形成，能夠不增加工序，以低成本制造。與掃描線V^ 在同一工序中形成的陰極輔助布線16也可以稱為柵極金屬層。而且，形 成陰極輔助布線16的位置應(yīng)盡量利用像素10的無(wú)效區(qū)。由于相應(yīng)的無(wú)效 區(qū)因數(shù)據(jù)線Idat、掃描線Vsel、電源供給線Vdd、開關(guān)晶體管Trl等各自的 布局位置而不同，所以應(yīng)選擇各種布局的最佳位置形成陰極輔助布線16。
但是，如果在對(duì)于數(shù)據(jù)線Idw平面重合位置形成陰極輔助布線16，則在數(shù)
據(jù)線Ut與陰極輔助布線16就會(huì)產(chǎn)生寄生容量，可能會(huì)產(chǎn)生向保持電容C 的數(shù)據(jù)的寫入不充分等情況，所以需要在考慮與數(shù)據(jù)線Iw的關(guān)系的基礎(chǔ) 上形成陰極輔助布線16。
在同圖所示的例子中，由兩條掃描線V^所組成的一組掃描線與陰極 輔助布線16在行方向上交互布局。即每隔一行形成N/2條陰極輔助布線 16。掃描線V^與陰極輔助布線16在各自的同一層中，通過(guò)將金屬布線 一并形成圖案而得到，陰極輔助布線16的線寬，調(diào)整得與兩條掃描線Vsel 的合計(jì)線寬大體相等。另一方面，在列方向上，數(shù)據(jù)線Ut與電源供給線 Vdd在各自的方向上每一列布線一條。同圖中所示布線模式是表示周期重 復(fù)的一個(gè)單元。對(duì)多層疊層結(jié)構(gòu)中任意一個(gè)像素IO都是同圖中所示的布
線布局。即，本實(shí)施例的布線布局對(duì)于任意的行都是線對(duì)稱，像素節(jié)距對(duì) 于行方向及列方向都是等間隔設(shè)定。而且，在數(shù)據(jù)線Idat與掃描線Vw交
叉的位置形成開關(guān)晶體管Trl。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的柵極端子位于開關(guān)晶體 管Trl的源極端子的延長(zhǎng)方向上，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的漏極端子通過(guò)導(dǎo)通孔 hl與像素電極17相導(dǎo)通。在電源供給線Vdd上形成與像素電極17的長(zhǎng)度 方向平行的保持電容C。
圖4是沿圖3中A-A'線的剖面圖。如同圖中所示，在基板15上形成 由陰極輔助布線16、層間絕緣膜21、源金屬層22、平坦化膜20 、 ITO 層18、及堤岸層19順次疊層所組成的多層疊層結(jié)構(gòu)30。該多層疊層結(jié)構(gòu) 30是在顯示區(qū)域11上形成。在多層疊層結(jié)構(gòu)30的上層成膜有陰極14。
層間絕緣膜21是為了將數(shù)據(jù)線Idat及掃描線V^從陰極輔助布線16電氣 分離的絕緣膜，在層間絕緣膜21上，形成在與數(shù)據(jù)線Idat及掃描線Vsel
同一工序中形成圖案的島狀源金屬層22。源金屬層22通過(guò)在層間絕緣膜 21內(nèi)開口的導(dǎo)通孔h5與陰極輔助布線16相導(dǎo)通。在層間絕緣膜21上疊 層有經(jīng)平坦化處理的絕緣性平坦化膜20，在其上層形成島狀圖案的ITO 層18。 ITO層18與源金屬層22通過(guò)在平坦化膜20內(nèi)開口的導(dǎo)通孔h3 相導(dǎo)通。導(dǎo)通孔h3在沿著陰極輔助布線16的延長(zhǎng)方向上有多個(gè)開口，通 過(guò)設(shè)置多個(gè)ITO層18與源金屬層22的接觸點(diǎn)而降低電阻值。
另一方面，在平坦化膜20的上層成膜有由感光性有機(jī)材料等組成的 堤岸層19。堤岸層19是分割各個(gè)像素10的區(qū)分部件，在精密校直調(diào)整 下開口，使長(zhǎng)圓形的開口部h2位于像素電極17上(參照?qǐng)D3)。在開口 部h2內(nèi)露出表面的像素電極17上從基板的下層一側(cè)起順次成膜孔穴輸送 層及發(fā)光層，進(jìn)而成膜作為共用電極的陰極14，覆蓋在顯示區(qū)域ll上疊 層的多層疊層結(jié)構(gòu)30的上面。由此形成由陰極/發(fā)光層/孔穴輸送層/像素 電極所組成的發(fā)光部OLED。
作為構(gòu)成發(fā)光部OLED的設(shè)備層的疊層結(jié)構(gòu)，并不限于所述構(gòu)成， 還可以采用陰極/發(fā)光層/像素電極，陰極/電子輸送層/發(fā)光層/像素電極， 陰極/電子輸送層/發(fā)光層/孔穴輸送層/像素電極等結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，孔穴輸 送層與電子輸送層并非必須，這些層可以任意地追加。作為孔穴輸送層， 可以使用三苯胺衍生物(TPD)、肼(聯(lián)氨)衍生物、芳基胺衍生物等。
作為電子傳送層，可以使用鋁螯合絡(luò)合物(Alq3)、聯(lián)苯乙烯(DPVBi) 衍生物、二唑啉硫酮衍生物、？蒽衍生物、苯基唑噻吩衍生物、二萘嵌苯 類、噻唑等。而且，發(fā)光材料也不限于有機(jī)材料，也可以使用無(wú)機(jī)材料。
在堤岸層19的表面通過(guò)ITO層18的位置，在精密校直調(diào)整下開口 的開口部h4分布在陰極輔助布線16的延長(zhǎng)方向上的多點(diǎn)處。在堤岸層 19的上層成膜的陰極14通過(guò)導(dǎo)通孔h4與ITO層18導(dǎo)通，進(jìn)而，通過(guò)源 金屬層22與陰極輔助布線16導(dǎo)通。這樣，通過(guò)在多層疊層結(jié)構(gòu)30內(nèi)形 成的陰極輔助布線16與陰極14的導(dǎo)通，能夠使陰極14的電阻值下降， 向像素10供給充分的電流。
根據(jù)本實(shí)施例，使陰極14的電阻值減低是可能的，能夠減低由于對(duì) 各像素供給電流量的不均勻而引起的亮度深淺不均的發(fā)生。進(jìn)而，以往的 技術(shù)中，在顯示器面板的畫邊上設(shè)置有陰極14與陰極輔助布線的導(dǎo)通區(qū) 域，但根據(jù)本發(fā)明，由于能夠確保與多層疊層結(jié)構(gòu)30內(nèi)陰極14的導(dǎo)通， 所以可達(dá)到窄邊緣化，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)效區(qū)少的顯示器面板。而且，由于由有 機(jī)材料構(gòu)成的堤岸層的耐熱性、耐藥品性較差，所以在堤岸層上形成陰極 輔助布線16困難，但如果是在由FET等所形成的基板15上，則容易形 成陰極輔助布線16等金屬布線。
還有，在本實(shí)施例中是按兩行中一條的比例形成陰極輔助布線16， 但并不限于此，也可以按n行(n是大于3的整數(shù))中一條的比例，以適 當(dāng)?shù)姆稚⒚芏刃纬申帢O輔助布線16。而且，形成陰極輔助布線16的位置 也不限于基板15的表面，可以在多層疊層結(jié)構(gòu)30內(nèi)的任意一層形成。
圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器面板100的布線布局 圖。在本實(shí)施例中，陰極輔助布線16是在列方向上形成，在這一點(diǎn)上與 第一實(shí)施例不同。在同圖所示的例中，假定由RGB三像素構(gòu)成一個(gè)像素 單元，則按每2個(gè)像素單元3條的比例在列方向上等間隔形成陰極輔助布 線16。而且，在陰極輔助布線16的兩側(cè)形成兩條數(shù)據(jù)線Idat。在鄰接的陰 極輔助布線16與陰極輔助布線16之間的列中形成以兩條為一組的電源供 給線Vdd，以一條陰極輔助布線16及兩條數(shù)據(jù)線Idat的合計(jì)寬度與兩條電 源供給線Vdd的合計(jì)寬度大體相等而布局。由此，同圖中所示的布線布局，
能夠具有對(duì)任意的列都是線對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。另一方面，在行方向的各行中形 成一條掃描線Vsel，在掃描線V^與數(shù)據(jù)線Idat的交叉點(diǎn)形成開關(guān)晶體管
Trl。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的柵極端子位于開關(guān)晶體管Trl的源極端子的延長(zhǎng) 方向上，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的漏極端子通過(guò)導(dǎo)通孔hl與像素電極17相導(dǎo)通。 在電源供給線Vdd上形成與像素電極17的長(zhǎng)度方向平行的保持電容C。
圖6是沿圖5中B-B'線的剖面圖。如同圖中所示，在基板15上形成 由掃描線Vse,、層間絕緣膜21、陰極輔助布線16、平坦化膜20、 ITO層 18、及堤岸層19順次疊層所組成的多層疊層結(jié)構(gòu)30。該多層疊層結(jié)構(gòu)30 是在顯示區(qū)域11上形成。在多層疊層結(jié)構(gòu)30的上層成膜有陰極14。層 間絕緣膜21是為了將掃描線V^與陰極輔助布線16電氣分離的絕緣膜， 在層間絕緣膜21上，形成線狀的陰極輔助布線16。陰極輔助布線16上 成膜的平坦化膜20上，形成圖案的ITO層18在沿著陰極輔助布線16的 延長(zhǎng)方向上多處分布。在平坦化膜20上開口形成導(dǎo)通孔h3， ITO層18 與陰極輔助布線16具有通過(guò)導(dǎo)通孔h3而導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)。在平坦化膜20上 形成由感光性有機(jī)材料組成的堤岸層19，與像素電極17的位置相吻合形 成長(zhǎng)圓形的開口部h2 (參照?qǐng)D5)。在開口部h2中與第一實(shí)施例同樣形 成發(fā)光部OLED。
另一方面，在堤岸層19的表面通過(guò)ITO層18的位置，在精密校直 調(diào)整下開口的開口部h4分布在陰極輔助布線16的延長(zhǎng)方向上的多點(diǎn)處。 在堤岸層19的上層成膜的陰極14通過(guò)導(dǎo)通孔h4與ITO層18導(dǎo)通，進(jìn) 而，與陰極輔助布線16導(dǎo)通。這樣，通過(guò)沿像素10的列方向形成的多條 線狀陰極輔助布線16與陰極14的電氣導(dǎo)通，具有能夠向像素10供給充 分的電流的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本實(shí)施例，與第一實(shí)施例相同，使陰極14的電阻值減低是可能 的，能夠減低由于對(duì)各像素供給電流量的不均勻而引起的亮度深淺不均的 發(fā)生。進(jìn)而，由于能夠確保與多層疊層結(jié)構(gòu)30內(nèi)陰極輔助布線16與陰極 14的導(dǎo)通，所以可達(dá)到窄邊緣化，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)效區(qū)少的顯示器面板。還 有，在本實(shí)施例中是按兩列中一條的比例形成陰極輔助布線16，但并不 限于此，也可以按n行(n是大于3的整數(shù))中一條的比例，以適當(dāng)?shù)姆?散密度形成陰極輔助布線16。
圖7是表示本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器面板100的布線布局 圖。在本實(shí)施例中，陰極輔助布線16是在行方向及列方向上形成，在這 一點(diǎn)上與第一、第二實(shí)施例不同。這里，為了便于區(qū)別在行方向及列方向 上形成的陰極輔助布線16，將沿行方向形成的陰極輔助布線16記作第一 陰極輔助布線16-1，沿列方向形成的陰極輔助布線16記作第二陰極輔助 布線16-2。而且，在單獨(dú)提到陰極輔助布線16時(shí)，只要沒(méi)有預(yù)先說(shuō)明， 都是指包含兩者。在同圖所示的例中，假定由RGB三像素構(gòu)成一個(gè)像素 單元，則按每2個(gè)像素單元3條的比例在列方向上等間隔形成第二陰極輔 助布線16-2。而且，在第二陰極輔助布線16-2的兩側(cè)形成兩條數(shù)據(jù)線Idat。 在鄰接的兩條陰極輔助布線16-2之間的列中形成兩條為一組的電源供給
線Vdd，以一條第二陰極輔助布線16-2及兩條數(shù)據(jù)線Idat的合計(jì)寬度與兩
條電源供給線Vdd的合計(jì)寬度大體相等而布局。由此，同圖中所示的布線 布局，能夠具有對(duì)任意的列都是線對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
另一方面，在行方向上，由兩條掃描線V^組成的一組掃描線與第一 陰極輔助布線16-1交互布局。掃描線V^與第一陰極輔助布線16-1在各 自的同一層中，通過(guò)與金屬布線一起形成圖案而得到，調(diào)整第一陰極輔助 布線16-1的線寬，使其與兩條掃描線Vw的合計(jì)線寬大體相等。由該結(jié) 構(gòu)，同圖中所示的布線布局，能夠具有對(duì)任意的行及列都是線對(duì)稱。
在掃描線Vsel與數(shù)據(jù)線Idat的交叉點(diǎn)形成開關(guān)晶體管Trl。驅(qū)動(dòng)晶體管 Tr2的柵極端子位于開關(guān)晶體管Trl的源極端子的延長(zhǎng)方向上，驅(qū)動(dòng)晶體 管Tr2的漏極端子通過(guò)導(dǎo)通孔hl與像素電極17相導(dǎo)通。在電源供給線 Vdd上形成與像素電極17的長(zhǎng)度方向平行的保持電容C。
圖8是沿圖7中C-C'線的剖面圖。如同圖中所示，在基板15上形成 由第一陰極輔助布線16-1、層間絕緣膜21、平坦化膜20、源金屬層22、 ITO層18、及堤岸層19順次疊層所組成的多層疊層結(jié)構(gòu)30。該多層疊層 結(jié)構(gòu)30是在顯示區(qū)域11上形成。在多層疊層結(jié)構(gòu)30的上層成膜有陰極 14。層間絕緣膜21是為了將數(shù)據(jù)線Ut及掃描線V^與第一陰極輔助布線 16-1電氣分離的絕緣膜。在數(shù)據(jù)線Ut及掃描線V^的同一層上，形成與 第一陰極輔助布線16-1垂直取向的第二陰極輔助布線16-2，兩者通過(guò)在
層間絕緣膜21上開口的導(dǎo)通孔h6而電連接。
而且，在層間絕緣膜21的與第二陰極輔助布線16-2的同一層上，沿 第一陰極輔助布線16-1的延長(zhǎng)方向形成多處島狀的源金屬層22。
源金屬層22通過(guò)層間絕緣膜21上開口的導(dǎo)通孔h5與第一陰極輔助 布線16-1導(dǎo)通。而且，在平坦化膜20上沿第一陰極輔助布線16-1的延 長(zhǎng)方向形成多處分布的島狀I(lǐng)TO層18，在與像素電極17的位置相吻合形 成長(zhǎng)圓形的開口部h2 (參照?qǐng)D7)。在開口部h2中與第一實(shí)施例同樣形 成發(fā)光部OLED。在堤岸層19的表面通過(guò)ITO層18的位置，在精密校直 調(diào)整下開口的開口部h4分布在第二陰極輔助布線16-2的延長(zhǎng)方向上的 多點(diǎn)處。在堤岸層19的上層成膜的陰極14在多層疊層結(jié)構(gòu)30內(nèi)與陰極 輔助布線16導(dǎo)通，通過(guò)使陰極14的電阻值下降，能夠向像素10供給充 分的電流。
圖9是沿圖7中D-D'線的剖面圖。如同圖中所示，在基板15上形成 由第一陰極輔助布線16-1、掃描線V^、層間絕緣膜21、第二陰極輔助布 線16-2、平坦化膜20、 ITO層18、及堤岸層19順次疊層所組成的多層 疊層結(jié)構(gòu)30。第一陰極輔助布線16-1及第二陰極輔助布線16-2是夾在 層間絕緣膜21之間相互垂直而形成，通過(guò)在層間絕緣膜21上開口的導(dǎo)通 孔h6而相互導(dǎo)通。在第二陰極輔助布線16-2的上層疊層的平坦化膜20 上，形成沿第二陰極輔助布線16-2的延長(zhǎng)方向形成多處分布的島狀I(lǐng)TO 層18，平坦化膜20上開口有導(dǎo)通孔h3， ITO層18與第二陰極輔助布線 16-2相導(dǎo)通。而且，在堤岸層19上沿第二陰極輔助布線16-2的延長(zhǎng)方 向多處開口有導(dǎo)通孔h4。這樣，通過(guò)陰極14與在多層疊層結(jié)構(gòu)30的內(nèi) 部相互垂直的2方向上形成的陰極輔助布線16的導(dǎo)通，具有能夠使陰極 14的電阻大幅度下降，對(duì)像素10供給充分電力的結(jié)構(gòu)。因此，能夠減低 由于對(duì)各像素供給電流量的不均勻而引起的亮度深淺不均的發(fā)生，實(shí)現(xiàn)優(yōu) 異的表示性能。進(jìn)而，由于能夠確保在多層疊層結(jié)構(gòu)30的內(nèi)部陰極輔助 布線16與陰極14的導(dǎo)通，所以可達(dá)到窄邊緣化，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)效區(qū)少的顯 示器面板。
圖IO是表示可能適用本發(fā)明的電光裝置的電子設(shè)備的例的圖。同圖
中(a)是適用于移動(dòng)電話的例子，移動(dòng)電話230設(shè)置有天線部231、聲 音輸出部232、聲音輸入部233、操作部234、以及本發(fā)明的有機(jī)EL顯示 器面板100。這樣可以利用本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板100作為移動(dòng)電 話230的顯示部。同圖中(b)是適用于攝像機(jī)的例子，攝像機(jī)240設(shè)置 受像部241、操作部242、聲音輸入部243、以及本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器 面板100。這樣可以利用本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板100作為探測(cè)器及 顯示部等。同圖中(c)是適用于筆記本計(jì)算機(jī)(攜帶型個(gè)人計(jì)算機(jī))的 例子，計(jì)算機(jī)250設(shè)置有照相機(jī)部251、操作部252、以及本發(fā)明的有機(jī) EL顯示器面板100。這樣可以利用本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板100作為 顯示裝置。
同圖中(d)是適用于頭盔式顯示器的例子，頭盔式顯示器260設(shè)置 有帶子261、光學(xué)系收納部262、以及本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板100。 這樣可以利用本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板100作為圖像顯示源。同圖中 (e)是適用于后背投式放映機(jī)的例子，放映機(jī)270具有框體271、光源 272、合成光學(xué)系273、反射鏡274、 275、屏幕276以及本發(fā)明的有機(jī)EL 顯示器面板IOO。同圖中(f)是適用于前面投影型放映機(jī)的例子，放映機(jī) 280設(shè)置有框體282、光學(xué)系281、以及本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面板100， 可以將圖像在屏幕283上顯示。這樣可以利用本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器面 板IOO作為圖像顯示源。
權(quán)利要求
1、一種電光裝置，具備電光元件，該電光元件由包含在基板的有效區(qū)域上方形成的第一電極層和在所述第一電極層的上方設(shè)置的第二電極層的疊層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，其特征在于具有向所述第一電極層進(jìn)行電壓供給的第一電源線以及與所述第二電極層電連接的第二電源線，所述第一電源線及所述第二電源線，同時(shí)被設(shè)置在所述有效區(qū)域的上方，且被設(shè)置在與所述第一電極層同層或在第一電極層的下層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于所述第一電源線 與第二電源線的至少一部分被配置在同一層內(nèi)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于所述第二電 極層具有作為所述電光元件的陰極的功能。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于所述第二電源線具有作為陰極輔助布線的功能。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于所述第二電極層具有透光性。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于所 述第二電源線在構(gòu)成所述多層疊層結(jié)構(gòu)的任意層中以所規(guī)定的分散密度 形成線狀。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1 6中任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于所 述第二電源線與所述第二電極層分別形成在所述多層疊層結(jié)構(gòu)的不同層 內(nèi)，兩者在所述多層疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)相互電連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電光裝置，其特征在于所述第二電源線 與所述第二電極層相互電連接的位置是在沿著所述第二電源線的延長(zhǎng)方 向上的多個(gè)部位。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電光裝置，其特征在于所述第二電 源線與所述第二電極層是以層間絕緣層為媒介形成在不同的層內(nèi)，兩者通 過(guò)在所述層間絕緣層上開口的導(dǎo)電孔構(gòu)成電連接。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1 9中任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 所述電光元件被排列設(shè)置在大致呈直角的兩個(gè)方向上，所述第二電源線的 排列方向與在略呈直角的兩個(gè)方向上排列的電光元件的排列方向中的任 意一個(gè)排列方向大體平行。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的電光裝置，其特征在于所述第二電源 線的排列間距略為等間隔。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1 11中任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 所述電光元件是電致發(fā)光元件。
13、 一種設(shè)置有權(quán)利要求1 12中任意一項(xiàng)所述的電光裝置的電子設(shè)備。
14、 一種矩陣基板，用于形成電光元件，該電光元件由包含第一電極層與第二電極層的多層疊層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，其特征在于.-包含形成在基板上方的第1電極層、 向所述第一電極層進(jìn)行電壓供給的第一電源線、及 與在所述第一電極層的上方形成的第二電極層電連接的第二電源線， 所述第一電源線及所述第二電源線，被同時(shí)設(shè)置在所述有效區(qū)域的上 方，且在與所述第一電極層的同層或在第一電極層以下的層上。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的矩陣基板，其特征在于所述第一電源 線與所述第二電源線的至少一部分被配置在同一層內(nèi)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的矩陣基板，其特征在于所述第二 電極層具有作為所述電光元件的陰極的功能。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的矩陣基板，其特征在于所述第二電源 線具有作為陰極輔助布線的功能。
18、 根據(jù)權(quán)利要求14 17中任意一項(xiàng)所述的矩陣基板，其特征在于所述第二電極層具有透光性。
19、 根據(jù)權(quán)利要求14 18中任意一項(xiàng)所述的矩陣基板，其特征在于所述第二電源線在構(gòu)成所述多層疊層結(jié)構(gòu)的任意層中以規(guī)定的分散密度 形成線狀。
20、 根據(jù)權(quán)利要求14 19中任意一項(xiàng)所述的矩陣基板，其特征在于所述第二電源線與所述第二電極層在所述多層疊層結(jié)構(gòu)的不同層內(nèi)形成， 兩者在所述多層疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)相互電連接。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的矩陣基板，其特征在于所述第二電源線與所述第二電極層相電連接的位置是在沿著所述第二電源線的延長(zhǎng)方 向上的多個(gè)部位。
22、 根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的矩陣基板，其特征在于所述第二 電源線與所述第二電極層是以層間絕緣層為媒介在不同的層內(nèi)形成，兩者 通過(guò)在所述層間絕緣層上開口的導(dǎo)電孔構(gòu)成電連接。
23、 根據(jù)權(quán)利要求14 22中任意一項(xiàng)所述的矩陣基板，其特征在于 所述第二電源線的排列方向與在略呈直角的兩個(gè)方向上排列的電光元件 的排列方向中的任意一個(gè)排列方向大體平行。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的矩陣基板，其特征在于所述第二電源 線的排列間距為大致等間隔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有能夠向電光元件的共用電極供給充分的電力的電源布線結(jié)構(gòu)的電光裝置。該裝置是由包含在基板(15)的有效區(qū)域(11)的上方形成的第一電極層與設(shè)置在所述第一電極上方的第二電極層(14)的疊層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的電光元件的電光裝置，其特征在于所述第一電極層中包含實(shí)施電壓供給的第一電源線及與所述第二電極層相互電連接的第二電源線(16)，所述第一電源線與所述第二電源線同時(shí)被設(shè)置在所述有效區(qū)域的上方，且在所述第一電極層的同層或第一電極層以下的層上。
文檔編號(hào)H01L23/528GK101355098SQ20081021385
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2003年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月25日
發(fā)明者中西早人, 松枝洋二郎 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社