專利名稱：具有標記的晶圓的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種具有標記的晶圓，更特別有關(guān)于一種熱固 化墨水標記的晶圓。
背景技術(shù)：
在半導體制程中，隨著晶圓尺寸增大及元件尺寸縮小， 一片 晶圓可依需要劃分為數(shù)千個相同或不同的晶粒。由于制程設(shè)計或 材料本身的特性，最后完成的晶圓具有正常晶粒及缺陷晶粒。一
般是以測試機臺與探針卡(Probe Card)來測試晶圓上每一個晶 粒，以確保晶粒的電氣特性與效能符合設(shè)計規(guī)格。在測試過程中 若發(fā)現(xiàn)缺陷晶粒則需進行標記，包括以墨水噴涂于缺陷晶粒上、 以電子槍或激光使缺陷晶粒產(chǎn)生刻痕、或以計算機記錄整片晶圓 上正常晶粒及缺陷晶粒的位置。而定位缺陷晶粒位置的工作，則 稱之為晶圓圖表(wafer map)。
以墨水標記缺陷晶粒的方法有不少缺點，比如適合作為標記 的墨水并不多、墨水除了標記缺陷晶粒外也可能會污染其他正常 晶粒、墨水本身或搭配墨水使用的溶劑可能損壞晶粒、清除墨水 的溶劑一般都相當危險，有工業(yè)安全上的顧慮。雖然以計算機記 錄晶圓圖表的方式較簡單也較干凈，但仍有一些缺點，比如不 同的晶圓具有不同的晶圓圖表、計算機內(nèi)的晶圓圖表無法準確對 位至實際晶圓、晶圓圖表本身可能損壞甚至完全遺失(因計算機操 作不當或人為疏忽)。而電子槍或激光刻痕的設(shè)備雖然日漸普及， 但此記號在產(chǎn)生及辨別上均需依賴機器，難以由肉眼直接判斷。 因此，雖然以墨水標記缺陷晶粒的方法具有上述的那些缺點，但 一般半導體廠仍以墨水輔助其他無墨水的標記方法。
已知技術(shù)中經(jīng)測試并以墨水進行標記的缺陷晶粒，經(jīng)切割后 將與正常晶粒分開。但近來一些新的半導體制程，例如，在晶粒 測試并以墨水標記后需要涂上熒光劑再進行切割揀選的工作，采 用已知墨水進行標記的缺陷晶粒則會發(fā)生問題。因為一般常見的 用于標記缺陷晶粒的墨水會溶解于熒光劑，在切割后無法以墨水 記號分辨缺陷晶粒與正常晶粒的差別，也就無法將正常晶粒揀選 出來進行后續(xù)利用。目前急需新的墨水組合物以解決已知墨水記 號溶解于后續(xù)制程所用的試劑(如熒光劑)此問題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決標記缺陷晶粒的墨水會溶解于后續(xù)制程中使用的試劑 的問題，本發(fā)明提供一種具有標記的晶圓，包括晶圓，具有正常
晶粒及至少一缺陷晶粒；以及晶圓標記，涂布于至少一缺陷晶粒 上；其中該晶圓標記為一熱固化的墨水組合物。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，該熱固化的墨水組合物包括 一熱固化墨水與一有機溶劑。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，該熱固化墨水與該有機溶劑 的體積比例介于9:1至7:3的比例區(qū)間內(nèi)。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，該有機溶劑包括丙酮、乙醇、 異丙醇、乙酸乙酯或上述的組合。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，該熱固化的墨水組合物的熱 固化溫度介于150。C至180。C之間。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，該熱固化的墨水組合物的熱 固化時間介于1.5小時至2.5小時。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，該晶圓標記不溶解于后續(xù)制 程所使用的試劑。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，后續(xù)制程所使用的試劑包括有機溶劑、水、熒光劑或上述的組合。
本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，即使涂上后續(xù)制程的試劑如 熒光劑，晶圓標記亦不會溶解且得以保留至切割后，使后續(xù)揀選 正常晶粒的工作得以正常運作。
圖l是本發(fā)明較佳實施例中具有標記的晶圓的示意圖。
具體實施例方式
圖l是本發(fā)明較佳實施例中具有標記的晶圓的示意圖，包括晶
圓IO,其具有正常晶粒12及缺陷晶粒13;以及晶圓標記14,位于 所述缺陷晶粒13上。依照本發(fā)明的一重要特征，此晶圓標記為一 熱固化的墨水組合物。熱固化的墨水組合物較佳為熱固化墨水與 有機溶劑的組合物，合適的熱固化墨水包含色料、熱固化樹脂、 熱引發(fā)劑等物質(zhì)，如MARKEM⑧所售的4408 Series INK;而有 機溶劑較佳為丙酮、乙醇、異丙醇、乙酸乙酯或上述的組合。上 述的熱固化墨水組合物中，熱固化墨水與有機溶劑的體積比例較 佳介于約9:1至7:3的比例區(qū)間內(nèi)。太濃稠的熱固化的墨水組合物在 利用噴嘴進行噴墨將熱固化的墨水組合物涂布于缺陷晶粒時易堵 塞噴嘴；太稀釋的熱固化的墨水組合物則會影響后續(xù)的熱固化制 程，且噴墨時容易溢流至正常晶粒，產(chǎn)生標記上的錯誤。在本發(fā) 明中，偵測晶粒缺陷的方法并無特別限制，可為一般常見的偵測 方法如探針偵測，或?qū)⒕A置于高溫高電壓的過負荷環(huán)境的崩壓 法(burn - in)。
經(jīng)過檢測及噴墨后，將整片晶圓連同墨水記號于常壓下置入 烘箱使墨水組合物熱固化，較佳的溫度約介于15(TC - 180°C ，較 佳的時間約介于1.5小時-2.5小時。最后將晶圓取出，晶圓上的缺
陷晶粒具有標記，且此標記不溶于后續(xù)制程的試劑如有機溶劑、 水、熒光劑或上述的組合。如此一來，即使涂上后續(xù)制程的試劑 如熒光劑，晶圓標記亦不會溶解且得以保留至切割后，使后續(xù)揀 選正常晶粒的工作得以正常運作。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明 的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上估文進一步的改進和變化，因此本發(fā)明的保護 范圍當以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
附圖中符號的簡單說明如下
10:晶圓
12:正常晶粒
13:缺陷晶粒
14:晶圓標記。
權(quán)利要求
1.一種具有標記的晶圓，其特征在于，該具有標記的晶圓包括一晶圓，具有多個正常晶粒及至少一缺陷晶粒；以及一晶圓標記，涂布于該至少一缺陷晶粒上；其中該晶圓標記為一熱固化的墨水組合物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的具有標記的晶圓，其特征在于，該 熱固化的墨水組合物包括一熱固化墨水與一有機溶劑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有標記的晶圓，其特征在于，該 熱固化墨水與該有機溶劑的體積比例介于9:1至7:3的比例區(qū)間內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有標記的晶圓，其特征在于，該 有機溶劑包括丙酮、乙醇、異丙醇、乙酸乙酯或上述的組合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的具有標記的晶圓，其特征在于，該 熱固化的墨水組合物的熱固化溫度介于150。C至18(TC之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的具有標記的晶圓，其特征在于，該 熱固化的墨水組合物的熱固化時間介于1.5小時至2.5小時。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的具有標記的晶圓，其特征在于，該 晶圓標記不溶解于后續(xù)制程所使用的試劑。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有標記的晶圓，其特征在于，后 續(xù)制程所使用的試劑包括有機溶劑、水、熒光劑或上述的組合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有標記的晶圓，其具有正常晶粒及缺陷晶粒，并以熱固化墨水標記之。由于熱固化墨水經(jīng)熱處理后將粘著于缺陷晶粒上，且難以被一般常見的溶劑洗去，因此適合作為標記晶圓的方法。本發(fā)明所述的具有標記的晶圓，即使涂上后續(xù)制程的試劑如熒光劑，晶圓標記亦不會溶解且得以保留至切割后，使后續(xù)揀選正常晶粒的工作得以正常運作。
文檔編號H01L23/544GK101197350SQ20071016595
公開日2008年6月11日 申請日期2007年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月8日
發(fā)明者施國貞, 林敬遠, 梁仁杰, 蒲志明, 陳昱升 申請人:普誠科技股份有限公司