專利名稱：：晶圓翹曲程度的檢測方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及半導體領域的^r測工藝，具體地說，涉及一種用于4企測晶圓翹曲程度是否會影響后續(xù)制程的方法。
背景技術(shù)：
：在晶圓的輕摻雜源漏極制程(LDD)的光刻工藝中，晶圓部分區(qū)域的對準標記的位置常常出現(xiàn)異常。這是因為晶圓在進行某些制程如熱氧化后，晶圓發(fā)生了翹曲且超過了允許值范圍，但沒有進行及時補償校正。為了避免上述情況，業(yè)界通常做法是在晶圓進行某些制程后，檢測晶圓翹曲程度是否在允許值范圍內(nèi)。為了方便-險測，晶圓的某個位置設置一個缺口標記4',請參閱圖1?，F(xiàn)有的檢測方法是在晶圓r上選擇一條穿過晶圓中心的檢測線2，，其與缺口標記所在的參考線3，的夾角-，為5。。在該檢測線上選擇若干個檢測點21'，檢測裝置的光源向每一檢測點發(fā)出光束測量光源到每一檢測點的距離。將所測距離與基準值進行比較，如果兩者比較的差值在允許范圍內(nèi)，則說明晶圓經(jīng)過該制程后發(fā)生的翹曲不會影響到后續(xù)制程；如果超出允許范圍，則說明該晶圓發(fā)生的翹曲會影響后續(xù)制程，需要進行補償校正。但有的時候，由于工藝和設備的限制性會導致晶圓在不同方向產(chǎn)生不同程度的翹曲，即整個晶圓翹曲程度不均勻。在這種情況下，即使每個方向翹曲的尺寸都在允許值范圍內(nèi)也會在后續(xù)制程中出現(xiàn)對準標記位置異常的缺陷。也就是說，現(xiàn)有的檢測方法無法檢測到晶圓翹曲是否均勻的問題。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種檢測方法，其可有效、及時檢測出晶圓翹曲程度是否會影響后續(xù)制程。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種新的檢測方法。該檢測方法包括如下步驟在晶圓表面選擇兩條垂直且交叉于晶圓中心的檢測線，在每一檢測線上選擇相同數(shù)量且相同分布的若干檢測點；在晶圓進行某一制程之前，提供具有光源的檢測裝置，其利用光源發(fā)生光束測量光源到晶圓表面的每一檢測點的距離，該距離定義為基準距離；在晶圓進行所述某一制程之后，所示檢測裝置測量光源到晶圓表面的每一檢測點的距離，該距離定義為測量距離；測量距離減去對應的基準距離獲得每一檢測點的差值；若所述差值超出允許值范圍，則說明晶圓的翹曲影響后續(xù)制程；若所述差值在允許值范圍內(nèi)，則比較在晶圓同一圓周上的分別位于兩檢測線上的兩檢測點所獲得的差值；若所述兩檢測點獲得的差值相同，則說明該晶圓的翹曲不會影響后續(xù)制程；若兩差值不相同，則說明該晶圓的翹曲影響后續(xù)制程。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的檢測方法不僅可以才企測出晶圓翹曲的程度是否在允許值范圍內(nèi)，而且可以檢測出晶圓翹曲的是否均勻，可及時對晶圓進行補償校正，及時消除在后續(xù)制程中引發(fā)對準標記出現(xiàn)位置異常的隱患。圖1為現(xiàn)有^r測方法的示意圖。圖2為本發(fā)明檢測方法的示意圖。圖3為檢測時晶圓的局部示意圖具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的晶圓翹曲程度的檢測方法的較佳實施例作詳細描述，以期進一步理解發(fā)明的技術(shù)方案、目的以及有益效果等。本發(fā)明可以應用在任何制程中，但在本實施例中，晶圓進行的制程是在晶圓表面形成氧化層薄膜的熱氧化步驟。請參閱圖2和圖3，晶圓1包括襯底10以及在熱氧化步驟形成于襯底上的氧化層薄膜ll。本實施例的檢測方法用于檢測進行熱氧化步驟后的晶圓l發(fā)生的翹曲是否會影響后續(xù)的制程。該檢測方法包括如下步驟晶圓設有一標記缺口4，首先在相互垂直的兩方向X、Y上選擇兩條交叉在晶圓中心的4全測線2、3，其中4盒測線3穿過標記缺口4;然后分別在檢測線2、3上選擇相同數(shù)量和相同分別的檢測點，檢測點越多，測量結(jié)果越準確，但考慮到測量的效率，一般選擇大于等于20個4企測點，其中51個檢測點是較佳的數(shù)量；提供檢測裝置(未圖示)，該檢測裝置具有光源5可向晶圓表面發(fā)射光束50來測量光源5到晶圓表面的距離；在進行熱氧化步驟之前，采用檢測裝置，通過移動晶圓1，逐一測量光源5到晶圓表面(襯底10的表面)每一檢測點的距離，該距離定義為基準距離；然后進行熱氧化步驟，在晶圓表面形成氧化物薄膜11;釆用檢測裝置，逐一測量光源5到晶圓表面(氧化物薄膜11的表面)每一檢測點的距離，該距離定義為測量距離；將測量距離減去基準距離，獲得的差值就是每一檢測點處氧化物薄膜11的厚度；然后判斷這些差值是否在允許值范圍內(nèi)，若超出允許值范圍，則說明晶圓進行熱氧化制程后，晶圓產(chǎn)生的翹曲會影響后續(xù)制程；若未超出允許值范圍，則將檢測線2和檢測線3上在同一圓周上的兩4企測點所獲得的差值進行比較；如果兩差值相同，則說明該晶圓1的翹曲是均勻的，不需要進行補償校正；如果兩差值不相同，則說明晶圓1在熱氧化步驟中，在X、Y方向產(chǎn)生了不同長度的翹曲(如表l所示)，會影響后續(xù)制程，就需要對該晶圓1進行補償校正以避免影響后續(xù)制程。表1是在同一圓周上分別位于兩4全測線2、3的4企測點在熱氧化之前和熱氧化之后光源5到晶圓表面的距離。從表1可知，X方向和Y方向的兩^r測點厚度的差值分別為0.54微米、0.44微米，也就是說形成于晶圓表面的氧化層薄膜的厚度不均勻的。如果采用現(xiàn)有的只采用一條檢測線的檢測方法，則無法檢測出上述不均勾的問題，而本發(fā)明提供的檢測方法可以及時檢測出，從而及時對其進行補償校正，避免了后續(xù)制程出現(xiàn)對準標記位置異常的缺陷，提高了晶圓的成品率。表1__單位微米<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>權(quán)利要求1.一種晶圓翹曲程度的檢測方法，其特征在于，該檢測方法包括如下步驟在晶圓表面選擇兩條垂直且交叉于晶圓中心的檢測線，在每一檢測線上選擇相同數(shù)量且相同分布的若干檢測點；在晶圓進行某一制程之前，提供具有光源的檢測裝置，其利用光源發(fā)生光束測量光源到晶圓表面的每一檢測點的距離，該距離定義為基準距離；在晶圓進行所述某一制程之后，所示檢測裝置測量光源到晶圓表面的每一檢測點的距離，該距離定義為測量距離；測量距離減去對應的基準距離獲得每一檢測點的差值；若所述差值超出允許值范圍，則說明晶圓的翹曲影響后續(xù)制程；若所述差值在允許值范圍內(nèi)，則比較在晶圓同一圓周上的分別位于兩檢測線上的兩檢測點所獲得的差值；若所述兩檢測點獲得的差值相同，則說明該晶圓的翹曲不會影響后續(xù)制程；若兩差值不相同，則說明該晶圓的翹曲影響后續(xù)制程。2.如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于所述兩檢測線上所選擇的檢測點大于等于20個。3.如權(quán)利要求2所述的檢測方法，其特征在于檢測點的數(shù)量為51個。4.如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于所述某一制程為熱氧化制程，以在晶圓表面形成氧化物薄膜。5.如權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于所述晶圓還設置有標記缺口，其中一才企測線通過該標記缺口。全文摘要本發(fā)明公開了一種晶圓翹曲程度的檢測方法，涉及半導體領域的檢測工藝。該檢測方法包括在晶圓表面選擇兩條垂直且交叉于晶圓中心的檢測線，在每一檢測線上選擇若干檢測點；在晶圓進行某一制程之前，利用檢測裝置測出基準距離；進行所述某一制程之后，利用檢測裝置測出測量距離；測量距離減去對應的基準距離獲得每一檢測點的差值；若所述差值在允許值范圍內(nèi)，則比較在晶圓同一圓周上的分別位于兩檢測線上的兩檢測點所獲得的差值；若兩差值相同，則說明該晶圓的翹曲不會影響后續(xù)制程；若兩差值不相同，則說明該晶圓的翹曲影響后續(xù)制程。本發(fā)明提供的檢測方法可以有效、及時檢測出晶圓翹曲是否均勻，避免后續(xù)制程中出現(xiàn)對準標記位置異常的現(xiàn)象。文檔編號H01L21/66GK101442018SQ20071017074公開日2009年5月27日申請日期2007年11月21日優(yōu)先權(quán)日2007年11月21日發(fā)明者何永根,劉明源申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司