專利名稱：晶圓托盤和晶圓盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體承載領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓托盤和晶圓盒。
背景技術(shù)：
目前集成電路逐漸被應用到很多領(lǐng)域中，比如計算機、通信、工業(yè)控制和消費性電子等。集成電路的制造業(yè)，已經(jīng)成為和鋼鐵一樣的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。在集成電路的生產(chǎn)制造過程中，通常晶圓的搬運都是通過全自動控制晶圓搬運系統(tǒng)來完成的，用于制作芯片的晶圓在不同制程之間以及同一制程中的運輸都是借助晶片盒的承載來實現(xiàn)的。晶片盒可以方便晶圓的存儲和搬移，避免破壞和污染。通常，在生產(chǎn)過程中使用的晶片盒都會承載多片晶圓，并且體積都很大，重量較重，結(jié)構(gòu)復雜，而且制造成本較高。然而，在一些應用中，比如半導體制程的研究時，不需要大批量的運輸晶圓，而只需要小批量或單個的運輸晶圓，此時就不再適合使用現(xiàn)有的晶圓盒了。因此，有必要提出一種新型的晶圓托盤和晶圓盒。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種體積較小、結(jié)構(gòu)簡單、方便使用、成本較低的便攜式晶圓托盤和晶圓盒。為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供了一種晶圓托盤，其包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個互相間隔的凸臺，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙。每個凸臺包括有位于所述底板的上表面上方的第一臺階表面、位于第一臺階表面上方的第二臺階表面，各 個凸臺的第一臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第二臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第一臺階表面上可承載第一尺寸的晶圓，各個凸臺的第二臺階表面上可承載第二尺寸的晶圓，其中第一尺寸小于第二尺寸。進一步的，每個凸臺還包括有自所述底板的上表面延伸至第一臺階表面的第一鄰接面、自第一臺階表面延伸至第二臺階表面的第二鄰接面、位于第二臺階表面上方的凸臺頂面以及自第二臺階表面向上傾斜延伸至凸臺頂面的第三鄰接面。進一步的，各個凸臺的對應鄰接面與相接的表面的鄰接線為同心圓弧。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明提供了一種晶圓托盤，其包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個互相間隔的凸臺，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙。每個凸臺包括有傾斜的承載面，各個凸臺的承載面的同高線位于同一個平面且為同心圓弧。進一步的，所述晶圓托盤可承載多個尺寸的晶圓，所述晶圓平穩(wěn)放置于所述晶圓托盤上時，所述晶圓的部分邊緣與所述凸臺的承載面相接觸。根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，本發(fā)明提供了一種晶圓盒，其包括:晶圓托盤和晶圓托盤上蓋。所述晶圓托盤包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個互相間隔的凸臺，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙。每個凸臺包括有位于所述底板的上表面上方的第一臺階表面、位于第一臺階表面上方的第二臺階表面，各個凸臺的第一臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第二臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第一臺階表面上可承載第一尺寸的晶圓，各個凸臺的第二臺階表面上可承載第二尺寸的晶圓，其中第一尺寸小于第二尺寸。所述晶圓托盤上蓋包括上蓋頂部和自所述上蓋頂部延伸形成的上蓋側(cè)壁，所述上蓋側(cè)壁圍成了空腔，所述空腔的底部包括有鄰接所述上蓋側(cè)壁內(nèi)側(cè)的第一平面底壁、位于中心的低于所述第一平面底壁的第二平面底壁以及連接第一平面底壁和第二平面底壁的傾斜底壁。進一步的，將所述晶圓托盤上蓋蓋于晶圓托盤上，所述晶圓托盤的多個凸臺都收容于所述晶圓托盤上蓋的空腔內(nèi)，所述晶圓托盤上蓋的上蓋側(cè)壁內(nèi)側(cè)與所述凸臺的外側(cè)接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中的便攜式晶圓托盤和晶圓盒具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單和成本較低等優(yōu)點。關(guān)于本發(fā)明的其他目的，特征以及優(yōu)點，下面將結(jié)合附圖在具體實施方式
中詳細描述。

結(jié)合參考附圖及接下來的詳細描述，本發(fā)明將更容易理解，其中同樣的附圖標記對應同樣的結(jié)構(gòu)部件，其中:圖1A為本發(fā)明中的晶園托盤的第一實施例的立體圖；圖1B為圖1A中的晶園托盤的俯視圖；圖1C為圖1B中的晶園托盤沿A-A剖面線的剖視放大圖；圖2A為本發(fā)明中的晶園托盤的第二實施例的立體圖；圖2B為圖2 A中的晶園托盤的俯視圖；圖2C為圖2B中的晶園托盤沿B-B剖面線的剖視放大圖；圖3A為本發(fā)明中的晶園托盤上蓋的一個實施例的立體圖；圖3B為圖3A中的晶園托盤上蓋的俯視圖；和圖3C為圖3B中的晶園托盤上蓋沿C-C剖面線的剖視放大圖。
具體實施方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明。此處所稱的“ 一個實施例”或“實施例”是指與所述實施例相關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性至少可包含于本發(fā)明至少一個實現(xiàn)方式中。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個實施例中”并非必須都指同一個實施例，也不必須是與其他實施例互相排斥的單獨或選擇實施例。圖1A、IB、IC分別為本發(fā)明中的晶園托盤的第一實施例的立體圖、俯視圖和剖視放大圖。結(jié)合參考圖1A、1B和1C，所述晶圓托盤包括底板110和形成于所述底板110的上表面111上的若干個互相間隔的凸臺120，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙130。每個凸臺120包括有位于所述底板110的上表面111上方的第一臺階表面121、自所述底板110的上表面111向上傾斜延伸至第一臺階表面121的第一鄰接面124、位于第一臺階表面121上方的第二臺階表面122、自第一臺階表面121向上傾斜延伸至第二臺階表面122的第二鄰接面125、位于第二臺階表面122上方的凸臺頂面123以及自第二臺階表面122向上傾斜延伸至凸臺頂面123的第三鄰接面126。各個凸臺120的第一臺階表面121位于一個平面上，各個凸臺120的第二臺階表面122位于一個平面上，各個凸臺120的凸臺頂面123位于一個平面上。各個凸臺120的對應鄰接面與其相接的下表面的鄰接線為同心圓弧，各個凸臺120的對應鄰接面和與其相接的下表面的鄰接線為同心圓弧。比如各個凸臺120的第一鄰接面124與所述底板110的上表面的鄰接線為同心圓弧，各個凸臺120的第一鄰接面124與第一臺階表面121的鄰接線亦為同心圓弧，同樣的，其他鄰接面124的上、下鄰接線也均是同心弧。各個凸臺120的對應鄰接面的傾斜角度相同。所述晶圓托盤可以放置不同尺寸的晶圓，比如可以各個凸臺120的第一臺階表面121上放置8寸晶圓，可以在各個凸臺120的第二臺階表面122上放置12寸晶圓，很顯然第二臺階表面上的晶圓尺寸較第一臺階表面上的晶圓尺寸要大。在放置8寸晶圓時，晶圓的邊緣靠近或接觸各個凸臺120的第二鄰接面125，在放置12寸晶圓時，晶圓的邊緣靠近或接觸各個凸臺120的第三鄰接面126。在所述晶圓托盤上放置有晶圓時，機械手或人手可以通過所述兩個凸臺120之間的縫隙深入至晶圓的下方，之后將所述晶圓托起晶圓，或從晶圓的上方吸起晶圓，使用很方便。圖1A、1B、1C中，所述凸臺120的數(shù)目為四個，在其他實施例中，也可以為2個、3個、6個或更多個。圖1A、1B、1C中，所述鄰接面124、125、126為傾斜表面，在其他實施例中，也可以為垂直表面。圖1A、1B、1C中，每個凸臺設置有兩個臺階表面121和122，在其他實施例中，還可以設置I個、3個或4個臺階表面，結(jié)構(gòu)只需要簡單調(diào)整，比如將底板110的上表面設置的與第一臺階表面平齊，那么圖中的晶圓托盤就變成了只有I個臺階表面的晶圓托盤。圖1A、1B、1C中，所述底板110的上表面111為一平面，在其他實施例中，也可以設置為中間低，四周高的曲面。當然，所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員以圖1A、1B、1C示出的晶圓托盤的基礎(chǔ)還可以進行一些其他的改動，此處就不再贅述。圖2A、2B、2C分別為本發(fā)明中的晶園托盤的第二實施例的立體圖、俯視圖和剖視放大圖。結(jié)合參考圖2A、2B和2C，所述晶圓托盤包括底板210和形成于所述底板210的上表面211上的若干個互相間隔的凸臺220，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙230。每個凸臺220包括有傾斜的承載面221。各個凸臺220的承載面221的同高線位于同一個平面且為同心圓弧，所述同高線是指該線上的所有點到一個基準平面的距離相等，該基準平面可以為所述底板210的上表面。這樣，所述晶圓托盤同樣可以放置任意尺寸的晶圓，比如6寸晶圓、8寸晶圓、12寸晶圓，假如存在其他尺寸的晶圓的話，比如6.5寸，7寸，7.5寸，同樣也可以放置這些尺寸的晶圓。在所述晶圓托盤上放置有晶圓時，所述晶圓的部分邊緣與所述凸臺220的承載面相接觸，機械手或人手可以通過所述兩個凸臺220之間的縫隙230深入至晶圓的下方，之后將所述晶圓托起晶圓，或從晶圓的上方吸起晶圓，方便使用。圖3A、3B、3C分別為本發(fā)明中的晶園托盤上蓋的一個實施例的立體圖、俯視圖和剖視放大圖。結(jié)合參考圖3A、3B和3C，所述晶圓托盤上蓋包括上蓋頂部310，自上蓋頂部310延伸形成的上蓋側(cè)壁320，所述上蓋側(cè)壁320圍成了空腔330，所述空腔330的底部包括有鄰接所述上蓋側(cè)壁320內(nèi)側(cè)的環(huán)形第一平面底壁331、位于中心的低于所述第一平面底壁的圓形第二平面底壁332以及連接第一平面底壁331和第二平面底壁332的傾斜底壁333。所述晶圓托盤上蓋可以與圖1A示出的晶圓托盤一起使用形成晶圓盒，此時，所述晶圓托盤的多個凸臺120都收容于所述晶圓托盤上蓋的空腔330內(nèi)，所述晶圓托盤上蓋的上蓋側(cè)壁320內(nèi)側(cè)與所述凸臺120的外側(cè)接觸，所述空腔330的第一平面底壁331與所述凸臺120的凸臺頂面123相抵接。所述晶圓托盤上蓋也可以與圖2A示出的晶圓托盤一起使用形成晶圓盒，此時，所述晶圓托盤的多個凸臺220都收容于所述晶圓托盤上蓋的空腔330內(nèi)，所述晶圓托盤上蓋的上蓋側(cè)壁320內(nèi)側(cè)與所述凸臺220的外側(cè)接觸，所述空腔330的第一平面底壁331與所述凸臺220的頂面相抵接。如果所述晶圓托盤內(nèi)存放有晶圓，蓋上所述晶圓托盤上蓋后，給所述晶圓提供了一個封閉的空間，從而可以保護所述晶圓。在一個優(yōu)選的實施例中，在一個晶圓放置于所述晶圓托盤上，蓋上所述晶圓托盤上蓋后，所述晶圓被夾持于所述凸臺220的傾斜承載面221和所述空腔330的傾斜底壁333之間或所述凸臺120的第二臺階表面122和和所述空腔330的傾斜底壁333之間，這樣可以固定所述晶圓。將所述晶圓盒反向放置，即所述晶圓托盤上蓋在下，所述晶圓托盤在上，那么晶圓就可以放置于所述晶圓托盤上了。上述說明已經(jīng)充分揭露了本發(fā)明的具體實施方式
。需要指出的是，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對本發(fā)明的具體實施方式
所做的任何改動均不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍。相應地，本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實施方式
。
權(quán)利要求
1.一種晶圓托盤，其特征在于，其包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個互相間隔的凸臺，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙， 每個凸臺包括有位于所述底板的上表面上方的第一臺階表面、位于第一臺階表面上方的第二臺階表面，各個凸臺的第一臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第二臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第一臺階表面上可承載第一尺寸的晶圓，各個凸臺的第二臺階表面上可承載第二尺寸的晶圓，其中第一尺寸小于第二尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓托盤，其特征在于，每個凸臺還包括有自所述底板的上表面延伸至第一臺階表面的第一鄰接面、自第一臺階表面延伸至第二臺階表面的第二鄰接面、位于第二臺階表面上方的凸臺頂面以及自第二臺階表面向上傾斜延伸至凸臺頂面的第三鄰接面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓托盤，其特征在于，各個凸臺的對應鄰接面與相接的表面的鄰接線為同心圓弧。
4.一種晶圓托盤，其特征在于，其包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個互相間隔的凸臺，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙， 每個凸臺包括有傾斜的承載面，各個凸臺的承載面的同高線位于同一個平面且為同心圓弧。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓托盤，其特征在于，其可承載多個尺寸的晶圓，所述晶圓平穩(wěn)放置于所述晶圓托盤上時，所述晶圓的部分邊緣與所述凸臺的承載面相接觸。
6.一種晶圓盒，其特征在于，其包括: 如權(quán)利要求1至5任一所述的晶圓托盤， 晶圓托盤上蓋，其包括上蓋頂部和自所述上蓋頂部延伸形成的上蓋側(cè)壁，所述上蓋側(cè)壁圍成了空腔，所述空腔的底部包括有鄰接所述上蓋側(cè)壁內(nèi)側(cè)的第一平面底壁、位于中心的低于所述第一平面底壁的第二平面底壁以及連接第一平面底壁和第二平面底壁的傾斜底壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓盒，其特征在于，將所述晶圓托盤上蓋蓋于晶圓托盤上，所述晶圓托盤的多個凸臺都收容于所述晶圓托盤上蓋的空腔內(nèi)，所述晶圓托盤上蓋的上蓋側(cè)壁內(nèi)側(cè)與所述凸臺的外側(cè)接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶圓托盤和晶圓盒，所述晶圓托盤包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個互相間隔的凸臺，相鄰的兩個凸臺之間形成有空隙。每個凸臺包括有位于所述底板的上表面上方的第一臺階表面、位于第一臺階表面上方的第二臺階表面，各個凸臺的第一臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第二臺階表面位于一個平面上，各個凸臺的第一臺階表面上可承載第一尺寸的晶圓，各個凸臺的第二臺階表面上可承載第二尺寸的晶圓，其中第一尺寸小于第二尺寸。本發(fā)明中的便攜式晶圓托盤和晶圓盒具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單和方便使用等優(yōu)點。
文檔編號H01L21/673GK103165502SQ20111041655
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者溫子瑛, 馬彥圣 申請人:無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司