專利名稱：改善晶圓缺陷的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝方法，尤其涉及一種通過減少灰塵改善晶 圓缺陷的方法。
技術(shù)背景晶圓的生產(chǎn)是在無塵室內(nèi)進行，對灰塵的要求很高， 一旦灰塵含量超 過一定標(biāo)準(zhǔn)，就會使晶圓產(chǎn)生致命的缺陷。晶圓在蝕刻過程中會產(chǎn)生很多稱為聚合物(polymer)的副產(chǎn)物，當(dāng) 聚合物積聚到一定程度，掉在晶圓上時，就有可能使晶圓產(chǎn)生缺陷，如果 嚴重就會使整片晶圓報廢。聚合物的產(chǎn)生不可避免，關(guān)鍵是如何才能使聚 合物不掉到晶圓上。圖l所示為目前晶圓在蝕刻過程中傳送的路線，預(yù)載室(Load Lock, LL)是晶圓在蝕刻前放的位置；CH (Chamber)是晶圓蝕刻時的腔體；TM (transfer chamber)是晶圓在預(yù)載室和蝕刻腔體之間傳送時的中轉(zhuǎn)站。 通常這3個空間有門關(guān)著，互相獨立。只有當(dāng)晶圓在LL和CH之間需要傳 送時門才會開，而這3個地方的壓力設(shè)定通常為LL〉TM〉CH。當(dāng)晶圓從CH 傳回到LL時，先使傳送晶圓的機械手臂與LL的門垂直，即將晶圓停在 LL的門邊上，再把門打開，然后把晶圓傳回LL。由于壓力的差異(LL〉TM)， 在開門的瞬間，很容易使原來在LL的聚合物全都掉在晶圓上，使晶圓缺陷隨機出現(xiàn)，且晶圓朝向預(yù)載室的一邊缺陷較多，清洗蝕刻腔體或預(yù)載室都 未能改善晶圓缺陷狀況。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種改善晶圓缺陷的方法，能有效減 少預(yù)載室的聚合物掉到晶圓上的幾率，明顯改善晶圓表面缺陷。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明改善晶圓缺陷的方法，包括在晶圓 從蝕刻腔體傳回至預(yù)載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預(yù)載室門邊 的?？课恢茫乖撌直弁？吭谂c預(yù)載室門平行的位置，或?？吭诒诚蝾A(yù)載 室門并與該門成一角度的位置，再打開預(yù)載室門，把晶圓傳回預(yù)載室。本發(fā)明改善晶圓缺陷的方法，能有效避免預(yù)載室的聚合物被開門時的 壓力差吹落到晶圓表面的情況，顯著改善晶圓表面缺陷。


圖1是現(xiàn)有晶圓從蝕刻腔體傳回至預(yù)載室時，機械手臂在預(yù)載室門邊 停靠的位置示意圖；圖2是本發(fā)明一實施例中，晶圓從蝕刻腔體傳回至預(yù)載室時，機械手 臂?？课恢玫氖疽鈭D；圖3是現(xiàn)有方法制作的晶圓的檢測結(jié)果圖；圖4是本發(fā)明方法制作的晶圓的檢測結(jié)果圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。 本發(fā)明的改善晶圓缺陷的方法，包括步驟在晶圓從蝕刻腔體傳回至 預(yù)載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預(yù)載室門邊的?？课恢茫乖撌直弁？吭谂c預(yù)載室門平行的位置，或?？吭诒诚蝾A(yù)載室門并與該門成一角 度的位置，再打開預(yù)載室門，把晶圓傳回預(yù)載室。所述角度的范圍為0° <角度<180° 。在本發(fā)明的一個制作電容工序的實施例中，當(dāng)晶圓由機械手臂從蝕刻 腔體傳回到預(yù)載室時，改變傳統(tǒng)的把晶圓停在預(yù)載室門邊的做法，將機械手臂轉(zhuǎn)動到與預(yù)載室門平行的位置進行?？?見圖2)，使晶圓遠離預(yù)載 室門，再打開預(yù)載室的門，此時由于晶圓和預(yù)載室門相隔一定距離，開門 時，壓力差(LL〉TM)吹落的預(yù)載室內(nèi)的聚合物等灰塵物質(zhì)掉到晶圓表面的幾率大大減少，然后，機械手臂把晶圓傳回預(yù)載室，完成晶圓的傳送。在本發(fā)明的另一個制作電容工序的實施例中，當(dāng)晶圓由機械手臂從蝕 刻腔體傳回到預(yù)載室時，轉(zhuǎn)動機械手臂，使其在背向預(yù)載室門(裝載晶圓 的一端)并與該門成一角度的位置進行?？?，所述角度的范圍為0° < 角度<180° ，再打開預(yù)載室門，把晶圓傳回預(yù)載室。本發(fā)明方法制作的晶圓經(jīng)檢測機臺驗證，能有效改善晶圓缺陷的狀 況，圖3為現(xiàn)有方法制作的晶圓的檢測結(jié)果圖，圖4為本發(fā)明方法制作的 晶圓的檢測結(jié)果圖。在圖3、 4中，"+"表示在晶圓表面檢測到的由灰塵 產(chǎn)生的缺陷，圖3的晶圓有97個缺陷，圖4的晶圓有23個缺陷。比較圖 3和圖4，顯然可得出經(jīng)過本發(fā)明方法調(diào)整機械手臂的?？课恢煤?，晶 圓的缺陷狀況得到明顯改善。本發(fā)明方法通常能使晶圓減少20% 30%的 缺陷。
權(quán)利要求
1. 一種改善晶圓缺陷的方法，其特征在于，包括在晶圓從蝕刻腔體傳回至預(yù)載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預(yù)載室門邊的停靠位置，使該手臂?？吭谂c預(yù)載室門平行的位置，或?？吭诒诚蝾A(yù)載室門并與該門成一角度的位置，再打開預(yù)載室門，把晶圓傳回預(yù)載室。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述角度的范圍為0° <角度<180° 。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝方法，公開了一種改善晶圓缺陷的方法，包括在晶圓從蝕刻腔體傳回至預(yù)載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預(yù)載室門邊的?？课恢?，使該手臂?？吭谂c預(yù)載室門平行的位置，或?？吭诒诚蝾A(yù)載室門并與該門成一角度的位置，再打開預(yù)載室門，把晶圓傳回預(yù)載室。本發(fā)明改善晶圓缺陷的方法，能有效避免預(yù)載室的聚合物被吹落到晶圓表面的情況，可顯著改善晶圓表面缺陷。
文檔編號C30B33/08GK101225550SQ20071003646
公開日2008年7月23日 申請日期2007年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月15日
發(fā)明者君 張, 牛建禮, 王剛寧, 陳應(yīng)杰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司