專利名稱：供體膜和用其制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備(low molecularweight full color organic electroluminescent device)的供體膜(donor film)和一種使用它制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法，更尤其，涉及一種用于形成有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的有機(jī)層的供體膜和一種通過(guò)使用它制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
一般，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備由陽(yáng)極和陰極，和包括空穴注入層(holeinjection layer)，空穴傳輸層(hole transport layer)，發(fā)光層(emitting layer)，電子傳輸層(electron transport layer)和電子注入層(electron injection layer)的各層組成。有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備通常分為低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備和高分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中在低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的情況下每層通過(guò)真空沉積而引入，而在高分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的情況下使用旋涂工藝而制成發(fā)光設(shè)備。
在單色設(shè)備的情況下，使用用旋涂(spin coating)工藝簡(jiǎn)單制成的高分子量分子的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的缺點(diǎn)在于效率和使用周期(life cycle)下降，盡管驅(qū)動(dòng)電壓與使用低分子量分子的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備相比較低。另外，其中紅色、綠色和藍(lán)色聚合物被構(gòu)圖的全色設(shè)備的問(wèn)題在于，如果使用噴墨技術(shù)(inkjet technology)或激光誘導(dǎo)的熱成像方法(laser induced thermalimaging method)，發(fā)光特性(emitting chacteristics)如效率和使用周期下降。
尤其，在使用激光誘導(dǎo)熱成像方法對(duì)單個(gè)聚合物材料構(gòu)圖時(shí)，其大多數(shù)不轉(zhuǎn)移。一種通過(guò)激光誘導(dǎo)的熱成像方法形成聚合物有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的圖案的方法公開于韓國(guó)專利No.1998-51844和U.S.專利Nos.5,998,085、6,214,520和6,114,088中。
為了應(yīng)用熱轉(zhuǎn)移方法(thermal transfer method)，至少需要光源、轉(zhuǎn)移膜(transfer film)和基材，且來(lái)自光源的光在轉(zhuǎn)化成熱能之前被轉(zhuǎn)移膜的光吸收層吸收，這樣轉(zhuǎn)移膜的轉(zhuǎn)移層形成材料通過(guò)熱能被轉(zhuǎn)移至基材以形成所需圖像，例如公開于U.S.專利Nos.5,220,348，5,256,506，5,278,023和5,308,737中。
熱轉(zhuǎn)移方法可用于制造用于液晶顯示設(shè)備的彩色濾光片(color filter)和形成發(fā)光材料(emitting material)的圖案，例如公開于U.S.專利No.5,998,085中。
U.S.專利No.5,937,272公開了一種由全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備形成先進(jìn)的圖案化有機(jī)層的方法，其中該方法中使用的供體(donor)載體是一種涂有可轉(zhuǎn)移涂料的有機(jī)電致發(fā)光材料。該供體載體受熱使得有機(jī)電致發(fā)光材料轉(zhuǎn)移至基材的凹口表面部分，以較低的像素形成所需的著色的有機(jī)電致發(fā)光介質(zhì)，其中將熱或光施加到供體膜上使得發(fā)光材料蒸發(fā)并轉(zhuǎn)移至像素。
U.S.專利No.5,688,551公開了在通過(guò)將有機(jī)電致發(fā)光材料由供體片材(donor sheet)轉(zhuǎn)移至接受片材(receiver sheet)而形成的在每個(gè)像素區(qū)域中形成的子像素(subpixels)，其中轉(zhuǎn)移工藝包括通過(guò)將具有升華性能的有機(jī)電致發(fā)光材料在約400℃或更低的低溫下由給體片材轉(zhuǎn)移至接受片材而形成子像素。
但尚未公開描述低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的技術(shù)，但將激光誘導(dǎo)的熱成像方法用于高分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的技術(shù)目前是可得到的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決相關(guān)技術(shù)中的前述和/或其它問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種用于低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜以批量生產(chǎn)(mass-produce)低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備和確保具有大面積的像素區(qū)域，和一種使用它制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
為了實(shí)現(xiàn)前述和/或其它方面，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供了一種用于低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜(donor film)。該供體膜包括基材膜，在基材膜的上部形成的光熱轉(zhuǎn)化層(photothermal conversion layer)，和在光熱轉(zhuǎn)化層的上部形成和由包含低分子量材料的材料形成的轉(zhuǎn)移層。被激光照射和加熱的一部分轉(zhuǎn)移層根據(jù)轉(zhuǎn)移層與光熱轉(zhuǎn)化層的粘附力的變化而從光熱轉(zhuǎn)化層上分離。沒(méi)有被激光照射的一部分轉(zhuǎn)移層通過(guò)轉(zhuǎn)移層與光熱轉(zhuǎn)化層的粘附力固定至光熱轉(zhuǎn)化層上。其上轉(zhuǎn)移有包含在轉(zhuǎn)移層上形成的低分子量材料的材料的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的基材和包含低分子量材料的材料之間的粘附力以及光熱轉(zhuǎn)化層和包含低分子量材料的材料之間的粘附力大于包含轉(zhuǎn)移層中的激光照射區(qū)域的低分子量材料的材料和包含激光未照射區(qū)域的低分子量材料的材料之間的粘附力。因此，包含激光照射區(qū)域的低分子量材料的材料和包含激光未照射區(qū)域的低分子量材料的材料相互分離以引起從光熱轉(zhuǎn)化層至基材的質(zhì)量轉(zhuǎn)移(mass transistion)。
另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供了一種制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括通過(guò)在基材上構(gòu)圖(patterning)第一電極而形成第一電極；通過(guò)旋涂或真空沉積方法在形成于基材上的第一電極上形成一個(gè)或多個(gè)第一有機(jī)膜層；通過(guò)激光誘導(dǎo)的熱成像方法形成發(fā)光層以在像素區(qū)域上表達(dá)全色；通過(guò)旋涂或真空沉積方法在發(fā)光層上形成一個(gè)或多個(gè)第二有機(jī)膜層；和在有機(jī)膜層上形成第二電極。
另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供了一種制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括將供體膜放置在其中形成基材的像素區(qū)域的位置上，所述供體膜包含低分子量有機(jī)薄膜材料，所述低分子量有機(jī)薄膜材料包含基材膜、光熱轉(zhuǎn)化層和與基材隔開一定距離的位置處的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料層；通過(guò)激光照射供體膜，從而將其中形成有像素區(qū)域的區(qū)域內(nèi)的低分子量有機(jī)薄膜材料層與供體膜隔開，使得低分子量有機(jī)薄膜材料層通過(guò)第一粘附力粘附到基材上，將其上沒(méi)有照射激光的區(qū)域的低分子量有機(jī)薄膜材料層通過(guò)第二粘附力固定至光熱轉(zhuǎn)化層，和將激光照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層和激光未照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層相互分離以引起質(zhì)量轉(zhuǎn)變。這樣，像素區(qū)域中的低分子量有機(jī)薄膜材料層由光熱轉(zhuǎn)化層轉(zhuǎn)移至基材，這是由于激光照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層區(qū)域和激光未照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層之間的粘附力弱于第一和第二粘附力；和在完成轉(zhuǎn)移步驟之后進(jìn)行熱處理。
本發(fā)明其它的方面和/或優(yōu)點(diǎn)部分地在以下說(shuō)明中給出，和部分地從該說(shuō)明中顯然得出，或可通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而領(lǐng)會(huì)。
另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供了一種通過(guò)以上制造方法中的任何制造方法制成的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。


本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)根據(jù)以下對(duì)實(shí)施方案的描述并結(jié)合附圖而變得顯然和更容易理解。
本發(fā)明進(jìn)一步的方面和優(yōu)點(diǎn)可根據(jù)以下詳細(xì)描述并結(jié)合附圖而更充分地理解，其中圖1是說(shuō)明在使用激光對(duì)用于有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光有機(jī)膜進(jìn)行轉(zhuǎn)移圖案化(transfer patterning)時(shí)的轉(zhuǎn)移機(jī)理；圖2是橫截面視圖，示意給出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案進(jìn)行構(gòu)圖的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖3和圖4給出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的用于低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜的結(jié)構(gòu)；和圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案使用供體膜的轉(zhuǎn)移方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施方案，其例子在附圖中說(shuō)明，其中相同的參考數(shù)字始終是指相同的元件。下文中通過(guò)參照附圖描述實(shí)施方案以解釋本發(fā)明。
圖1是說(shuō)明在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案使用激光對(duì)用于有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光有機(jī)膜進(jìn)行轉(zhuǎn)移構(gòu)圖時(shí)的轉(zhuǎn)移機(jī)理。
如圖1所示，在粘附到基材S1上的有機(jī)膜S2在激光作用下從基材Si上分離之后，有機(jī)膜S2在轉(zhuǎn)移至基材S3上時(shí)從未接受激光部分(laser non-receivingpart)上分離。
影響轉(zhuǎn)移特性的因素是基材S1和膜S2之間的第一粘附力(W12)，膜之間的粘著力(adhesive force)(W22)以及膜S2和基材S3之間的第二粘附力(adhesion force)(W23)。
第一和第二粘附力和粘著力可用每層的表面張力(y1，y2，y3)和界面張力(y12，y23)表示，如下式所示
W12＝y(tǒng)1+y2-y12W22＝2y2W23＝y(tǒng)2+y3-y23。
膜之間的粘附力應(yīng)該低于每個(gè)基材和膜之間的粘附力以改進(jìn)激光轉(zhuǎn)移特性。
一般，有機(jī)材料用作有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備中的每層的材料，其中發(fā)光層的精細(xì)圖案可通過(guò)將發(fā)光材料由供體膜轉(zhuǎn)移至有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備而形成，這樣引起質(zhì)量轉(zhuǎn)移，因?yàn)榈谝缓偷诙掣搅Υ笥谠谑褂玫头肿恿坎牧蠒r(shí)的粘附力。即使可形成發(fā)光層的精細(xì)圖案，較少發(fā)生由于將發(fā)光材料由供體膜轉(zhuǎn)移至有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備而發(fā)生錯(cuò)位的可能性。
圖3和圖4給出了按照本發(fā)明實(shí)施方案的用于低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜的結(jié)構(gòu)。
供體膜34具有其中光熱轉(zhuǎn)化層32和轉(zhuǎn)移層33被施用到基材膜31上的結(jié)構(gòu)，如圖3所示。
圖3說(shuō)明具有最基本結(jié)構(gòu)的供體膜，其中膜的結(jié)構(gòu)可根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合而變化。例如，供體膜可進(jìn)行抗反射涂層處理以防止轉(zhuǎn)移層的特性由于反射而變差，或氣體-產(chǎn)生層35可另外在光熱轉(zhuǎn)化層的下部形成以提高膜的敏感度，如圖4所示。
氣體-產(chǎn)生層35在吸收光或熱時(shí)產(chǎn)生分解反應(yīng)，這樣當(dāng)氣體-產(chǎn)生層35由選自季戊四醇四硝酸酯，三硝基甲苯等的一種材料形成時(shí)，氣體-產(chǎn)生層35通過(guò)發(fā)出氮?dú)饣驓錃舛峁┺D(zhuǎn)移能量。
基材膜31一般由透明聚合物形成，所述聚合物可包括聚碳酸酯，聚酯，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚酯磺酸鹽，聚磺酸鹽，聚芳基化物，氟化聚酰亞胺，氟化樹脂，聚丙烯酸類(polyacryl)，聚環(huán)氧樹脂(polyepoxy)，聚乙烯和/或聚苯乙烯。聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜是用于基材膜的合適的材料?；哪さ暮穸纫话闶?0-500μm?；哪び米鞒休d膜(supportingfilm)，且復(fù)合多層體系也可用作基材膜。
光熱轉(zhuǎn)化層通常由能夠吸收紅外-可見光范圍內(nèi)的光的光吸收材料形成。具有所需特性的膜包括含鋁、氧化鋁和硫化物的金屬膜和包含其中加入有炭黑、石墨或紅外染料的聚合物的有機(jī)膜，其中厚度為100-5,000埃的金屬膜通過(guò)使用電子束沉積或?yàn)R射方法(sputtering method)而形成，和厚度為0.1-10μm的有機(jī)膜一般通過(guò)使用擠塑(extrusion)、旋涂(spin coating)或刮涂(knife coating)的一般膜涂布方法而形成。
如上所述，轉(zhuǎn)移層33一般由至少一種不是高分子量材料的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料形成，其中厚度為100-50,000埃的轉(zhuǎn)移層通過(guò)使用擠塑，旋涂，刮涂，真空沉積和化學(xué)蒸氣沉積的一般涂布方法而形成。
使用如以下結(jié)構(gòu)式1-12所示的材料，一般形成低分子量有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)式1 結(jié)構(gòu)式2 結(jié)構(gòu)式3
結(jié)構(gòu)式4 結(jié)構(gòu)式5 結(jié)構(gòu)式6 結(jié)構(gòu)式7 結(jié)構(gòu)式8
結(jié)構(gòu)式9 結(jié)構(gòu)式10 結(jié)構(gòu)式11 結(jié)構(gòu)式12
結(jié)構(gòu)式13 轉(zhuǎn)移層可進(jìn)一步包含選自空穴注入層，空穴傳輸層，空穴阻斷層(holeblocking layer)和電子傳輸層的至少一層。
空穴傳輸層可以是一種在以下結(jié)構(gòu)式14-18中表示的化合物。
結(jié)構(gòu)式14 結(jié)構(gòu)式15 結(jié)構(gòu)式16
結(jié)構(gòu)式17 結(jié)構(gòu)式18 空穴注入層可以是下列結(jié)構(gòu)式19-23所代表的化合物結(jié)構(gòu)式19
結(jié)構(gòu)式20 結(jié)構(gòu)式21 結(jié)構(gòu)式22
結(jié)構(gòu)式23 電子注入層可由選自1，3，4-噁二唑衍生物，1，2，4-三唑衍生物，Alq3，Ga配合物，和PBD的一種材料形成。
空穴阻斷層可由選自TAZ，螺-TAZ，在以下結(jié)構(gòu)式24-26中表示的化合物中的一種材料形成。
結(jié)構(gòu)式24 結(jié)構(gòu)式25
結(jié)構(gòu)式26 有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備可通過(guò)在根據(jù)以上方法形成第一有機(jī)膜層22，發(fā)光層23和第二有機(jī)膜層24的有機(jī)薄膜和在第二有機(jī)膜層24上形成與第一電極層21相對(duì)的第二電極層25之后，在第二電極層25上形成絕緣層而完成。
另一方面，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供了一種通過(guò)激光誘導(dǎo)的熱成像方法使用低分子量分子作為發(fā)光材料以形成發(fā)光層而制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法。
圖2是橫截面視圖，示意性地給出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案構(gòu)圖的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。參照?qǐng)D2，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備可通過(guò)在半導(dǎo)體基材2上構(gòu)圖第一電極層21而形成，其中第一電極層21被分離成像素確定層(PDL)或鈍化層(passivation layers)。
首先，在形成第一電極層21之后，在第一電極層21上形成有機(jī)膜層22。
第一有機(jī)膜層22可與發(fā)光層23和第二有機(jī)膜層24一起通過(guò)激光誘導(dǎo)的熱成像工藝而形成或可自身如下所述而形成。
第一有機(jī)膜層22包括空穴注入層和/或空穴傳輸層，如果第一電極21是陽(yáng)極的話。一般，低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括空穴注入層和空穴傳輸層以改進(jìn)設(shè)備的特性。
如果僅形成第一有機(jī)膜層22，空穴注入層和/或空穴傳輸層可通過(guò)旋涂或沉積方法而形成。
另一方面，第一有機(jī)膜層22包括電子傳輸層，空穴阻斷層和電子注入層中的一個(gè)或多個(gè)層，如果第一電極21是陰極的話。一般，低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括電子傳輸層以改進(jìn)如上所述的設(shè)備的特性，和進(jìn)一步包括空穴阻斷層和/或電子注入層。
如上所述，如果第一有機(jī)膜層首先在基材上形成，發(fā)光層23可在形成于基材上的第一有機(jī)膜層上形成。其上形成有發(fā)光材料的供體膜通過(guò)任何涂布方法而制成，包括將低分子量發(fā)光材料真空沉積或旋涂到供體膜上以轉(zhuǎn)移發(fā)光材料，在轉(zhuǎn)移的供體膜上呈現(xiàn)紅色，綠色和藍(lán)色。
發(fā)光層可通過(guò)使用激光束將發(fā)光材料轉(zhuǎn)移至所制的供體膜而形成，這樣涂覆在供體膜上的低分子量發(fā)光材料構(gòu)圖在其上形成有第一有機(jī)膜層22的基材上的像素區(qū)域上。
參照?qǐng)D5，以下詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的形成有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的精細(xì)圖案的方法。圖5說(shuō)明一種根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的使用供體膜的轉(zhuǎn)移方法。首先，透明電極層56在透明基材55上形成。另外，供體膜54通過(guò)在基材膜51上順序涂布光熱轉(zhuǎn)化層52和轉(zhuǎn)移層53而制成。
通過(guò)涂布有機(jī)薄膜形成材料而制成轉(zhuǎn)移層，其中所需含量的添加劑可加入有機(jī)薄膜形成材料中。例如，可加入摻雜劑以增加發(fā)光層的效率。用于形成轉(zhuǎn)移層的方法包括如上所述的真空沉積，擠塑，旋涂和刮涂方法的膜涂布方法。
如果同時(shí)形成第一有機(jī)膜層22，發(fā)光層23和第二有機(jī)膜層24，有機(jī)薄膜形成材料可與發(fā)光材料、空穴傳輸材料和電子傳輸材料堆積在一起。
在將供體膜54放置在與基材55隔開的位置處后，在所述基材上沿預(yù)定距離形成有透明電極層56，可以使用能量源(energy source)57來(lái)照射供體膜54。
能量源57通過(guò)轉(zhuǎn)移單元經(jīng)過(guò)基材膜53而活化光熱轉(zhuǎn)化層52和通過(guò)熱分解反應(yīng)而放出熱。轉(zhuǎn)移材料可按照所需圖案和厚度轉(zhuǎn)移至基材55上，其中透明電極層56在透明基材55上由于放出的熱而形成。
用于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的能量源包括激光，氙燈和閃光燈。一般使用激光，因?yàn)樵谑褂脠A形或其它形狀激光束時(shí)，激光提供理想的轉(zhuǎn)移作用。
如果使用激光來(lái)照射供體膜，傳輸空穴的低分子量材料和/或傳輸電子的低分子量材料在其中形成有像素區(qū)域的區(qū)域中從供體膜上分離，這樣低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料通過(guò)第一粘附力粘附到基材上，其上沒(méi)有照射激光的區(qū)域的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料通過(guò)第二粘附力固定至光熱轉(zhuǎn)化層，和激光照射的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料和激光未照射的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料相互分離以引起質(zhì)量轉(zhuǎn)移。因此，像素區(qū)域中的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料從光熱轉(zhuǎn)化層轉(zhuǎn)移至基材，因?yàn)榧す庹丈涞牡头肿恿坑袡C(jī)電致發(fā)光材料區(qū)域和激光未照射的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料之間的粘附力弱于第一和第二粘附力。
在完成前述轉(zhuǎn)移工藝之后，低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料轉(zhuǎn)移的供體膜經(jīng)過(guò)一個(gè)用于退火和粘著轉(zhuǎn)移材料的熱處理工藝。
轉(zhuǎn)移材料的轉(zhuǎn)移可在一個(gè)階段或在多個(gè)階段中進(jìn)行。即，轉(zhuǎn)移可進(jìn)行一次或重復(fù)地進(jìn)行多次以轉(zhuǎn)移一定厚度的所要轉(zhuǎn)移的有機(jī)薄膜層。對(duì)于全色設(shè)備，R，C，B電致發(fā)光材料可重復(fù)地轉(zhuǎn)移至普通空穴傳輸層上?？昭ㄗ钄鄬雍?或電子傳輸層可作為普通層而真空沉積。但考慮到該工藝的便利性和穩(wěn)定性，轉(zhuǎn)移材料可在一次操作中轉(zhuǎn)移。
第二有機(jī)膜層24可與發(fā)光層一起形成或在僅形成發(fā)光層之后連續(xù)地形成。
如果第一電極是陰極，第二有機(jī)膜層24包括選自電子注入層，空穴抑制層和電子傳輸層的一個(gè)或多個(gè)層。一般，低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括電子注入層以改進(jìn)設(shè)備特性，如上所述，且進(jìn)一步包括空穴阻斷層和/或電子傳輸層，這樣低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備通過(guò)在形成第二電極25之后密封第二電極而完成。
如果單獨(dú)形成第二有機(jī)膜層，第二有機(jī)膜層可通過(guò)旋涂或沉積而形成。
另一方面，如果第一電極21是陽(yáng)極，第二有機(jī)膜層24包括空穴注入層和/或空穴傳輸層。低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備可通過(guò)在形成第二有機(jī)膜層和形成陰極電極作為第二電極之后密封第二電極25而完成?？梢允褂眯炕虺练e來(lái)形成第二有機(jī)膜層。
由于便于形成發(fā)光層的細(xì)圖案，本發(fā)明不僅得到高分辨率的顯示設(shè)備，而且能夠容易地批量生產(chǎn)低分子量有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中僅使用激光誘導(dǎo)的熱成像方法，無(wú)需使用用于RGB圖案化的細(xì)金屬光罩就形成低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光層。
盡管已經(jīng)給出和描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方案，但本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員可以理解，在不背離本發(fā)明的原則和主旨的情況下可以對(duì)該實(shí)施方案進(jìn)行變化，而本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求和其等同物中確定。
權(quán)利要求
1.一種低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，所述供體膜包括基材膜；在基材膜的上部形成的光熱轉(zhuǎn)化層；和在光熱轉(zhuǎn)化層的上部形成和且由包含低分子量材料的材料形成的轉(zhuǎn)移層，其中被激光照射和加熱的一部分轉(zhuǎn)移層根據(jù)轉(zhuǎn)移層與光熱轉(zhuǎn)化層的粘附力的變化而從光熱轉(zhuǎn)化層上分離，盡管沒(méi)有被激光照射的一部分轉(zhuǎn)移層通過(guò)轉(zhuǎn)移層與光熱轉(zhuǎn)化層的粘附力固定到光熱轉(zhuǎn)化層上，和其上轉(zhuǎn)移有在轉(zhuǎn)移層上形成的包含低分子量材料的材料的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備基材和包含低分子量材料的材料之間的粘附力，且光熱轉(zhuǎn)化層和包含低分子量材料的材料之間的粘附力大于轉(zhuǎn)移層中的激光照射區(qū)域的包含低分子量材料的材料和激光非照射區(qū)域的包含低分子量材料的材料之間的粘附力，這樣，激光照射區(qū)域的包含低分子量材料的材料和激光非照射區(qū)域的包含低分子量材料的材料相互分離以引起從光熱轉(zhuǎn)化層至基材的質(zhì)量轉(zhuǎn)移。
2.權(quán)利要求1的低分子量全色有機(jī)顯示電致發(fā)光設(shè)備的供體膜，其中轉(zhuǎn)移層包含至少一種低分子量電致發(fā)光材料。
3.權(quán)利要求2的低分子量全色有機(jī)顯示電致發(fā)光設(shè)備的供體膜，其中低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料包含至少一種選自由以下結(jié)構(gòu)式1-13中的至少一個(gè)表示的化合物的材料結(jié)構(gòu)式1 結(jié)構(gòu)式2 結(jié)構(gòu)式3 結(jié)構(gòu)式4 結(jié)構(gòu)式5 結(jié)構(gòu)式6 結(jié)構(gòu)式7 結(jié)構(gòu)式8 結(jié)構(gòu)式9 結(jié)構(gòu)式10 結(jié)構(gòu)式11 結(jié)構(gòu)式12 結(jié)構(gòu)式13
4.權(quán)利要求1的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中轉(zhuǎn)移層進(jìn)一步包含選自空穴注入層，空穴傳輸層，空穴阻斷層和電子傳輸層的至少一層。
5.權(quán)利要求4的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中空穴傳輸層是一種由以下結(jié)構(gòu)式14-18中至少一個(gè)表示的化合物結(jié)構(gòu)式14 結(jié)構(gòu)式15 結(jié)構(gòu)式16 結(jié)構(gòu)式17 結(jié)構(gòu)式18
6.權(quán)利要求4的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中空穴注入層是一種由以下結(jié)構(gòu)式19-23中至少一個(gè)表示的化合物結(jié)構(gòu)式19 結(jié)構(gòu)式20 結(jié)構(gòu)式21 結(jié)構(gòu)式22 結(jié)構(gòu)式23
7.權(quán)利要求4的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中電子注入層由選自1，3，4-噁二唑衍生物，1，2，4-三唑衍生物，Alq3，Ga配合物，和PBD的一種材料形成。
8.權(quán)利要求4的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中空穴阻斷層由選自TAZ，螺-TAZ，由以下結(jié)構(gòu)式24-26中至少一個(gè)表示的化合物的一種材料形成結(jié)構(gòu)式24 結(jié)構(gòu)式25 結(jié)構(gòu)式26
9.權(quán)利要求1的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中光熱轉(zhuǎn)化層包含光吸收材料以吸收在紫外或可見光范圍內(nèi)的光。
10.權(quán)利要求1的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中光熱轉(zhuǎn)化層包含其中分散有選自炭黑、石墨和紅外線吸收材料的材料的聚合物。
11.權(quán)利要求1的低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的供體膜，其中基材膜包含選自聚碳酸酯，聚酯，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚酯磺酸鹽，聚磺酸鹽，聚芳基化物，氟化聚酰亞胺，氟化樹脂，聚丙烯酸類，聚環(huán)氧樹脂，聚乙烯和聚苯乙烯的透明聚合物。
12.一種制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括通過(guò)在基材上構(gòu)圖第一電極而形成第一電極；通過(guò)旋涂和沉積方法中的一種在第一電極上形成至少一個(gè)第一有機(jī)膜層；通過(guò)激光誘導(dǎo)的熱成像方法形成發(fā)光層以在像素區(qū)域上表達(dá)全色；通過(guò)旋涂和沉積方法中的一種在發(fā)光層上形成至少一個(gè)第二有機(jī)膜層；和在第二有機(jī)膜層/多層上形成第二電極。
13.權(quán)利要求12的方法，其中當(dāng)?shù)谝浑姌O是陽(yáng)極電極時(shí)，至少一個(gè)第一有機(jī)膜層包括空穴注入層和空穴傳輸層之一，和至少一個(gè)第二有機(jī)膜層包括選自電子注入層、空穴阻斷層和電子傳輸層中的一層/多層。
14.權(quán)利要求13的方法，其中當(dāng)?shù)谝浑姌O是陰極電極時(shí)，至少一個(gè)第一有機(jī)膜層包括選自電子傳輸層，空穴阻斷層和電子注入層的一層/多層，至少一個(gè)第二有機(jī)膜層包括空穴傳輸層和空穴注入層中的一個(gè)。
15.權(quán)利要求12的方法，其中發(fā)光層通過(guò)將用于紅色、綠色和藍(lán)色的低分子量發(fā)光材料旋涂或沉積在供體膜上以傳輸發(fā)光材料而形成。
16.權(quán)利要求12的方法，其中發(fā)光層由分別紅色、綠色和藍(lán)色的單層或包括用于紅色、綠色和藍(lán)色的發(fā)光材料的多堆疊有機(jī)層和/或空穴傳輸層和/或電子傳輸層組成。
17.一種制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括將供體膜放置在其中形成基材的像素區(qū)域的位置上，所述供體膜包含低分子量有機(jī)薄膜材料，所述低分子量有機(jī)薄膜材料包含基材膜、光熱轉(zhuǎn)化層和與基材隔開預(yù)定距離的位置處的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料層；通過(guò)激光照射供體膜，以將其中形成有像素區(qū)域的區(qū)域內(nèi)的低分子量有機(jī)薄膜材料層與供體膜隔開，使得低分子量有機(jī)薄膜材料層通過(guò)第一粘附力粘附到基材上，將其上沒(méi)有照射激光的區(qū)域的低分子量有機(jī)薄膜材料層通過(guò)第二粘附力固定至光熱轉(zhuǎn)化層，和將激光照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層和激光未照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層相互分離以引起質(zhì)量轉(zhuǎn)變并將像素區(qū)域中的低分子量有機(jī)薄膜材料層由光熱轉(zhuǎn)化層轉(zhuǎn)移至基材，這是由于激光照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層區(qū)域和激光未照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層之間的粘附力弱于第一和第二粘附力；和在完成轉(zhuǎn)移像素區(qū)域中的低分子量有機(jī)薄膜材料層之后進(jìn)行熱處理。
18.權(quán)利要求17的方法，其中低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料層是選自以下結(jié)構(gòu)式1-13的至少一種化合物結(jié)構(gòu)式1 結(jié)構(gòu)式2 結(jié)構(gòu)式3 結(jié)構(gòu)式4 結(jié)構(gòu)式5 結(jié)構(gòu)式6 結(jié)構(gòu)式7 結(jié)構(gòu)式8 結(jié)構(gòu)式9 結(jié)構(gòu)式10 結(jié)構(gòu)式11 結(jié)構(gòu)式12 結(jié)構(gòu)式13
19.權(quán)利要求17的方法，其中低分子量有機(jī)薄膜材料層進(jìn)一步包含選自空穴注入層，空穴傳輸層，空穴阻斷層和電子傳輸層的至少一層。
20.權(quán)利要求19的方法，其中空穴傳輸層是一種以以下結(jié)構(gòu)式14-18中的至少一個(gè)表示的化合物結(jié)構(gòu)式14 結(jié)構(gòu)式15 結(jié)構(gòu)式16 結(jié)構(gòu)式17 結(jié)構(gòu)式18
21.權(quán)利要求19的方法，其中空穴注入層是一種以以下結(jié)構(gòu)式19-23中的至少一個(gè)表示的化合物結(jié)構(gòu)式19 結(jié)構(gòu)式20 結(jié)構(gòu)式21 結(jié)構(gòu)式22 結(jié)構(gòu)式23
22.權(quán)利要求19的方法，其中電子注入層由選自1，3，4-噁二唑衍生物，1，2，4-三唑衍生物，Alq3，Ga配合物，和PBD的一種材料形成。
23.權(quán)利要求19的方法，其中空穴阻斷層由選自TAZ，螺-TAZ，由以下結(jié)構(gòu)式24-26表示的化合物中的一種材料形成。結(jié)構(gòu)式24 結(jié)構(gòu)式25 結(jié)構(gòu)式26
24.一種低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其是根據(jù)如下方法制成的通過(guò)將第一電極在基材上構(gòu)圖而形成第一電極；通過(guò)旋涂和沉積方法之一在第一電極上形成至少一個(gè)第一有機(jī)膜層；通過(guò)激光誘導(dǎo)的熱成像方法形成發(fā)光層以在像素區(qū)域上表達(dá)全色；通過(guò)旋涂和沉積方法之一在發(fā)光層上形成至少一個(gè)第二有機(jī)膜層；和在第二有機(jī)膜層/多層上形成第二電極。
25.一種低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其是根據(jù)如下方法制成的將供體膜放置在其中形成基材的像素區(qū)域的位置上，所述供體膜包含低分子量有機(jī)薄膜材料，所述低分子量有機(jī)薄膜材料包含基材膜、光熱轉(zhuǎn)化層和與基材隔開預(yù)定距離的位置處的低分子量有機(jī)電致發(fā)光材料層；通過(guò)激光照射供體膜，以將其中形成有像素區(qū)域的區(qū)域內(nèi)的低分子量有機(jī)薄膜材料層與供體膜隔開，使得低分子量有機(jī)薄膜材料層通過(guò)第一粘附力粘附到基材上，將其上沒(méi)有照射激光的區(qū)域的低分子量有機(jī)薄膜材料層通過(guò)第二粘附力固定至光熱轉(zhuǎn)化層，和將激光照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層和激光未照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層相互分離以引起質(zhì)量轉(zhuǎn)變并將像素區(qū)域中的低分子量有機(jī)薄膜材料層由光熱轉(zhuǎn)化層轉(zhuǎn)移至基材，這是由于激光照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層區(qū)域和激光未照射的低分子量有機(jī)薄膜材料層之間的粘附力弱于第一和第二粘附力；和在完成轉(zhuǎn)移像素區(qū)域中的低分子量有機(jī)薄膜材料層之后進(jìn)行熱處理。
26.權(quán)利要求1的低分子量全色有機(jī)顯示電致發(fā)光設(shè)備的供體膜，進(jìn)一步包括在光熱轉(zhuǎn)化層的下部形成的氣體-產(chǎn)生層。
27.權(quán)利要求26的低分子量全色有機(jī)顯示電致發(fā)光設(shè)備的供體膜，其中氣體-產(chǎn)生層由選自季戊四醇四硝酸酯和三硝基甲苯的至少一種材料形成。
28.權(quán)利要求17的方法，進(jìn)一步包括在光熱轉(zhuǎn)化層的下部形成氣體-產(chǎn)生層。
29.權(quán)利要求28的方法，其中氣體-產(chǎn)生層由選自季戊四醇四硝酸酯和三硝基甲苯的至少一種材料形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備和一種制造低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法，通過(guò)提供低分子量全色有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的供體膜，能夠放大和批量生產(chǎn)具有高分辨率的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，所述供體膜包括基材膜；在基材膜的上部形成的光熱轉(zhuǎn)化層；和在光熱轉(zhuǎn)化層的上部形成且由低分子量材料形成的轉(zhuǎn)移層。通過(guò)激光照射和加熱的一部分轉(zhuǎn)移層根據(jù)轉(zhuǎn)移層與光熱轉(zhuǎn)化層的粘附力的變化而從光熱轉(zhuǎn)化層上分離，而沒(méi)有被激光照射的轉(zhuǎn)移層部分被固定至光熱轉(zhuǎn)化層上。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1510973SQ20031012058
公開日2004年7月7日 申請(qǐng)日期2003年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月17日
發(fā)明者金茂顯, 權(quán)章赫, 樸峻永, 姜泰旻, 陳炳斗, 金在中, 宋明原, 徐旼撤, 李城宅 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社