本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種硅納米線結(jié)構(gòu)的腐蝕液及該腐蝕液的應(yīng)用方法。
背景技術(shù)：
在當(dāng)前的半導(dǎo)體領(lǐng)域，硅納米線結(jié)構(gòu)因其在半導(dǎo)體微器件、硅基太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域展現(xiàn)出的極為誘人的潛在應(yīng)用價(jià)值而受到業(yè)界的普遍關(guān)注，其中利用濕法化學(xué)刻蝕法制備硅納米線結(jié)構(gòu)的研究最近幾年來(lái)已有陸續(xù)報(bào)道，但該方法仍存在很多待改進(jìn)的問(wèn)題，比如：納米線與硅襯底之間所成角度較為雜亂等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的就是為了克服上述濕法化學(xué)刻蝕法現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種可制備與硅襯底間成一固定夾角的制備方法。
本發(fā)明的方案可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：
首先提供一種濕法化學(xué)刻蝕法制備硅納米線結(jié)構(gòu)的腐蝕液，其特征在于，該腐蝕液的配方為以下組分及濃度含量：
氫氟酸2.3-9.2mol/l；
硝酸銀0.005-0.08mol/l；
其中所述的氫氟酸濃度優(yōu)選為4.4-4.6mol/l，硝酸銀濃度優(yōu)選為0.02-0.03mol/l。
一種用于濕法化學(xué)刻蝕法制備硅納米線結(jié)構(gòu)的腐蝕液的應(yīng)用方法，將待制備納米線結(jié)構(gòu)的硅片清洗后置于腐蝕液中，然后取出用去離子水清洗，其特征在于：所示硅片為p型[111]晶向；腐蝕液的配方為以下組分及濃度含量：氫氟酸2.3-4.6mol/l、硝酸銀0.015-0.05mol/l；腐蝕時(shí)間為15-30分鐘，腐蝕液溫度為90-100攝氏度。
進(jìn)一步地，該應(yīng)用方法可利用一下技術(shù)方案：
所述的氫氟酸濃度優(yōu)選為4.4-4.6mol/l，硝酸銀濃度優(yōu)選為0.02-0.03mol/l。
所述腐蝕時(shí)間為28-30分鐘。
所述腐蝕溫度為98-100攝氏度。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：制備的納米線傾斜方向與硅襯底法線方向夾角為55℃，表明納米線沿著[100]晶向生長(zhǎng)，對(duì)于后期對(duì)納米線生長(zhǎng)方向及與襯底所成角度有要求的后續(xù)應(yīng)用提供改進(jìn)基礎(chǔ)。
附圖說(shuō)明
圖1為腐蝕液中氫氟酸、酸硝酸銀濃度分別為4.6mol/l、0.02mol/l，腐蝕溫度為100攝氏度，腐蝕時(shí)間為30分鐘得到的sem照片。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖1和本實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本實(shí)施例中將將p型[111]向厚約0.5毫米，電阻率為1-10ω·cm的硅片清洗后，置入氫氟酸、酸硝酸銀濃度分別為4.6mol/l、0.02mol/l，腐蝕溫度為100攝氏度的腐蝕液中進(jìn)行濕法化學(xué)刻蝕法，腐蝕時(shí)間為30分鐘。最后將腐蝕后的硅片用去離子水進(jìn)行清洗得到的sem照片如圖1所示，其中硅片的清洗步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知技術(shù)，在此不再贅述。
由附圖1可見(jiàn)，腐蝕溫度為100攝氏度時(shí)，制備的樣品硅納米線結(jié)構(gòu)雖較為混亂，但納米線傾斜方向與襯底法線方向夾角固定為55度，表明納米線沿著[100]晶向生長(zhǎng)。因此對(duì)于對(duì)納米線生長(zhǎng)方向及與襯底所成角度有要求的領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值，對(duì)于后期對(duì)納米線生長(zhǎng)方向及與襯底所成角度有要求的后續(xù)應(yīng)用提供改進(jìn)基礎(chǔ)。
上面具體描述了本發(fā)明技術(shù)方案的應(yīng)用實(shí)例，它僅作為例子給出，不視為本發(fā)明的應(yīng)用限制。凡操作條件的等同替換，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。