技術(shù)編號(hào)：11400105
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種硅納米線結(jié)構(gòu)的腐蝕液及該腐蝕液的應(yīng)用方法。背景技術(shù)在當(dāng)前的半導(dǎo)體領(lǐng)域，硅納米線結(jié)構(gòu)因其在半導(dǎo)體微器件、硅基太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域展現(xiàn)出的極為誘人的潛在應(yīng)用價(jià)值而受到業(yè)界的普遍關(guān)注，其中利用濕法化學(xué)刻蝕法制備硅納米線結(jié)構(gòu)的研究最近幾年來(lái)已有陸續(xù)報(bào)道，但該方法仍存在很多待改進(jìn)的問題，比如：納米線與硅襯底之間所成角度較為雜亂等。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的就是為了克服上述濕法化學(xué)刻蝕法現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種可制備與硅襯底間成一固定夾角的制備方法。本發(fā)明的方案可以通過以下...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。