1.一種可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(100)，所述可旋轉(zhuǎn)濺射裝置包括：
靶材背襯管(110)，所述靶材背襯管具有旋轉(zhuǎn)軸(200)；
磁體組件，所述磁體組件布置在所述靶材背襯管內(nèi)；
冷卻通道(180)，所述冷卻通道用于提供冷卻流體，所述冷卻通道布置在所述靶材背襯管內(nèi)；
所述磁體組件布置在所述旋轉(zhuǎn)軸(200)的方向上，并且相對于所述旋轉(zhuǎn)軸(200)偏移；
所述冷卻通道布置在所述旋轉(zhuǎn)軸(200)的方向上，并且相對于所述旋轉(zhuǎn)軸(200)偏移；
連接凸緣(232)，所述連接凸緣用于將冷卻流體提供至所述冷卻通道，所述連接凸緣與所述旋轉(zhuǎn)軸同軸地布置；以及
交叉元件，所述交叉元件與所述連接凸緣接觸，
其中所述交叉元件(234)將所述連接凸緣與所述冷卻通道連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述連接凸緣(232)包括用于引入和排出所述冷卻流體的雙壁管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述交叉元件(234)是具有用于接觸所述連接凸緣(232)的對接凸緣的中空體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述交叉元件(234)設(shè)有用于將所述冷卻通道(180)連接至所述交叉元件(234)的配合元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述配合元件設(shè)有相對于所述靶材背襯管(110)的所述旋轉(zhuǎn)軸(200)的偏移。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述交叉元件(234) 是彎曲管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述交叉元件(234)是柔性軟管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述磁體組件布置在所述靶材背襯管(110)的第一半部中；并且
所述冷卻通道(180)相對于所述旋轉(zhuǎn)軸(200)的所述偏移(207)延伸到所述靶材背襯管(110)的第二半部中，其中所述第一半部在第一方向上遠(yuǎn)離所述旋轉(zhuǎn)軸(200)延伸，并且所述第二半部在第二方向上遠(yuǎn)離所述旋轉(zhuǎn)軸(200)延伸，所述第二方向不同于所述第一方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，用于磁軛的覆蓋罩(170)和支撐板(160)限定用于所述磁體組件的外殼。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述磁體組件具有距所述旋轉(zhuǎn)軸的30mm或更低的偏移。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述靶材背襯管(110)具有85mm或更低的內(nèi)徑。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述磁體組件包括成排地布置的磁軛(120)和永久磁體(130)用來產(chǎn)生磁場，所述磁軛包括具有中心突起的基底板。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述中心突起具有為所述基底板的厚度的至少100％的延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其特征在于，所述永久磁體具有寬度，其中中心磁體排的寬度比外部體排的永久磁體的寬度大至少50％。
15.一種可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對的布置，所述布置包括第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其中所述第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置是根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，并且所述第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置是根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對的布置，進一步包括用于濺射沉積工藝的沉積腔室，其中所述第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和所述第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置布置在一個沉積腔室中。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對的布置，其特征在于，所述第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(100)的第一旋轉(zhuǎn)軸(200)和所述第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(101)的第二旋轉(zhuǎn)軸(201)以200mm或更低的距離(225)在長度方向上布置。
18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中的任一項所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對的布置，其特征在于，所述第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(100)的第一磁體組件和所述第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(101)的第二磁體組件以朝向彼此傾斜的方式布置。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對的布置，其特征在于，所述沉積腔室包括涂覆窗，并且其中所述第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(100)的第一磁體組件和所述第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(101)的第二磁體組件被布置為用于通過所述涂覆窗來沉積待從所述第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(100)和所述第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(101)釋放的材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求15至17中的任一項所述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對的布置，其特征在于，所述第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(100)和所述第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(101)連接至MF頻率范圍內(nèi)的AC功率。