本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及用于沉積腔室的濺射裝置。本實(shí)用新型的實(shí)施例尤其涉及可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，具體來說涉及濺射沉積腔室中的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。

背景技術(shù)：

若干方法已知用于在基板上沉積材料。例如，可以通過物理氣相沉積 (physical vapor deposition；PVD)工藝(諸如，濺射工藝)來涂覆基板。通常，工藝在涂覆設(shè)備的工藝腔室中執(zhí)行，待涂覆的基板位于所述工藝腔室中或被引導(dǎo)通過所述工藝腔室。在設(shè)備中提供沉積材料。在執(zhí)行PVD工藝的情況下，例如以固相來提供沉積材料，并且可在工藝期間添加反應(yīng)氣體。多種材料可以用于沉積在基板上；在所述材料中，可以使用陶瓷。

經(jīng)涂覆的材料可以用于若干應(yīng)用和若干技術(shù)領(lǐng)域中。例如，應(yīng)用在微電子學(xué)領(lǐng)域中，諸如，生成半導(dǎo)體器件。此外，常常通過PVD工藝涂覆用于顯示器的基板。其他應(yīng)用可包括絕緣面板、有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode；OLED)面板，以及硬盤、CD、DVD等等。

基板布置在用于執(zhí)行涂覆工藝的沉積腔室中或被引導(dǎo)通過所述沉積腔室。薄膜涂覆設(shè)備可供用于不同的沉積目的。例如，可由若干引導(dǎo)裝置(諸如，涂覆滾筒)將待涂覆的卷材(web)引導(dǎo)通過卷材涂覆設(shè)備的沉積腔室。在卷材涂覆設(shè)備的沉積腔室中，可圍繞涂覆滾筒來提供若干沉積區(qū)段。沉積區(qū)段可提供為多個(gè)隔室。

引導(dǎo)待涂覆的基板經(jīng)過濺射裝置，使得從靶材釋放的材料在經(jīng)過濺射設(shè)備時(shí)到達(dá)基板。為了沉積不同的沉積材料，具有由不同材料構(gòu)成的靶材的濺射裝置可布置在不同的隔室中。通過調(diào)適濺射裝置和/或靶材材料的種類，可定制地使用薄膜涂覆設(shè)備以用于沉積不同的沉積材料或沉積材料的不同堆疊。為了實(shí)現(xiàn)定制的沉積工藝，提供兼容每一個(gè)隔室的不同種類的濺射裝置是有益的。

鑒于上文，本實(shí)用新型提供了用于在卷材上沉積材料的濺射裝置，所述卷材提供了用于在不同類型或不同尺寸的薄膜涂覆設(shè)備中使用的高度靈活性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上文，提供小尺度的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，其中冷卻通道布置在靶材背襯管(backing tube)內(nèi)，所述靶材背襯管具有相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的偏移。本實(shí)用新型的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和特征從說明書和附圖中是顯而易見的。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。所述可旋轉(zhuǎn)濺射裝置包括：具有旋轉(zhuǎn)軸的靶材背襯管；布置在靶材背襯管內(nèi)的磁體組件；用于提供冷卻流體的冷卻通道，其中冷卻通道布置在靶材背襯管內(nèi)。磁體組件布置在旋轉(zhuǎn)軸的方向上，并且相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸偏移。冷卻通道布置在旋轉(zhuǎn)軸的方向上，并且相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸偏移?？尚D(zhuǎn)濺射裝置進(jìn)一步包括用于將冷卻流體提供至冷卻通道的連接凸緣，所述連接凸緣與旋轉(zhuǎn)軸同軸地布置。交叉元件與連接凸緣接觸，其中所述交叉元件將連接凸緣與冷卻通道連接。

附圖說明

因此，為了詳細(xì)地理解本實(shí)用新型的上述特征的方式，可通過參考實(shí)施例進(jìn)行對(duì)上文簡(jiǎn)要概述的本實(shí)用新型的更具體的描述。所附附圖關(guān)于本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且在下文中描述：

圖1示出根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的靶材背襯管的局部橫截面圖；

圖2示出根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的橫截面圖；

圖3示出根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的布置；以及

圖4示出根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)地參考本實(shí)用新型的各種實(shí)施例，一個(gè)或多個(gè)示例在附圖中說明實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)示例。在下文對(duì)附圖的描述中，相同的元件符號(hào)是指相同的部件。通常，僅描述相對(duì)于個(gè)別實(shí)施例的差異。每一個(gè)示例通過解釋本實(shí)用新型來提供，并且這不旨在對(duì)本實(shí)用新型的限制。此外，闡釋或描述為一個(gè)實(shí)施例的部分的特征可用于其他實(shí)施例或與其結(jié)合使用以產(chǎn)生更進(jìn)一步的實(shí)施例。說明書旨在包括此類修改和變化。

此外，在以下描述中，“濺射裝置”應(yīng)理解為包括待沉積在基板上的沉積材料或沉積材料的組分的裝置。具體來說，濺射裝置設(shè)有靶材形式的沉積材料。靶材可由待沉積材料或待沉積材料的至少一種組分制成。此外，濺射裝置可設(shè)計(jì)為具有旋轉(zhuǎn)軸的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。根據(jù)一些實(shí)施例，濺射裝置可以包括靶材背襯管，由沉積材料或沉積材料的組分構(gòu)成的靶材可布置在所述靶材背襯管上。濺射裝置可以包括用于生成磁場(chǎng)的磁體組件。在濺射裝置中提供磁體組件的情況下，濺射裝置可以稱為濺射磁控管。此外，可以在濺射裝置內(nèi)提供冷卻通道以便冷卻濺射裝置或?yàn)R射裝置的多個(gè)部分。根據(jù)一些實(shí)施例，濺射裝置可調(diào)適為連接至沉積設(shè)備或沉積隔室中的濺射裝置支撐件。例如，可以在濺射裝置末端處提供連接凸緣。根據(jù)一些實(shí)施例，濺射裝置可操作為陰極或操作為陽極。

術(shù)語“沉積工藝”可以大體上指其中材料從濺射裝置的靶材釋放并且沉積在基板上的任何工藝，諸如，物理氣相沉積工藝(physical vapor deposition；PVD 工藝)、反應(yīng)濺射工藝，等等。

術(shù)語“涂覆窗”可理解為沉積設(shè)備的可供從濺射裝置釋放的材料通過其而到達(dá)基板的區(qū)域。例如，可圍繞繞涂覆滾筒來纏繞基板。具體來說，可以在涂覆滾筒上輸送基板。更詳細(xì)地，待沉積的材料從濺射裝置的靶材釋放。

根據(jù)可與其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例，可以通過用于阻擋一些沉積材料的掩?；蜃钃醪糠謥硐拗仆扛泊??？捎煽驙钛b置來提供掩?；蜃钃醪糠??？驙钛b置可以提供至少一個(gè)孔隙。至少一個(gè)孔隙可由至少一個(gè)框架提供。至少一個(gè)框架可以包括一個(gè)或多個(gè)框架元件?？蓢@涂覆滾筒來布置提供孔隙的至少一個(gè)框狀裝置?？梢試@涂覆滾筒布置多個(gè)框狀裝置?？梢匝嘏c涂覆滾筒的曲率相切的平面來布置孔隙。涂覆滾筒的旋轉(zhuǎn)軸可有益地水平地布置。

根據(jù)可與其他實(shí)施例相結(jié)合的本文所描述的實(shí)施例，框架元件可進(jìn)一步設(shè)有在實(shí)質(zhì)上垂直于孔隙的方向上延伸的遮蔽元件。

如本文中所用的術(shù)語“實(shí)質(zhì)上”可指存在距以“實(shí)質(zhì)上”指示的性的某個(gè)偏差。例如，術(shù)語“實(shí)質(zhì)上垂直”是指可具有距準(zhǔn)確的垂直方向的某些偏差的方向，諸如，與準(zhǔn)確的垂直方向的約1％到約20％的偏差。

在一些實(shí)施例中，遮蔽元件可以在基本上垂直于涂覆滾筒的方向上延伸。遮蔽元件可以具有相對(duì)于涂覆滾筒的基本上徑向的方向。遮蔽元件可布置成用于保護(hù)卷材涂覆設(shè)備的腔室壁免遭側(cè)壁沉積。遮蔽元件(例如，遮蔽板)可布置成用于形成具有橫壁和底壁的箱或柜。壁中的至少一個(gè)可以提供可限定涂覆窗的孔隙。在箱或柜內(nèi)，可以布置至少一個(gè)濺射裝置。根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，可以在具有涂覆窗的箱或柜內(nèi)布置一對(duì)濺射裝置。

根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，涂覆窗可描述為鄰近基板平面?；迤矫婵梢允窃谄渲幸苿?dòng)基板的平面。沿著面基板路徑來移動(dòng)平面基板。當(dāng)在涂覆滾筒上引導(dǎo)柔性基板時(shí)，基板路徑可以是由圓筒形涂覆滾筒的彎曲的圓筒表面限定的表面。涂覆窗可布置在涂覆滾筒的面向?yàn)R射裝置的區(qū)段與濺射裝置之間。涂覆窗可以沿著與涂覆滾筒曲率相切的平面布置。

根據(jù)一些實(shí)施例，孔隙可以提供為由三維框架限定的開口。具體而言，三位框架可適配至涂覆滾筒的曲率。例如，由三維框架限定的孔隙可以是四邊形。三維孔隙可以通過在三維空間中以彎曲方式布置的二維表面來描述。三維孔隙可以沿圓筒的表面布置。圓筒的表面可以是涂覆滾筒的表面。為了沿涂覆滾筒的彎曲表面提供三維孔隙，可以由沿涂覆滾筒的旋轉(zhuǎn)軸布置的兩個(gè)直線框架元件提供三維框架的框架元件。兩個(gè)直線框架元件可以由適配至涂覆滾筒的曲率的兩個(gè)進(jìn)一步的框架元件來聯(lián)結(jié)。兩個(gè)直線框架元件和兩個(gè)彎曲框架元件提供三維孔隙?？梢試@涂覆滾筒布置多個(gè)三維框架狀裝置。多個(gè)三維框架可以提供多個(gè)三維孔隙。三維孔隙可以限定三維涂覆窗。

根據(jù)一些實(shí)施例，公開了小尺度的特殊可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，所述特殊可旋轉(zhuǎn)濺射裝置經(jīng)調(diào)適用于卷材涂覆設(shè)備的濺射隔室的受限的尺寸。小尺度的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置包括小直徑的靶材背襯管。小直徑的靶材背襯管提供用于在靶材背襯管內(nèi)布置磁體組件和冷卻通道的減小的空間。在現(xiàn)有的解決方案中，冷卻通道與可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的旋轉(zhuǎn)軸同心地布置。在小尺度的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置中，在冷卻通道與靶材背襯管之間的剩余空間減小。

設(shè)計(jì)小尺度的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置并不意味著向標(biāo)準(zhǔn)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置應(yīng)用小于1的比例因子直到靶材背襯管內(nèi)的組件配合到更小直徑的靶材背襯管中。應(yīng)考慮若干方面，諸如，冷卻通道或支撐組件的橫截面的尺度和容量。過小直徑的冷卻通道幾乎無法提供經(jīng)調(diào)適的熱性能。

除了永久磁片材料之外，由磁體組件生成的磁場(chǎng)的強(qiáng)度還基本上取決于永久磁片的尺寸或體積。以小于1的比例因子縮小磁體組件可能導(dǎo)致弱磁場(chǎng)強(qiáng)，這導(dǎo)致濺射等離子體的較差性能。

根據(jù)可與其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例，小尺度的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置設(shè)有磁體組件，其中永久磁片的尺寸相比標(biāo)準(zhǔn)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置基本上保持不變。永久磁片可以具有沿磁極方向的高度以及垂直于磁極方向的寬度和長(zhǎng)度。例如，適于濺射工藝的磁體組件的永久磁片可以具有但不限于約5mm與約15mm之間的高度，并具有但不限于約5mm與約15mm之間的寬度。永久磁片可以具有各種長(zhǎng)度，諸如，從約5mm直到約50mm。由于磁體組件的永久磁片能以例如排、圓周、矩形或橢圓形來放置，因此可以使用合適長(zhǎng)度的永久磁片。

磁體組件布置在可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的靶材背襯管內(nèi)。另外，用于提供冷卻流體的冷卻通道布置在靶材背襯管內(nèi)。為了場(chǎng)強(qiáng)向磁體組件的足夠空間提供適于濺射工藝的場(chǎng)強(qiáng)，在本文所描述的實(shí)施例中，與靶材背襯管的旋轉(zhuǎn)軸偏移來布置冷卻通道。相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸偏心地布置根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的靶材背襯管中的冷卻通道。冷卻通道在旋轉(zhuǎn)軸的方向上延伸，并且布置成相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸偏移，諸如，實(shí)質(zhì)上平行于旋轉(zhuǎn)軸延伸。

根據(jù)本文所描述的一些實(shí)施例的磁體組件和靶材背襯管的不同區(qū)段中的冷卻通道的布置可以為磁體組件提供足夠的空間。通過前述布置，可以在較小直徑的靶材背襯管中提供具有足夠場(chǎng)強(qiáng)的磁體組件。可以提供較小直徑的靶材背襯管用于小尺度的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。

圖1闡釋根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的具有旋轉(zhuǎn)軸200的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置 100的局部橫截面圖。根據(jù)本文所描述的一些實(shí)施例，磁體組件布置在靶材背襯管110內(nèi)。磁體組件布置在旋轉(zhuǎn)軸200的方向上，并且相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸200偏移。磁體組件可以有益地布置在靶材背管的第一區(qū)段的旋轉(zhuǎn)軸的方向上，并且相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸偏移。

根據(jù)一些進(jìn)一步的實(shí)施例，冷卻通道180布置在靶材背襯管110內(nèi)。冷卻通道180可以有益地布置在靶材背襯管的第二區(qū)段中的旋轉(zhuǎn)軸200的方向上，并且相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸200偏移。靶材背襯管的第二區(qū)段與靶材背襯管的第一區(qū)段不同。靶材背襯管的第一和第二區(qū)段可以位于靶材背襯管內(nèi)的相對(duì)的側(cè)上。根據(jù)本文所描述的一些實(shí)施例，靶材背襯管的第一和第二區(qū)段可以是靶材背襯管的第一半部和第二半部。第一半部和第二半部可以是靶材背襯管110的橫向區(qū)段的第一和第二半圓。根據(jù)一些實(shí)施例，第一區(qū)段和/或第二區(qū)段的橫向區(qū)段可與旋轉(zhuǎn)軸200重疊。

根據(jù)一些實(shí)施例，與旋轉(zhuǎn)軸200同軸地布置向具有旋轉(zhuǎn)軸200的靶材背襯管110的冷卻流體的供應(yīng)?？尚D(zhuǎn)濺射裝置100包括用于冷卻流體的連接凸緣 232。為了同軸地提供冷卻流體，靶材背襯管110設(shè)有連接凸緣232。用于將冷卻流體提供至冷卻通道180的連接凸緣232與旋轉(zhuǎn)軸200同軸地布置。連接凸緣232可以布置在靶材背襯管的第一末端處。連接凸緣可以附接至交叉元件 234用于將冷卻流體從同軸饋送管引導(dǎo)到冷卻通道中。

連接凸緣232可以包括用于引入和排出冷卻流體的雙壁管。連接凸緣232 可以包括雙壁管的內(nèi)管道(pipe)185和外管道186。雙壁管的內(nèi)管道185可以是連接凸緣的內(nèi)部部分。雙壁管的內(nèi)管道185可連接至交叉元件234。通過將連接凸緣的內(nèi)管道185連接至交叉元件234，連接凸緣232被連接至交叉元件。內(nèi)管道185可以是雙壁管的內(nèi)部部分。雙壁管的內(nèi)管道185可以具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的橫截面，諸如，管。

根據(jù)一些實(shí)施例，連接凸緣的內(nèi)管道185可以包括凸緣狀末端部分。在一些實(shí)施例中，連接凸緣的內(nèi)管道185的凸緣狀末端部分可以附接至交叉元件 234。通過將連接凸緣的內(nèi)管道185的凸緣狀末端部分連接至交叉元件234，連接凸緣232被連接至交叉元件連接。密封件191可以在連接凸緣的內(nèi)管道與交叉元件之間提供不透水連接。

根據(jù)一些實(shí)施例，連接凸緣232可以進(jìn)一步包括外管道186。雙壁管的外管道186可以是連接凸緣的第二部分。外管道186可以是雙壁管的外部部分。連接凸緣的外管道186可以具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱橫截面，諸如，管。雙壁管的外管道 186可以環(huán)繞雙壁管的內(nèi)管道185。雙壁管的外管道186可以附接至靶材背襯管。密封件192可以在雙壁管的外管道186與靶材背襯管110之間提供不透水連接。

根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，連接凸緣可以包括靜態(tài)部分和可旋轉(zhuǎn)部分。連接凸緣的內(nèi)管道185可以是雙壁管的靜態(tài)部分。連接凸緣的內(nèi)管道185可保持在固定位置處。連接凸緣的內(nèi)管道185可以附接至冷卻通道。磁體組件可以附接至冷卻通道。通過將雙壁管的內(nèi)管道185保持在固定位置，可以將磁體組件保持在固定位置。

連接凸緣的外管道186可以是雙壁管的可旋轉(zhuǎn)部分。連接凸緣的外管道 186可以是旋轉(zhuǎn)接頭或旋轉(zhuǎn)饋通175的部分。旋轉(zhuǎn)接頭或旋轉(zhuǎn)饋通175可以布置在沉積設(shè)備的腔室壁215中。連接凸緣的可旋轉(zhuǎn)外管道可以附接至靶材背襯管。通過旋轉(zhuǎn)連接凸緣的外管道186，可以旋轉(zhuǎn)靶材背襯管。旋轉(zhuǎn)愧痛可以在靜態(tài)腔室壁215與可旋轉(zhuǎn)外管道之間提供真空密閉的密封。

在操作期間，靶材背襯管110和靶材管230(在圖1中未示出)可以圍繞旋轉(zhuǎn)軸200旋轉(zhuǎn)。在靶材背襯管正在旋轉(zhuǎn)期間，可以將布置在靶材背襯管內(nèi)的部件(諸如，磁體組件和冷卻通道)保持在固定位置。通過將布置在靶材背襯管內(nèi)的部件保持在固定位置，磁體組件可靜態(tài)地保持在所述磁體組件的位置處。伴隨著靜態(tài)布置的磁體組件，從可旋轉(zhuǎn)靶材管釋放的沉積材料的流動(dòng)方向可以定向至或指向涂覆窗。

根據(jù)可與其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例，可旋轉(zhuǎn)濺射裝置進(jìn)一步包括交叉元件234。交叉元件234與連接凸緣接觸。交叉元件234將連接凸緣232與冷卻通道180連接。交叉元件234以不透水方式將連接凸緣232與冷卻通道180 連接。根據(jù)一些實(shí)施例，交叉元件234提供對(duì)冷卻流體的移位用于將冷卻流體引導(dǎo)到經(jīng)偏移布置的冷卻通道180中。冷卻流體的移位可以是徑向移位。

根據(jù)一些實(shí)施例，交叉元件234可以是中空體。在中空體內(nèi)，可以將冷卻流體從連接凸緣232的內(nèi)管道185引導(dǎo)到冷卻通道180。在中空體內(nèi)，可以用徑向移位將冷卻流體引導(dǎo)到經(jīng)偏移布置的冷卻通道中。

根據(jù)一些其他實(shí)施例，冷卻流體的移位可以實(shí)質(zhì)上是具有從準(zhǔn)確的徑向方向偏離的橫向分量的徑向移位。為了向冷卻流體的移位提供橫向分量，交叉元件234可以是有角度的(angular)中空體。有角度的中空體可以提供冷卻流體的徑向和橫向移位。徑向移位可以引導(dǎo)冷卻流體基本上遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸200。橫向移位可以進(jìn)一步在遠(yuǎn)離內(nèi)管道185的方向上引導(dǎo)冷卻流體。

根據(jù)一些實(shí)施例，交叉元件234可以是中空體，所述中空體具有用于接觸連接凸緣232的內(nèi)管道185的對(duì)接凸緣。交叉元件可以是中空體，諸如，交叉管道或橫向管道。中空體可以是彎曲管或柔性軟管。交叉元件234將冷卻流體的同中心輸入與經(jīng)偏心或偏移布置的冷卻通道180連接。交叉元件可以設(shè)有用于將冷卻通道180連接至交叉元件234的配合元件(在圖1中未示出)。可以在交叉元件234處以相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的偏移來提供配合元件。

交叉元件234可以附接至冷卻通道180。根據(jù)一些實(shí)施例，交叉元件234 可以設(shè)有用于將冷卻通道連接至交叉元件的配合元件。配合元件可以相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸偏移地布置。在可與本文所描述的其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例中，配合元件可以是任何合適的連接件或連接元件。例如，配合元件可以是調(diào)適器、配合片或特殊尺寸的管道。配合元件可以是但不限于連接器，諸如，插座、插孔插座、內(nèi)孔連接器、連接套管或連接孔。

如圖1和圖2中所示，在旋轉(zhuǎn)軸與冷卻通道之間的偏移207可以描述為旋轉(zhuǎn)軸200距冷卻通道180的中心線205的距離。根據(jù)一些實(shí)施例，冷卻通道180 可以是具有非圓形橫截面(諸如，橢圓形、圓弓形或任何不規(guī)則形式)的管道(未在圖1或圖2中示出)。根據(jù)一些進(jìn)一步的實(shí)施例，冷卻通道180可以是具有外徑為DT的圓形橫截面的管。外徑DT可從冷卻通道180的外表面與線208 的交叉點(diǎn)導(dǎo)出。線208可以垂直地穿過旋轉(zhuǎn)軸200，并且沿穿過永久磁體131 的中心線延伸。

沿著線208測(cè)量，偏移207的尺度可以由冷卻通道的外表面距旋轉(zhuǎn)軸200 的最小距離和冷卻通道的外表面距旋轉(zhuǎn)軸200的最大距離的總和的一半來限定。偏移207可以從冷卻通道的外表面距旋轉(zhuǎn)軸200的最小距離和冷卻通道的外表面距旋轉(zhuǎn)軸200的最大距離的算術(shù)平均值計(jì)算出。對(duì)于位于旋轉(zhuǎn)軸200的不同側(cè)上的最小和最大距離，可以計(jì)算出算術(shù)平均值，其中最小和最大距離具有相反的代數(shù)符號(hào)。有益地，偏移207在冷卻通道的長(zhǎng)度上是一致的。

根據(jù)示例性實(shí)施例，靶材背襯管的旋轉(zhuǎn)軸200可以位于冷卻通道180的外徑與線208的交叉點(diǎn)處。冷卻通道可以相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸以外徑DT的50％或更低的偏移來布置。根據(jù)此示例性實(shí)施例，靶材背襯管的內(nèi)徑可以具有冷卻通道的外徑DT的尺寸。根據(jù)前述示例，如圖2中所示的靶材背襯管的內(nèi)徑D可以具有80mm或更高的尺寸，諸如，85mm或更低，例如，82mm。例如，冷卻通道的外徑DT可以具有40mm的尺寸。旋轉(zhuǎn)軸200距冷卻通道180的中心線 205的偏移207可以具有20mm或更低的尺寸。

根據(jù)圖2中闡釋的一些實(shí)施例，冷卻通道180的中心線205可以有益地布置成具有距旋轉(zhuǎn)軸200的偏移207。小直徑的靶材背襯管110內(nèi)的磁體組件能以距旋轉(zhuǎn)軸200的一距離來布置，所述距離在第一方向上延伸。中心線205的偏移207可以遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸200在第二方向上延伸，第一和第二方向是相反的方向。具體而言，磁體組件可以布置在靶材背襯管110的第一半部中,并且具有偏移207的冷卻通道可以布置在靶材背襯管的第二半部中。根據(jù)一些實(shí)施例，可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100可以設(shè)有布置在靶材背襯管110的第一半部中的磁體組件，并且冷卻通道可相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸200以偏移207來布置，偏移207可以延伸到靶材背襯管110的第二半部中，其中第一半部遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸200在第一方向上延伸，并且第二半部遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸200在第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向不同。

根據(jù)可與其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例，可以居中地將冷卻流體從冷卻系統(tǒng)(在圖1中未示出)饋送到連接凸緣中?？梢詫⒗鋮s流體從靜態(tài)地布置的冷卻系統(tǒng)饋送到旋轉(zhuǎn)靶材背襯管中。通過交叉元件234，可以將冷卻流體從與旋轉(zhuǎn)軸同軸地布置的連接凸緣232的內(nèi)管道185引導(dǎo)到具有從旋轉(zhuǎn)軸200的偏移 207的冷卻通道180中。圖1中的箭頭235闡釋交叉元件234提供的冷卻流體流的移位。

根據(jù)一些實(shí)施例，冷卻通道180經(jīng)調(diào)適將冷卻流體提供至靶材背襯管110?？梢杂衫鋮s通道180將冷卻流體引導(dǎo)到靶材背襯管110的內(nèi)部容積中。冷卻通道可以包括用于每一側(cè)上的冷卻流體的開口。冷卻流體可在靶材背襯管的第一末端處進(jìn)入冷卻通道180。在冷卻通道180的第二末端處的開口(在圖1中未示出)可以提供冷卻流體進(jìn)入靶材背襯管的內(nèi)部容積的接入。通過第二末端處的開口，冷卻流體可以被引導(dǎo)到靶材背襯管中。

在靶材背襯管內(nèi)，冷卻流體可以往回流到靶材背襯管的第一末端。在第一末端處，靶材背襯管可以設(shè)有用于冷卻流體的出口。用于冷卻流體的出口可以由連接凸緣232的雙壁管提供。例如，用于冷卻流體的出口可以由在雙壁管的內(nèi)管道與外管道之間的環(huán)形空間(如箭頭236所指示)提供。當(dāng)然，箭頭235和 236所指示的方向或冷卻流體的流動(dòng)方向僅用于說明，并且也可以具有相反的方向。

冷卻流體從冷卻通道180到靶材背襯管110的內(nèi)部容積中。為了冷卻靶材背襯管110，冷卻流體可以往回在靶材背襯管的內(nèi)表面與用于磁體組件的外殼的外表面之間流動(dòng)。為了冷卻靶材背襯管，冷卻流體可以往回在靶材背襯管內(nèi)和在冷卻通道外和在磁體外殼外的空間中流動(dòng)。利用熱接觸將靶材管230附接至靶材背襯管110。通過冷卻靶材背襯管，可以冷卻靶材管。

根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，可旋轉(zhuǎn)濺射裝置設(shè)有磁體組件。如圖2中所闡釋，磁體組件布置在靶材背襯管110內(nèi)。根據(jù)一些實(shí)施例，磁體組件可包括多排的永久磁體130、131和磁軛120?？捎幸娴匾跃哂写艠O中心線140的永久磁體130、131來組裝磁體組件。永久磁體130、131的磁極中心線140基本上沿同一方向延伸。永久磁體130的磁極可以具有與永久磁體131相反的極性。已作為示例來選擇如由圖2中的箭頭所闡釋的磁極中心線140的取向。使用具有反轉(zhuǎn)極性的磁場(chǎng)也是可能的。磁場(chǎng)線290闡釋由永久磁體130、131生成的磁場(chǎng)。

多排的永久磁體可以布置在磁軛120上。軛可以包括具有中心突起的基底板?；装宓拈L(zhǎng)度可以在旋轉(zhuǎn)軸200的方向上延伸?；装宓膶挾瓤梢栽诎胁谋骋r管110的橫截面的弦桿的方向上延伸?；装宓暮穸瓤梢栽谥行耐黄鸬姆较蛏涎由?。根據(jù)本文所描述的一些實(shí)施例，具有中心突起的磁軛可以做成一個(gè)單片。根據(jù)替代實(shí)施例，磁軛和中心突起可以是可以被組裝的不同部件。

中心突起可以在橫跨旋轉(zhuǎn)軸和靶材背襯管的橫截面的弦桿的方向上延伸。中心突起可以具有比基底板的厚度大的延伸。具體而言，中心突起可以具有至少為基底板厚度的100％的延伸。

根據(jù)一些實(shí)施例，永久磁體可以沿基底板的外邊緣布置。進(jìn)一步的永久磁體可以布置在磁軛的中心突起上。中心突起的寬度在基底板寬度的方向上延伸。有益地，磁軛的中心突起具有適配至中心排的永久磁體131的寬度的寬度。永久磁體的寬度可以在基底板寬度的方向上延伸。外排的永久磁體130和中心排的永久磁體131可以具有相同的高度。

在一些實(shí)施例中，磁體組件可以進(jìn)一步包括在多排的永久磁體之間的填充部件150。填充部件150將磁片保持在其位置上，從而固定維持磁片的位置。當(dāng)磁片改變位置時(shí)，磁場(chǎng)可能變形。

永久磁體的磁場(chǎng)強(qiáng)度與永久磁體的尺寸有關(guān)。如圖2中所闡釋，中心磁體排的永久磁體131可以具有比外磁體排的永久磁體的寬度大至少50％的寬度。具體而言，中心磁體排的永久磁體131可以具有比外磁體排的永久磁體的寬度大至少100％的寬度。中心磁體排的永久磁體131可以具有在比外磁體排的永久磁體大約50％至約150％的寬度，具體地，具有比外磁體排的永久磁體大約 75％與約125％之間的寬度，更具體地，具有比外磁體排的永久磁體大約90％與約110％之間(諸如，約100％)的寬度。

磁場(chǎng)強(qiáng)可以受到在中心排的永久磁體與外排的永久磁體之間的距離S影響。有益地，在靶材背襯管110的外徑上測(cè)量，永久磁體的排之間的磁極中心線140的距離S可以是30mm或更低。距離S可以是15mm或更高，例如， 30mm或更低。距離S和永久磁體130、131的寬度可與磁軛的最小寬度有關(guān)?？梢杂幸娴卦诎胁谋骋r管內(nèi)以距靶材背襯管110的內(nèi)壁較近的距離來布置較小寬度的磁軛。

磁場(chǎng)約束鄰近靶材管230的外表面的濺射等離子體。如圖2中示例性地闡釋，永久磁體的取向在靶材前方提供對(duì)于經(jīng)調(diào)適的濺射性能足夠強(qiáng)的磁場(chǎng)。由實(shí)質(zhì)上平行地取向的永久磁體生成的磁場(chǎng)進(jìn)一步提供窄寬度的濺射等離子體。此外，中心磁體的較大寬度提供生成具有窄寬度的濺射等離子體的磁場(chǎng)。被約束在較窄寬度磁場(chǎng)中的濺射等離子體提供較窄的濺射輪廓。與標(biāo)準(zhǔn)尺寸的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的分布角相比，較窄的濺射分布可以將從濺射裝置噴出的沉積材料流集中在較窄的分布角中。較窄的分布角將沉積材料流更多地集中到涂覆窗，并且將沉積材料流更少地集中到遮蔽板。

磁軛120可固定至支撐板160。磁體組件可由外殼包圍。用于磁軛的覆蓋罩170和支撐板160可以限定用于磁體組件的外殼。磁體外殼可以包括覆蓋罩 170和支撐板160。磁軛有益地由軟磁材料(諸如，軟鐵)制成。

支撐板160可以由非磁性材料制成。支撐板160的材料可以是防銹或耐腐蝕材料，諸如，不銹鋼、銅、黃銅。覆蓋罩170可以由非磁性材料制成。覆蓋罩170可以由防銹或耐腐蝕材料(諸如，銅或黃銅)制成?？梢栽诟采w罩170與支撐板160之間布置密封件190。密封件190提供用于磁體組件的外殼的不透水密封。不透水外殼避免冷卻流體與永久磁體或磁軛之間的接觸。

在可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的靶材背襯管110內(nèi)布置用于冷卻流體的冷卻通道 180。冷卻通道以相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸200的偏移布置在靶材背襯管內(nèi)。安裝板210 可以附接之冷卻通道180。磁體組件可以附接至裝配板210。用于磁體組件的外殼可以附接至裝配板210。外殼內(nèi)的磁體組件可以附接至裝配板210。

裝配板210和冷卻通道180可以由非磁性、耐腐蝕材料(諸如，銅或黃銅) 制成。根據(jù)一些實(shí)施例，裝配板210和冷卻通道180可以由相同的材料制成。盡管如圖2中闡釋的冷卻通道具有圓形橫截面，但是應(yīng)理解，可以使用具有任何其他橫截面(諸如，半圓形、矩形或三角形橫截面)的冷卻通道。根據(jù)一些實(shí)施例，冷卻通道可以提供為雙管或多管。

如圖2中闡釋的磁體組件適配至小直徑的靶材背襯管。盡管永久磁體片的尺度和軛120的厚度仍保持標(biāo)準(zhǔn)磁體組件相當(dāng)，但是磁體組件的寬度可以適配至小直徑的靶材背襯管的減小的直徑。布置在軛上的永久磁體片的位置可以適配至小直徑的靶材背襯管的曲率。此外，磁體組件相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的偏移可以適配至小直徑的靶材背襯管。根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，磁體組件可以具有距旋轉(zhuǎn)軸200的35mm或更低的偏移，例如，15mm或更高(諸如，20mm)的偏移。

根據(jù)一些實(shí)施例，在適用時(shí)(并且在特征彼此不沖突的情況下)，參照旋轉(zhuǎn)軸200與冷卻通道180之間的偏移207描述的特征可以對(duì)應(yīng)地應(yīng)用于旋轉(zhuǎn)軸 200與磁體組件之間的偏移。

根據(jù)可與其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例，靶材背襯管110可以具有95 mm或更低的內(nèi)徑D，例如，具有70mm或更高的內(nèi)徑D。具體而言，靶材背襯管110可以具有85mm或更低的內(nèi)徑D。靶材背襯管110可以具有80mm 或更高的外徑，例如，具有100mm或更低的外徑。具體而言，靶材背襯管110 可以具有89mm的外徑。

根據(jù)一些進(jìn)一步的實(shí)施例，可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的靶材管230的外徑可以在約90mm至約120mm范圍內(nèi)，具體地，在約95mm與約115mm之間，更具體地，在約100mm與約110mm之間，諸如，105mm。具體而言，可以在任何濺射操作發(fā)生之前確定可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的靶材管230的外徑。

對(duì)于一些反應(yīng)濺射沉積應(yīng)用，合理地使用雙陰極濺射裝置，諸如，雙濺射裝置。例如，對(duì)于隔離材料或電介質(zhì)材料(像SiO₂)的反應(yīng)濺射，使用雙濺射裝置。通常，利用在MF頻率范圍內(nèi)的AC(交流)功率操作兩個(gè)導(dǎo)電靶材(諸如，金屬靶材)來使用雙濺射裝置。根據(jù)一些實(shí)施例，或者，第一濺射裝置和第二濺射裝置分別正充當(dāng)陽極或陰極，并且反應(yīng)氣體添加至工藝。根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，雙濺射裝置包括一對(duì)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(例如，如本文所描述的實(shí)施例中描述的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置)，諸如，雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置可以連接至在MF頻率范圍內(nèi)的 AC功率。

術(shù)語“雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置”是指如本文中的實(shí)施例中所描述的一對(duì)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置可以形成雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對(duì)。例如，雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對(duì)的兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置可以在同一沉積工藝中同時(shí)使用以涂覆同一基板。雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置可以用于在同一時(shí)刻涂覆基板的同一區(qū)段。此外，能以類似的方式設(shè)計(jì)雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置，所述類似的方式意味著雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置可以提供與靶材相同的材料，可以實(shí)質(zhì)上具有相同的尺寸和實(shí)質(zhì)上相同的形狀等。在一些情況下，雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置在沉積設(shè)備中或在沉積隔室(諸如，濺射隔室)中鄰近彼此來布置。

例如，可旋轉(zhuǎn)濺射裝置可以由一個(gè)或多個(gè)濺射裝置支撐件固持在沉積隔室中，以便在涂覆窗中提供待沉積在基板上的材料。根據(jù)可與本文所描述的其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例，雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置對(duì)能以在中頻范圍內(nèi)的交流電(alternative current；AC)、脈沖直流電(direct current；DC)脈沖或恒定直流功率來供應(yīng)。

已知的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置設(shè)計(jì)不適用于用作卷材涂覆機(jī)的典型尺寸的隔室中的雙濺射裝置。過去，僅平坦的雙濺射裝置用作卷材涂覆機(jī)中的可旋轉(zhuǎn)雙濺射裝置是不可用的。本文所描述的實(shí)施例描述可旋轉(zhuǎn)雙濺射裝置的特殊設(shè)計(jì)，所述特殊設(shè)計(jì)作為一對(duì)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(諸如，雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置)而配合到用于卷材涂覆機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)濺射隔室中。卷材涂覆設(shè)備中的濺射隔室具有有限的尺寸，因?yàn)闉R射隔室圍繞涂覆滾筒布置。為了安裝標(biāo)準(zhǔn)尺度的一對(duì)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置(諸如，兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置)，可以提供較大的沉積隔室。由于圍繞涂覆滾筒的空間是有限的，因此較大的沉積隔室減少了隔室的數(shù)目。減少隔室的數(shù)目減少了可以沉積在由一個(gè)涂覆滾筒引導(dǎo)的基板上的不同層的數(shù)目。

擴(kuò)大濺射隔室不是經(jīng)濟(jì)的。根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的小尺度的雙可旋轉(zhuǎn)陰極很好地配合到卷材涂覆機(jī)的濺射隔室中。另外，可以調(diào)適可旋轉(zhuǎn)濺射裝置中的磁體系統(tǒng)以進(jìn)一步改善沉積率。

出于靈活或定制的制造目的，薄膜涂覆設(shè)備有益地可以設(shè)有適當(dāng)類型的濺射裝置以用于通過產(chǎn)生低成本來執(zhí)行所沉積的層的最佳質(zhì)量。如果可以在每一個(gè)隔室中執(zhí)行每一個(gè)沉積工藝，則有益地可能定制地使用卷材涂覆機(jī)或卷材涂覆設(shè)備。

根據(jù)本文所描述的進(jìn)一步的實(shí)施例，提供一對(duì)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的布置，所述布置包括根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和根據(jù)本文所描述的實(shí)施例的第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。如圖3中中所闡釋，所述布置可以進(jìn)一步包括用于濺射沉積工藝的沉積腔室，其中第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置布置在一個(gè)沉積腔室中。一對(duì)小尺度的可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100、101可以布置在沉積腔室(諸如，卷材涂覆設(shè)備300的濺射隔室275)內(nèi)。一對(duì)可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100、101形成雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置可與涂覆滾筒 220相對(duì)地布置。

可由涂覆滾筒220引導(dǎo)柔性基板，諸如，卷材或箔。涂覆滾筒220和氣體分離單元280限定間隙260?？梢砸龑?dǎo)柔性基板通過間隙260。濺射隔室275 包括遮蔽元件或遮蔽板240?？梢圆贾谜诒伟逵糜诒苊庠诟羰冶?70上的側(cè)壁沉積物。可以布置遮蔽元件以形成具有孔隙250的箱或柜?？紫?50限定涂覆窗。

可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100和101各自都可包括由待沉積材料或待沉積材料的組分制成的靶材管230。調(diào)適可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100和101以通過涂覆窗來沉積用于基板的沉積材料。

此外，根據(jù)一些實(shí)施例，第一磁體組件位于第一濺射裝置中，并且第二磁體組件位于第二濺射裝置中。第一磁體組件和第二磁體組件各自都生成磁場(chǎng)。由磁體組件生成的磁場(chǎng)大體上幫助提高沉積效率。此外，可以通過在濺射裝置中使用磁體組件來正面地影響沉積率。

根據(jù)一些實(shí)施例，第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的第一磁體組件和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的第二磁體組件能以朝向彼此傾斜的方式布置。以朝向彼此傾斜的方式布置的磁體組件意味著由磁體組件生成的磁場(chǎng)指向彼此。例如，從濺射裝置的旋轉(zhuǎn)軸200延伸到磁體組件或?qū)嵸|(zhì)上磁體組件中心的徑向軸可相對(duì)于其他濺射裝置的相應(yīng)的軸的角度β。

在圖3中可以看到第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置101 的徑向軸。第一徑向軸195從第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100的第一旋轉(zhuǎn)軸200延伸到第一磁體組件的中心。第二徑向軸196從第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置101的第二旋轉(zhuǎn)軸201延伸到第二磁體組件的中心。在徑向軸195與196之間，示出角度β，所述角度β指示磁體組件朝向彼此的傾斜。根據(jù)一些實(shí)施例，在磁體組件之間的角度(諸如，圖3中的角度β)可以在以下范圍內(nèi)：約5°至約50°的范圍內(nèi)，具體地，在約10°與約40°之間，甚至更具體地，在約10°與約30°之間。

磁體組件能以朝向彼此傾斜的方式布置，使得從濺射靶材釋放的大多數(shù)量的材料穿過涂覆窗。通過涂覆窗將大多數(shù)量的濺射材料沉積到基板上提高了沉積率。使磁體組件朝向彼此傾斜可以提高沉積率。適配至涂覆窗的位置經(jīng)的磁體組件的取向提高了沉積在基板上的沉積材料的量。

可以布置磁體組件以使待從雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置釋放的材料在涂覆窗中重疊。沉積腔室可以包括涂覆窗，其中布置第一磁體組件和第二磁體組件用于通過同一涂覆窗沉積從第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置釋放的材料。

根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置的第一旋轉(zhuǎn)軸200和第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置101的第二旋轉(zhuǎn)軸201以200mm或更低的距離225在長(zhǎng)度方向上布置。如圖3中所闡釋，卷材涂覆設(shè)備的濺射隔室275用于提供第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100的第一旋轉(zhuǎn)軸200至第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置101的第二旋轉(zhuǎn)軸 201的小于約200mm的距離225。第一可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100的第一旋轉(zhuǎn)軸200 至第二可旋轉(zhuǎn)濺射裝置101的第二旋轉(zhuǎn)軸201的距離225在150mm與200mm 之間，具體地，在160mm與190mm之間，更具體地，在170mm與185mm 之間，諸如，180mm。

如圖3中所闡釋，濺射裝置在基板上方取向。然而，應(yīng)理解，這僅是示例，并且濺射裝置和基板的取向能以另一方式布置，諸如，濺射裝置靠近基板布置，或在濺射裝置上方引導(dǎo)基板。

圖4闡釋卷材涂覆設(shè)備300。卷材涂覆設(shè)備可以包括用于退繞和/或重新纏繞柔性基板的至少一個(gè)纏繞腔室。卷材涂覆設(shè)備300可以包括退繞輥310、重新纏繞輥311和引導(dǎo)輥312。待涂覆的柔性基板330(諸如，卷材或箔)由涂覆滾筒引導(dǎo)。此外，卷材涂覆設(shè)備可以包括沉積腔室。在沉積腔室內(nèi)，可以布置若干濺射隔室275。在卷材涂覆設(shè)備的操作期間，待沉積的材料(即，沉積材料) 從可旋轉(zhuǎn)濺射裝置100和/或從平坦濺射裝置320釋放。粒子從濺射裝置被濺射出，并且沉積在卷材或箔上。

在沉積腔室中，可以圍繞涂覆滾筒220布置若干濺射隔室275。濺射隔室可以通過隔室壁270彼此分離。在隔室內(nèi)，可以提供離散的氣氛。離散的氣氛可以用于不同的沉積工藝。為了在基板上沉積層的堆疊，引導(dǎo)待涂覆的基板經(jīng)過不同的隔室。不同的隔室可以設(shè)有最適用于將在相應(yīng)的隔室中執(zhí)行的沉積工藝的濺射裝置。

然而，在圖4的卷材涂覆設(shè)備300的沉積腔室中提供的濺射隔室具有有限的尺寸。不同濺射隔室基本上可以具有類似的尺寸。沉積腔室中的濺射隔室的數(shù)目是有限的。為了提供在層序列方面具有最優(yōu)靈活性的卷材涂覆設(shè)備，可有益地使用具有多種尺度的濺射裝置，使得每一個(gè)隔室可以設(shè)有每種類型的濺射裝置。此類濺射裝置可以是例如單個(gè)平坦濺射裝置、具有平坦靶材的雙濺射裝置、可旋轉(zhuǎn)濺射裝置和/或雙可旋轉(zhuǎn)濺射裝置。

由孔隙250限定的涂覆窗可以具有200mm或更高(例如，250mm或更低)的尺寸，具體地，具有在約210mm與約240mm之間的尺寸，更具體地，具有在約220mm與約230mm之間的尺寸。例如，由孔隙250限定的涂覆窗可以具有約215mm的尺寸。在上文描述的卷材涂覆設(shè)備中，由215mm的涂覆窗提供的收集效率(即到達(dá)基板的所釋放材料的百分比)約為49％。將涂覆窗加寬到約240mm的尺寸可以將沉積效率提高到53％。

根據(jù)一些實(shí)施例，上文描述的濺射裝置可以用于在卷材上沉積隔離材料。例如，濺射裝置可以提供靶材材料，諸如，硅、鈦、鋁。與氣體入口一起，可以例如通過反應(yīng)濺射工藝在基板上沉積材料，諸如，氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化鋁，等等。此外，如上文所描述的卷材涂覆設(shè)備可以用于反應(yīng)濺射工藝，諸如SiO2的反應(yīng)濺射。根據(jù)可與本文所描述的其他實(shí)施例相結(jié)合的一些實(shí)施例，卷材涂覆設(shè)備可以設(shè)有進(jìn)一步的設(shè)備，諸如，真空泵、用于工藝氣體(諸如，氧氣或氮?dú)?的氣體入口、加熱構(gòu)件、冷卻構(gòu)件、驅(qū)動(dòng)裝置，等等。

根據(jù)一些實(shí)施例，上文描述的卷材涂覆設(shè)備和布置可以在工藝中使用，其中以中頻(middle frequency；MF)(諸如，以在約10kHz至約100kHz之間的頻率范圍)操作兩個(gè)金屬濺射裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，卷材涂覆設(shè)備適用于將濺射裝置中的一個(gè)用作陽極以及將相應(yīng)的另一個(gè)用作陰極。大體上，調(diào)適沉積設(shè)備，使得濺射裝置作為陽極和陰極的操作可以交替。那意味著先前用作陽極的濺射裝置可以用作陰極，并且先前用作陰極的濺射裝置可以操作為陽極。

盡管前述內(nèi)容涉及本實(shí)用新型的實(shí)施例，但是也可設(shè)計(jì)本實(shí)用新型的其他和進(jìn)一步實(shí)施例而不背離本實(shí)用新型的基本范圍，并且本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求書來確定。