本發(fā)明涉及有機(jī)材料蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種加熱裝置。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有技術(shù)中對有機(jī)膜料進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜時(shí)，是通過電阻加熱裝置對有機(jī)膜料進(jìn)行加熱蒸發(fā)?，F(xiàn)有技術(shù)中在通過電阻加熱裝置進(jìn)行加熱時(shí)，有機(jī)膜料受熱不均勻，導(dǎo)致蒸發(fā)速率不穩(wěn)定，進(jìn)而導(dǎo)致鍍膜效果差，影響鍍膜質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種加熱裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)膜料受熱不均勻的問題。

根據(jù)本發(fā)明提供的一種加熱裝置，用于蒸發(fā)有機(jī)膜料，加熱裝置包括坩堝，坩堝用于盛放有機(jī)膜料；電磁加熱組件，具有感應(yīng)線圈，感應(yīng)線圈環(huán)繞在坩堝的軸向外側(cè)，電磁加熱組件用于對坩堝進(jìn)行加熱。

進(jìn)一步地，電磁加熱組件包括多個相互獨(dú)立的感應(yīng)線圈，多個感應(yīng)線圈沿坩堝的軸向方向依次設(shè)置在坩堝的外側(cè)。

進(jìn)一步地，電磁加熱組件包括線圈罩，線圈罩包裹感應(yīng)線圈，線圈罩設(shè)置在坩堝的外側(cè)。

進(jìn)一步地，加熱裝置還包括用于調(diào)節(jié)坩堝高度的高度調(diào)節(jié)組件，坩堝設(shè)置在高度調(diào)節(jié)組件上。

進(jìn)一步地，高度調(diào)節(jié)組件包括第一支撐架；第二支撐架，可上下活動地設(shè)置在第一支撐架上，坩堝設(shè)置在第二支撐架上，第二支撐架具有在第一支撐架上移動的移動狀態(tài)以及固定在第一支撐架上的固定狀態(tài)。

進(jìn)一步地，加熱裝置還包括架體，線圈罩以及第一支撐架均設(shè)置在架體上。

進(jìn)一步地，架體上設(shè)置有連接端子，感應(yīng)線圈的端部與連接端子連接。

進(jìn)一步地，加熱裝置還包括冷卻部，設(shè)置在架體上，冷卻部用于對電磁加熱組件進(jìn)行冷卻。

進(jìn)一步地，坩堝包括鍋體，用于盛放有機(jī)膜料；蓋體，蓋體可拆卸地設(shè)置在鍋體上，蓋體上設(shè)置有多個通孔。

進(jìn)一步地，坩堝內(nèi)放有金屬顆粒。

進(jìn)一步地，加熱裝置還包括掩板，設(shè)置在坩堝上，掩板用于遮蓋坩堝。

進(jìn)一步地，加熱裝置還包括測溫儀，測溫儀用于測量坩堝內(nèi)部的溫度。

應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，通過電磁加熱組件對坩堝進(jìn)行加熱，能夠?qū)﹄姶偶訜峤M件的加熱溫度進(jìn)行精確控制，并能夠?qū)釄暹M(jìn)行均勻加熱，進(jìn)而能夠使坩堝內(nèi)的有機(jī)膜料均勻蒸發(fā)，提高鍍膜質(zhì)量。

附圖說明

構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了圖1中坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的掩板蓋在坩堝上的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的掩板未蓋在坩堝上的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記：

10、坩堝；11、鍋體；12、蓋體；13、通孔；20、電磁加熱組件；21、感應(yīng)線圈；22、線圈罩；30、高度調(diào)節(jié)組件；31、第一支撐架；32、第二支撐架；40、架體；41、連接端子；51、冷卻管；60、掩板；70、測溫儀。

具體實(shí)施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例一為一種加熱裝置，用于蒸發(fā)有機(jī)膜料，加熱裝置包括坩堝10和電磁加熱組件20。其中，電磁加熱組件20具有感應(yīng)線圈21，感應(yīng)線圈21環(huán)繞設(shè)置在坩堝10的外側(cè)，在對有機(jī)膜料進(jìn)行加熱蒸發(fā)時(shí)，通過坩堝10盛放有機(jī)膜料，通過電磁加熱組件20對坩堝10進(jìn)行加熱，以達(dá)到蒸發(fā)有機(jī)膜料的目的。坩堝10可以選用敞口坩堝或帶有蓋體的坩堝進(jìn)行加熱。

應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，通過電磁加熱組件20對坩堝10進(jìn)行加熱，能夠?qū)﹄姶偶訜峤M件20的加熱溫度進(jìn)行精確控制，并能夠?qū)釄?0進(jìn)行均勻加熱，進(jìn)而能夠使坩堝10內(nèi)的有機(jī)膜料均勻蒸發(fā)，如此可提高鍍膜質(zhì)量。

具體地，在鍍膜過程中，將加熱裝置處于高真空環(huán)境下，具有導(dǎo)電性能的有機(jī)膜料盛放在坩堝10內(nèi)，將坩堝10放在螺旋感應(yīng)線圈21的中央，在感應(yīng)線圈21上通入高頻的感應(yīng)電流，導(dǎo)電有機(jī)膜料在高頻電磁場的感應(yīng)下產(chǎn)生渦流電流，使得有機(jī)膜料迅速升溫并蒸發(fā)。并且，由于有機(jī)膜料整體都處于高頻電磁場的環(huán)境下，使得有機(jī)膜料能夠整體升溫，膜料溫度均勻進(jìn)而使膜料能夠均勻、穩(wěn)定地蒸發(fā)。

具體地，該電磁加熱組件20還包括線圈罩22，利用線圈罩22將感應(yīng)線圈21包裹在里面，以對感應(yīng)線圈進(jìn)行固定和保護(hù)。包裹感應(yīng)線圈21的線圈罩22套設(shè)在坩堝10的外側(cè)，以對坩堝10進(jìn)行加熱。

在本實(shí)施例中，該加熱裝置還包括高度調(diào)節(jié)組件30。其中，坩堝10高度可調(diào)地設(shè)置在高度調(diào)節(jié)組件30上，如此可調(diào)節(jié)坩堝10在感應(yīng)線圈21內(nèi)的位置，使坩堝10內(nèi)的有機(jī)膜料整體處于感應(yīng)線圈產(chǎn)生的電磁場內(nèi)。

具體地，該高度調(diào)節(jié)組件30包括第一支撐架31和第二支撐架32。其中，第二支撐架32可上下活動地設(shè)置在第一支撐架31上，坩堝10設(shè)置在第二支撐架32上。通過調(diào)節(jié)第二支撐架32在第一支撐架31上的位置高度，即可調(diào)節(jié)坩堝10在感應(yīng)線圈21內(nèi)的位置高度。當(dāng)需要調(diào)節(jié)坩堝10時(shí)，先解除第二支撐架32與第一支撐架31之間的固定狀態(tài)，以使第二支撐架32能夠隨意移動，當(dāng)調(diào)節(jié)至所需位置后，再將第二支撐架32固定在第一支撐架31上。

其中，在本實(shí)施例中，該加熱裝置還包括架體40，線圈罩22以及第一支撐架31均設(shè)置在架體40上，以對其進(jìn)行支撐?？蛇x地，將線圈罩22以及第一支撐架31固定設(shè)置在架體40上，如此便于工作人員進(jìn)行操作，并能夠提高裝置的穩(wěn)定性。

具體地，為了便于對感應(yīng)線圈21通電，在架體40上設(shè)置有連接端子41，并將感應(yīng)線圈21的端部與連接端子41連接。在對坩堝10進(jìn)行加熱時(shí)，電源與連接端子41連接，并向連接端子41通電即可。

由于通過感應(yīng)線圈21對坩堝10加熱會產(chǎn)生大量的熱，為了避免裝置溫度過高，該加熱裝置還包括冷卻部。其中，冷卻部設(shè)置在架體40上，冷卻部用于對電磁加熱組件20進(jìn)行冷卻。

可選地，該冷卻部包括冷卻管51，冷卻管51的一端與線圈罩22連通，冷卻管51的另一端固定設(shè)置在架體40上。通過向線圈罩22內(nèi)通入冷卻介質(zhì)，以避免電磁加熱組件20在加熱過程中由于溫度過高而造成損壞，如此可延長裝置的使用壽命。

如圖2所示，在本實(shí)施例中，該坩堝10為殼體結(jié)構(gòu)，且該殼體結(jié)構(gòu)的上端設(shè)置有多個通孔13，以使有機(jī)膜料蒸發(fā)的蒸發(fā)束流從多個通孔13中流出。其中，坩堝10可以為一體結(jié)構(gòu)，也可以是可拆裝的結(jié)構(gòu)，只要能滿足盛放有機(jī)膜料，并使有機(jī)膜料蒸發(fā)的蒸發(fā)束流從通孔13內(nèi)流出即可。通過設(shè)置多個通孔13，可以控制蒸發(fā)束流的流速和密度，并能通過通孔13控制蒸發(fā)束流的流動方向。具體地，可通過調(diào)節(jié)通孔13的數(shù)量、孔徑大小、以及通孔13的排布方式來對蒸發(fā)束流進(jìn)行控制，從而能夠按照鍍膜要求控制蒸發(fā)束流，以獲取所需的膜層。

具體地，該坩堝10為圓柱體，如此可便于對有機(jī)膜料進(jìn)行加熱，使有機(jī)膜料加熱更加均勻。

可選地，該坩堝10為可拆分結(jié)構(gòu)，以便于有機(jī)膜料的添加，具體地，該坩堝10包括鍋體11和蓋體12。其中，蓋體12可拆卸地設(shè)置在鍋體11上，且蓋體12上設(shè)置有多個通孔13。蓋體12蓋在鍋體11上時(shí)，坩堝10整體形成圓柱體結(jié)構(gòu)。

采用高頻電磁場進(jìn)行加熱，由于有機(jī)膜料可能不導(dǎo)電。因此，在坩堝10內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電金屬顆粒。可選地，該導(dǎo)電金屬顆粒具有高熔點(diǎn)且化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。將有機(jī)膜料加入坩堝10內(nèi)后，將有機(jī)膜料與導(dǎo)電金屬顆粒混合均勻。然后再施加高頻電流以產(chǎn)生高頻電磁場，有機(jī)膜料中的金屬顆粒在高頻電磁場感應(yīng)下會產(chǎn)生渦流電流，進(jìn)而能夠產(chǎn)生熱量，通過導(dǎo)電金屬顆粒作為熱源將熱量傳遞給有機(jī)膜料，以實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。并且，由于導(dǎo)電金屬顆粒具有良好的導(dǎo)熱性能，能夠在對有機(jī)膜料進(jìn)行加熱的同時(shí)實(shí)現(xiàn)快速傳熱，使有機(jī)膜料整體實(shí)現(xiàn)均勻、快速加熱。

如圖3和圖4所示，加熱裝置還包括掩板60，掩板60設(shè)置在坩堝10上，通過掩板60對坩堝10進(jìn)行遮蓋?？蛇x地，可將一個轉(zhuǎn)軸設(shè)置在電磁加熱組件20一側(cè)，將掩板60設(shè)置在轉(zhuǎn)軸上，掩板60可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在坩堝10的上方，通過轉(zhuǎn)動掩板60即可將掩板60蓋在坩堝10上或避開坩堝10。

在對有機(jī)膜料進(jìn)行加熱時(shí)，膜料在預(yù)融期間，將掩板60遮蓋在坩堝10上，以避免在蒸發(fā)初期由于蒸發(fā)速率不穩(wěn)定導(dǎo)致膜層質(zhì)量差、表面雜質(zhì)沉積多的現(xiàn)象發(fā)生。當(dāng)有機(jī)膜料完全加熱后，再打開掩板60進(jìn)行鍍膜。可選地，掩板60上還設(shè)置有把手，以便于工作人員對掩板60進(jìn)行操作。

在本實(shí)施例中，該加熱裝置還包括測溫儀70，通過該測溫儀70實(shí)時(shí)檢測坩堝10內(nèi)部的溫度。可選地，該測溫儀70為紅外線測溫儀，可設(shè)置在坩堝10的外側(cè)，使用該紅外線測溫儀能夠在便于檢測的同時(shí)提高檢測精度。

如圖5所示，實(shí)施例二為另一種加熱裝置，實(shí)施例二與實(shí)施例一裝置的不同之處僅在于，該電磁加熱組件20包括多個相互獨(dú)立的感應(yīng)線圈21，多個感應(yīng)線圈21沿坩堝10的軸向方向依次設(shè)置在坩堝10的外側(cè)。通過單一整體的感應(yīng)線圈21對坩堝10進(jìn)行加熱時(shí)，很難達(dá)到坩堝10內(nèi)溫度的統(tǒng)一，通過單獨(dú)設(shè)置多個感應(yīng)線圈21，可分別控制各個感應(yīng)線圈21的電流大小，以使坩堝10內(nèi)各個部分的溫度保持一致。可選地，在本實(shí)施例中，設(shè)置有上、中、下三層感應(yīng)線圈21，以對坩堝10的上、中、下三部分分別進(jìn)行加熱。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。