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一種監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:10101015閱讀:690來源:國知局
一種監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體測試技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體器件尺寸的持續(xù)縮小,傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝遭遇到很多挑戰(zhàn)。同時,傳統(tǒng)中的一些可以接受的生產(chǎn)誤差在尺寸越來越小的情況下得到了惡化,該類誤差已經(jīng)開始影響半導(dǎo)體器件的良率。
[0003]目前28nm的產(chǎn)品正在北京廠建立BL的工藝條件,從現(xiàn)在已出的lot測試結(jié)果來看,依然面臨著嚴峻的挑戰(zhàn),28nm工藝還有許多需要改進的地方。其中主要影響產(chǎn)率的因素是上層通孔/偏移或通孔過大造成下層金屬之間的橋連(bridge)。由于橋連發(fā)生在下層金屬層之間,所以不能在線上實時的探測到。
[0004]目前為止,這一問題只能等所有制程全都完成,并且測試過之后,通過DFT的測試找到相應(yīng)的失效電路,F(xiàn)A進行逐層的分析才能解決。但是這樣會浪費FAB和FA大量的時間,成功率低,并且會直接影響28nm工藝的推進。
[0005]因此,急需設(shè)計出能夠?qū)崟r反映下層金屬層之間是否橋連的測試結(jié)構(gòu),以解決上述問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型的目的在于提供一種監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu),用于解決現(xiàn)有技術(shù)中無法實時探測到下層金屬層間發(fā)生橋連的問題。
[0007]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型提供一種監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu),所述測試結(jié)構(gòu)至少包括:
[0008]從內(nèi)向外依次包圍的至少兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu),其中一組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)接地,與該接地的下層金屬封閉結(jié)構(gòu)相鄰的一組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)定義為金屬接觸層;
[0009]至少兩組上層金屬結(jié)構(gòu),所有上層金屬結(jié)構(gòu)均與所述金屬接觸層通過通孔電連,所述上層金屬層處于電性懸空狀態(tài)。
[0010]作為本實用新型的一種優(yōu)化結(jié)構(gòu),所述測試結(jié)構(gòu)中包括兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)。
[0011]作為本實用新型的一種優(yōu)化結(jié)構(gòu),所述兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)構(gòu)成“回”字形狀,即所述下層金屬封閉結(jié)構(gòu)包括一“口 ”字形的內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)和一“ 口”字形外層金屬封閉結(jié)構(gòu)。
[0012]作為本實用新型的一種優(yōu)化結(jié)構(gòu),將所述內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)接地,則外層金屬封閉層為金屬接觸層,此時所述上層金屬結(jié)構(gòu)與外層金屬封閉結(jié)構(gòu)通過通孔電連。
[0013]作為本實用新型的一種優(yōu)化結(jié)構(gòu),將所述外層金屬封閉結(jié)構(gòu)接地,則內(nèi)層金屬封閉層為金屬接觸層,此時所述上層金屬結(jié)構(gòu)與內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)通過通孔電連。
[0014]作為本實用新型的一種優(yōu)化結(jié)構(gòu),所述測試結(jié)構(gòu)包括四組上層金屬結(jié)構(gòu),通過通孔分別與內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)或外層金屬封閉結(jié)構(gòu)的四條金屬邊電連。
[0015]作為本實用新型的一種優(yōu)化結(jié)構(gòu),所述下層封閉結(jié)構(gòu)之間的間距為15?50nm。
[0016]作為本實用新型的一種優(yōu)化結(jié)構(gòu),所述測試結(jié)構(gòu)還包括與所述下層金屬封閉結(jié)構(gòu)或上層金屬結(jié)構(gòu)位于同一層的虛擬金屬層,所述虛擬金屬層通過絕緣材料與所述下層金屬封閉結(jié)構(gòu)或上層金屬結(jié)構(gòu)隔離。
[0017]如上所述,本實用新型的監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu),所述測試結(jié)構(gòu)至少包括:從內(nèi)向外依次包圍的至少兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu),其中一組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)接地,與該接地的下層金屬封閉結(jié)構(gòu)相鄰的一組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)定義為金屬接觸層;至少兩組上層金屬結(jié)構(gòu),所有上層金屬結(jié)構(gòu)均與所述金屬接觸層通過通孔電連,所述上層金屬層處于電性懸空狀態(tài)。利用本實用新型的測試結(jié)構(gòu),可以快速有效地實時探測到缺陷的位置,縮短28nm工藝的周期時間,降低線上及線下的成本。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型測試結(jié)構(gòu)俯視圖。
[0019]圖2為本實用新型測試結(jié)構(gòu)的下層金屬封閉結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0020]圖3為本實用新型測試結(jié)構(gòu)的上層金屬結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)俯視圖。
[0021]圖4為本實用新型測試結(jié)構(gòu)中虛線部分的通孔偏移引起下層金屬封閉結(jié)構(gòu)間橋連的俯視圖。
[0022]圖5為沿圖1中AA’方向的剖視圖。
[0023]圖6為沿圖4中BB ’方向的剖視圖。
[0024]圖7為本實用新型測試結(jié)構(gòu)中虛線部分的通孔偏移引起下層金屬封閉結(jié)構(gòu)間橋連的另一俯視圖。
[0025]元件標號說明
[0026]1 下層金屬封閉結(jié)構(gòu)
[0027]11內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)
[0028]12外層金屬封閉結(jié)構(gòu)
[0029]2 上層金屬結(jié)構(gòu)
[0030]3 通孔
[0031]4 虛擬金屬層
【具體實施方式】
[0032]以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式,熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。
[0033]請參閱圖1至圖7。須知,本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀,并非用以限定本實用新型可實施的限定條件,故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下,均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本實用新型可實施的范圍,其相對關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0034]如圖1所示,本實用新型提供一種監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu),所述測試結(jié)構(gòu)至少包括:
[0035]從內(nèi)向外依次包圍的至少兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)1,其中一組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)接地,與該接地的下層金屬封閉結(jié)構(gòu)相鄰的一組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)定義為金屬接觸層;
[0036]至少兩組上層金屬結(jié)構(gòu)2,所有上層金屬結(jié)構(gòu)2均與所述金屬接觸層通過通孔電連,所述上層金屬層處于電性懸空狀態(tài)。
[0037]為了方便說明本實用新型的監(jiān)測下層金屬層間是否橋連的測試結(jié)構(gòu),本實施例以兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)為例進行說明。
[0038]如圖2所示為測試結(jié)構(gòu)中具有兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)1的情況。本實施例中,所述兩組下層金屬封閉結(jié)構(gòu)1構(gòu)成“回”字形狀,即所述下層金屬封閉結(jié)構(gòu)1包括一“ 口”字形的內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)11和一“口”字形外層金屬封閉結(jié)構(gòu)12。
[0039]需要說明的是,在其他實施例中,所述內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)11和外層金屬封閉結(jié)構(gòu)12也可以是其他形狀,例如三角形、圓形等等,在此不限。本實施例以口字形內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)1111和口字形外層金屬封閉結(jié)構(gòu)12為例進行說明。
[0040]所述內(nèi)層金屬封閉結(jié)構(gòu)11和外層金屬封閉結(jié)構(gòu)12之間的間距可以選擇在15?50nm
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