磨裝置進(jìn)行說明。圖1是本實(shí)施方式的磨削研磨裝置的立體圖。另外，在本實(shí)施方式中，不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)。磨削研磨裝置只要能夠?qū)瑢?shí)施磨削加工和研磨加工，就可以以任意方式構(gòu)成。
[0025]如圖1所示，磨削研磨裝置I是全自動(dòng)式加工裝置，構(gòu)成為對(duì)晶片W全自動(dòng)地實(shí)施包括搬入處理、粗磨削加工、最終磨削加工、研磨加工、清洗處理、搬出處理的一系列作業(yè)。晶片W形成為大致圓板狀，在收納于盒C的狀態(tài)下被搬入磨削研磨裝置I。另外，晶片W只要是作為磨削對(duì)象和研磨對(duì)象的板狀工件即可，可以是硅、砷化鎵等的半導(dǎo)體基板，也可以是陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石等的無(wú)機(jī)材料基板，還可以是半導(dǎo)體制品的封裝基板等。
[0026]在磨削研磨裝置I的基臺(tái)11的前側(cè)載置著收納有多個(gè)晶片W的一對(duì)盒C。在一對(duì)盒C的后方設(shè)置有使晶片W相對(duì)于盒C實(shí)現(xiàn)出入的盒機(jī)器人16。在盒機(jī)器人16的兩個(gè)斜后方設(shè)置有對(duì)加工前的晶片W進(jìn)行定位的定位機(jī)構(gòu)21、以及清洗加工完畢的晶片W的清洗機(jī)構(gòu)26。在定位機(jī)構(gòu)21與清洗機(jī)構(gòu)26之間設(shè)置有將加工前的晶片W搬入卡盤工作臺(tái)42的搬入單元31、以及從卡盤工作臺(tái)42搬出加工完畢的晶片W的搬出單元36。
[0027]盒機(jī)器人16構(gòu)成為在由多節(jié)連桿構(gòu)成的機(jī)械臂17的前端設(shè)置機(jī)械手部18。借助盒機(jī)器人16，除了從盒C向定位機(jī)構(gòu)21輸送加工前的晶片W外，還從清洗機(jī)構(gòu)26向盒C輸送加工完畢的晶片W。定位機(jī)構(gòu)21構(gòu)成為在暫放臺(tái)22的周圍配置能夠相對(duì)于暫放臺(tái)22的中心進(jìn)退的多個(gè)定位銷23。在定位機(jī)構(gòu)21中，通過將多個(gè)定位銷23抵在載置于暫放臺(tái)22上的晶片W的外周緣上，從而將晶片W的中心位置定位于暫放臺(tái)22的中心。
[0028]搬入單元31構(gòu)成為在能夠在基臺(tái)11上回旋的搬入臂32的前端設(shè)置有搬入墊33。在搬入單元31中，通過搬入墊33將晶片W從暫放臺(tái)22拿起，并通過搬入臂32使搬入墊33回旋，從而將晶片W搬入到卡盤工作臺(tái)42。搬出單元36構(gòu)成為在能夠在基臺(tái)11上回旋的搬出臂37的前端設(shè)置有搬出墊38。在搬出單元36中，通過搬出墊38將晶片W從卡盤工作臺(tái)42拿起，并通過搬出臂37使搬出墊38回旋，從而將晶片W從卡盤工作臺(tái)42搬出。
[0029]清洗機(jī)構(gòu)26構(gòu)成為設(shè)置有朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)27噴射清洗水和干燥空氣的各種噴嘴(未圖示)。在清洗機(jī)構(gòu)26中，在保持晶片W的旋轉(zhuǎn)臺(tái)27下降至基臺(tái)11內(nèi)、在基臺(tái)11內(nèi)噴射清洗水而對(duì)晶片W進(jìn)行了旋轉(zhuǎn)清洗后，吹出干燥空氣使晶片W干燥。在搬入單元31和搬出單元36的后方設(shè)置有轉(zhuǎn)臺(tái)41，在轉(zhuǎn)臺(tái)41上沿周向等間隔地配置有4個(gè)卡盤工作臺(tái)42。在各卡盤工作臺(tái)42的上表面上形成有對(duì)晶片W的下表面進(jìn)行保持的保持面43。并且，各卡盤工作臺(tái)42構(gòu)成為能夠通過設(shè)置于基臺(tái)11的旋轉(zhuǎn)單元98 (參照?qǐng)D3)而旋轉(zhuǎn)。
[0030]轉(zhuǎn)臺(tái)41以90度間隔進(jìn)行間歇旋轉(zhuǎn)，從而晶片W依次被定位于能夠進(jìn)行搬入和搬出的搬入搬出位置、與粗磨削單元46對(duì)置的粗磨削位置、與最終磨削單元51對(duì)置的最終磨削位置、與研磨單元56對(duì)置的研磨位置處。在粗磨削位置處，通過粗磨削單元46將晶片W粗磨削至規(guī)定的厚度。在最終磨削位置處，通過最終磨削單元51將晶片W最終磨削至最終厚度。在研磨位置處，通過研磨單元56研磨晶片W。在轉(zhuǎn)臺(tái)41的周圍豎立設(shè)置有立柱12、
13、14。
[0031]在立柱12上設(shè)置有使粗磨削單元46上下移動(dòng)的移動(dòng)單元61。移動(dòng)單元61具有配置于立柱12的前表面且平行于Z軸方向的一對(duì)導(dǎo)軌62、以及以能夠滑動(dòng)的方式設(shè)置于一對(duì)導(dǎo)軌62的由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的Z軸工作臺(tái)63。在Z軸工作臺(tái)63的前表面通過外殼64而支承粗磨削單元46。在Z軸工作臺(tái)63的背面?zhèn)嚷莺嫌袧L珠絲杠65，滾珠絲杠65的一端連結(jié)有驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)66。通過驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)66對(duì)滾珠絲杠65進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，從而粗磨削單元46沿著導(dǎo)軌62在Z軸方向上移動(dòng)。
[0032]同樣地，在立柱13上設(shè)置有使最終磨削單元51上下移動(dòng)的移動(dòng)單元71。移動(dòng)單元71具有配置于立柱13的前表面且平行于Z軸方向的一對(duì)導(dǎo)軌72、以及以能夠滑動(dòng)的方式設(shè)置于一對(duì)導(dǎo)軌72的由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的Z軸工作臺(tái)73。在Z軸工作臺(tái)73的前表面通過外殼74而支承最終磨削單元51。在Z軸工作臺(tái)73的背面?zhèn)嚷莺嫌袧L珠絲杠75，滾珠絲杠75的一端連結(jié)有驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)76。通過驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)76對(duì)滾珠絲杠75進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，從而最終磨削單元51沿著導(dǎo)軌72在Z軸方向上移動(dòng)。
[0033]粗磨削單元46和最終磨削單元51構(gòu)成為在圓筒狀的主軸的下端設(shè)置安裝座47、52。在粗磨削單元46的安裝座47的下表面安裝有呈環(huán)狀配設(shè)了多個(gè)粗磨具48的粗磨削用的磨輪49。粗磨具48例如由使用金屬結(jié)合劑或樹脂結(jié)合劑等的結(jié)合劑固定金剛石磨粒而得到的金剛石磨具構(gòu)成。并且，在最終磨削單元51的安裝座52的下表面安裝有呈環(huán)狀配設(shè)了多個(gè)最終磨具53的磨輪54。最終磨具53由粒徑小于粗磨具48的磨粒形成。在粗磨削加工和最終磨削加工中將晶片W薄化至規(guī)定的厚度。
[0034]在立柱14上設(shè)置有將研磨單元56相對(duì)于晶片W定位于規(guī)定的研磨位置的移動(dòng)單元81。移動(dòng)單元81具有配置于立柱14的前表面且平行于Y軸方向的一對(duì)導(dǎo)軌82、以及以能夠滑動(dòng)的方式設(shè)置于一對(duì)導(dǎo)軌82的由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的Y軸工作臺(tái)83。并且，移動(dòng)單元81具有配置于Y軸工作臺(tái)83的前表面且平行于Z軸方向的一對(duì)導(dǎo)軌84、以及以能夠滑動(dòng)的方式設(shè)置于一對(duì)導(dǎo)軌84的由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的Z軸工作臺(tái)85。在Z軸工作臺(tái)85的前表面通過外殼86而支承研磨單元56。
[0035]在Y軸工作臺(tái)83、Z軸工作臺(tái)85的背面?zhèn)嚷莺嫌袧L珠絲杠(未圖示)，而在滾珠絲杠的一端連結(jié)有驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)87、88。通過驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)87、88對(duì)滾珠絲杠進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，從而研磨單元56沿著導(dǎo)軌82、84在Y軸方向和Z軸方向上移動(dòng)。研磨單元56構(gòu)成為在圓筒狀的主軸的下端設(shè)置安裝座57。在安裝座57的下表面安裝有由發(fā)泡材料和纖維質(zhì)等形成的研磨墊58。在研磨加工中，通過對(duì)晶片W的上表面略微進(jìn)行研磨，從而將在粗磨削加工和最終磨削加工中殘留于晶片W的磨削損傷去除。
[0036]在該情況下，在粗磨削加工和最終磨削加工后的晶片W的加工面上，作為磨削損傷描繪出圓弧狀的磨削痕跡。利用研磨加工對(duì)晶片W的加工面進(jìn)行研磨，但若磨削痕跡的高低差較大則有時(shí)會(huì)作為磨削痕跡(放射狀的起伏)SI殘留于晶片W(參照?qǐng)D2)。如果使操作員從裝置外通過目視來(lái)確認(rèn)該研磨不良，則對(duì)于操作員來(lái)說成為較大的負(fù)擔(dān)。因此，在本實(shí)施方式中，將用于對(duì)晶片W的加工面進(jìn)行檢查的晶片檢查裝置91設(shè)置于搬入搬出位置，對(duì)研磨加工后的晶片W的加工面進(jìn)行拍攝而檢查研磨不良。
[0037]此外，如圖2所示，在晶片W的加工面上，除了上述的磨削痕跡SI，還會(huì)產(chǎn)生劃痕、裂紋、微細(xì)的顆粒(以下，將其稱為“劃痕S2等”)的研磨不良，很難通過目視來(lái)檢查混雜有這些各種研磨不良的晶片W。此外，要想通過晶片檢查裝置91獲取晶片W的加工面的研磨不良必須使用分辨率較高的拍攝單元92(參照?qǐng)D1)。如果拍攝單元92的分辨率變高，則為了根據(jù)晶片W的整個(gè)面的拍攝數(shù)據(jù)制作圖像必須準(zhǔn)備大容量的存儲(chǔ)器，此外圖像制作所需要的處理時(shí)間變長(zhǎng)。另外，所謂拍攝數(shù)據(jù)表示用于制作圖像的原始數(shù)據(jù)，各數(shù)據(jù)與圖像的像素相關(guān)聯(lián)。
[0038]本申請(qǐng)的發(fā)明人著眼于用比較亮的像素值示出劃痕S2等、用比較暗的像素值示出磨削痕跡SI的思路而研究出本發(fā)明。本發(fā)明的要點(diǎn)在于，將包含在晶片W的整個(gè)面的拍攝數(shù)據(jù)中的一部分亮的數(shù)據(jù)成分和一部分暗的數(shù)據(jù)成分提取為特征點(diǎn)，制作僅提取了比較亮的特征的圖像和僅提取了比較暗的特征的圖像這2種圖像(參照?qǐng)D4的(b)、(c))。由此，能夠利用僅提取了比較亮的特征的圖像來(lái)檢查劃痕S2等，而利用僅提取了比較暗的特征的圖像來(lái)檢查磨削痕跡SI。此外，由于只要利用拍攝數(shù)據(jù)的一部分的數(shù)據(jù)成分