晶片檢查方法和晶片檢查裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及檢查晶片的研磨不良的晶片檢查方法和晶片檢查裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在磨削研磨裝置中，在對晶片進(jìn)行磨削加工之后進(jìn)行研磨加工，從而去除殘留于晶片的磨削損傷而提高抗彎強(qiáng)度(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。在專利文獻(xiàn)I中記載的磨削研磨裝置中設(shè)置有配設(shè)了多個卡盤工作臺的轉(zhuǎn)臺，在轉(zhuǎn)臺的周圍設(shè)置有磨削單元和研磨單元。并且，轉(zhuǎn)臺間歇性地進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而將卡盤工作臺上的晶片依次定位于磨削單元、研磨單元。因此，不必從卡盤工作臺取下晶片，就能夠連續(xù)地實(shí)施磨削加工和研磨加工。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開2005-153090號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]另外，在利用干式拋光等方式實(shí)施研磨加工的情況下，存在無法充分去除晶片的磨削加工時的磨削痕跡、因殘留在晶片的加工面上的磨削痕跡而產(chǎn)生放射狀的起伏的情況。作為晶片的研磨不良，除了磨削痕跡，還存在產(chǎn)生劃痕、裂紋、微細(xì)的顆粒等的情況。雖然操作員能夠目視確認(rèn)這些研磨不良，但由于大部分的晶片是正常的，且對晶片的加工面的磨削痕跡或劃痕等進(jìn)行目視確認(rèn)是很困難的，因此檢查本身很麻煩。
[0005]因此，也研究過利用光學(xué)系統(tǒng)拍攝晶片的加工面并根據(jù)拍攝圖像來檢查研磨不良的方案。然而，為了一次性地對12英寸晶片等大口徑晶片進(jìn)行檢查，必須根據(jù)大容量的拍攝數(shù)據(jù)制作拍攝圖像，需要大容量的存儲器，并且圖像處理的時間變長。并且，如果在晶片的加工面上混雜有磨削痕跡、劃痕、裂紋、微細(xì)的顆粒等研磨不良，則在加工面上研磨不良的存在彼此妨礙，難以根據(jù)拍攝圖像檢查研磨不良。
[0006]S卩，處理大容量的拍攝數(shù)據(jù)是很困難的，但憑借用于縮小數(shù)據(jù)容量的單純的數(shù)據(jù)間除無法提取研磨不良的特征。此外，混雜有由具有不同特征的磨削痕跡與裂紋構(gòu)成的研磨不良，憑借一次性拍攝(一次性測定)針對所有不良檢查不同的特征的研磨不良是很困難的。
[0007]本發(fā)明是鑒于這些點(diǎn)而完成的，其目的在于，提供一種晶片檢查方法和晶片檢查裝置，能夠短時間且高精度地檢查晶片的加工面的研磨不良。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的第I方面，提供一種晶片檢查方法，對磨削和研磨加工后的晶片的加工面進(jìn)行檢查，其特征在于，該晶片檢查方法具有如下的工序:拍攝工序，對保持在卡盤工作臺上的晶片的該加工面進(jìn)行拍攝；以及第I圖像制作工序，按照規(guī)定的區(qū)域?qū)τ稍撆臄z工序拍攝到的拍攝數(shù)據(jù)進(jìn)行劃分，在該規(guī)定的區(qū)域內(nèi)將像素值比周邊像素高的像素提取為特征點(diǎn)而制作第I圖像。
[0009]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，按照拍攝數(shù)據(jù)的規(guī)定的區(qū)域?qū)⑾袼刂当戎苓呄袼馗叩南袼靥崛樘卣鼽c(diǎn)而制作第I拍攝圖像。此時，用像素值比較高的像素表示劃痕、裂紋、微細(xì)的顆粒，用像素值比較低的像素表示磨削痕跡。由于利用拍攝數(shù)據(jù)的像素值較高的像素制作第I拍攝圖，因此在第I拍攝圖像中不會顯示磨削痕跡。由此，能夠利用去除了磨削痕跡的第I拍攝圖像高精度地檢查劃痕等的存在。并且，由于利用拍攝數(shù)據(jù)的一部分的數(shù)據(jù)制作第I圖像，因此能夠縮短圖像制作所需要的處理時間。另外，拍攝數(shù)據(jù)表示用于制作圖像的原始的數(shù)據(jù)。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第2方面，提供一種晶片檢查方法，對磨削和研磨加工后的晶片的加工面進(jìn)行檢查，其特征在于，該晶片檢查方法具有如下的工序:拍攝工序，對保持在卡盤工作臺上的晶片的該加工面進(jìn)行拍攝；以及第2圖像制作工序，按照規(guī)定的區(qū)域?qū)τ稍撆臄z工序拍攝到的拍攝數(shù)據(jù)進(jìn)行劃分，在該規(guī)定的區(qū)域內(nèi)將像素值比周邊像素低的像素提取為特征點(diǎn)而制作第2圖像。
[0011]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，按照拍攝數(shù)據(jù)的規(guī)定的區(qū)域?qū)⑾袼刂当戎苓呄袼氐偷南袼靥崛樘卣鼽c(diǎn)而制作第2拍攝圖像。此時，用像素值比較高的像素表示劃痕、裂紋、微細(xì)的顆粒，用像素值比較低的像素表示磨削痕跡。由于利用拍攝數(shù)據(jù)的像素值較低的像素制作第2拍攝圖像，因此在第2拍攝圖像中不會顯示劃痕等。由此，能夠利用去除了劃痕等的第2拍攝圖像高精度地檢查磨削痕跡的存在。并且，由于利用拍攝數(shù)據(jù)的一部分的數(shù)據(jù)制作第2圖像，因此能夠縮短圖像制作所需要的處理時間。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的第3方面，提供一種晶片檢查方法，對磨削和研磨加工后的晶片的加工面進(jìn)行檢查，其特征在于，該晶片檢查方法具有如下的工序:拍攝工序，對保持在卡盤工作臺上的晶片的該加工面進(jìn)行拍攝；第I圖像制作工序，按照規(guī)定的區(qū)域?qū)τ稍撆臄z工序拍攝到的拍攝數(shù)據(jù)進(jìn)行劃分，在該規(guī)定的區(qū)域內(nèi)將像素值比周邊像素高的像素提取為特征點(diǎn)而制作第I圖像；以及第2圖像制作工序，在該規(guī)定的區(qū)域內(nèi)將像素值比周邊像素低的像素提取為特征點(diǎn)而制作第2圖像。
[0013]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，按照拍攝數(shù)據(jù)的規(guī)定的區(qū)域?qū)⑾袼刂当戎苓呄袼馗叩南袼靥崛樘卣鼽c(diǎn)而制作第I拍攝圖像，按照拍攝數(shù)據(jù)的規(guī)定的區(qū)域?qū)⑾袼刂当戎苓呄袼氐偷南袼靥崛樘卣鼽c(diǎn)而制作第2拍攝圖像。如上所述，由于在第I拍攝圖像中不會顯示磨削痕跡，因此能夠高精度地檢查劃痕等的存在，由于在第2拍攝圖像中不會顯示劃痕等，因此能夠高精度地檢查磨削痕跡的存在。并且，由于利用拍攝數(shù)據(jù)的一部分的數(shù)據(jù)制作第1、第2圖像，因此能夠縮短圖像制作所需要的處理時間。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的第4方面，提供一種晶片檢查裝置，其對磨削和研磨后的晶片的加工面進(jìn)行檢查，其特征在于，該晶片檢查裝置具有:卡盤工作臺，其保持晶片；拍攝單元，其對保持在該卡盤工作臺上的晶片的該加工面進(jìn)行拍攝；第I圖像制作部，其按照規(guī)定的區(qū)域?qū)τ稍撆臄z單元拍攝到的拍攝數(shù)據(jù)進(jìn)行劃分，在該規(guī)定的區(qū)域內(nèi)將像素值比周邊像素高的像素提取為特征點(diǎn)而制作第I圖像；第2圖像制作部，其在該規(guī)定的區(qū)域內(nèi)將像素值比周邊像素低的像素提取為特征點(diǎn)而制作第2圖像；以及選擇部，其根據(jù)檢查對象對該第I圖像制作部與該第2圖像制作部進(jìn)行選擇。
[0015]優(yōu)選該拍攝單元由線傳感器構(gòu)成，該線傳感器在晶片的徑向上具有規(guī)定的長度的直線狀的拍攝范圍，該晶片檢查裝置還具有:旋轉(zhuǎn)單元，其使該卡盤工作臺與該拍攝單元相對地以晶片的中心為軸旋轉(zhuǎn)；以及水平移動單元，其使該卡盤工作臺與該拍攝單元相對地在晶片的徑向上移動，每當(dāng)借助該旋轉(zhuǎn)單元進(jìn)行旋轉(zhuǎn)并由該拍攝單元對360度進(jìn)行拍攝時，利用該水平移動單元使該拍攝單元在晶片的徑向上移動與該拍攝范圍的長度相應(yīng)的量，對該加工面的整個面進(jìn)行拍攝，使用由此得到的拍攝數(shù)據(jù)來檢查晶片的該加工面。
[0016]根據(jù)本發(fā)明，按照拍攝數(shù)據(jù)的規(guī)定的區(qū)域?qū)⑾袼刂当戎苓呄袼馗叩南袼?亮像素)、或者像素值比周邊像素低的像素(暗像素)提取為特征點(diǎn)，制作第1、第2拍攝圖像。由此，能夠根據(jù)第I拍攝圖像高精度地檢查劃痕等，能夠根據(jù)第2拍攝圖像高精度地檢查研磨不良，此外，由于利用從拍攝數(shù)據(jù)中提取出的一部分的像素制作圖像，因此能夠縮短圖像制作所需要的處理時間。即，由于能夠利用一次測定高精度地檢查至少2種不同特征的研磨不良并且提取各個檢查所需要的像素，因此能夠縮短處理時間。
【附圖說明】
[0017]圖1是本實(shí)施方式的磨削研磨裝置的立體圖。
[0018]圖2是示出本實(shí)施方式的晶片的加工面的狀態(tài)的圖。
[0019]圖3是本實(shí)施方式的晶片檢查裝置所進(jìn)行的拍攝工序的說明圖。
[0020]圖4是本實(shí)施方式的晶片檢查裝置所進(jìn)行的第1、第2圖像制作工序的說明圖。
[0021]圖5是示出本實(shí)施方式的第1、第2圖像的照片。
[0022]標(biāo)號說明
[0023]1:磨削研磨裝置；42:卡盤工作臺；91:晶片檢查裝置；92:拍攝單元；93:第I圖像制作部；94:第2圖像制作部；95:選擇部；98:旋轉(zhuǎn)單元；S1:磨削痕跡；S2:劃痕;W:晶片。
【具體實(shí)施方式】
[0024]參照附圖，對本實(shí)施方式的磨削研