一種大功率led支架及其封裝方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及LED燈技術領域，具體的說是涉及一種大功率LED支架及其封裝方法。
【背景技術】
[0002]LED封裝行業(yè)朝著可實現(xiàn)大規(guī)模生產，降低成本，設計靈活，尺寸更小，符合LED產品輕薄化、高集成、小體積的應用趨勢發(fā)展。
[0003]隨著LED芯片功率的增大，特別是固態(tài)照明技術的發(fā)展需求，對LED封裝的光學、熱學、電學和機械結構等提出了新的、更高的要求。為了有效的降低封裝熱阻，提高出光效率，必須采用全新的技術思路來進行封裝設計。
[0004]如圖1所示的現(xiàn)有技術中的LED封裝結構，常規(guī)大功率LED主要由支架17、LED芯片14、金線16、封裝膠13、透鏡11等組成；支架17由銅柱15、反射碗杯12、支架引腳、支架碗杯等組成；封裝時芯片安裝在反射杯內，金線需跨過反射杯來連接芯片和支架引腳，再通過封裝膠保護整個支架碗杯內芯片金線。封裝體尺寸大，不易實現(xiàn)大規(guī)模生產。

【發(fā)明內容】

[0005]針對現(xiàn)有技術中的不足，本發(fā)明要解決的技術問題在于提供了一種大功率LED支架及其封裝方法，該支架具有高導熱，具有反射被且體積小，封裝時有點膠和模壓兩種封裝方式，能夠實現(xiàn)輕薄小尺寸功率型封裝。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明通過以下方案來實現(xiàn):一種大功率LED支架，該支架包括銅板、基板，基板置于銅板上，兩者壓合連接在一起，在基板兩側設置有導孔，所述銅板和基板的電路通過導孔連接，所述LED芯片安裝在銅板上，其電極通過金線與基板上的電極連接，所述LED芯片、金線通過硅樹脂封裝，所述硅樹脂呈半圓，起到光學透鏡的作用，所述硅樹脂外部設置有玻璃透鏡。
[0007]進一步的，所述基板為BT樹脂基覆板。
[0008]進一步的，所述基板可以使用FR4覆銅板替代。
[0009]進一步的，所述銅板厚度為0.2mm，基板厚度為0.3mm，支架整體厚度為0.5mm。
[0010]進一步的，所述支架為350~450W/(m.K)導熱系數(shù)的支架。
[0011]—種大功率LED支架的封裝方法，該方法包括以下步驟:
I)、將銅板進行撈槽，形成一條條的槽溝，撈槽的目的是為了實現(xiàn)銅板的正負極，撈槽后使用有機樹脂對槽溝進行填滿，目的是將正負極實現(xiàn)電氣絕緣且粘合牢固；
2)、對基板撈出反射杯，并鉆出基板和銅板連接的導孔；
3)、將基板和銅板貼合，貼合后對導孔進行沉銅電鍍以實現(xiàn)電路連接；對銅板表面進行電鍍銀，以防止封裝時銅的氧化和增加反射提高封裝體的出光；
4)、封裝時先將LED芯片安裝在反射杯中心的銅板上，通過金線)實現(xiàn)LED芯片和基板上電極的電路連接；
5)、將步驟4)中的LED芯片上封裝出玻璃透鏡； 6 )、封裝完成后再對整塊支架進行切割，切割成單顆材料。
[0012]進一步的，所述金線的焊盤在基板上表面，基板焊盤位置再撈出兩個焊線位置，基板上不再需要設計焊盤電路和與銅板連接的導孔，金線直接與銅板鍵合。
[0013]相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明的有益效果如下:
1、實現(xiàn)輕薄小尺寸功率型封裝，銅板厚度0.2mm，基板厚度0.3mm，支架整體厚度
0.5mmο
[0014]2、支架可使用點膠和模壓兩種封裝方法。
[0015]3、支架具有高導熱率，導熱系數(shù)在350~400W/ (m.K)。
[0016]4、實現(xiàn)中大功率LED較小尺寸封裝，低成本。
[0017]5、本發(fā)明封裝體在應用時需要采用反貼，電路板需要開孔，才能使LED光散出去。
[0018]6、金線的焊盤在BT基板上表面，封裝時焊線需要金線的跨度較大，存在金線用量較大和線弧不夠穩(wěn)定的問題，故在基板焊盤位置再撈出兩個焊線位置，基板上不再需要設計焊盤等電路和與銅板連接的導孔，金線直接與銅板鍵合，線弧較低可以得到穩(wěn)定的線弧。
[0019]7.本發(fā)支架具有高導熱，具有反射被且體積小，封裝時點膠和模壓兩種封裝方式；可實現(xiàn)輕薄小尺寸功率型封裝。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0021 ] 圖1為傳統(tǒng)的LED燈封裝結構示意圖。
[0022]圖2為本發(fā)明大功率LED支架結構示意圖。
[0023]圖3為本發(fā)明大功率LED封裝結構示意圖。
[0024]圖4為本發(fā)明銅板撈槽結構示意圖。
[0025]圖5為本發(fā)明BT基板撈出反射杯結構示意圖。
[0026]圖6為本發(fā)明BT基板和銅板貼合結構示意圖。
[0027]圖7為本發(fā)明LED芯片電路連接示意圖。
[0028]圖8為本發(fā)明封裝出玻璃透鏡結構示意圖。
[0029]圖9為本發(fā)明封裝完成后再對整塊支架進行切割，切割成單顆材料示意圖。
[0030]圖10為本發(fā)明在基板焊盤位置再撈出兩個焊線位置示意圖。
[0031]圖11為本發(fā)明采用模壓方式模壓出透鏡膠體示意圖。
[0032]附圖中標記:銅板2、基板3、導孔4、LED芯片5、金線6、硅樹脂7。
【具體實施方式】
[0033]下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0034]請參照附圖2~3 —種大功率LED支架，該支架包括銅板2、基板3，基板3置于銅板2上，兩者壓合連接在一起，在基板3兩側設置有導孔4，所述銅板2和基板3的電路通過導孔4連接，所述LED芯片5安裝在銅板2上，其電極通過金線6與基板3上的電極連接，所述LED芯片5、金線6通過硅樹脂7封裝，所述硅樹脂7呈半圓，起到光學透鏡的作用，所述硅樹脂7外部設置有玻璃透鏡。所述基板3為BT樹脂基覆板，所述基板3可以使用FR4覆銅板替代，所述銅板2厚度為0.2mm，基板3厚度為0.3mm，支架整體厚度為0.5mm，所述支架為350~450W/(m.K)導熱系數(shù)的支架。
[0035]實施例1:
一種大功率LED支架的封裝方法，該方法包括以下步驟:
1、如圖4所示，將銅板2進行撈槽，形成一條條的槽溝2-1，撈槽的目的是為了實現(xiàn)銅板的正負極，撈槽后使用有機樹脂對槽溝2-1進行填滿，目的是將正負極實現(xiàn)電氣絕緣且粘合牢固；
2、如圖5所示，對基板3撈出反射杯3-1，并鉆出基板3和銅板2連接的導孔4;
3、如圖6所示，將基板3和銅板2貼合，貼合后對導孔4進行沉銅電鍍以實現(xiàn)電路連接；對銅板2表面進行電鍍銀，以防止封裝時銅的氧化和增加反射提高封裝體的出光；
4、如圖7所示，封裝時先將LED芯片5安裝在反射杯3-1中心的銅板上，通過金線6實現(xiàn)LED芯片5和基板3上電極的電路連接；
5、如圖8所示，將步驟4中的LED芯片5上封裝出玻璃透鏡5_4；
6、如圖9所示，封裝完成后再對整塊支架進行切割，切割成單顆材料。
[0036]如圖10所示，所述金線6的焊盤在基板3上表面，基板3焊盤位置再撈出兩個焊線位置，基板上不再需要設計焊盤電路和與銅板連接的導孔，金線6直接與銅板鍵合。
[0037]如圖11所示，本發(fā)明采用模壓方式模壓出透鏡膠體，可形成較好的出光效果，如使用點膠方式也可實現(xiàn)封裝。
[0038]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種大功率LED支架，其特征在于:該支架包括銅板(2)、基板(3)，基板(3)置于銅板(2)上，兩者壓合連接在一起，在基板(3)兩側設置有導孔(4)，所述銅板(2)和基板(3)的電路通過導孔(4)連接，所述LED芯片(5)安裝在銅板(2)上，其電極通過金線(6)與基板(3 )上的電極連接，所述LED芯片(5 )、金線(6 )通過硅樹脂(7 )封裝，所述硅樹脂(7 )呈半圓，起到光學透鏡的作用，所述硅樹脂(7 )外部設置有玻璃透鏡。2.根據權利要求1所述的一種大功率LED支架，其特征在于:所述基板(3)為BT樹脂基覆板。3.根據權利要求1所述的一種大功率LED支架，其特征在于:所述基板(3)可以使用FR4覆銅板替代。4.根據權利要求1所述的一種大功率LED支架，其特征在于:所述銅板(2)厚度為0.2mm，基板(3)厚度為0.3mm，支架整體厚度為0.5mm。5.根據權利要求1所述的一種大功率LED支架，其特征在于:所述支架為350~450W/(m.K)導熱系數(shù)的支架。6.一種以權利要求1所述的大功率LED支架的封裝方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: 1)、將銅板(2)進行撈槽，形成一條條的槽溝(2-1)，撈槽的目的是為了實現(xiàn)銅板的正負極，撈槽后使用有機樹脂對槽溝(2-1)進行填滿，目的是將正負極實現(xiàn)電氣絕緣且粘合牢固； 2)、對基板(3)撈出反射杯(3-1)，并鉆出基板(3)和銅板(2)連接的導孔(4); 3)、將基板(3)和銅板(2)貼合，貼合后對導孔(4)進行沉銅電鍍以實現(xiàn)電路連接；對銅板(2)表面進行電鍍銀，以防止封裝時銅的氧化和增加反射提高封裝體的出光； 4)、封裝時先將LED芯片(5)安裝在反射杯(3-1)中心的銅板上，通過金線(6)實現(xiàn)LED芯片(5)和基板(3)上電極的電路連接； 5)、將步驟4)中的LED芯片(5)上封裝出玻璃透鏡(5-4)； 6 )、封裝完成后再對整塊支架進行切割，切割成單顆材料。7.根據權利要求6所述的大功率LED支架的封裝方法，其特征在于:所述金線(6)的焊盤在基板(3)上表面，基板(3)焊盤位置再撈出兩個焊線位置，基板上不再需要設計焊盤電路和與銅板連接的導孔，金線(6)直接與銅板鍵合。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大功率LED支架及其封裝方法，該支架包括銅板、基板，基板置于銅板上，兩者壓合連接在一起，在基板兩側設置有導孔，所述銅板和基板的電路通過導孔連接，所述LED芯片安裝在銅板上，其電極通過金線與基板上的電極連接，所述LED芯片、金線通過硅樹脂封裝，所述硅樹脂呈半圓，起到光學透鏡的作用，所述硅樹脂外部設置有玻璃透鏡。該支架具有高導熱，具有反射被且體積小，封裝時有點膠和模壓兩種封裝方式，能夠實現(xiàn)輕薄小尺寸功率型封裝。
【IPC分類】H01L33/62, H01L33/56, H01L33/58, H01L33/48, H01L33/54
【公開號】CN105070813
【申請?zhí)枴緾N201510550409
【發(fā)明人】洪漢忠, 羅順安, 許長征
【申請人】宏齊光電子(深圳)有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年9月1日