一種實(shí)用的大功率led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體材料和封裝工藝的提高，LED的光通量和出光效率逐漸提高，從而使固體光源成為可能，已廣泛應(yīng)用于交通燈、汽車(chē)照明、廣告牌等特殊照明領(lǐng)域，并且逐漸向普通照明領(lǐng)域過(guò)渡，被公認(rèn)為有望取代白熾燈、熒光燈的第四代光源。不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ED光源提出更高要求，除了對(duì)LED出光效率、光色有不同的要求，而且對(duì)出光角度、光強(qiáng)分布有不同的要求。這不但需要上游芯片廠開(kāi)發(fā)新半導(dǎo)體材料，提高芯片制作工藝，設(shè)計(jì)出滿足要求的芯片，而且對(duì)下游封裝廠提出更高要求，設(shè)計(jì)出滿足一定光強(qiáng)分布的封裝結(jié)構(gòu)，提高LED外部的光利用率。LED封裝是指發(fā)光芯片的封裝，相比集成電路封裝有較大不同。LED的封裝不僅要求能夠保護(hù)燈芯，而且還要能夠透光。所以LED的封裝對(duì)封裝材料有特殊的要求。大功率LED封裝由于結(jié)構(gòu)和工藝復(fù)雜，并直接影響到LED的使用性能和壽命，一直是近年來(lái)的研究熱點(diǎn)，特別是大功率白光LED封裝更是研究熱點(diǎn)中的熱點(diǎn)。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，中國(guó)LED封裝產(chǎn)業(yè)已趨于成熟，近幾年LED封裝企業(yè)積極過(guò)會(huì)上市，在資本市場(chǎng)及下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的需求助力下，企業(yè)規(guī)模擴(kuò)張速度加快，產(chǎn)能高速增長(zhǎng)。但是仍然存在很多問(wèn)題，技術(shù)趕不上發(fā)達(dá)國(guó)家，創(chuàng)新不足，缺少適合大功率LED的產(chǎn)品，不利于產(chǎn)品的對(duì)外推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問(wèn)題而提供一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的:
一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，包括倒裝焊芯片、絕緣層、導(dǎo)電基層和光學(xué)透鏡，可軟焊底層上方設(shè)置有銅層，所述銅層上方設(shè)置有鉬層，所述鉬層上方設(shè)置有所述銅層，所述銅層上方一側(cè)設(shè)置有耐高溫玻璃，另一側(cè)設(shè)置有所述導(dǎo)電基層，所述耐高溫玻璃上方一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)線，另一側(cè)設(shè)置有所述倒裝焊芯片，所述導(dǎo)線上方設(shè)置有低溫玻璃陶瓷，所述倒裝焊芯片外部設(shè)置有所述光學(xué)透鏡，所述導(dǎo)電基層上方設(shè)置有所述絕緣層，所述絕緣層上方設(shè)置有所述導(dǎo)線，所述導(dǎo)線上方設(shè)置有焊點(diǎn)。
[0005]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述銅層與所述可軟焊底層連接，所述鉬層夾在上下兩個(gè)所述銅層之間。
[0006]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述耐高溫玻璃與所述銅層連接，所述導(dǎo)電基層與所述銅層連接。
[0007]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述導(dǎo)線與所述耐高溫玻璃連接，所述低溫玻璃陶瓷與所述導(dǎo)線連接。
[0008]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述絕緣層與所述導(dǎo)電基層連接，所述導(dǎo)線與所述絕緣層連接，所述焊點(diǎn)與所述導(dǎo)線連接。
[0009]本發(fā)明的有益效果在于:散熱性能好，降低芯片結(jié)溫，提高LED性能；提高出光效率，優(yōu)化光束分布；具有較強(qiáng)的可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明所述一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0011]圖中:1、低溫玻璃陶瓷；2、耐高溫玻璃；3、銅層；4、倒裝焊芯片；5、可軟焊底層；6、鉬層；7、導(dǎo)電基層；8、絕緣層；9、導(dǎo)線；10、焊點(diǎn)；11、光學(xué)透鏡。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明:
如圖1所示，一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，包括倒裝焊芯片4、絕緣層8、導(dǎo)電基層7和光學(xué)透鏡11，可軟焊底層5上方設(shè)置有銅層3，銅層3上方設(shè)置有鉬層6，鉬層6用于吸收芯片產(chǎn)生的熱量，鉬層6上方設(shè)置有銅層3，銅層3上方一側(cè)設(shè)置有耐高溫玻璃2，耐高溫玻璃2可以承受LED工作時(shí)產(chǎn)生的高溫，另一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)電基層7，導(dǎo)電基層7用于導(dǎo)電，耐高溫玻璃2上方一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)線9，導(dǎo)線9用于導(dǎo)電，另一側(cè)設(shè)置有倒裝焊芯片4，倒裝焊芯片4既是一種芯片互連技術(shù)，又是一種理想的芯片粘接技術(shù)，導(dǎo)線9上方設(shè)置有低溫玻璃陶瓷I，倒裝焊芯片4外部設(shè)置有光學(xué)透鏡11，光學(xué)透鏡11可以把LED集成光源配光曲線變成需要的配光曲線，導(dǎo)電基層7上方設(shè)置有絕緣層8，絕緣層8是指發(fā)熱導(dǎo)線之間的絕緣材料層，主要用于隔離電線防止人們觸電受傷，絕緣層8上方設(shè)置有導(dǎo)線9，導(dǎo)線9上方設(shè)置有焊點(diǎn)10。
[0013]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，銅層3與可軟焊底層5連接，鉬層6夾在上下兩個(gè)銅層3之間，耐高溫玻璃2與銅層3連接，導(dǎo)電基層7與銅層3連接，導(dǎo)線9與耐高溫玻璃2連接，低溫玻璃陶瓷I與導(dǎo)線9連接，絕緣層8與導(dǎo)電基層7連接，導(dǎo)線9與絕緣層8連接，焊點(diǎn)10與導(dǎo)線9連接。
[0014]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括倒裝焊芯片(4)、絕緣層(8)、導(dǎo)電基層(7)和光學(xué)透鏡(11)，可軟焊底層(5)上方設(shè)置有銅層(3)，所述銅層(3)上方設(shè)置有鉬層(6 )，所述鉬層(6 )上方設(shè)置有所述銅層(3 )，所述銅層(3 )上方一側(cè)設(shè)置有耐高溫玻璃(2)，另一側(cè)設(shè)置有所述導(dǎo)電基層(7)，所述耐高溫玻璃(2)上方一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)線(9)，另一側(cè)設(shè)置有所述倒裝焊芯片(4)，所述導(dǎo)線(9)上方設(shè)置有低溫玻璃陶瓷(I )，所述倒裝焊芯片(4 )外部設(shè)置有所述光學(xué)透鏡(11)，所述導(dǎo)電基層(7 )上方設(shè)置有所述絕緣層(8 )，所述絕緣層(8 )上方設(shè)置有所述導(dǎo)線(9 )，所述導(dǎo)線(9 )上方設(shè)置有焊點(diǎn)(10 )。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述銅層(3)與所述可軟焊底層(5)連接，所述鉬層(6)夾在上下兩個(gè)所述銅層(3)之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述耐高溫玻璃(2 )與所述銅層(3 )連接，所述導(dǎo)電基層(7 )與所述銅層(3 )連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)線(9)與所述耐高溫玻璃(2)連接，所述低溫玻璃陶瓷(I)與所述導(dǎo)線(9)連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣層(8)與所述導(dǎo)電基層(7)連接，所述導(dǎo)線(9)與所述絕緣層(8)連接，所述焊點(diǎn)(10)與所述導(dǎo)線(9)連接。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種實(shí)用的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，包括倒裝焊芯片、絕緣層、導(dǎo)電基層和光學(xué)透鏡，可軟焊底層上方設(shè)置有銅層，所述銅層上方設(shè)置有鉬層，所述鉬層上方設(shè)置有所述銅層，所述銅層上方一側(cè)設(shè)置有耐高溫玻璃，另一側(cè)設(shè)置有所述導(dǎo)電基層，所述耐高溫玻璃上方一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)線，另一側(cè)設(shè)置有所述倒裝焊芯片，所述導(dǎo)線上方設(shè)置有低溫玻璃陶瓷，所述倒裝焊芯片外部設(shè)置有所述光學(xué)透鏡，所述導(dǎo)電基層上方設(shè)置有所述絕緣層，所述絕緣層上方設(shè)置有所述導(dǎo)線，所述導(dǎo)線上方設(shè)置有焊點(diǎn)。產(chǎn)品散熱性能好，降低芯片結(jié)溫，提高LED性能；提高出光效率，優(yōu)化光束分布；具有較強(qiáng)的可靠性。
【IPC分類(lèi)】H01L33/48, H01L33/62, H01L33/64, H01L33/52, H01L33/58
【公開(kāi)號(hào)】CN105047790
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510498407
【發(fā)明人】何蓓
【申請(qǐng)人】何蓓
【公開(kāi)日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年8月14日