本技術(shù)涉及集成電路制造，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在傳統(tǒng)的芯片封裝工藝中，在將芯片、元器件等結(jié)構(gòu)焊接或者粘貼在封裝基板的頂面上之后，通過從芯片的側(cè)面點膠的方式對所述芯片的底部進行填充，利用液體的毛細作用使得底部填充膠填入所述芯片與所述基板之間。之后，通過高溫固化工藝對所述底部填充膠進行固化，固化后的底部填充膠起到保護所述芯片與所述基板之間的導電連接件的作用，并對導電連接件和芯片進行固定和支撐。但是，在進行大尺寸或者導電連接件較為密集的芯片填充作業(yè)時，底部填充膠在流動過程中很容易包裹氣泡，從而導致固化后的所述底部填充膠中出現(xiàn)空洞，從而導致所述底部填充膠支撐性能的降低，影響封裝結(jié)構(gòu)整體的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

2、倒裝芯片在封裝過程中，會通過回流焊工藝將芯片與基板焊接在一起。當導電連接件的排布較為密集時，導電連接件會因為發(fā)生形變出現(xiàn)連錫或者開焊的問題，進而導致芯片焊墊橋接、分層等封裝性能異常問題。

3、因此，如何提高封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，同時減小導電連接件的形變，從而改善封裝結(jié)構(gòu)的性能，是當前亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型提供一種封裝結(jié)構(gòu)，用于提高底部填充膠的支撐性能，從而提高封裝結(jié)構(gòu)整體的穩(wěn)定性，同時減小導電連接件的形變，從而改善封裝結(jié)構(gòu)的性能。

2、根據(jù)一些實施例，本實用新型提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：

3、基板，所述基板內(nèi)具有溝槽；

4、支撐結(jié)構(gòu)，位于所述溝槽內(nèi)，所述支撐結(jié)構(gòu)包括絕緣支撐網(wǎng)體、填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的填充膠、以及貫穿所述絕緣支撐網(wǎng)體的通孔；

5、芯片，位于所述支撐結(jié)構(gòu)上，所述芯片朝向所述支撐結(jié)構(gòu)的一側(cè)具有位于所述通孔內(nèi)的導電連接件，所述導電連接件的一端與所述芯片電連接、另一端與所述基板電連接。

6、在一些實施例中，所述絕緣支撐網(wǎng)體的頂面與所述基板的頂面平齊。

7、在一些實施例中，所述絕緣支撐網(wǎng)體填充滿所述芯片與所述基板之間的間隙，且所述絕緣支撐網(wǎng)體在所述基板的頂面上的投影面積大于或等于所述芯片在所述基板的頂面上的投影面積。

8、在一些實施例中，所述絕緣支撐網(wǎng)體為剛性網(wǎng)體，且所述絕緣支撐網(wǎng)體中包括多個呈網(wǎng)格狀均勻分布的孔隙，所述填充膠均勻填充滿全部的所述孔隙。

9、在一些實施例中，所述芯片的底部具有多個間隔排布的所述導電連接件，所述支撐結(jié)構(gòu)中包括與多個所述導電連接件一一對應的多個所述通孔，且多個所述通孔通過所述填充膠相互隔離。

10、在一些實施例中，所述通孔的孔徑大于或者等于所述導電連接件的直徑。

11、在一些實施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)還包括填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的導熱粒子，且所述導熱粒子在所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)均勻分布。

12、在一些實施例中，所述導熱粒子包括碳納米管粒子和樹脂粒子中的任一種或者二者的組合。

13、在一些實施例中，還包括：

14、功能器件，位于所述基板上，且所述功能器件沿平行于所述基板的頂面的方向分布于所述芯片的至少一側(cè)；

15、阻擋結(jié)構(gòu)，位于所述基板上，且所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述基板的頂面上的投影位于所述功能器件在所述基板的頂面上的投影與所述支撐結(jié)構(gòu)之間。

16、在一些實施例中，所述阻擋結(jié)構(gòu)呈閉合環(huán)狀，且所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述基板的頂面上的投影環(huán)繞所述支撐結(jié)構(gòu)的外周分布。

17、本實用新型提供的封裝結(jié)構(gòu)，通過在基板和貼裝于基板上的芯片之間設置支撐結(jié)構(gòu)，且所述支撐結(jié)構(gòu)包括絕緣支撐網(wǎng)體、填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的填充膠、以及貫穿所述絕緣支撐網(wǎng)體的通孔，并將電連接所述芯片與所述基板的導電連接件置于所述通孔內(nèi)，所述絕緣支撐網(wǎng)體能夠有效提高所述支撐結(jié)構(gòu)的支撐性能，且所述絕緣支撐網(wǎng)體的支撐性能不受所述填充膠的狀態(tài)以及填充均勻性的影響，從而有效提高了所述封裝結(jié)構(gòu)整體的穩(wěn)定性。通過將所述填充膠填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)，能夠提高所述填充膠在所述芯片與所述基板之間分布的均勻性，并減少所述填充膠內(nèi)空洞的產(chǎn)生，從而進一步提高了所述支撐結(jié)構(gòu)的支撐性能。將電連接所述芯片與所述基板的導電連接件置于所述通孔內(nèi)，既能通過所述支撐結(jié)構(gòu)的支撐減小所述導電連接件的形變，又能通過所述通孔限制所述導電連接件的形變量，還能使得相鄰的所述導電連接件能夠通過所述絕緣支撐網(wǎng)體和所述填充膠隔離，從而避免相鄰導電連接件產(chǎn)生橋接等問題，從而降低了所述封裝結(jié)構(gòu)在制造和使用過程中出現(xiàn)封裝異常的概率。本實用新型在所述基板內(nèi)設置溝槽，并將所述支撐結(jié)構(gòu)填充于所述溝槽內(nèi)，形成埋入式的支撐結(jié)構(gòu)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)還能對所述基板進行支撐，從而提高了所述基板的穩(wěn)定性和支撐強度。

技術(shù)特征：

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣支撐網(wǎng)體的頂面與所述基板的頂面平齊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣支撐網(wǎng)體填充滿所述芯片與所述基板之間的間隙，且所述絕緣支撐網(wǎng)體在所述基板的頂面上的投影面積大于或等于所述芯片在所述基板的頂面上的投影面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣支撐網(wǎng)體為剛性網(wǎng)體，且所述絕緣支撐網(wǎng)體中包括多個呈網(wǎng)格狀均勻分布的孔隙，所述填充膠均勻填充滿全部的所述孔隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片的底部具有多個間隔排布的所述導電連接件，所述支撐結(jié)構(gòu)中包括與多個所述導電連接件一一對應的多個所述通孔，且多個所述通孔通過所述填充膠相互隔離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔的孔徑大于或者等于所述導電連接件的直徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)還包括填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的導熱粒子，且所述導熱粒子在所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)均勻分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導熱粒子包括碳納米管粒子和樹脂粒子中的任一種或者二者的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋結(jié)構(gòu)呈閉合環(huán)狀，且所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述基板的頂面上的投影環(huán)繞所述支撐結(jié)構(gòu)的外周分布。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。所述封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，所述基板內(nèi)具有溝槽；支撐結(jié)構(gòu)，位于所述溝槽內(nèi)，所述支撐結(jié)構(gòu)包括絕緣支撐網(wǎng)體、填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的填充膠、以及貫穿所述絕緣支撐網(wǎng)體的通孔；芯片，位于所述支撐結(jié)構(gòu)上，所述芯片朝向所述支撐結(jié)構(gòu)的一側(cè)具有位于所述通孔內(nèi)的導電連接件，所述導電連接件的一端與所述芯片電連接、另一端與所述基板電連接。本技術(shù)提供能夠有效提高支撐結(jié)構(gòu)的支撐性能，且降低了封裝結(jié)構(gòu)在制造和使用過程中出現(xiàn)封裝異常的概率。

技術(shù)研發(fā)人員：韓陽陽,王亞琴
受保護的技術(shù)使用者：長電科技管理有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2024/12/30