技術特征：

1.一種GaAs HBT器件結構，其特征在于，由下至上依次包括：

GaAs襯底、N-GaAs集電區(qū)層、N-InGaP集電區(qū)層、空間隔離層、P-GaAs基區(qū)層、N-InGaP發(fā)射區(qū)層、N-GaAs發(fā)射區(qū)層、N⁺-In_ZGa_1-ZAs帽層，由N-InGaP集電區(qū)層和P-GaAs基區(qū)層形成的第一異質結結構中間插入有空間隔離層，由P-GaAs基區(qū)層和N-InGaP發(fā)射區(qū)層形成第二異質結結構。

2.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述GaAs襯底具體采用Si、SiC、GaN、藍寶石、金剛石中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述N-GaAs集電區(qū)層的摻雜濃度為不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度為0.2μm～3μm。

4.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述N-InGaP集電區(qū)層的摻雜濃度為不小于1×10¹⁷cm^-3，厚度為10nm～500nm。

5.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述空間隔離層摻雜濃度為不大于5×10¹⁷cm^-3，厚度為1nm～10nm。

6.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述P-GaAs基區(qū)層的摻雜濃度為不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度為20nm～500nm。

7.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述N-InGaP發(fā)射區(qū)層摻雜濃度為不小于1×10¹⁷cm^-3，厚度為10nm～500nm。

8.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述N-GaAs發(fā)射區(qū)層的摻雜濃度為不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度為20nm～500nm。

9.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件結構，其特征在于，所述N⁺-In_ZGa_1-ZAs帽層中Z為0～1，摻雜濃度為不小于1×10¹⁸cm^-3，厚度為10～200nm。