技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種新型方形開闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，有一立方柱半導(dǎo)體基體，中央柱狀電極位于溝槽電極正中，溝槽電極為矩形框中空電極，溝槽電極刻蝕成結(jié)構(gòu)相同且結(jié)構(gòu)上互為互補(bǔ)的兩瓣；溝槽電極的一對(duì)平行邊正中有斜紋狀實(shí)體縫隙，所述新型方形開闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器頂面的溝槽電極和中央柱狀電極上覆蓋有電極接觸層，頂面未覆蓋電極接觸層的其他半導(dǎo)體基體表面覆蓋二氧化硅絕緣層，底面設(shè)置有二氧化硅襯底層；在溝槽電極間沒有刻蝕成電極從而剩下斜紋狀實(shí)體縫隙，新型方形開闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器在斜紋狀半導(dǎo)體基體的基礎(chǔ)上以溝槽電極頂點(diǎn)為圓心，斜紋狀實(shí)體縫隙的寬度為半徑做圓，圓弧外的半導(dǎo)體基質(zhì)刻蝕成電極，留下斜紋體半導(dǎo)體基體，提升探測(cè)器性能。

技術(shù)研發(fā)人員：李正;劉曼文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘潭大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.21
技術(shù)公布日：2017.09.29