本發(fā)明涉及在組件(模塊)間搬送基板的基板搬送裝置、基板搬送方法和存儲(chǔ)有用于執(zhí)行該基板搬送方法的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

例如半導(dǎo)體器件的制造工藝中，在裝置內(nèi)設(shè)置有多個(gè)對(duì)作為基板的晶片進(jìn)行處理的處理組件，通過(guò)在這些處理組件間利用基板搬送裝置依次搬送晶片，進(jìn)行規(guī)定的處理。上述基板搬送裝置具備保持晶片的保持部。

為了對(duì)晶片進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚?，要求高精度地將上述晶片交?移交)至組件的規(guī)定的位置。因此，討論利用檢測(cè)部(傳感器)對(duì)上述保持部中的晶片的周邊部的位置進(jìn)行檢測(cè)，并基于該檢測(cè)出的位置搬送晶片。例如在專利文獻(xiàn)1中記載有，基于上述檢測(cè)出的晶片的周邊部的位置，對(duì)組件的相互間的晶片的搬送量進(jìn)行校正，來(lái)消除在上述組件的晶片的位置偏移。另外，在專利文獻(xiàn)2中記載有如下控制，根據(jù)檢測(cè)出的周邊部的位置求出晶片的中心位置，基于該中心位置與預(yù)先確定的基準(zhǔn)位置的偏移量，使搬送臂部能夠?qū)⒕徇\(yùn)到搬送目標(biāo)位置。

但是，晶片不是正圓形，在其周邊部形成有用于對(duì)晶片進(jìn)行定位的切口(缺口)。上述檢測(cè)部的檢測(cè)范圍與該切口重疊的情況下，保持部中的晶片的位置不能夠正常檢測(cè)，所以需要適當(dāng)?shù)膶?duì)策。另外，還考慮有以下情況，由于某些問(wèn)題上述設(shè)置有多個(gè)的檢測(cè)部發(fā)生故障的情況下，停止裝置內(nèi)的處理中的晶片的搬送，工作者為了收回晶片而進(jìn)入裝置內(nèi)運(yùn)走晶片。但是，在那樣的情況下，在裝置內(nèi)晶片的處理被中斷，存在生產(chǎn)率大幅度降低的問(wèn)題。根據(jù)該問(wèn)題，要求在設(shè)置有多個(gè)的檢測(cè)部的一部分不能夠使用的情況下，也能夠高精度地檢測(cè)上述晶片的位置。在專利文獻(xiàn)1、2的各裝置中，對(duì)這些問(wèn)題沒(méi)有考慮，不能解決該問(wèn)題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平8－31905號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2006－351884號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明想要解決的課題

本發(fā)明是鑒于上述的課題而完成的，提供一種技術(shù)，通過(guò)該技術(shù)，在搬送周邊部設(shè)置有切口的圓形的基板時(shí)，即使分別對(duì)該基板的周邊部的位置進(jìn)行檢測(cè)的光源部和與該光源部成對(duì)的受光部的數(shù)量少，也能夠高精度地將基板搬送至組件。

用于解決課題的方法

本發(fā)明的基板搬送裝置，其特征在于：具備在橫方向上能夠自由移動(dòng)的基板保持部，用于從第一組件向第二組件搬送在周邊部設(shè)置有切口的圓形的基板，

上述基板搬送裝置具備：

傳感器部，其為了對(duì)由上述基板保持部保持的基板的周邊部的3個(gè)位置進(jìn)行檢測(cè)，具備對(duì)上述周邊部的相互不同的位置照射光的3個(gè)光源部和與各上述光源部成對(duì)的3個(gè)受光部；

用于使上述基板保持部相對(duì)上述傳感器部相對(duì)地移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部；和

為了控制上述基板保持部、驅(qū)動(dòng)部和傳感器部的各動(dòng)作而輸出控制信號(hào)的控制部，

上述控制部輸出控制信號(hào)以執(zhí)行以下步驟：

第一步驟，使保持有從上述第一組件接受到的基板的基板保持部，相對(duì)上述傳感器部位于預(yù)先設(shè)定的第一位置，檢測(cè)上述基板的周邊部的各位置；

第二步驟，使上述基板保持部相對(duì)傳感器部位于從該第一位置偏移的第二位置，檢測(cè)基板的周邊部的各位置；

第三步驟，當(dāng)將光源部的光照射區(qū)域位于上述基板的切口的狀態(tài)稱為異常狀態(tài)時(shí)，基于上述第一步驟和第二步驟的各檢測(cè)結(jié)果，導(dǎo)出以下a～d中任意一個(gè)結(jié)果，

a.在上述第一位置和第二位置中的任一個(gè)位置發(fā)生異常狀態(tài)，能夠確定該位置，

b.在上述第一位置和第二位置中的任一個(gè)位置都未發(fā)生異常狀態(tài)，

c.在上述第一位置和第二位置雙方發(fā)生異常狀態(tài)，

d.在上述第一位置和第二位置中的至少一個(gè)位置發(fā)生異常狀態(tài)，但不能夠確定該位置；和

第四步驟，在上述第三步驟的結(jié)果為a或b時(shí)，基于在上述第一位置或第二位置檢測(cè)出的周邊部的各位置，決定基板保持部相對(duì)第二組件的交接位置，另外，在上述結(jié)果為c或d時(shí)，為了向上述基板的離開切口的位置照射光，使上述基板保持部相對(duì)傳感器部移動(dòng)至與上述第一位置和第二位置不同的第三位置，檢測(cè)基板的周邊部的各位置，基于該各位置決定上述交接位置。

本發(fā)明的具體方式例如為下面的方式。

(a)上述傳感器部具備4對(duì)以上的上述光源部和受光部，當(dāng)該4對(duì)以上的光源部和受光部能夠使用時(shí)，利用這4對(duì)以上的光源部和受光部檢測(cè)基板的周邊部的各位置。

(b)上述控制部執(zhí)行包括以下步驟的第二模式，替代執(zhí)行包括上述第一步驟至第四步驟的第一模式：

使保持有從上述第一組件接受到的基板的基板保持部，相對(duì)傳感器部位于預(yù)先設(shè)定的第四位置，檢測(cè)上述基板的周邊部的各位置的位置檢測(cè)步驟；

基于在上述位置檢測(cè)步驟中檢測(cè)出的周邊部的各位置，判定是否發(fā)生上述異常狀態(tài)的異常狀態(tài)判定步驟；和

在上述異常狀態(tài)判定步驟中判定為未發(fā)生異常狀態(tài)的情況下，基于在上述第四位置檢測(cè)出的周邊部的各位置，決定基板保持部相對(duì)第二組件的交接位置，在判定為發(fā)生異常狀態(tài)的情況下，使基板保持部移動(dòng)至從上述第四位置偏移的第五位置，檢測(cè)上述基板的周邊部的各位置，基于在第四位置和第五位置檢測(cè)出的基板的周邊部的各位置，確定包括成為上述異常狀態(tài)的光源部和受光部的傳感器對(duì)，基于由上述傳感器對(duì)檢測(cè)出的周邊部的位置以外的各位置決定上述交接位置的步驟。

(c)在執(zhí)行上述第二模式時(shí)，上述控制部基于上述受光部的檢測(cè)結(jié)果，判定包括上述光源部和與該光源部成對(duì)的受光部的檢測(cè)部能否使用，在能夠使用的上述檢測(cè)部為3個(gè)時(shí)，執(zhí)行第一模式替代上述第二模式。

(d)在上述第二模式，成為異常狀態(tài)的檢測(cè)部的確定基于以下進(jìn)行：根據(jù)在上述第四位置和第五位置分別檢測(cè)到的基板的各周邊部的位置而計(jì)算的該基板的中心位置的位移量；和根據(jù)在第四位置和第五位置分別檢測(cè)出的基板的各周邊部的位置而計(jì)算的基板的直徑的大小。

(e)上述第三步驟中的判定基于以下進(jìn)行：根據(jù)在上述第一位置檢測(cè)出的基板的各周邊部的位置而計(jì)算的該基板的中心位置和直徑的大小；和根據(jù)在上述第二位置檢測(cè)出的基板的各周邊部的位置而計(jì)算的基板的中心位置和直徑的大小。

(f)上述第三步驟中的判定基于在上述第一位置檢測(cè)出的基板的中心位置與在上述第二位置檢測(cè)出的基板的中心位置的位移量進(jìn)行。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，使基板的位置相對(duì)于設(shè)置有3個(gè)的傳感器部錯(cuò)開，在各位置從構(gòu)成上述檢測(cè)部的光源部向受光部照射光，基于各受光量判定傳感器部的檢測(cè)范圍與基板的切口是否重疊，當(dāng)判定為在任一位置重疊時(shí)，進(jìn)一步使基板的位置相對(duì)于傳感器部錯(cuò)開，檢測(cè)基板的周邊部的位置。因此，能夠抑制必需的光源部和受光部的數(shù)量，并能夠高精度地將基板交接至組件。

附圖說(shuō)明

圖1是構(gòu)成本發(fā)明的基板搬送機(jī)構(gòu)的搬送臂和組件的立體圖。

圖2是上述搬送臂的立體圖。

圖3是上述搬送臂的平面圖。

圖4是上述搬送臂的側(cè)視圖。

圖5是表示上述搬送臂的檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果的一個(gè)例子的示意圖。

圖6是上述周邊位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)部的塊圖。

圖7是控制上述搬送臂的動(dòng)作的控制部的塊圖。

圖8是設(shè)置于上述控制部的存儲(chǔ)器的概念圖。

圖9是上述搬送臂的搬送的示意圖。

圖10是上述搬送臂的搬送的示意圖。

圖11是表示上述搬送臂的保持部與由該保持部保持的晶片的位置關(guān)系的平面圖。

圖12是表示基于檢測(cè)的周邊位置計(jì)算的晶片的各坐標(biāo)的平面圖。

圖13是表示上述晶片的各坐標(biāo)的平面圖。

圖14是表示上述晶片的各坐標(biāo)的平面圖。

圖15是表示上述晶片的各坐標(biāo)的平面圖。

圖16是表示晶片的中心坐標(biāo)變化的狀況的說(shuō)明圖。

圖17是上述搬送臂進(jìn)行的通常模式的流程圖。

圖18是表示暫時(shí)模式執(zhí)行時(shí)的保持部的動(dòng)作狀態(tài)的說(shuō)明圖。

圖19是表示暫時(shí)模式執(zhí)行時(shí)的保持部的動(dòng)作狀態(tài)的說(shuō)明圖。

圖20是表示暫時(shí)模式執(zhí)行時(shí)的保持部的動(dòng)作狀態(tài)的說(shuō)明圖。

圖21是表示暫時(shí)模式執(zhí)行時(shí)的保持部的動(dòng)作狀態(tài)的說(shuō)明圖。

圖22是表示暫時(shí)模式執(zhí)行時(shí)的保持部的動(dòng)作狀態(tài)的說(shuō)明圖。

圖23是上述搬送臂進(jìn)行的通常模式的流程圖。

圖24是表示上述搬送臂的檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果的一個(gè)例子的示意圖。

圖25是表示上述搬送臂的檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果的一個(gè)例子的示意圖。

圖26是具有上述搬送臂的涂布、顯影裝置的平面圖。

圖27是具有上述搬送臂的涂布、顯影裝置的立體圖。

圖28是具有上述搬送臂的涂布、顯影裝置的側(cè)視圖。

圖29是表示上述搬送臂的其它結(jié)構(gòu)和其它搬送方法的概略圖。

圖30是表示上述搬送臂的其它結(jié)構(gòu)和其它搬送方法的概略圖。

圖31是表示上述搬送臂的其它結(jié)構(gòu)和其它搬送方法的概略圖。

附圖標(biāo)記的說(shuō)明

n缺口

w晶片

3a、3b叉

30搬送臂

31基臺(tái)

40基板周邊位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)

4檢測(cè)部

41光源部

42受光部

5控制部

56通常模式執(zhí)行程序

57暫時(shí)模式執(zhí)行程序。

具體實(shí)施方式

圖1表示作為基板搬送裝置的搬送臂30、和由搬送臂30被交接作為圓形的基板的晶片w的組件組的立體圖。在晶片w的周邊部設(shè)置有作為切口的缺口n。圖中11是容納對(duì)晶片w涂布抗蝕劑的組件cot的殼體，經(jīng)由搬送口12向上述組件cot交接晶片w，進(jìn)行上述抗蝕劑涂布處理。殼體11面向上述搬送臂30移動(dòng)的晶片w搬送路20，以?shī)A著該搬送路20與殼體11相對(duì)的方式設(shè)置有多個(gè)加熱組件21。加熱組件21具備載置涂布有上述抗蝕劑的晶片w的熱板，對(duì)晶片w進(jìn)行加熱處理。圖中22是加熱組件21的晶片w的搬送口。

搬送臂30從上游側(cè)的組件(圖1中省略)將晶片w搬送至抗蝕劑涂布組件后，再搬送至加熱組件21，對(duì)晶片w進(jìn)行一系列的處理。搬送臂30具備作為晶片w的保持部的叉3(3a、3b)、基臺(tái)31、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32、升降臺(tái)34和基板周邊位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)40。

2個(gè)叉3a、3b以相互上下重疊的方式經(jīng)由支撐部33a、33b被分別支撐在基臺(tái)31上，相互獨(dú)立地在基臺(tái)31上進(jìn)退?；_(tái)31設(shè)置為通過(guò)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32在上述升降臺(tái)34上圍繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)。升降臺(tái)34設(shè)置為被在上下方向上延伸的框架35包圍，在上下方向(圖1中z方向)上升降。在框架35的內(nèi)部設(shè)置有用于使升降臺(tái)34升降的升降機(jī)構(gòu)。在設(shè)置于加熱組件21的下方的殼體36，設(shè)置有在橫向(圖1中y方向)上直線狀地延伸的y軸引導(dǎo)件，框架35與該引導(dǎo)件連接。而且，框架35構(gòu)成為在y方向上移動(dòng)。通過(guò)這樣構(gòu)成，上述叉3a、3b構(gòu)成為在z方向、y方向和與這些z、y方向正交的x方向上能夠自由移動(dòng)且圍繞鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)，能夠訪問(wèn)上述的各組件并交接晶片w。

對(duì)于搬送臂30的基臺(tái)(移動(dòng)基體)31和叉3a、3b，參照作為其立體圖、平面圖、側(cè)視圖的圖2、圖3、圖4進(jìn)一步進(jìn)行說(shuō)明。叉3a、3b相互同樣地構(gòu)成，所以作為代表對(duì)3a進(jìn)行說(shuō)明。叉3a形成為平板的圓弧狀，如圖3所示包圍要搬送的晶片w的周圍。該叉3a的內(nèi)周形成為比晶片w的外周稍微大，使得在組件內(nèi)外的搬送時(shí)晶片w的位置稍微偏移也能夠進(jìn)行搬送。

另外，在叉3a的內(nèi)周下側(cè)形成有載置晶片w的背面周邊部的4個(gè)保持爪37，該4個(gè)保持爪37相互隔著間隔，且向叉3a的內(nèi)側(cè)突出。在保持爪37分別設(shè)置有真空吸附口38。當(dāng)保持爪37載置晶片w的背面周邊部時(shí)，真空吸附口38對(duì)該周邊部進(jìn)行真空吸附，將晶片w保持于該保持爪37。真空吸附口38與設(shè)置于叉3a的配管39連接。通過(guò)這樣進(jìn)行真空吸附，能夠?qū)瑆的周邊部的水平位置進(jìn)行定位。圖中33a是將叉3a支撐于基臺(tái)31的支撐部。

如上所述，叉3在基臺(tái)31上進(jìn)退，但通常位于基臺(tái)31的后退位置，在將晶片w交接至組件時(shí)，從后退位置向前進(jìn)的交接位置移動(dòng)。圖3、圖4表示叉3a、3b分別移動(dòng)到后退位置、交接位置的狀態(tài)。搬送臂30利用一個(gè)叉從組件接受晶片w，用另一個(gè)叉向組件交接晶片w。即，搬送臂30以替換在與組件之間保持的晶片w的方式動(dòng)作。

接著，對(duì)基板周邊位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)40進(jìn)行說(shuō)明。作為傳感器部的基板周邊位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)40具備4個(gè)檢測(cè)部4(4a～4d)，當(dāng)叉3a或3b在保持有晶片w的狀態(tài)下位于基臺(tái)31的后退位置(基準(zhǔn)位置)時(shí)，對(duì)上述晶片w的周邊部的位置分別進(jìn)行檢測(cè)。各檢測(cè)部4沿著上述晶片w的周邊部相互隔著間隔地設(shè)置，以能夠檢測(cè)晶片w的相互不同的4個(gè)周邊位置。

檢測(cè)部4a～4d包括4個(gè)光源部41(41a～41d)和與各光源部41成對(duì)的4個(gè)受光部42(42a～42d)。上述光源部41(41a～41d)例如具備led(lightemittingdiode：發(fā)光二極管)，設(shè)置在上述基臺(tái)31上，例如配置于上述后退位置的叉3a、3b的下方側(cè)。另外，光源部41具備未圖示的透鏡，上述led的光經(jīng)由該透鏡以圖4中箭頭所示的方式對(duì)垂直上方照射。另外，光源部41的光的照射區(qū)域，俯視時(shí)，從后退位置的叉3的晶片w的外側(cè)朝向中心部一側(cè)形成為直線狀。

受光部42是多個(gè)受光元件直線狀地排列而構(gòu)成的線性圖像傳感器(lis)。上述受光元件含有例如ccd(chargecoupleddevice：電荷藕合器件)。而且，受光部42經(jīng)由支撐部件43設(shè)置于基臺(tái)31上，配置于上述叉3a、3b的上方側(cè)。即，相互成對(duì)的光源部41和受光部42設(shè)置為從上下夾著上述后退位置的叉3a、3b所保持的晶片w。而且，受光部42的各受光元件以能夠接受光源部41的光的方式從上述晶片w的外側(cè)朝向中心部一側(cè)排列。

當(dāng)叉3保持晶片w，停止于上述后退位置和后述的比后退位置稍微前進(jìn)的位置時(shí)，由上述各光源部41從下方向上方發(fā)出光。由設(shè)置于叉3a的上方的受光部42接受發(fā)出的光。此時(shí)，基于作為受光部42的各像素的ccd的檢測(cè)值，后述的控制部能夠決定受光的像素與不受光的像素的邊界的位置。而且，用以xy平面的規(guī)定的位置為原點(diǎn)的坐標(biāo)表示決定出的邊界的位置，如后所述，能夠進(jìn)行用于算出晶片w的中心位置和半徑的計(jì)算。上述xy平面的y方向?yàn)榛_(tái)31的移動(dòng)方向，x方向與上述y方向正交，為叉3移動(dòng)的方向。

為了具體表示由受光部42識(shí)別上述邊界的位置、即晶片w的周邊部的位置的狀況，使用圖5進(jìn)行說(shuō)明。圖5是示意地表示晶片w和叉3的位置、與上述受光部(線性圖像傳感器)42中的與各受光元件對(duì)應(yīng)的像素的受光量的關(guān)系的圖，將不接受由光源部41發(fā)出的光的像素的檢測(cè)值(以下稱為“受光量”。)設(shè)為第一值n1，接受由光源部41發(fā)出的光的像素的受光量為第二值n2。此時(shí)，能夠?qū)⒕瑆的周邊部的位置作為各像素的受光量在第一值n1與第二值n2之間變化的位置e進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)將受光量作為8比特的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理時(shí)，使第一值n1例如為0，使第二值n2例如為255以下的規(guī)定的值。圖5中，從晶片w的內(nèi)側(cè)對(duì)像素標(biāo)記號(hào)碼，當(dāng)在基臺(tái)31上后退的叉3位于基準(zhǔn)位置(后退位置)時(shí)，將由光源部41發(fā)出的光被叉3遮蔽的受光元件的像素號(hào)碼設(shè)為900。這樣，受光部42構(gòu)成為對(duì)沿該受光部42的伸長(zhǎng)方向的晶片w的周邊部的位置進(jìn)行檢測(cè)的ccd線傳感器。

對(duì)檢測(cè)部4的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步進(jìn)行說(shuō)明。如圖6所示，檢測(cè)部4除了光源部41、受光部42之外還具有ccd線傳感器控制部44、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(dac)45、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(adc)46。ccd線傳感器控制部44基于來(lái)自未圖示的時(shí)鐘的時(shí)鐘信號(hào)，錯(cuò)開作為受光部42的ccd線傳感器的各受光元件(ccd元件)的動(dòng)作定時(shí)，作為用于使電荷移動(dòng)的定時(shí)發(fā)電機(jī)，對(duì)光源部41進(jìn)行電流控制。dac45為了將來(lái)自ccd線傳感器控制部44的數(shù)字控制信號(hào)輸入光源部41，而進(jìn)行模擬轉(zhuǎn)換。adc46為了將作為來(lái)自受光部42的檢測(cè)信號(hào)的模擬輸出信號(hào)向后述的控制部5輸出，而進(jìn)行數(shù)字轉(zhuǎn)換。

根據(jù)以上的結(jié)構(gòu)，來(lái)自ccd線傳感器控制部44的控制信號(hào)被dac45模擬轉(zhuǎn)換，被輸入光源部41。由此，光源部41的led發(fā)光。接受來(lái)自光源部41的輸出光的受光部42，基于來(lái)自ccd線傳感器控制部44的控制信號(hào)的定時(shí)，通過(guò)使電荷在受光部42內(nèi)移動(dòng)，輸出與各像素的受光量匹配的信號(hào)。該信號(hào)(檢測(cè)值)經(jīng)由adc46輸入控制部5。

搬送臂30具備包括機(jī)算機(jī)的控制部5，由該控制部5控制各部的動(dòng)作。參照?qǐng)D7所示的控制部5的塊圖進(jìn)行說(shuō)明?？刂撇?經(jīng)由放大器47控制合計(jì)5臺(tái)電動(dòng)機(jī)m1～m5：為了驅(qū)動(dòng)叉3a、3b而設(shè)置于基臺(tái)31的x軸驅(qū)動(dòng)用的電動(dòng)機(jī)m1、m2；為了在y方向上驅(qū)動(dòng)基臺(tái)31而設(shè)置于殼體36的y軸驅(qū)動(dòng)用的電動(dòng)機(jī)m3；為了在z方向上驅(qū)動(dòng)升降臺(tái)34而設(shè)置于框架35的z軸驅(qū)動(dòng)用的電動(dòng)機(jī)m4；和設(shè)置于旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)用的電動(dòng)機(jī)m5。電動(dòng)機(jī)m1～m5的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作通過(guò)同步帶等的傳遞機(jī)構(gòu)分別傳遞至叉3、基臺(tái)31、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32和升降臺(tái)34。

而且，根據(jù)與各電動(dòng)機(jī)m1～m5的各旋轉(zhuǎn)量對(duì)應(yīng)的距離，這些搬送臂30的各部如上所述在xyz方向上各自直線移動(dòng)，上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32旋轉(zhuǎn)。另外，電動(dòng)機(jī)m1～m5分別與根據(jù)其旋轉(zhuǎn)量輸出脈沖的編碼器48和對(duì)上述脈沖數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)器49連接。計(jì)數(shù)器49將與上述計(jì)數(shù)對(duì)應(yīng)的信號(hào)輸出到控制部5，由此，控制部5能夠?qū)Π崴捅?0的各部的位置進(jìn)行檢測(cè)。圖7中為了防止圖變得復(fù)雜化，僅表示一個(gè)電動(dòng)機(jī)m、編碼器48和計(jì)數(shù)器49的組。

圖7所示控制部5具備運(yùn)算處理部51、程序存儲(chǔ)部52、顯示部53、警報(bào)發(fā)出部54和存儲(chǔ)部55。圖中50是主線。運(yùn)算處理部51例如是具有存儲(chǔ)器、cpu(centralprocessingunit：中央處理器)的數(shù)據(jù)處理部。運(yùn)算處理部51讀取記錄在程序存儲(chǔ)部52的各程序，按照這些程序所包含的命令(指令)對(duì)各部發(fā)送控制信號(hào)，執(zhí)行晶片w的搬送。

程序存儲(chǔ)部52是計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有執(zhí)行作為晶片w的搬送模式的通常模式的程序56、執(zhí)行暫時(shí)模式程序57。關(guān)于各模式在后文中敘述。程序存儲(chǔ)部52例如包括磁盤、光盤、硬盤、磁光(magnetoptical：mo)盤等。顯示部53例如包括計(jì)算機(jī)的畫面。

另外，控制部5也控制各組件的動(dòng)作，能夠從上述顯示部53進(jìn)行組件中的各種基板處理的選擇、各基板處理中的參數(shù)的輸入操作。警報(bào)發(fā)出部54例如當(dāng)檢測(cè)部4中的一個(gè)不能使用時(shí)，發(fā)出表示該意思的警報(bào)音。存儲(chǔ)部55如圖8所示存儲(chǔ)有：由上述檢測(cè)部4a～4d檢測(cè)到的晶片w的周邊部的位置(周邊位置)；和通過(guò)執(zhí)行上述各模式而獲得的計(jì)算值。關(guān)于上述計(jì)算值，在說(shuō)明各模式時(shí)進(jìn)行述說(shuō)。

此外，圖7表示加熱組件21的縱截面，為了說(shuō)明搬送臂30所進(jìn)行的晶片w的搬送，提前簡(jiǎn)單地說(shuō)明該加熱組件21的結(jié)構(gòu)，圖中23是載置晶片w的熱板。24是升降銷，通過(guò)升降機(jī)構(gòu)25進(jìn)行升降，在叉3a、3b與熱板23之間交接晶片w。即，移動(dòng)至熱板23的晶片w自由叉3保持的位置起垂直地移動(dòng)，被交接至熱板23。

在此，參照?qǐng)D9、圖10對(duì)搬送臂30從抗蝕劑涂布組件cot向加熱組件21搬送晶片的概要進(jìn)行說(shuō)明。在圖9以后的各圖中，為了方便說(shuō)明，稍微簡(jiǎn)略地表示叉3和基臺(tái)31。如上所述，叉3以包圍從抗蝕劑涂布組件cot交接的晶片w的側(cè)周的方式保持該晶片w。這樣，在晶片w被保持時(shí)，在如圖9所示晶片w載置于叉3時(shí)，如果為其中心位置o與叉3的預(yù)先設(shè)定的適當(dāng)位置p重合的狀態(tài)，則基臺(tái)31和叉3以叉3的上述適當(dāng)位置p與熱板23的適當(dāng)位置q(圖中作為坐標(biāo)(α、β)表示)重合的方式移動(dòng)，由此，能夠使晶片w的中心位置o與上述適當(dāng)位置q重合，即將晶片w載置于熱板23的適當(dāng)?shù)奈恢谩?/p>

但是，如圖10所示，在上述晶片w的中心位置o與叉3的適當(dāng)位置p偏移的情況下，如上所述，在以叉3的適當(dāng)位置p與熱板23的適當(dāng)位置q重合的方式進(jìn)行移動(dòng)時(shí)，晶片w的中心位置o從熱板23的適當(dāng)位置q偏移其與上述叉3的適當(dāng)位置p的偏移量地進(jìn)行交接。分別用δx、δy表示圖中x方向、y方向的晶片w的中心位置o相對(duì)于上述適當(dāng)位置p的偏移量。另外，這樣，將從適當(dāng)位置偏移的情況下的中心位置o表示為o′。

于是，利用各檢測(cè)部4檢測(cè)上述xy平面中的晶片w的周邊部的坐標(biāo)位置，并基于該檢測(cè)結(jié)果計(jì)算xy平面中的晶片w的中心位置(中心坐標(biāo))o′。而且，在將該晶片w交接至加熱組件21時(shí)，控制基臺(tái)31的y方向的位置和叉3的x方向的位置，以消除該中心位置o′與叉3的適當(dāng)位置p的偏移量。

圖10中表示中心位置o′相對(duì)于適當(dāng)位置p在熱板23一側(cè)偏移δx、自抗蝕劑涂布組件cot起在基臺(tái)31的移動(dòng)方向上偏移δy的情況的例子。在該情況下，在向熱板23交接晶片w時(shí)，對(duì)叉3和基臺(tái)31的位置進(jìn)行校正，使得叉3的適當(dāng)位置p成為從熱板23的適當(dāng)位置q的坐標(biāo)(α、β)偏移δx、δy量的(α－δx、β－δy)。即，和中心位置o′與適當(dāng)位置p的偏移量對(duì)應(yīng)地，變更交接晶片w時(shí)的叉3相對(duì)于熱板23的位置。由此，使晶片w的中心位置o′與熱板23的適當(dāng)位置q重合地進(jìn)行交接。這種組件的適當(dāng)位置q的坐標(biāo)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于控制部5的存儲(chǔ)部55，如上所述，為了基于存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行上述交接而進(jìn)行計(jì)算。

但是，如上所述，在晶片w設(shè)置有缺口n，所以在叉3位于后退位置時(shí)，例如圖11所示存在檢測(cè)部4a～4d中的任一個(gè)的檢測(cè)范圍與缺口n重疊、即來(lái)自光源部41的光照射到缺口n的情況。圖11中表示檢測(cè)部4a的檢測(cè)范圍與缺口n重疊的例子。在這種情況下，與缺口n重疊的檢測(cè)部4a，將比晶片w的外形(外緣)更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置作為周邊部的位置進(jìn)行檢測(cè)，使用該檢測(cè)部4a的檢測(cè)結(jié)果計(jì)算出的中心位置(圖中為of)從實(shí)際的中心位置o偏移。為了防止這種情況，控制部5設(shè)置有如下功能：判定缺口n是否與上述檢測(cè)范圍重疊，在判斷為重疊的情況下，使叉3移動(dòng)，使得缺口n與檢測(cè)部4的位置偏移，并再次對(duì)中心位置進(jìn)行計(jì)算。

而且，控制部5在該檢測(cè)部4a～4d全部能夠使用時(shí)，利用程序56執(zhí)行通常模式，在檢測(cè)部4a～4d中的一個(gè)由于故障等而不能夠使用的情況下，利用程序57執(zhí)行暫時(shí)模式。各模式在各自不同的工序中，執(zhí)行缺口n的重疊判定和中心位置的計(jì)算。

在說(shuō)明以何種方式進(jìn)行上述缺口n的重疊判定之前，參照?qǐng)D12對(duì)根據(jù)晶片w的周邊部的位置算出中心位置的坐標(biāo)(中心坐標(biāo))的方法進(jìn)行說(shuō)明。在將晶片w的中心位置o設(shè)為與已述的叉3的適當(dāng)位置p重合的位置時(shí)，各受光部42上的晶片w的周邊部的位置分別表示為a點(diǎn)、b點(diǎn)、c點(diǎn)、d點(diǎn)。另外，將4個(gè)受光部42a～42d的延伸的方向與y軸所成的角設(shè)為θ1、θ2、θ3、θ4。

接著，將在該適當(dāng)位置p保持的晶片w發(fā)生偏移時(shí)的該晶片w的位置設(shè)為偏移位置，將偏移位置中的受光部42上的晶片w的周邊部的位置分別設(shè)為a′點(diǎn)、b′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)。

設(shè)各受光部42中的a點(diǎn)、b點(diǎn)、c點(diǎn)、d點(diǎn)與a′點(diǎn)、b′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)的距離為δa、δb、δc、δd。此時(shí)，δa、δb、δc、δd如下。

δa[mm]＝((a'點(diǎn)的像素?cái)?shù))－(a點(diǎn)的像素?cái)?shù)))×像素間隔[mm](1)

δb[mm]＝((b'點(diǎn)的像素?cái)?shù))－(b點(diǎn)的像素?cái)?shù)))×像素間隔[mm](2)

δc[mm]＝((c'點(diǎn)的像素?cái)?shù))－(c點(diǎn)的像素?cái)?shù)))×像素間隔[mm](3)

δd[mm]＝((d'點(diǎn)的像素?cái)?shù))－(d點(diǎn)的像素?cái)?shù)))×像素間隔[mm](4)

其中，a點(diǎn)的像素?cái)?shù)表示從受光部42的晶片w的中心側(cè)的開始點(diǎn)至a點(diǎn)的像素的數(shù)量。

這樣，a點(diǎn)～d點(diǎn)、a′點(diǎn)～d′點(diǎn)的坐標(biāo)以如下方式表示。式中r是晶片w的半徑。另外，x、y是指，叉3在交接位置從各組件接受晶片w并移動(dòng)到后退位置時(shí)的適當(dāng)位置p的坐標(biāo)，即上述晶片w被適當(dāng)?shù)乇３钟诓?時(shí)的上述中心位置o的x坐標(biāo)、y坐標(biāo)。這些r的值和o的坐標(biāo)是預(yù)先設(shè)定的已知的值。

a點(diǎn)(x1，y1)＝(x－rsinθ1，y－rcosθ1)(5)

a'點(diǎn)(x1'，y1')＝(x1－δasinθ1，y1－δacosθ1)

＝(x－(r+δa)sinθ1，y－(r+δa)cosθ1)(6)

b點(diǎn)(x2，y2)＝(x－rsinθ2，y+rcosθ2)(7)

b'點(diǎn)(x2'，y2')＝(x2－δbsinθ2，y2+δbcosθ2)

＝(x－(r+δb)sinθ2，y+(r+δb)cosθ2)(8)

c點(diǎn)(x3，y3)＝(x+rsinθ3，y+rcosθ3)(9)

c'點(diǎn)(x3'，y3')＝(x3+δcsinθ3，y3+δccosθ3)

＝(x+(r+δc)sinθ3，y+(r+δc)cosθ3)(10)

d點(diǎn)(x4，y4)＝(x+rsinθ4，y－rcosθ4)(11)

d'點(diǎn)(x4'，y4')＝(x4+δdsinθ4，y4－δdcosθ4)

＝(x+(r+δd)sinθ4，y－(r+δd)cosθ4)(12)

因此，利用式(6)、式(8)、式(10)、式(12)，能夠求出a′點(diǎn)(x1′，y1′)、b′點(diǎn)(x2′，y2′)、c′點(diǎn)(x3′，y3′)、d′點(diǎn)(x4′，y4′)的坐標(biāo)。

而且，根據(jù)這樣算出的a′點(diǎn)、b′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)中的任意3點(diǎn)，能夠算出在偏移位置的晶片w的中心位置o′的坐標(biāo)(x′、y′)。例如根據(jù)a′點(diǎn)(x1′，y1′)、b′點(diǎn)(x2′，y2′)、c′點(diǎn)(x3′，y3′)的3點(diǎn)算出在偏移位置的中心位置o′的坐標(biāo)(x′、y′)的式，由下述式(13)

和(14)表示。

另外，為了進(jìn)行上述缺口n與檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍的重疊判定，需要使用如上所述根據(jù)3個(gè)周邊位置計(jì)算出的中心位置和根據(jù)上述3個(gè)周邊位置中的一個(gè)計(jì)算出的晶片w的半徑r′。例如在根據(jù)a′點(diǎn)、b′點(diǎn)、c′點(diǎn)算出中心坐標(biāo)的情況下，半徑r′由下述式(15)計(jì)算。

在上述式(15)中，根據(jù)中心坐標(biāo)o′和b′點(diǎn)的坐標(biāo)算出半徑r′，但在根據(jù)3個(gè)周邊位置計(jì)算中心坐標(biāo)o′時(shí)，預(yù)先決定有使用這些周邊位置中的哪個(gè)周邊坐標(biāo)算出半徑。例如根據(jù)a′點(diǎn)、b′點(diǎn)、d′點(diǎn)的各坐標(biāo)算出中心坐標(biāo)o′時(shí)，使用a′點(diǎn)的坐標(biāo)，根據(jù)b′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)的各坐標(biāo)算出中心坐標(biāo)o′時(shí)，使用c′點(diǎn)的坐標(biāo)，根據(jù)a′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)的各坐標(biāo)算出中心坐標(biāo)o′時(shí)，使用d′點(diǎn)的坐標(biāo)。

接著，說(shuō)明在通常模式中，進(jìn)行有無(wú)缺口n與檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍的重疊的判定的方法、和判定的結(jié)果為重疊時(shí)的應(yīng)對(duì)。為了說(shuō)明的方便，令根據(jù)a′點(diǎn)、b′點(diǎn)、d′點(diǎn)計(jì)算出的中心坐標(biāo)(中心位置)為o′1，令半徑為r′1，令根據(jù)a′點(diǎn)、b′點(diǎn)、c′點(diǎn)計(jì)算出的中心坐標(biāo)為o′2，令半徑為r′2。另外，令根據(jù)b′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)計(jì)算出的中心坐標(biāo)為o′3，令半徑為r′3，令根據(jù)a′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)計(jì)算出的中心坐標(biāo)為o′4，令半徑為r′4。圖13表示晶片w與檢測(cè)部4的位置關(guān)系的一個(gè)例子，保持晶片w的叉3位于后退位置(基準(zhǔn)位置)。檢測(cè)部4a～4d的檢測(cè)范圍中的任一個(gè)都不與缺口n重疊。在該情況下，如上所述，使用a′～d′點(diǎn)中的3點(diǎn)求出4種中心位置o′(o′1～o′4)和半徑r′(r′1～r′4)時(shí)，因?yàn)樵?種的半徑r′處于正常范圍內(nèi)，所以其最大值－最小值為預(yù)先設(shè)定的閾值以下。因此，控制部5判定為各檢測(cè)部4不與缺口n重疊，對(duì)4種求出的中心位置o′1～o′4計(jì)算平均值，將該計(jì)算值設(shè)為中心位置o′。

圖14表示晶片w與檢測(cè)部4的位置關(guān)系的其它的一個(gè)例子，檢測(cè)部4a的檢測(cè)范圍與缺口n重疊。圖14表示此時(shí)算出的各中心位置o′1～o′4。此時(shí)，由于發(fā)生上述重疊，半徑r1′～r4′中的2個(gè)與作為已知的值的實(shí)際的晶片w的半徑相比變短。圖14所示的例中，r2′和r4′如上所述變短。因此，當(dāng)對(duì)上述的半徑r′計(jì)算其最大值－最小值時(shí)，變得比上述閾值大。因此，能夠判別缺口n與檢測(cè)部4a～4d中的任一個(gè)的檢測(cè)范圍重疊。

此時(shí)，使用檢測(cè)范圍不與缺口n重疊的檢測(cè)部4算出的半徑r′當(dāng)然表示與實(shí)際的半徑相同的正常值。但是，即使為使用與缺口n重疊的檢測(cè)部4的數(shù)據(jù)算出的半徑r′，由于計(jì)算出的中心位置o′從晶片w的實(shí)際的中心位置向缺口n的切口方向偏移，因此存在處于上述正常范圍的情況。圖14的例中相當(dāng)于根據(jù)b′點(diǎn)、c′點(diǎn)、d′點(diǎn)求出的半徑r′1。

于是，為了確定不與缺口n重疊的檢測(cè)部，控制部5使叉3稍微前進(jìn)，使圖15所示檢測(cè)部4與晶片w的位置錯(cuò)開。該前進(jìn)的距離例如為1mm，設(shè)這樣前進(jìn)的位置為第一微小前進(jìn)位置。在第一微小前進(jìn)位置，控制部5再次對(duì)中心位置o′1～o′4和半徑r′1～半徑r′4進(jìn)行計(jì)算。

圖16上部表示例如以基臺(tái)31的規(guī)定的位置為原點(diǎn)，在xy坐標(biāo)系上中心位置o′1～o′4移動(dòng)的狀況。分別用白點(diǎn)表示在圖中后退位置取得的中心位置o′1～o′4，用黑點(diǎn)表示在第一微小前進(jìn)位置取得的中心位置o′1～o′4。如圖所示，當(dāng)對(duì)在后退位置的各中心位置o′與在第一微小前進(jìn)位置的各中心位置o′進(jìn)行比較時(shí)，由于檢測(cè)部4相對(duì)于缺口n的位置發(fā)生變化，因此使用與缺口n重疊的檢測(cè)部4算出的中心位置o′中的y方向的位置發(fā)生移動(dòng)。

圖16中下部是表示從在使缺口n剛好從檢測(cè)部4a的檢測(cè)范圍離開地移動(dòng)晶片w時(shí)正常檢測(cè)出的中心位置o′3看，由于缺口n而誤檢測(cè)的其它的中心位置o′1、o′2、o′4的動(dòng)作的概念圖，表示有在后退位置與第一微小前進(jìn)位置之間，減去叉3的移動(dòng)量而得到的各坐標(biāo)o′的移動(dòng)。這樣，誤計(jì)算出的各中心位置以向恰好正常計(jì)算出的中心位置接近的方式移動(dòng)。此外，在使檢測(cè)部4a的檢測(cè)范圍與缺口n的切口的重疊逐漸變大地移動(dòng)晶片w時(shí)，其它的中心位置o′1、o′2、o′4以離開正常計(jì)算出的中心位置o′3的方式移動(dòng)。

而且，如上所述，在后退位置，對(duì)于利用包含與缺口n重疊的檢測(cè)部4且對(duì)與正常值相同的半徑r′進(jìn)行計(jì)算的檢測(cè)部4的組合(在該例中，4a、4b、4d)算出的中心位置，由于檢測(cè)位置相對(duì)于缺口n在晶片w的內(nèi)側(cè)與外側(cè)之間變化，因此產(chǎn)生向上述的y方向的位置的變動(dòng)。即，在后退位置計(jì)算出的半徑r′為正常值，對(duì)在后退位置和第一微小前進(jìn)位置算出的中心位置o′進(jìn)行相互比較，能夠確定在y方向上不發(fā)生變化的檢測(cè)部4的組合為與缺口n不重疊的檢測(cè)部4，能夠?qū)⒏鶕?jù)該組合獲得的中心位置o′決定為正確的晶片w的中心位置。在檢測(cè)部4a以外的檢測(cè)部4與缺口n重疊的情況下，也同樣地確定晶片w的中心位置。

如圖8所示，上述控制部5的存儲(chǔ)部55存儲(chǔ)在基準(zhǔn)位置(后退位置)、第一微小前進(jìn)位置分別利用各檢測(cè)部4a～4d取得的周邊位置的坐標(biāo)、中心坐標(biāo)o′1～o′4、半徑r′1～r′4的各數(shù)據(jù)，以能夠進(jìn)行上述計(jì)算。另外，還設(shè)置有存儲(chǔ)以下計(jì)算結(jié)果的區(qū)域：以如上所述能夠判定中心位置的y方向的變化的有無(wú)的方式，計(jì)算基準(zhǔn)位置與第一微小前進(jìn)位置在中心坐標(biāo)的y成分的差。控制部5在計(jì)算出的差超過(guò)規(guī)定的范圍時(shí)設(shè)為上述y成分發(fā)生變化，在未超過(guò)的情況下設(shè)為無(wú)變化。

對(duì)如上所述使用檢測(cè)部4a～4d的缺口n的檢測(cè)方法和正常的中心位置的算出方法進(jìn)行了說(shuō)明，對(duì)于通常模式的一系列的動(dòng)作，以從抗蝕劑涂布組件cot向加熱組件21搬送晶片w為例，沿著圖17的流程進(jìn)行說(shuō)明?；_(tái)31以朝向抗蝕劑涂布組件cot的方式設(shè)置，叉3a從基臺(tái)31向交接位置前進(jìn)，從抗蝕劑涂布組件cot接受晶片w后，向后退位置移動(dòng)(步驟s1)。從各檢測(cè)部4a～4d的光源部41向受光部42照射光，利用這些各檢測(cè)部4a～4d取得晶片w的周邊位置的坐標(biāo)。接著，基于該周邊位置的坐標(biāo)計(jì)算出中心坐標(biāo)o′1～o′4和半徑r′1～r′4并進(jìn)行存儲(chǔ)(步驟s2)。接著，控制部5使用半徑r′1～r′4中的最大值和最小值，來(lái)判定上述最大值－最小值是否比預(yù)先設(shè)定的閾值大(步驟s3)。

在判定為不比上述閾值大的情況下，判定為任一檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍都不與缺口n重疊，算出中心坐標(biāo)o′1～o′4的x成分、y成分的各自平均值，設(shè)其平均值為中心坐標(biāo)o′(x′、y′)。然后，如圖10中說(shuō)明的方式算出在叉3a的與適當(dāng)坐標(biāo)p(x，y)的偏移量δx、δy。

δx[mm]＝x′－x(16)

δy[mm]＝y(tǒng)′－y(17)

接著，如圖10中說(shuō)明的方式，基于該δx、δy和加熱組件21的熱板23的適當(dāng)位置的坐標(biāo)，來(lái)計(jì)算交接晶片w時(shí)的叉3的適當(dāng)位置p的坐標(biāo)位置，使得中心坐標(biāo)o′與加熱組件21的熱板23的適當(dāng)位置q重合。即，計(jì)算晶片w交接時(shí)的基臺(tái)31的位置和叉3的位置。接著，基臺(tái)31向如以上方式計(jì)算出的位置移動(dòng)，叉3朝向加熱組件前進(jìn)到計(jì)算出的位置，以晶片w的中心位置o′與熱板23的適當(dāng)位置q重合的方式被載置(步驟s4)。

在步驟s3中，在判定為計(jì)算出的半徑r′的最大值－最小值比閾值大的情況下，判定為任一檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍與缺口n重疊，使叉3a向第一微小前進(jìn)位置前進(jìn)，從光源部41照射光，與步驟s2同樣地利用各檢測(cè)部4a～4d取得周邊位置的坐標(biāo)。接著，計(jì)算在該第一微小前進(jìn)位置的中心坐標(biāo)o′1～o′4和半徑r′1～r′4(步驟s5)。接著，計(jì)算在后退位置、第一微小前進(jìn)位置分別取得的中心坐標(biāo)的y成分的差。

對(duì)在上述后退位置計(jì)算出的半徑r′處于正常范圍內(nèi)，且計(jì)算出上述y成分的差處于預(yù)先設(shè)定的范圍內(nèi)的檢測(cè)部4的組合進(jìn)行確定，將利用該組合計(jì)算出的中心坐標(biāo)o′設(shè)為實(shí)際的中心坐標(biāo)o′。對(duì)于確定組合后的中心坐標(biāo)，可以使用在上述步驟s2中算出的數(shù)據(jù)，也可以使用本步驟s6中算出的數(shù)據(jù)。接著，與步驟s4同樣地，計(jì)算叉3的與適當(dāng)位置p的偏移量δx、δy，進(jìn)行上述晶片w的搬送，使該中心坐標(biāo)o′與上述熱板23的適當(dāng)位置q重合(步驟s6)。上述的一系列的動(dòng)作由通常模式執(zhí)行程序56控制。

接著，說(shuō)明在暫時(shí)模式中判定缺口n與檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍的重疊的有無(wú)的方法、和判定的結(jié)果為重疊時(shí)的應(yīng)對(duì)。與通常模式同樣，保持有晶片w的叉3向后退位置移動(dòng)，使用將4個(gè)檢測(cè)部4a～4d中的不能使用的檢測(cè)部除去之后的3個(gè)檢測(cè)部4，對(duì)晶片w的周邊位置進(jìn)行檢測(cè)，基于其周邊位置計(jì)算晶片w的半徑r′和中心坐標(biāo)o′。然后，叉3向第一微小前進(jìn)位置移動(dòng)，使用上述3個(gè)檢測(cè)部4對(duì)晶片w的周邊位置進(jìn)行檢測(cè)，基于其周邊位置計(jì)算晶片w半徑r′和中心坐標(biāo)o′。

在此，如在通常模式中說(shuō)明過(guò)的方式，當(dāng)在后退位置或第一微小前進(jìn)位置，3個(gè)檢測(cè)部4中的一個(gè)的檢測(cè)范圍與缺口n重疊時(shí)，如上所述，在重疊狀態(tài)下算出的半徑r′存在比正常范圍小的情況。另外，即使在后退位置或第一微小前進(jìn)位置算出的半徑r′均處于正常范圍，在后退位置與第一微小前進(jìn)位置之間，中心坐標(biāo)o′的y成分也發(fā)生變化。

如上所述，對(duì)于晶片w的半徑r′，求出中心坐標(biāo)o′與檢測(cè)部4的檢測(cè)坐標(biāo)的距離，其中，該檢測(cè)部4為從晶片w的圓周方向上看3個(gè)檢測(cè)部4的排列間隔最短、且位于該排列的中央的檢測(cè)部4。因此，當(dāng)不能使用的檢測(cè)部4的圓周方向上相鄰的任一檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍與缺口n重疊時(shí)，半徑r′比實(shí)際的半徑小。而且，當(dāng)在不能使用的檢測(cè)部4的夾著晶片w中心相對(duì)的檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍與缺口n重疊時(shí)，半徑r′處于正常范圍，但發(fā)生上述y成分的變動(dòng)。

圖18中表示檢測(cè)部4c為不能使用的例子，表示叉3位于后退位置時(shí)，檢測(cè)部4a的檢測(cè)范圍與缺口n重疊的例子。圖19中表示上述叉3移動(dòng)至第一微小前進(jìn)位置的狀態(tài)。如圖18、圖19所示，缺口n相對(duì)于檢測(cè)部4a的位置發(fā)生偏移，所以由檢測(cè)部4a、4b、4d計(jì)算的o′1的位置發(fā)生偏移。因此，可知從控制部5來(lái)看，在后退位置和/或第一微小前進(jìn)位置，檢測(cè)部4a與缺口n重疊。

于是，如圖20所示，叉3進(jìn)一步前進(jìn)預(yù)先設(shè)定的距離。該前進(jìn)距離為使缺口n僅從檢測(cè)范圍離開的充分的距離。接著，在該前進(jìn)位置(設(shè)為第二微小前進(jìn)位置)使用檢測(cè)部4a、4b、4d對(duì)晶片w的周邊位置進(jìn)行檢測(cè)，基于該周邊位置計(jì)算正確的中心位置o′1。因此，如圖8所示，上述控制部5的存儲(chǔ)部55包括對(duì)上述第二微小前進(jìn)位置的周邊位置、根據(jù)該周邊位置計(jì)算出的中心位置進(jìn)行存儲(chǔ)的存儲(chǔ)區(qū)域。檢測(cè)部4c以外的其它的檢測(cè)部成為不能使用情況、和檢測(cè)部4a以外的檢測(cè)部4與缺口n重疊的情況，也同樣地進(jìn)行中心位置的檢測(cè)。

圖18～圖20中對(duì)中心坐標(biāo)的y成分變化的情況進(jìn)行了說(shuō)明，以下，對(duì)其它的情況進(jìn)行說(shuō)明。在后退位置和第一微小前進(jìn)位置計(jì)算出的半徑r′都比正常范圍短的情況下，因?yàn)樵诤笸宋恢煤偷谝晃⑿∏斑M(jìn)位置，缺口n與任一檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍重疊，所以與上述y成分變化的情況同樣，使叉3移動(dòng)至第二微小前進(jìn)位置，算出中心坐標(biāo)。

在后退位置和第一微小前進(jìn)位置的中心坐標(biāo)的y成分無(wú)變化，僅在后退位置算出的半徑r′比正常范圍小、且在第一微小前進(jìn)位置的半徑r′處于正常范圍的情況，表示在后退位置缺口n與檢測(cè)范圍重疊，而在第一微小前進(jìn)位置檢測(cè)范圍從缺口n離開。因此，將根據(jù)在第一微小前進(jìn)位置取得的周邊位置而取得的中心坐標(biāo)設(shè)為正確的晶片w的中心坐標(biāo)。圖21、圖22表示這種例子，檢測(cè)部4d變?yōu)椴荒苁褂?，在后退位置缺口n與檢測(cè)部4a重疊。在該情況下，在第一微小前進(jìn)位置取得的中心坐標(biāo)o′2為正確的中心坐標(biāo)，因此不進(jìn)行向叉3的第二微小前進(jìn)位置的移動(dòng)。

接著，在后退位置和第一微小前進(jìn)位置的中心坐標(biāo)的y成分無(wú)變化，僅在第一微小前進(jìn)位置算出的半徑r′比正常范圍小、在后退位置的半徑r′處于正常范圍的情況，表示在第一微小前進(jìn)位置缺口n與檢測(cè)范圍重疊，在后退位置缺口n從上述檢測(cè)范圍離開。因此，將根據(jù)在第一微小前進(jìn)位置取得的周邊位置而取得的中心位置設(shè)為正確的晶片w的中心位置，不進(jìn)行叉3的向第二微小前進(jìn)位置的移動(dòng)。

關(guān)于暫時(shí)模式的一系列的動(dòng)作，以與上述通常模式的不同點(diǎn)為中心，以從抗蝕劑涂布組件cot向加熱組件21搬送晶片w為例，沿著圖23的流程進(jìn)行說(shuō)明。在此，與圖18～圖20的例子同樣地，假設(shè)檢測(cè)部4c成為不能使用。與上述的步驟s1同樣地，例如叉3a從抗蝕劑涂布組件cot接受晶片w，向后退位置移動(dòng)(步驟t1)，從光源部41向該后退位置照射光，利用各檢測(cè)部4a、4b、4d取得周邊位置的坐標(biāo)。接著，基于上述周邊位置的坐標(biāo)計(jì)算中心坐標(biāo)o′(o′1)和半徑r′(r′1)(步驟t2)。然后，叉3a向第一微小前進(jìn)位置移動(dòng)，從光源部41照射光，利用各檢測(cè)部4a、4b、4d取得在該第一微小前進(jìn)位置的晶片w的周邊位置的坐標(biāo)。接著，基于上述周邊位置的坐標(biāo)計(jì)算中心位置o′1和半徑r′1(步驟t3)。

然后，如以上所述，計(jì)算在步驟t2、步驟t3中取得的中心位置o′1的y成分的差，判定是否處于容許范圍。當(dāng)處于容許范圍時(shí)，判定在步驟t2、t3中分別計(jì)算的半徑r′1是否處于正常范圍。即，判定檢測(cè)部4a、4b、4d在上述后退位置和第一微小前進(jìn)位置中任一個(gè)的檢測(cè)范圍是否與缺口n重疊(步驟t4)。當(dāng)判定僅任一個(gè)的半徑r′1處于正常范圍時(shí)，將通過(guò)與該半徑r′1相同的步驟求出的中心坐標(biāo)決定為正常的中心坐標(biāo)。當(dāng)雙方的r′1處于正常范圍時(shí)，將在步驟t2、t3算出的任一中心坐標(biāo)例如在步驟t2中算出的中心坐標(biāo)決定為正常的中心坐標(biāo)。接著，如上所述，基于決定了的中心坐標(biāo)，與通常模式同樣地進(jìn)行晶片w的搬送(步驟t5)。

在步驟t4中，判定為中心坐標(biāo)o′1的y成分的差未處于容許范圍的情況、和判定為在步驟t2、t3計(jì)算出的半徑r′1不包含于正常范圍情況下，使叉3a向第二微小前進(jìn)位置移動(dòng)，在缺口n從檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍離開的狀態(tài)下，從各光源部41照射光，取得晶片w的周邊位置的坐標(biāo)。基于其周邊位置的坐標(biāo)計(jì)算中心坐標(biāo)o′1(步驟t6)，基于在該步驟t6計(jì)算出的中心坐標(biāo)o′1，計(jì)算叉3a的與適當(dāng)位置p的偏移量δx、δy，基于該偏移量進(jìn)行上述晶片w的搬送，使該中心坐標(biāo)o′1與上述熱板23的適當(dāng)位置q重合(步驟t7)。

但是，由于晶片w的叉3的保持位置，存在例如在叉3a前進(jìn)至第二微小前進(jìn)位置時(shí)晶片w從任一檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍離開的情況。根據(jù)上述圖5的示意圖，存在未檢測(cè)到成為第一值n1的受光量，而僅檢測(cè)到第二值n2的受光量的情況。當(dāng)成為這種狀態(tài)時(shí)，不進(jìn)行晶片w的周邊位置的檢測(cè)，所以利用搬送臂30的晶片w的搬送被停止，例如在設(shè)置于控制部5的顯示部53顯示發(fā)生上述搬送停止的情況的警告，或者從設(shè)置于控制部5的警報(bào)發(fā)出部54發(fā)出警報(bào)音。上述的一系列的動(dòng)作由暫時(shí)模式執(zhí)行程序57控制。

接著，對(duì)從通常模式向暫時(shí)模式的切換進(jìn)行說(shuō)明。該切換在檢測(cè)出各檢測(cè)部4的光源部41的異常或受光部42的異常時(shí)自動(dòng)進(jìn)行，發(fā)生異常時(shí)以暫時(shí)模式搬送叉3所保持的晶片w和后續(xù)的晶片w。

如上所述，光源部41例如包括led，作為led發(fā)生的異常，包括led的滅燈、led的光量的降低、led所具備的透鏡的不干凈、或者在控制部5與led之間的任一電線的斷線等。上述的光源部41的異常的檢測(cè)，例如在檢測(cè)上述晶片w的周邊位置時(shí)每當(dāng)保持有晶片w的叉3向后退位置移動(dòng)時(shí)進(jìn)行，利用通常配置于未被由叉3保持的晶片w遮蔽的位置的受光元件，檢測(cè)從光源部41發(fā)出的光的光量而進(jìn)行。

圖24與上述圖5同樣，是示意地表示受光部42的像素號(hào)碼與受光量的關(guān)系的圖，參照該圖24進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)上述的光源部41發(fā)生異常時(shí)，如圖24的例示，在從控制部5發(fā)送出信號(hào)使光從光源部41發(fā)出時(shí)，檢測(cè)出的光量從第二值n2開始變化。在該受光量比容許值低的情況下，使具備該光源部41的檢測(cè)部4為不能使用，進(jìn)行警報(bào)音的發(fā)生和警告的畫面顯示，并且使動(dòng)作模式從通常模式向暫時(shí)模式切換。即，在該例中，在計(jì)算晶片的中心位置時(shí)，進(jìn)行光源部41的異常的判定，所以能夠立即把握光源部41的不良。

接著，對(duì)受光部42的異常的檢測(cè)方法進(jìn)行說(shuō)明。作為受光部42發(fā)生的異常，例示有各ccd的虧損、在控制部5與受光部42之間的任一電線的斷線等。也參照與圖24同樣示意性地表示像素號(hào)碼與受光量的關(guān)系的圖25進(jìn)行說(shuō)明。

叉3在將晶片w交接到組件后，在不保持晶片w的狀態(tài)下向后退位置移動(dòng)。在這樣移動(dòng)至后退位置時(shí)，也與對(duì)晶片w的周邊位置進(jìn)行檢測(cè)的情況同樣地從光源部41向受光部42照射光。接著，對(duì)受光的光量進(jìn)行檢測(cè)，基于該檢測(cè)值進(jìn)行。這樣接受到光時(shí)，受光部42存在上述的異常時(shí)，配置于未被叉3遮蔽的位置的像素的受光量不是本來(lái)應(yīng)檢測(cè)的第二值n2，而發(fā)生變化。例如，構(gòu)成受光部42的發(fā)生異常的ccd都不能檢測(cè)出光時(shí)，包括上述ccd的像素如圖25中虛線所示，例如檢測(cè)出與第一值n1等的第二值n2不同的值。

因此，在這樣存在顯示不為第二值n2的檢測(cè)值的像素時(shí)，或者在不能夠獲得檢測(cè)值的數(shù)據(jù)的情況下，控制部5判定在表示這種檢測(cè)值的受光部42發(fā)生異常，將具備該受光部42的檢測(cè)部4設(shè)為不能使用。接著，與在光源部41發(fā)生有異常的情況同樣地進(jìn)行警報(bào)音的發(fā)出和警告的畫面顯示，并且進(jìn)行搬送模式的切換。該受光部42中的異常的有無(wú)的檢測(cè)，例如在叉3a、3b中的一個(gè)將晶片w交接至組件后每當(dāng)以未保持晶片w的狀態(tài)向后退位置移動(dòng)時(shí)進(jìn)行。此時(shí)，例如以光源部41的光不被晶片w遮蔽的方式，另一個(gè)叉3為了交接晶片w而向交接位置移動(dòng)。

具備以下模式：利用上述搬送臂30，使用3個(gè)檢測(cè)部4，以晶片w的缺口n與各檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍不重疊的方式算出晶片w的中心坐標(biāo)，并基于該中心坐標(biāo)進(jìn)行晶片w的向組件的搬送的模式。因此，即使4個(gè)檢測(cè)部4中的一個(gè)成為不能使用，也無(wú)需使搬送臂30的動(dòng)作停止，用戶無(wú)需進(jìn)入裝置內(nèi)，因此能夠高精度地向組件的適當(dāng)位置交接晶片w，并且能夠抑制包括搬送臂30和上述各組件的基板處理裝置的工作率的降低。而且，當(dāng)4個(gè)檢測(cè)部4為能夠使用時(shí)，使用該4個(gè)檢測(cè)部4檢測(cè)晶片w的中心坐標(biāo)。因此，能夠抑制進(jìn)行為了檢測(cè)晶片w的中心坐標(biāo)而前進(jìn)的動(dòng)作的次數(shù)，能夠抑制生產(chǎn)率的降低。

作為上述光源部41，能夠使用將多個(gè)led直線狀排列而得到的光源、或在單一的led的發(fā)光側(cè)直線狀地設(shè)置導(dǎo)光材料的直線狀的光源。另外，作為受光部42，除了ccd(chargecoupleddevice)線傳感器之外，還能夠使用光纖傳感器、光電傳感器等各種線性圖像傳感器。即，作為受光部42的受光元件，能夠使用ccd、光電傳感器等各種受光元件。另外，可以將光源部41設(shè)置在叉3的上側(cè)，也可以將受光部42設(shè)置在叉3的下側(cè)。并且，能夠采用在2個(gè)叉3a、3b分別設(shè)置4個(gè)檢測(cè)部4那樣的結(jié)構(gòu)。在該情況下，構(gòu)成一對(duì)檢測(cè)部4的光源部41和線性圖像傳感器42也可以以從上下夾著被保持于后退的叉3a、3b的晶片w的任一個(gè)的方式設(shè)置。檢測(cè)部4也可以設(shè)置4個(gè)以上。

接著，參照?qǐng)D26～圖28對(duì)搬送臂30、加熱組件21和抗蝕劑涂布組件cot所適用的涂布、顯影裝置簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明。上述涂布、顯影裝置與曝光裝置連接構(gòu)成抗蝕劑圖案形成裝置，圖26、圖27、圖28分別是上述抗蝕劑圖案形成裝置的平面圖、概略立體圖、側(cè)視圖。

抗蝕劑圖案形成裝置如圖26和圖27所示具有載體塊61、處理部件區(qū)62、接口塊63。另外，在抗蝕劑圖案形成裝置的接口塊63一側(cè)設(shè)置有曝光裝置64。處理部件區(qū)62設(shè)置為與載體塊61相鄰。接口塊63以與處理部件區(qū)62相鄰的方式設(shè)置在處理部件區(qū)62的與載體塊61一側(cè)相反的一側(cè)。曝光裝置64以與接口塊63相鄰的方式設(shè)置在接口塊63的與處理部件區(qū)62一側(cè)相反的一側(cè)。

載體區(qū)域61具有載體71、載置臺(tái)72和交接單元c。載體71載置在載置臺(tái)72上。交接單元c是用于將晶片w從載體71取出并交接至處理部件區(qū)62，并且接受在處理部件區(qū)62被處理的處理完的晶片w，返回載體71的構(gòu)件。

如圖26和圖27所示，處理部件區(qū)62具有棚單元u1、棚單元u2、第一部件區(qū)(dev層)b1、第二部件區(qū)(bct層)b2、第三部件區(qū)(cot層)b3、第四部件區(qū)(tct層)b4。第一部件區(qū)(dev層)b1是用于進(jìn)行顯影處理的構(gòu)件。第二部件區(qū)(bct層)b2是用于進(jìn)行形成于抗蝕劑膜的下層側(cè)的反射防止膜的形成處理的構(gòu)件。第三部件區(qū)(cot層)b3是用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂布處理的構(gòu)件。第四部件區(qū)(tct層)b4是用于進(jìn)行形成于抗蝕劑膜的上層側(cè)的反射防止膜的形成處理的構(gòu)件。圖26和已述的圖1表示上述第三部件區(qū)cot層b3。

棚單元u1由各種的組件層疊地構(gòu)成。如圖28所示，棚單元u1例如具有從下方依次層疊的交接組件trs1、trs1、cpl11、cpl2、bf2、cpl3、bf3、cpl4、trs4。另外，如圖26所示，在棚單元u1的附近設(shè)置有自由升降的交接臂d。在棚單元u1的各組件彼此之間，由交接臂d搬送晶片w。

棚單元u2由各種的組件層疊而構(gòu)成。如圖28所示，棚單元u2例如具有從下方依次疊層的交接組件trs6、trs6、cpl12。此外，圖28中，標(biāo)記有cpl的交接組件兼作為溫度調(diào)節(jié)用的冷卻組件，標(biāo)記有bf的交接組件兼作為能夠載置多個(gè)晶片w的緩沖組件。

在第一部件區(qū)(dev層)b1與第二部件區(qū)(bct層)b2之間設(shè)置有將晶片w從棚單元u1直接搬送向棚單元u2的往返搬運(yùn)裝置sh。

第二部件區(qū)(bct層)b2、第三部件區(qū)(cot層)b3、和第四部件區(qū)(tct層)b4分別具有藥液的涂布組件、加熱組件組和已述的搬送臂30。從第二部件區(qū)(bct層)b2至第四部件區(qū)(tct層)b4的各部件區(qū)除了第二部件區(qū)(bct層)b2和第四部件區(qū)(tct層)b4中的藥液是反射防止膜用的藥液，第三部件區(qū)(cot層)b3中的藥液是抗蝕劑液之外，具有同樣的結(jié)構(gòu)。第一部件區(qū)(dev層)b1除了替代藥液的涂布組件而設(shè)置有顯影液的供給組件之外，為與其它的單位區(qū)域同樣的結(jié)構(gòu)。為了圖示的方便，將各單位區(qū)域的搬送臂30表示為a1、a2、a3、a4。

接口部件區(qū)63如圖28所示具有接口臂f。接口臂f設(shè)置于處理部件區(qū)62的棚單元u2的附近。在棚單元u2的各處理組件彼此之間和與曝光裝置64之間，利用接口臂f搬送晶片w。

來(lái)自載體區(qū)域61的晶片w，利用交接單元c依次被搬送至棚單元u1的一個(gè)交接組件、例如與第二部件區(qū)(bct層)b2對(duì)應(yīng)的交接組件cpl2。搬送至交接組件cpl2的晶片w被交接至第二部件區(qū)(bct層)b2的搬送臂a2，經(jīng)由搬送臂a2被搬送至各處理組件(涂布組件和加熱、冷卻類的處理組件組的各處理組件)，在各處理組件中進(jìn)行處理。由此，在晶片w形成反射防止膜。

形成有反射防止膜的晶片w經(jīng)由搬送臂a2、棚單元u1的交接組件bf2、交接臂d、棚單元u1的交接組件cpl3被交接至第三部件區(qū)(cot層)b3的搬送臂a3。接著，晶片w經(jīng)由搬送臂a3被搬送至各處理組件(涂布組件和加熱、冷卻類的處理組件組的各處理組件)，在各處理組件中進(jìn)行處理。由此，在晶片w形成反射防止膜。

形成有抗蝕劑膜的晶片w經(jīng)由搬送臂a3被交接至棚單元u1的交接組件bf3。此外，也存在形成有抗蝕劑膜的晶片w在第四部件區(qū)(tct層)b4還形成有反射防止膜的情況。在該情況下，晶片w經(jīng)由交接組件cpl4被交接至第四部件區(qū)(tct層)b4的搬送臂a4，經(jīng)由搬送臂a4被搬送至各處理組件(涂布組件和加熱、冷卻類的處理組件組的各處理組件)，在各處理組件中進(jìn)行處理。由此，在晶片w形成反射防止膜。接著，形成有反射防止膜的晶片w經(jīng)由搬送臂a4被交接至棚單元u1的交接組件trs4。

形成有抗蝕劑膜的晶片w或在抗蝕劑膜上進(jìn)一步形成有反射防止膜的晶片w，經(jīng)由交接臂d、交接組件bf3或trs4被載置于交接組件cpl11，交接至往返搬運(yùn)裝置sh，直接搬送至棚單元u2的交接組件cpl12，之后，交接至接口區(qū)域63的接口臂f。交接至接口臂f的晶片w被搬送至曝光裝置64，進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。然后，晶片w經(jīng)由接口臂f被載置于棚單元u2的交接組件trs6，返回至處理區(qū)域62。返回至處理區(qū)域62的晶片w在第一部件區(qū)(dev層)b1進(jìn)行顯影處理。進(jìn)行過(guò)顯影處理的晶片w經(jīng)由搬送臂a1、棚單元u1的交接組件trs1、交接單元c返回至載體71。

在已述的例中，說(shuō)明了通過(guò)搬送臂30進(jìn)行的從抗蝕劑涂布組件cot向加熱組件21的搬送例，但除搬送臂30之外，上述交接單元c、交接臂d和接口臂f也與本發(fā)明中的基板搬送裝置相當(dāng)，與搬送臂30同樣具備上述基板周邊位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)40。而且，在這些基板搬送裝置，在從前級(jí)一側(cè)的組件向后級(jí)一側(cè)的組件交接晶片w時(shí)，如在搬送臂30說(shuō)明的那樣進(jìn)行晶片w的中心坐標(biāo)的計(jì)算，并基于該中心坐標(biāo)進(jìn)行搬送。即，在上述搬送路徑中，從前級(jí)一側(cè)的組件向后級(jí)一側(cè)的組件的搬送均如在從抗蝕劑涂布組件cot向加熱組件21的搬送例中說(shuō)明的那樣進(jìn)行。

但是，如上所述，檢測(cè)部4不限于設(shè)置在基臺(tái)31。例如，在圖29、30所示搬送路20的頂側(cè)、底板側(cè)分別配置光源部41、受光部42，基臺(tái)31和叉3在它們之間通過(guò)時(shí)，也可以不決定上述晶片w的中心位置的檢測(cè)和叉3的交接位置。基臺(tái)31采用不遮蔽光源部41的光的形狀。而且，在這樣的情況下，替代使叉3相對(duì)檢測(cè)部4在x方向上稍微錯(cuò)開，如圖31所示使基臺(tái)31在y方向上稍微移動(dòng)，使晶片w相對(duì)缺口n位置錯(cuò)開，能夠?qū)ι鲜龅闹行奈恢眠M(jìn)行檢測(cè)。

另外，上述晶片w的中心位置的檢測(cè)，從接受晶片w的前級(jí)一側(cè)組件向交接晶片w的后級(jí)一側(cè)組件交接晶片w為止進(jìn)行即可。因此，可以在使叉3后退后，在基臺(tái)31停止的狀態(tài)下進(jìn)行，也可以在基臺(tái)31向后級(jí)一側(cè)組件移動(dòng)的途中，使叉3前進(jìn)并進(jìn)行檢測(cè)。另外，以叉3的后退位置為基準(zhǔn)位置，從其基準(zhǔn)位置前進(jìn)，由此進(jìn)行缺口n的檢測(cè)作業(yè)，但也可以使基準(zhǔn)位置為上述后退位置的前方一側(cè)，使叉3從該位置后退，進(jìn)行缺口n的檢測(cè)作業(yè)。另外，以檢測(cè)部4相對(duì)基臺(tái)31能夠移動(dòng)的方式設(shè)置驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，替代叉3使檢測(cè)部4移動(dòng)，能夠進(jìn)行晶片w的中心位置的檢測(cè)。此外，在暫時(shí)模式中檢測(cè)中心位置o′的情況下，也可以使叉3移動(dòng)至與通常模式中取得中心位置o′的位置不同的位置而取得。即，也可以使叉3移動(dòng)至從上述后退位置和第一微小前進(jìn)位置分別偏移的位置進(jìn)行檢測(cè)。

另外，也可以為如下情況，當(dāng)設(shè)置5對(duì)以上檢測(cè)部4時(shí)，在通常模式使用這些檢測(cè)部4，在能夠使用的檢測(cè)部4成為3時(shí)才執(zhí)行上述的暫時(shí)模式。

另外，在上述的例中，在步驟s6、t4，基于中心坐標(biāo)的y方向的位置變動(dòng)的有無(wú)，判定檢測(cè)部4的檢測(cè)范圍是否與缺口n重疊，以下，顯示其它的判定方法。對(duì)于在第一微小前進(jìn)位置取得的各坐標(biāo)o′，向叉3的后方一側(cè)偏移自后退位置起的叉3的移動(dòng)量。計(jì)算這樣取得的各坐標(biāo)o′與在后退位置取得的各坐標(biāo)o′的距離。即，如圖16下段所示，計(jì)算減去在后退位置與第一微小前進(jìn)位置之間各坐標(biāo)o′的叉3的移動(dòng)量而得到的各坐標(biāo)o′的移動(dòng)量(位移量)。該移動(dòng)量如上所述，將從第一微小前進(jìn)位置偏移的o′的x坐標(biāo)、y坐設(shè)為x″、y″，將后退位置的x坐標(biāo)、y坐標(biāo)設(shè)為x′、y′時(shí)，為((x″－x′)²+(y″－y′)²)^1/2。如上述圖16所示，使用檢測(cè)范圍與缺口n不重疊的傳感器計(jì)算出的o′與其它的o′相比，該移動(dòng)量小。

因此，在通常模式的步驟s5、s6中，能夠?qū)霃皆谡７秶鷥?nèi)，且該移動(dòng)量為最小的o′設(shè)為最正確的中心位置。在暫時(shí)模式的步驟t4中，上述移動(dòng)量處于預(yù)先設(shè)定的容許范圍，且計(jì)算出的各半徑處于正常范圍時(shí)，能夠判定為缺口n與檢測(cè)范圍不重疊。在移動(dòng)量不處于容許范圍的情況下，如判定為y成分的差不處于容許范圍的情況那樣，使叉3a移動(dòng)至第二微小前進(jìn)位置，并取得中心坐標(biāo)。