本實(shí)用新型涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一種利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在電流的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示的技術(shù)，相比傳統(tǒng)的液晶顯示(LCD，Liquid Crystal Display)，OLED具有超輕薄、發(fā)光效率高、色彩豐富、低壓直流驅(qū)動(dòng)、不需要背光源、無(wú)視角限制、高反應(yīng)速率和溫度范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。隨著平面顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，OLED已成為新一代顯示技術(shù)的主流。

但是由于OLED陰極厚度很薄，接觸面易產(chǎn)生凹凸不平的情況，陰極與陰極連接線間的電阻將會(huì)很高。通常情況下，若陰極厚度為10～80nm，陰極與陰極連接線間的電阻非常之大，導(dǎo)致從OLED流出的電流嚴(yán)重減少。

為了減少陰極與陰極連接線間的接觸電阻，可通過(guò)增加陰極的厚度實(shí)現(xiàn)，降低陰極與陰極連接線間的電阻，隨著陰極厚度的增加，OLED的出光率受陰極厚度的影響，影響顯示效果。此外，為了避免影響顯示效果，可在對(duì)應(yīng)陰極連接線的位置對(duì)陰極進(jìn)行局部加厚，但這種加厚的方式，仍存在陰極與陰極連接之間的電阻仍較高的缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對(duì)提供一種陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

一種陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：TFT基板、設(shè)置于所述TFT基板上的陽(yáng)極層、設(shè)置于所述陽(yáng)極層上的有機(jī)發(fā)光層以及設(shè)置于所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極層，還包括陰極連接線，所述陰極層的面積大于所述陽(yáng)極層以及所述有機(jī)發(fā)光層，所述陰極層的外側(cè)邊緣與所述TFT基板之間設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層開(kāi)設(shè)有若干通孔，所述陰極層至少部分穿設(shè)所述通孔并與所述陰極連接線連接，所述陰極層背向所述有機(jī)發(fā)光層的一面設(shè)置有金屬凸起部，所述金屬凸起部在垂直于所述TFT基板的方向上對(duì)齊于所述陰極連接線。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極層背向所述有機(jī)發(fā)光層的一面的兩側(cè)分別設(shè)置有所述金屬凸起部，兩側(cè)所述金屬凸起部之間的間距大于所述有機(jī)發(fā)光層的寬度。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬凸起部具有梯形截面。

在一個(gè)實(shí)施例中，兩側(cè)所述金屬凸起部具有相同截面形狀。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬凸起部的寬度由靠近所述陰極層的一端向遠(yuǎn)離所述陰極層的一端逐漸減小。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬凸起部凸起于所述陰極層的厚度為10～300nm。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬凸起部凸起于所述陰極層的厚度為15～40nm。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述通孔的截面為正多邊形。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述通孔的截面為圓形。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極連接線至少部分外露于所述絕緣層，若干所述通孔的孔徑由所述絕緣層靠近所述陰極連接線外露部分一端向所述絕緣層遠(yuǎn)離所述陰極連接線外露部分一端逐漸增大。

上述陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，通過(guò)在陰極層上設(shè)置對(duì)齊于陰極連接線的金屬凸起部，使得陰極層與陰極連接線之間的電阻有效降低，進(jìn)而使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置在一定的供電電流下的發(fā)光效率更高，顯示效果更佳。

附圖說(shuō)明

圖1為一實(shí)施例的陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為一實(shí)施例的陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一方向結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為一實(shí)施例的陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一方向部分透視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為另一實(shí)施例的陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。

如圖1和圖2所示，其為一實(shí)施例的一種陰極加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10，包括：TFT基板100、設(shè)置于所述TFT基板100上的陽(yáng)極層200、設(shè)置于所述陽(yáng)極層200上的有機(jī)發(fā)光層300以及設(shè)置于所述有機(jī)發(fā)光層300上的陰極層400，還包括陰極連接線410，所述陰極層400的面積大于所述陽(yáng)極層200的面積以及所述有機(jī)發(fā)光層300的面積，即，所述陰極層的面積大于所述陽(yáng)極層的面積，且所述陰極層的面積大于所述有機(jī)發(fā)光層的面積，所述陰極層400的外側(cè)邊緣與所述TFT基板100之間設(shè)置有絕緣層500，所述絕緣層500開(kāi)設(shè)有若干通孔510，所述陰極層400至少部分穿設(shè)所述通孔510并與所述陰極連接線410連接，所述陰極層400背向所述有機(jī)發(fā)光層300的一面設(shè)置有金屬凸起部600，所述金屬凸起部600在垂直于所述TFT基板100的方向上對(duì)齊于所述陰極連接線410，且所述金屬凸起部600的材質(zhì)與所述陰極層400的材質(zhì)相異設(shè)置。

例如，所述陰極層400背向所述有機(jī)發(fā)光層300的一面的兩側(cè)分別設(shè)置有所述金屬凸起部600，例如，兩側(cè)的所述金屬凸起部600之間的間距大于所述有機(jī)發(fā)光層300的寬度，通過(guò)在陰極層400上設(shè)置對(duì)齊于陰極連接線410的金屬凸起部600，使得陰極層400與陰極連接線410之間的電阻有效降低，此外，由于陰極層400與金屬凸起部600的材質(zhì)相異設(shè)置，使得兩者之間的導(dǎo)電率相異，進(jìn)而使得電荷能夠被引導(dǎo)至金屬凸起部600，進(jìn)一步降低陰極層400與陰極連接線410之間的電阻。由于陰極層400與陰極連接線410之間的電阻得到有效降低，進(jìn)而使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置10在一定的供電電流下的發(fā)光效率更高，顯示效果更佳。

具體地，該陰極連接線410用于連接電源的陰極，例如，該陽(yáng)極層200連接有陽(yáng)極連接線，陽(yáng)極連接線用于連接電源的陽(yáng)極，當(dāng)陽(yáng)極層200和陰極層400通電后，位于陽(yáng)極層200和陰極層400之間的有機(jī)發(fā)光層300在電壓作用下發(fā)光。

例如，該TFT(Thin Film Transistor，是薄膜晶體管)基板為帶有低溫多晶硅(LTPS)的TFT基板，例如，所述陽(yáng)極層200采用高反射材料制成，例如，陽(yáng)極層200的材料為氧化銦錫(ITO)，例如，陽(yáng)極層200的材料為銀。例如，陽(yáng)極層200的厚度為100～300nm，又如，陽(yáng)極層200的厚度為200nm。例如，所述陰極層400的厚度為18～30nm，例如，所述陰極層400的厚度為20nm。

例如，如圖1和圖2所示，所述陰極層400背向所述有機(jī)發(fā)光層300的一面兩側(cè)分別設(shè)置有金屬凸起部600，例如，所述陰極連接線410為兩個(gè)，兩個(gè)陰極連接線410分別連接于所述陰極層400的兩側(cè)，例如，每一金屬凸起部600對(duì)齊一所述陰極連接線410，這樣，能夠使得陰極層400的兩側(cè)分別與陰極連接線410之間的電阻得到降低，例如，兩側(cè)金屬凸起部600之間的間距大于所述有機(jī)發(fā)光層300的寬度，由于兩側(cè)的金屬凸起部600之間的間距大于有機(jī)發(fā)光層300的寬度，即金屬凸起部600之間的間距大于有機(jī)發(fā)光層300的發(fā)光寬度，使得金屬凸起部600能夠避免對(duì)有機(jī)發(fā)光層300的遮擋，進(jìn)而使得發(fā)光效果更佳。

值得一提的是，如圖4所示，金屬凸起部600的寬度不宜過(guò)大，過(guò)大則遮擋有機(jī)發(fā)光層300，造成有機(jī)發(fā)光層300的發(fā)光效果不佳，而金屬凸起部600的寬度也不宜過(guò)小，過(guò)小則不無(wú)法完全覆蓋通孔510和陰極連接線410，導(dǎo)致金屬凸起部600無(wú)法有效降低陰極層400和陰極連接線410之間電阻，在一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬凸起部600具有梯形截面，例如，兩側(cè)所述金屬凸起部600具有相同截面形狀，例如，兩側(cè)所述金屬凸起部600均具有梯形截面，又如，所述金屬凸起部600的寬度由靠近所述陰極層400的一端向遠(yuǎn)離所述陰極層400的一端逐漸減小，由于金屬凸起部600在靠近陰極連接線410的一端的寬度更大，能夠充分覆蓋陰極連接線410以及通孔510，而隨著金屬凸起部600的厚度的增加，金屬凸起部600的寬度逐漸減小，能夠有效避免對(duì)有機(jī)發(fā)光層300對(duì)阻擋，使得有機(jī)發(fā)光層300的發(fā)光效果更佳。

應(yīng)該理解的是，金屬凸起部600能夠與陰極層400實(shí)現(xiàn)電連接，相當(dāng)于對(duì)陰極層400局部加厚，使得陰極層400與陰極連接線410之間的電阻降低，為了使得陰極層400與陰極連接線410之間的電阻更低，陰極層400與金屬凸起部600的材質(zhì)應(yīng)該相異設(shè)置，在一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬凸起部600的材質(zhì)為金屬，金屬材質(zhì)的金屬凸起部600具有良好的導(dǎo)電性能，能夠有效降低陰極層400與陰極連接線410之間的電阻，例如，所述陰極層400的材質(zhì)為鎂銀合金，例如，所述金屬凸起部600的材質(zhì)為銀，又如，所述金屬凸起部600的材質(zhì)為鋁。例如，在有機(jī)發(fā)光層300上采用真空蒸鍍方式在有機(jī)發(fā)光層300上形成鎂銀合金的陰極層400，在陰極層400上采用真空蒸鍍方式在陰極層400的兩側(cè)并對(duì)齊于陰極連接線410形成鋁質(zhì)的金屬凸起部600，又如，在陰極層400上采用真空蒸鍍方式在陰極層400的兩側(cè)并對(duì)齊于陰極連接線410形成銀質(zhì)的金屬凸起部600。具體地，一個(gè)實(shí)施例中，陰極層400的材質(zhì)為鎂銀合金，例如，該陰極層400為鎂銀合金陰極層，金屬凸起部600的材質(zhì)為鋁，例如，該金屬凸起部為鋁金屬凸起部，一個(gè)實(shí)施例中，陰極層400的材質(zhì)為鎂銀合金，例如，該陰極層400為鎂銀合金陰極層，金屬凸起部600的材質(zhì)為鎂，例如，該金屬凸起部為鎂金屬凸起部，而在另外的實(shí)施例中，陰極層400的材質(zhì)為鎂銀合金，金屬凸起部600的材質(zhì)為銀，例如，該金屬凸起部為銀金屬凸起部，這樣，由于陰極層400和金屬凸起部600的材質(zhì)不同，進(jìn)而使得兩者之間的導(dǎo)電率不同，進(jìn)而使得電荷能夠部引導(dǎo)至金屬凸起部600，對(duì)電流具有分流作用，進(jìn)而使得陰極層400與陰極連接線410之間的電阻更小。

為了進(jìn)一步減小陰極層400與陰極連接線410之間的電阻，在一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬凸起部600凸起于所述陰極層400的厚度為10～300nm，值得一提的是，金屬凸起部600的厚度越大，則陰極層400與陰極連接線410之間的電阻越小，但金屬凸起部600的厚度不宜過(guò)大，金屬凸起部600的厚度過(guò)大，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的整體厚度增加，則不利于有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的封裝，也將影響顯示效果，金屬凸起部600的厚度過(guò)小，金屬凸起部600不能夠有效降低陰極層400與陰極連接線410之間的電阻，因此，本實(shí)施例中，金屬凸起部600的厚度為10～300nm，優(yōu)選地，所述金屬凸起部600凸起于所述陰極層400的厚度為15～40nm，當(dāng)金屬凸起部600的厚度為15～40nm時(shí)，能夠有效減小陰極層400與陰極連接線410之間的電阻，且使得兩者之間的電阻更低，且能夠避免影響有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的封裝，避免對(duì)有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的顯示效果造成影響。

為了進(jìn)一步減小陰極層400和陰極連接線410之間的電阻，在一個(gè)實(shí)施例中，所述通孔510的截面為正多邊形，例如，所述通孔510的截面為正六邊形，又如，所述通孔510的截面為正八邊形，又如，如圖3所示，所述通孔510的截面為圓形，應(yīng)該理解的是，在絕緣層500上開(kāi)設(shè)通孔510，開(kāi)設(shè)通孔510的周長(zhǎng)相同時(shí)，通孔510越接近于圓形，則通孔510的截面的面積越大，而通孔510的截面的面積越大，則陰極層400與陰極連接線410的接觸面積越大，有利于進(jìn)一步降低陰極層400與陰極連接線410之間的電阻，因此，本實(shí)施例中，通孔510的截面的形狀優(yōu)選為圓形，即該通孔510為圓孔，能夠進(jìn)一步降低陰極層400與陰極連接線410之間的電阻。

值得一提的是，絕緣層用于將陰極層與陽(yáng)極層以及有機(jī)發(fā)光層隔絕，使陰極層和陽(yáng)極層相互隔離而不短路，并使陰極層和有機(jī)發(fā)光層相互隔離而不短路，由于陰極層400通過(guò)通孔510連接至陰極連接線410，因此，通孔510的孔徑越大，則陰極層400與陰極連接線410之間的電阻更小，但通孔510的孔徑過(guò)小，則使得絕緣層500的絕緣效果降低，使得陽(yáng)極層200和陰極層400之間的絕緣性降低，影響顯示效果，在一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極連接線410至少部分外露于所述絕緣層500，若干所述通孔510的孔徑由所述絕緣層500靠近所述陰極連接線410外露部分一端向所述絕緣層500遠(yuǎn)離所述陰極連接線410外露部分一端逐漸增大。例如，如圖3所示，陰極連接線410包括第一連接部411和第二連接部412，該第一連接部411設(shè)置于所述絕緣層500與所述基板之間，所述第二連接部412外露于所述絕緣層500，若干所述通孔510的孔徑由靠近所述第二連接部412的一端向遠(yuǎn)離所述第二連接部412的一端逐漸增大，由于陰極層400通過(guò)通孔510連接至陰極連接線410，隨著絕緣層500遠(yuǎn)離第二連接部412，絕緣層500上的通孔510的孔徑隨之增大，通孔510的孔徑越大，則陰極層400與陰極連接線410的接觸面積增大，陰極層400與陰極連接線410之間的電阻越小，而隨著絕緣層500靠近第二連接部412，絕緣層500上的通孔510的孔徑隨之減小，通孔510的孔徑減小，絕緣層500能夠更好地隔絕陽(yáng)極和陰極，絕緣層500的絕緣效果更佳，這樣，不僅使得陰極層400與陰極連接線410之間的電阻更小，且使得絕緣層500的絕緣效果更佳，進(jìn)而使得顯示效果更佳。

下面將結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的效果作進(jìn)一步闡述：

提供以下的有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)行電阻、電流的測(cè)試和對(duì)比：

對(duì)比例1：某陰極未加厚的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

對(duì)比例2：陰極層背向有機(jī)發(fā)光層的一面設(shè)置有金屬凸起部，金屬凸起部在垂直于TFT基板的方向上對(duì)齊于陰極連接線。

實(shí)施例1：陰極層背向所述有機(jī)發(fā)光層的一面設(shè)置有金屬凸起部，金屬凸起部在垂直于TFT基板的方向上對(duì)齊于陰極連接線，陰極層的材質(zhì)為鎂銀合金，金屬凸起部的材質(zhì)為銀。

實(shí)施例2：陰極層背向所述有機(jī)發(fā)光層的一面設(shè)置有金屬凸起部，金屬凸起部在垂直于TFT基板的方向上對(duì)齊于陰極連接線，陰極層的材質(zhì)為鎂銀合金，金屬凸起部的材質(zhì)為鋁。

使用萬(wàn)用表對(duì)上述實(shí)施例和某陰極未加厚的有機(jī)顯示裝置的陰極電源線進(jìn)行測(cè)試測(cè)試結(jié)果如下表所示：

由上表的測(cè)試結(jié)果可以看出，本實(shí)用新型的各實(shí)施例能夠有效降低陰極層與陰極連接線之間的電阻，提高流經(jīng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電流，且相較于僅僅在陰極上設(shè)置加厚層的對(duì)比例2能夠更有效地降低電阻，進(jìn)而使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效果更佳。

另外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述各實(shí)施例方法中的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，相應(yīng)的程序可以存儲(chǔ)于可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不移動(dòng)矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)實(shí)用新型專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。