技術特征：

技術總結
本公開涉及半導體裝置制造方法和半導體晶片。半導體裝置制造方法提高了制造半導體裝置的產率。提供了用于覆蓋多個接合焊盤的絕緣膜、在絕緣膜上的第一保護膜和在第一保護膜上的第二保護膜。在半導體芯片中，多個電極層經由形成在絕緣膜中的第一開口和形成在第一保護膜中的第二開口電耦接到接合焊盤中的每個。多個突起電極經由形成在第二保護膜中的第三開口電耦接到電極層中的每個。在偽芯片中，第二開口形成在第一保護膜中，且第三開口形成在第二保護膜中。在與第三開口重合的第二開口的底部處暴露絕緣膜。保護帶被施加到主平面以覆蓋突起電極。

技術研發(fā)人員：太田祐一;喜多賢太郎;大浦雄大;吉田宏平
受保護的技術使用者：瑞薩電子株式會社
技術研發(fā)日：2016.12.08
技術公布日：2017.07.04