本發(fā)明涉及半導體加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)和溫控方法及其適用的靜電吸盤和等離子處理裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，對晶圓（wafer）制程中的均勻度（uniformity）和臨界尺寸（criticaldimension，cd）要求越來越嚴格，目前通行的小于數(shù)量10個區(qū)（zone），通常3到4個區(qū)，的加熱靜電吸盤已經(jīng)慢慢不能滿足這些越來越嚴格的要求。

需要設計更多加熱區(qū)，例如100至400個區(qū)，的加熱靜電吸盤來更好的解決晶圓（wafer）制程中的均勻度（uniformity）和臨界尺寸高要求的問題。如果使用傳統(tǒng)的設計方法，大于100區(qū)的加熱靜電吸盤，每個加熱靜電吸盤需要對應設有一根電源供應（powersupply）線和一根電源返回（powerreturn）線，即需要大于100根電源供應（powersupply）線和大于100根的電源返回（powerreturn）線，這對靜電吸盤結(jié)構(gòu)設計來說是一個極大的問題。例如300毫米、450毫米的靜電吸盤，結(jié)構(gòu)上很難、甚至不可能布置這么多的電源線，將這些電源線從靜電吸盤引出到控制器也是個很大的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明公開一種多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)和溫控方法及其適用的靜電吸盤和等離子處理裝置，可精準對靜電吸盤每個區(qū)域進行溫度控制，大幅減少靜電吸盤引出線的數(shù)量。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)，其特點是，該溫控系統(tǒng)設有溫控矩陣和柵極驅(qū)動器；溫控矩陣包含：組成n行m列矩陣的n*m個溫控模塊、電源供應線、電源返回線；

每個溫控模塊包含：

溫控單元，其通電加熱進行溫度控制；

半導體開關(guān)，其設有連接柵極驅(qū)動器的柵極，其柵極觸發(fā)導通或斷開的兩端分別連接電源供應線和經(jīng)過溫控單元連接至電源返回線；

上述溫控矩陣中，同一行或同一列溫控模塊的溫控單元連接電源返回線的一端串聯(lián)連接，并連接至電源返回線；同一行或同一列溫控模塊的半導體開關(guān)連接電源供應線的一端串聯(lián)連接，并連接至電源供應線。

上述溫控矩陣中，

所有溫控模塊的溫控單元連接電源返回線的一端電路連接至同一個電源返回線；

同一列溫控模塊的半導體開關(guān)連接電源供應線的一端串聯(lián)連接，m列溫控模塊形成m個電源接入端，m個電源接入端分別連接至m路電源供應線，m路電源供應線分別對各自所接入列的溫控模塊進行供電控制；

同一行溫控模塊的半導體開關(guān)的柵極串聯(lián)連接，n行溫控模塊引出n條柵極線，n條柵極線分別連接至一個或一個以上柵極驅(qū)動器，該柵極驅(qū)動器對n行溫控模塊分別驅(qū)動控制。

上述溫控矩陣中；

所有溫控模塊的溫控單元連接電源返回線的一端電路連接至同一個電源返回線；

所有溫控模塊的半導體開關(guān)連接電源供應線的一端電路連接至同一個電源供應線；

各個溫控模塊的半導體開關(guān)的柵極分別連接至一個或一個以上柵極驅(qū)動器，該柵極驅(qū)動器對每個溫控模塊分別驅(qū)動控制。

上述半導體開關(guān)采用tft薄膜晶體管或三極管。

一種靜電吸盤，該靜電吸盤的頂部設有用于固定晶圓的靜電吸附組件，其特點是，該靜電吸盤中設有上述的多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)。

上述靜電吸盤中，位于多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的上面或下面還設有用于整體加熱溫控的整體溫控系統(tǒng)。

上述柵極驅(qū)動器集成在靜電吸盤內(nèi)部或設置在靜電吸盤外。

一種等離子處理裝置，該裝置包含等離子體反應腔，該等離子體反應腔內(nèi)底部設有放置晶圓的基座，其特點是，該基座中設有上述的靜電吸盤。

一種多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的溫控方法，其特點是，該多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)包含溫控矩陣和柵極驅(qū)動器；溫控矩陣包含：組成矩陣的溫控模塊、電源供應線、電源返回線；每個溫控模塊包含：溫控單元；半導體開關(guān)，其設有連接柵極驅(qū)動器的柵極，其柵極觸發(fā)導通或斷開的兩端分別連接電源供應線和經(jīng)過溫控單元連接電源返回線；

該溫控方法包含：

電源供應線向需溫控區(qū)域的溫控模塊供電；

柵極驅(qū)動器根據(jù)需溫控區(qū)域，驅(qū)動對應區(qū)域的半導體開關(guān)的導通；

需溫控區(qū)域的溫控單元通電加熱。

所有的溫控模塊接入一個電源返回線；同一列溫控模塊的半導體開關(guān)連接電源供應線的一端串聯(lián)連接，各列溫控模塊分別電路連接一路電源供應線；同一行溫控模塊的半導體開關(guān)的柵極串聯(lián)連接，各行溫控模塊分別電路連接一路柵極驅(qū)動器的控制輸出；

該溫控方法包含：

柵極驅(qū)動器觸發(fā)部分或全部溫控模塊的半導體開關(guān)導通一單位時間后斷開；

當柵極驅(qū)動器觸發(fā)所在需溫控區(qū)域的溫控模塊的半導體開關(guān)時，電源供應線向該需溫控區(qū)域所在列的溫控模塊供電。

上述柵極驅(qū)動器觸發(fā)部分溫控模塊的半導體開關(guān)的方式為：柵極驅(qū)動器根據(jù)預設時間序列，一行行依次掃描觸發(fā)溫控模塊的半導體開關(guān)導通一單位時間后斷開。

上述柵極驅(qū)動器觸發(fā)部分溫控模塊的半導體開關(guān)的方式為：柵極驅(qū)動器根據(jù)指定的需溫控區(qū)域所在行，觸發(fā)對應行的溫控模塊的半導體開關(guān)導通一單位時間后斷開。

所有的溫控模塊接入一個電源返回線和電源供應線；每個溫控模塊的半導體開關(guān)分別接入一路柵極驅(qū)動器的控制輸出；

該溫控方法包含：

柵極驅(qū)動器根據(jù)需溫控區(qū)域所在位置，導通對應位置的溫控模塊的半導體開關(guān)，電源供應線向半導體開關(guān)導通的溫控模塊供電。

上述電源供應線通過控制接入的電壓、或電流、或供電時間，對需溫控區(qū)域的占空比進行控制。

本發(fā)明多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)和溫控方法及其適用的靜電吸盤和等離子處理裝置和現(xiàn)有技術(shù)的刻蝕溫控技術(shù)相比，其優(yōu)點在于，本發(fā)明通過掃描溫控單元的電源供應線和掃描觸發(fā)半導體開關(guān)的柵極，可以精準地控制靜電吸盤內(nèi)的每一個溫控區(qū)，同時由于掃描對象的不同，通過打開所有的半導體開關(guān)和電源供應線可實現(xiàn)對整個靜電吸盤內(nèi)所有溫控區(qū)的溫控單元全部打開；

本發(fā)明通過設置半導體開關(guān)和柵極驅(qū)動器對溫控矩陣進行控制，解決了每一個溫控模塊需要配備一對電源供應線和電源返回線導致引出線過多的問題，從而減少了從靜電吸盤中引出線的數(shù)量，進而簡化后端對這些電源供應線和電源返回線的射頻濾波，同時如果將柵極驅(qū)動器集成入靜電吸盤，進一步大幅度減少從靜電吸盤中引出線的數(shù)量；

本發(fā)明每個溫控模塊都是相互獨立的，不存在溫控模塊相互之間的電干擾，因此對靜電吸盤內(nèi)溫度區(qū)的控制的靈活性和準確度高，可以實現(xiàn)單個溫控模塊的任意獨立控制而不受限制，同時通過控制每個溫控區(qū)半導體開關(guān)的開關(guān)次數(shù)和開關(guān)時間來達到控制每個溫控區(qū)控溫的占空比的目的。

附圖說明

圖1為本發(fā)明多區(qū)主動矩陣溫控的溫控模塊的電路圖；

圖2為本發(fā)明多區(qū)主動矩陣溫控的溫控系統(tǒng)的實施例一的電路圖；

圖3為本發(fā)明多區(qū)主動矩陣溫控的溫控系統(tǒng)的實施例二的電路圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖，進一步說明本發(fā)明的具體實施例。

本發(fā)明公開了一種可實現(xiàn)多區(qū)主動矩陣溫控的等離子處理裝置，該等離子處理裝置包含有等離子體反應腔，該等離子體反應腔的形狀并非限定于圓筒狀，例如也可以是角筒狀。在進行等離子體刻蝕時，向等離子體反應腔提供反應氣體，在等離子體反應腔中設有對應的上電極和下電極，用于激發(fā)反應氣體從而產(chǎn)生等離子體，使工藝過程中等離子體反應腔內(nèi)部充滿有等離子體（plasma）。

在等離子體反應腔的底部設有用于放置晶圓的基座，基座中設置有用于吸附晶圓的靜電吸盤，可根據(jù)需要在靜電吸盤或基座中設有加熱器或制冷劑流路等溫控系統(tǒng)。在實際應用中，下電極可以設置在上述基座中。

本發(fā)明公開了一種靜電吸盤，該靜電吸盤的頂部設有用于固定晶圓的靜電吸附組件，進一步的，該靜電吸盤中設有可進行多區(qū)主動矩陣溫控的溫控系統(tǒng)。溫控系統(tǒng)設有溫控矩陣和柵極驅(qū)動器（gatedriver）；溫控矩陣包含：組成n行m列矩陣的n*m個溫控模塊、電源供應線（powersupplyline）、電源返回線（powerreturnline）；每個溫控模塊包含：溫控單元，其通電加熱進行溫度控制；半導體開關(guān)，其設有連接柵極驅(qū)動器的柵極，其柵極觸發(fā)導通或斷開的兩端分別連接電源供應線和溫控單元。溫控矩陣中，同一行或同一列溫控模塊的溫控單元的電源返回端串聯(lián)連接，并連接至同一個電源返回線。同一行或同一列溫控模塊的半導體開關(guān)連接電源供應線的一端串聯(lián)連接，所有的溫控模塊的半導體開關(guān)連接至一個或若干個電源供應線。溫控模塊的半導體開關(guān)以一行或一列串聯(lián)的形式分別接入柵極驅(qū)動器，或者所有半導體開關(guān)分別單獨接入柵極驅(qū)動器。

實際應用中，半導體開關(guān)采用tft薄膜晶體管或三極管等。如采用tft薄膜晶體管，這些薄膜晶體管的柵極（gate）可以集成在一個柵極驅(qū)動器上，常見的柵極驅(qū)動器的輸出通道數(shù)目有200個輸出、或192個輸出、或256個輸出、或263個輸出，輸出通道足以滿足多區(qū)溫控靜電吸盤的溫控單元（heater）數(shù)量的需求。其他半導體開關(guān)同理。集成的半導體開關(guān)的柵極驅(qū)動器視尺寸大小可以直接設計在靜電吸盤內(nèi)部或者外部。

該溫控系統(tǒng)的工作原理為：電源供應線向靜電吸盤需溫控區(qū)域所在的全部或一列或一行溫控模塊供電；同時柵極驅(qū)動器根據(jù)需溫控區(qū)域，驅(qū)動對應區(qū)域所在的一行或一列或指定個溫控模塊的半導體開關(guān)的導通；需溫控區(qū)域所對應的溫控模塊收到供電后，其溫控單元通電加熱，對需溫控區(qū)域進行溫度控制。

優(yōu)選的，該靜電吸盤中，位于多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的上面或下面還可以設有用于整體加熱溫控的整體溫控系統(tǒng)作為主加熱器，滿足對靜電吸盤整體加熱的功能。

如圖1所示，為一種可進行多區(qū)主動矩陣溫控的溫控模塊，該溫控模塊包含溫控單元101和半導體開關(guān)102。半導體開關(guān)102采用tft薄膜晶體管或三極管等，其柵極（gate）連接柵極線103，由柵極觸發(fā)導通或斷開的源極（source）和漏極（drain）作為電源供應端和電源返回端，分別電路連接至電源供應線104和電源返回線105，當半導體開關(guān)102的柵極觸發(fā)源極和漏極導通，即實現(xiàn)電源供應線104和電源返回線105電路導通。溫控單元101，例如加熱盤（heater、htr），電路連接在半導體開關(guān)102的電源返回端與電源返回線105之間，當柵極觸發(fā)半導體開關(guān)102導通，使電源供應線104和電源返回線105電路導通，電源供應線104（假如電源供應線104此時被施加電壓的話）即對溫控單元101供電，溫控單元101加熱對其所在靜電吸盤的溫控區(qū)進行溫度控制；當半導體開關(guān)102未觸發(fā)導通，則溫控單元101不工作。

如圖2所示，為多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的實施例一，該溫控系統(tǒng)設有溫控矩陣210和柵極驅(qū)動器（gatedriver）；溫控矩陣210包含：組成4行6列矩陣的4*6個溫控模塊220、電源供應線230、電源返回線240、柵極線250。

每個溫控模塊220包含：溫控單元221和半導體開關(guān)222。半導體開關(guān)222采用tft薄膜晶體管或三極管等，其柵極連接柵極線250，由柵極觸發(fā)導通或斷開的源極和漏極作為電源供應端和電源返回端，分別電路連接至電源供應線230和電源返回線240，當半導體開關(guān)222的柵極觸發(fā)源極和漏極導通，即實現(xiàn)電源供應線230和電源返回線240電路導通。溫控單元221電路連接在半導體開關(guān)222的電源返回端與電源返回線240之間，溫控單元221用于電加熱進行溫度控制。

本實施例一中，位于矩陣同一行的六個溫控模塊220的溫控單元221連接電路返回線240的一端串聯(lián)連接，不同行的溫控單元221連接電路返回線240的一端并聯(lián)連接后，電路連接至一個電源返回線240，實現(xiàn)所有溫控單元221電路連接至一條公共電路返回線。

位于同一列的四個溫控模塊220的半導體開關(guān)222連接電源供應線的一端串聯(lián)連接，六列溫控模塊220對應六個電源接入端，六個電源接入端分別連接至六路電源供應線230，六路電源供應線230分別對各自所接入那一列的溫控模塊220進行供電控制。

位于同一行的六個溫控模塊220的半導體開關(guān)222的柵極串聯(lián)連接，并接入一根柵極線250，四行溫控模塊220引出四條柵極線250，四條柵極線250分別連接至一個或一個以上柵極驅(qū)動器的不同輸出通道（channel），該柵極驅(qū)動器對四行溫控模塊220分別驅(qū)動控制。

以包含有n平方個溫控模塊的矩陣溫控系統(tǒng)的靜電吸盤為例，現(xiàn)有技術(shù)中要實現(xiàn)n平方個溫控模塊的獨立工作，具有溫控系統(tǒng)的靜電吸盤總共需要配備n個用于連接電源供應線的端口和n個用于連接電源返回線的端口。而如果采用本實施例一揭示的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，明顯不同于現(xiàn)有技術(shù)；當柵極驅(qū)動器配置在靜電吸盤外面，即需要n條柵極線，n條電源供應線和一條電源返回線，多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)整個進出線的數(shù)量為（2n+1）個；如果集成的柵極驅(qū)動器尺寸很小，直接設計在靜電吸盤內(nèi)部，則只需要n條電源供應線，一條柵極線和一條電源返回線，整個進出線的數(shù)量就為（n+2）個。如上面所述，本實施例一揭示的系統(tǒng)簡化了電源供應線和電源返回線的數(shù)量，進一步簡化了后端這些線的射頻濾波（rffiltering）。

本實施例一多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的溫控方法具體包含以下步驟：

步驟1.1、柵極驅(qū)動器根據(jù)預設的時間序列，以脈沖信號的形式輸出柵極驅(qū)動指令。

步驟1.2、柵極驅(qū)動器觸發(fā)部分或全部溫控模塊的半導體開關(guān)，導通一單位時間后斷開。

步驟1.3、根據(jù)靜電吸盤需溫控區(qū)域的位置，打開對應列的電源供應線230，來實現(xiàn)對對需溫控區(qū)域的溫控模塊220打開或關(guān)閉的控制。

步驟1.4、溫控模塊220的半導體開關(guān)222觸發(fā)導通，電源供應線230對其供電時，溫控單元221發(fā)熱對靜電吸盤進行溫控。

進一步的，在運行上述溫控方法時，通過調(diào)節(jié)對應的電源供應線230接入的電壓、或電流、或打開時間，可以實現(xiàn)對需溫控區(qū)域占空比（dutycycle）的控制。

本實施例的步驟1.2和步驟1.3，柵極驅(qū)動器觸發(fā)半導體開關(guān)與電源供應線供電之間的工作配合，具體有以下三種工作方案：

方案一、柵極驅(qū)動器同時觸發(fā)全部溫控模塊220半導體開關(guān)的方案，具體包含：

步驟1.2、柵極驅(qū)動器同時向所有溫控模塊220的半導體開關(guān)發(fā)送觸發(fā)信號，觸發(fā)全部溫控模塊的半導體開導通一單位時間后斷開。

步驟1.3、在柵極驅(qū)動器觸發(fā)并導通所有半導體開關(guān)222的同時，根據(jù)靜電吸盤需溫控區(qū)域的位置，打開指定列的電源供應線230，對需溫控區(qū)域的溫控模塊220供電，實現(xiàn)對溫控模塊220的打開或關(guān)閉控制。

進一步的，也可以同時打開全部電源供應線230，實現(xiàn)對靜電吸盤的整體溫控。

方案二、柵極驅(qū)動器掃描式觸發(fā)溫控模塊220半導體開關(guān)的方案，具體包含：

步驟1.2、柵極驅(qū)動器輸出的脈沖信號，按時間序列，設計時鐘（clock）來做同步動作，一行行依次掃描觸發(fā)溫控模塊220的半導體開關(guān)222，使半導體開關(guān)222以每一行為單位依次導通一單位時間后斷開。

步驟1.3、在柵極驅(qū)動器觸發(fā)各半導體開關(guān)222，使溫控模塊220以掃描式導通的同時，根據(jù)靜電吸盤需溫控區(qū)域的位置，打開對應列的電源供應線230，完成需溫控區(qū)域溫控模塊220的導通和供電，來實現(xiàn)對對需溫控區(qū)域的打開或關(guān)閉的控制。

具體的，電源供應線230可以當柵極驅(qū)動器掃描至需溫控區(qū)域所在行時，再使該需溫控區(qū)域所在列的溫控模塊220接通電源，完成供電；或者，電源供應線230持續(xù)對需溫控區(qū)域所在列接通電源，柵極驅(qū)動器掃描至需溫控區(qū)域所在行，完成導通供電。

方案三、柵極驅(qū)動器根據(jù)需溫控區(qū)域的分布直接觸發(fā)溫控模塊220半導體開關(guān)的方案，具體包含：

步驟1.2、柵極驅(qū)動器根據(jù)指定的需溫控區(qū)域所在行，觸發(fā)對應行的溫控模塊220的半導體開關(guān)222導通一單位時間后斷開。

步驟1.3、在柵極驅(qū)動器觸發(fā)各半導體開關(guān)222，使需溫控區(qū)域所在行的溫控模塊220導通的同時，打開需溫控區(qū)域所在列的電源供應線230，完成需溫控區(qū)域溫控模塊220的導通和供電，來實現(xiàn)對對需溫控區(qū)域的打開或關(guān)閉的控制。

本實施例一所公開多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)與現(xiàn)有技術(shù)的另一個區(qū)別在于：現(xiàn)有技術(shù)的時域多路復用方案（time-domainmultiplexingscheme），通過直接掃描溫控模塊的電源供應線和電源返回線來實現(xiàn)每個需溫控區(qū)域的準確控制，并且不能同時控制靜電吸盤內(nèi)所有的需溫控區(qū)域。而本實施例一中的方案，通過掃描溫控模塊的電源供應線230和半導體開關(guān)的柵極線250，可以精準地控制靜電吸盤內(nèi)的每一個需溫控區(qū)域，同時由于掃描對象的不同，通過打開所有的半導體開關(guān)222和電源供應線230可實現(xiàn)對整個靜電吸盤內(nèi)所有需溫控區(qū)域的溫控模塊220全部打開控制。

如圖3所示，為多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的實施例二，該溫控系統(tǒng)設有溫控矩陣310和柵極驅(qū)動器（gatedriver）；溫控矩陣310包含：組成4行6列矩陣的4*6個溫控模塊320、電源供應線330、電源返回線340。

每個溫控模塊320包含：溫控單元321和半導體開關(guān)322。半導體開關(guān)322采用tft薄膜晶體管或三極管等，其柵極（gate）連接柵極驅(qū)動器，由柵極觸發(fā)導通或斷開的源極和漏極作為電源供應端和電源返回端，分別電路連接至電源供應線330和電源返回線340，當半導體開關(guān)322的柵極觸發(fā)源極和漏極導通，即實現(xiàn)電源供應線330和電源返回線340電路導通。溫控單元321電路連接在半導體開關(guān)322的電源返回端與電源返回線340之間，溫控單元321用于電加熱進行溫度控制。

本實施例二中，位于矩陣同一行的六個溫控模塊320的溫控單元321連接電路返回線340的一端串聯(lián)連接后，再將位于不同行的溫控單元321并聯(lián)連接，最后通過靜電吸盤的一個用于電源返回的端口電路連接至一個電源返回線340，實現(xiàn)所有溫控單元321只需要通過靜電吸盤的一個用于電源返回的端口電路連接至一條公共電路返回線。

位于同一列的四個溫控模塊320的半導體開關(guān)322連接電源供應線的一端串聯(lián)連接，再將位于不同行的半導體開關(guān)322連接電源供應線的一端并聯(lián)連接后，最后通過靜電吸盤的一個用于電源供應的端口電路連接至一個電源供應線330，實現(xiàn)所有溫控單元321只需要通過靜電吸盤的一個用于電源供應的端口電路連接至一條公共電路供應線。

所有溫控模塊320的半導體開關(guān)322的柵極分別連接至一個或一個以上柵極驅(qū)動器的24個不同的輸出通道（channel），該柵極驅(qū)動器對24個溫控模塊220分別進行驅(qū)動控制。

以包含有n平方個溫控模塊的矩陣溫控系統(tǒng)的靜電吸盤為例，現(xiàn)有技術(shù)中要實現(xiàn)n平方個溫控模塊的獨立工作，具有溫控系統(tǒng)的靜電吸盤總共需要配備n個用于連接電源供應線的端口和n個用于連接電源返回線的端口。而如果采用本實施例二揭示的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，明顯不同于現(xiàn)有技術(shù)；靜電吸盤只需要設置n平方個柵極線的端口、一個連接電源供應線的端口和一個連接電源返回線的端口，這n平方個半導體開關(guān)的柵極線接入柵極驅(qū)動器中，一個柵極驅(qū)動器輸出通道可以滿足一個差不多200個左右的多區(qū)溫控靜電吸盤。對于一個尺寸小的柵極驅(qū)動器，可以設計在靜電吸盤內(nèi)部，會帶來一個很大的好處就是控制這差不多200個溫控模塊的靜電吸盤只需要設置三個端口即可實現(xiàn)所有溫控模塊與柵極驅(qū)動器、電源供應線和電源返回線的連接。進一步，對于200或者更多的溫控模塊的靜電吸盤，可以通過增加一個或幾個柵極驅(qū)動器并集成在靜電吸盤內(nèi)來實現(xiàn)控制。

本實施例二公開的多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的溫控矩陣310含有24個溫控模塊320，設計所有的溫控模塊320共用一個電源供應線330，所有溫控模塊320共用一個電源返回線340，每個溫控模塊320的打開和關(guān)閉由控制半導體開關(guān)322的柵極的打開和關(guān)閉來實現(xiàn)，因此這個提案設計含有24個柵極線，這24個半導體開關(guān)的柵極線接入同一個柵極驅(qū)動器的不同輸出通道。

本實施例二多區(qū)主動矩陣溫控系統(tǒng)的溫控方法具體包含以下步驟：

步驟2.1、電源供應線330和電源返回線340對溫控矩陣310中的所有溫控模塊320提供電源回路。

步驟2.2、柵極驅(qū)動器根據(jù)需溫控區(qū)域所在位置，導通對應位置的溫控模塊320的半導體開關(guān)322。

步驟2.3、溫控模塊320的半導體開關(guān)322觸發(fā)導通，電源供應線330對其供電時，溫控單元321發(fā)熱對靜電吸盤進行溫控。

進一步的，在運行上述溫控方法時，通過調(diào)節(jié)對應的電源供應線330接入的電壓、或電流、或打開時間，實現(xiàn)對需溫控區(qū)域占空比（dutycycle）的控制。

這種多區(qū)溫控靜電吸盤的設計優(yōu)點在于，每個溫控模塊320都是相互獨立的，不存在溫控模塊320相互之間的電干擾，因此對靜電吸盤內(nèi)需溫控區(qū)域的控制的靈活性和準確度高，可以實現(xiàn)單個溫控模塊320，多個需溫控區(qū)域，所有需溫控區(qū)域的任意獨立控制而不受限制，同時通過控制每個需溫控區(qū)域?qū)獪乜啬K320半導體開關(guān)322的開關(guān)次數(shù)和開關(guān)時間來達到控制每個需溫控區(qū)域控溫的占空比的目的。

盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護范圍應由所附的權(quán)利要求來限定。