技術(shù)編號：12806959
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置制造方法和半導(dǎo)體晶片相關(guān)申請的交叉引用2015年12月24日提交的日本專利申請No.2015-250866的公開(包括說明書、附圖和摘要)通過引用將其整體并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置制造方法和半導(dǎo)體晶片。更具體的，本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體晶片的主平面上制造各自在其中具有多個突起電極的半導(dǎo)體裝置的改進(jìn)方法。背景技術(shù)日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2007-36129描述了一種技術(shù)，其中，以如下方式從劃線中移除鈍化膜：鈍化膜在離晶片外圍數(shù)毫米的區(qū)域上保持完整，使得劃線與保護(hù)帶之間的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。