背景技術(shù)：

電子部件可以包括在封裝件中的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件。封裝件包括從半導(dǎo)體器件到襯底或者引線框的內(nèi)部電連接，引線框包括外部接觸。外部接觸用于在重新分布板、諸如印刷電路板上安裝電子部件。封裝件可以包括覆蓋半導(dǎo)體器件和內(nèi)部電連接的殼體。殼體可以包括塑料材料，諸如環(huán)氧樹(shù)脂，并且可以通過(guò)模制過(guò)程、諸如注射模制來(lái)形成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一個(gè)實(shí)施例中，一種電子部件包括：包括分解溫度為至少180℃的有機(jī)成分的第一介電層；嵌入在第一介電層中的半導(dǎo)體管芯；布置在第一介電層的第一表面上的第二介電層，第二介電層包括光可限定的聚合物組合物并且定義具有導(dǎo)電材料的兩個(gè)或更多個(gè)分立的開(kāi)口；布置在第二介電層和導(dǎo)電材料上的第一襯底；以及布置在第一襯底的最外表面上的一個(gè)或多個(gè)接觸墊。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種電子部件包括：包括分解溫度為至少180℃的有機(jī)成分的第一介電層；嵌入在第一介電層中的半導(dǎo)體管芯；布置在第一介電層的第一表面和半導(dǎo)體管芯的第一表面上的第二介電層，第二介電層包括光可限定的聚合物組合物并且定義多個(gè)分立的開(kāi)口，至少一個(gè)第一開(kāi)口布置在第一介電層的第一表面上并且至少一個(gè)第二開(kāi)口布置在半導(dǎo)體管芯上；以及布置在第一和第二分立的開(kāi)口中的第一導(dǎo)電層。導(dǎo)電層的上表面與第二介電層的上表面基本上共面。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括：在電子部件的第一表面上層壓第一襯底，所述電子部件包括：包括分解溫度為至少180℃的有機(jī)成分的第一介電層、嵌入在第一介電層中的半導(dǎo)體管芯、布置在第一介電層的第一表面上并且包括光可限定的聚合物組合物并且定義包括導(dǎo)電材料的兩個(gè)或更多個(gè)分立的開(kāi)口的第二介電層、以及布置在第二介電層和導(dǎo)電材料上的第一導(dǎo)電層；以及在第一襯底上層壓第二導(dǎo)電層。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括：在包括分解溫度為至少180℃的有機(jī)成分的第一介電層中嵌入半導(dǎo)體管芯；向第一介電層的第一表面和半導(dǎo)體管芯的第一表面應(yīng)用第二介電層，第二介電層包括光可限定的聚合物組合物；在第二介電層中限定多個(gè)開(kāi)口，至少一個(gè)開(kāi)口布置在第一介電層的第一表面上并且至少一個(gè)開(kāi)口布置在半導(dǎo)體管芯上；以及向開(kāi)口中應(yīng)用導(dǎo)電材料。第二介電層和導(dǎo)電材料具有基本上共面的上表面。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括：在包括分解溫度為至少180℃的有機(jī)成分的第一介電層中嵌入半導(dǎo)體管芯；向第一介電層的第一表面和半導(dǎo)體管芯的第一表面應(yīng)用第二介電層，第二介電層包括光可限定的聚合物組合物；在第二介電層中限定多個(gè)開(kāi)口，至少一個(gè)開(kāi)口布置在第一介電層的所述第一表面上并且至少一個(gè)開(kāi)口布置在半導(dǎo)體管芯上；向開(kāi)口中應(yīng)用導(dǎo)電材料，第二介電層和導(dǎo)電材料具有基本上共面的上表面；應(yīng)用電耦合布置在至少兩個(gè)開(kāi)口中的導(dǎo)電材料的第一導(dǎo)電層；在第二介電層和導(dǎo)電層上層壓第一襯底；在第一襯底上層壓第二導(dǎo)電層；以及將第二導(dǎo)電層電耦合至第一導(dǎo)電層。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)以及在查看附圖時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到另外的特征和優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

附圖的元件不一定相對(duì)于彼此成比例。相似的附圖標(biāo)記表示對(duì)應(yīng)的類似部分。各種圖示的實(shí)施例的特征可以組合，除非它們彼此排斥。示例性實(shí)施例在附圖中描繪并且在以下描述中詳述。

圖1圖示電子部件。

圖2圖示電子部件和重新分布結(jié)構(gòu)的電子橫截面視圖。

圖3a圖示電介質(zhì)面板的透視俯視圖。

圖3b圖示電介質(zhì)面板的透視仰視圖。

圖3c圖示沿著線a-a的電介質(zhì)面板的橫截面視圖。

圖4a圖示包括半導(dǎo)體管芯的電介質(zhì)面板的透視俯視圖。

圖4b圖示包括半導(dǎo)體管芯的電介質(zhì)面板的透視仰視圖。

圖4c圖示沿著線a-a的電介質(zhì)面板和半導(dǎo)體管芯的橫截面視圖。

圖5a圖示應(yīng)用于包括半導(dǎo)體管芯的電介質(zhì)面板的介電層的透視俯視圖。

圖5b圖示應(yīng)用于包括半導(dǎo)體管芯的電介質(zhì)面板的介電層的透視仰視圖。

圖5c圖示應(yīng)用于電介質(zhì)面板和半導(dǎo)體管芯的介電層的橫截面視圖。

圖6a圖示應(yīng)用于介電層、半導(dǎo)體管芯和電介質(zhì)面板的種子層的透視俯視圖。

圖6b圖示應(yīng)用于介電層、半導(dǎo)體管芯和電介質(zhì)面板的種子層的透視仰視圖。

圖6c圖示應(yīng)用于介電層、半導(dǎo)體管芯和電介質(zhì)面板的種子層的橫截面視圖。

圖7a圖示應(yīng)用于介電層中的開(kāi)口的導(dǎo)電層的透視俯視圖。

圖7b圖示應(yīng)用于介電層中的開(kāi)口的導(dǎo)電層的透視仰視圖。

圖7c圖示被應(yīng)用以包括介電層的導(dǎo)電層的橫截面視圖。

圖8圖示橫截面視圖，其圖示應(yīng)用于介電層的導(dǎo)電層的分立部分。

圖9a圖示應(yīng)用于導(dǎo)電層的另外的導(dǎo)電層的透視俯視圖。

圖9b圖示應(yīng)用于導(dǎo)電層的另外的層的透視仰視圖。

圖9c圖示應(yīng)用于導(dǎo)電層的另外的層的橫截面視圖。

圖10圖示電子部件的截面視圖。

圖11圖示包括應(yīng)用于圖10的電子部件的襯底的橫截面視圖。

圖12圖示層壓的電子部件的橫截面視圖。

圖13a圖示圖12的層壓的電子部件的透視仰視圖。

圖13b圖示圖12的層壓的電子部件的透視俯視圖。

具體實(shí)施方式

在以下詳細(xì)描述中，參考附圖，附圖形成以下詳細(xì)描述的部分，并且附圖中通過(guò)說(shuō)明示出了其中能夠?qū)嵺`本發(fā)明的具體實(shí)施例。在這一點(diǎn)上，方向術(shù)語(yǔ)、諸如“頂部”、“底部”、“前”、“后”、“前部”、“尾部”等參考所描述的附圖的方位來(lái)使用。由于實(shí)施例的部件可以定位在大量不同的方位上，所以方向術(shù)語(yǔ)用于說(shuō)明目的，而絕非限制。應(yīng)當(dāng)理解，可以使用其他實(shí)施例，并且可以在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下做出結(jié)構(gòu)或邏輯變化。本發(fā)明的以下詳細(xì)描述不應(yīng)當(dāng)在限制意義上來(lái)理解，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來(lái)定義。

下面將解釋大量實(shí)施例。在這種情況下，在附圖中，相同的結(jié)構(gòu)特征用相同或相似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。在本描述的上下文中，“橫向”或“橫向方向”應(yīng)當(dāng)被理解為表示通常平行于半導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體載體的橫向伸展的方向或延伸。橫向方向因此通常平行于這些表面或側(cè)面延伸。相比較而言，術(shù)語(yǔ)“垂直”或“垂直方向”應(yīng)當(dāng)被理解為表示通常垂直于這些表面或側(cè)面并且因此垂直于橫向方向的方向。垂直方向因此在半導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體載體的厚度方向上。

如本說(shuō)明書(shū)中采用的，當(dāng)諸如層、區(qū)域或襯底的元件被稱為在另一元件“上”或延伸到另一元件“上”時(shí)，其可以直接地在另一元件上或者直接地延伸到另一元件上，或者也可以存在中介元件。相比較而言，當(dāng)元件被稱為直接“在”另一元件上或者直接地延伸到另一元件“上”時(shí)，不存在中介元件。如本說(shuō)明書(shū)中采用的，當(dāng)元件被稱為“連接”或“耦合”至另一元件時(shí)，其可以直接地連接或耦合至另一元件，或者可以存在中介元件。相比較而言，當(dāng)元件被稱為“直接連接”或“直接耦合”至另一元件時(shí)，不存在中介元件。

圖1圖示電子部件20，其包括第一介電層21、嵌入在第一介電層21中的半導(dǎo)體管芯25以及布置在第一介電層21上的第二介電層22。電子部件20還包括第三介電層23，第三介電層23布置在第一介電層21的第一表面24上并且在第一介電層21與第二介電層22之間。

第三介電層23限定包括導(dǎo)電材料27的至少兩個(gè)分立的開(kāi)口26。第二介電層22布置在第三介電層23上，并且導(dǎo)電材料27定位在開(kāi)口26中。半導(dǎo)體管芯25可以具有與第一介電層21的厚度基本上相同的厚度。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯25定位在第一介電層21中的孔徑32中，并且與第一介電層21的材料間隔一距離。半導(dǎo)體管芯25可以通過(guò)載體或支撐帶33的使用而被支撐在孔徑內(nèi)，載體或支撐帶33布置在與第一表面24相對(duì)的第一介電層21的第二表面34上。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯25直接嵌入在第一介電層21的材料內(nèi)。

可以認(rèn)為電子部件20具有多層或?qū)訅航Y(jié)構(gòu)，其中第三介電層23定位在第一介電層21與第二介電層22之間。三個(gè)介電層21、22、23可以具有不同的組合物。

第一介電層21包括分解溫度為至少180℃的有機(jī)成分。第二介電層22由可以包括復(fù)合結(jié)構(gòu)的襯底、例如嵌入在電介質(zhì)基體中的填料來(lái)提供。第三介電層23包括光可限定的聚合物組合物。

第三介電層23包括不同于第一介電層21的組合物和第二介電層22的組合物的組合物。第三介電層23包括可以包括聚酰亞胺的光敏組合物。

開(kāi)口26可以通過(guò)光成像技術(shù)形成在第三介電層23中。開(kāi)口26延伸通過(guò)第三介電層23的厚度使得導(dǎo)電材料27延伸通過(guò)介電層23的厚度。導(dǎo)電材料27的上表面28和第三介電層23的上表面29可以基本上共面。第三介電層23包括由導(dǎo)電材料27形成的分立的導(dǎo)電區(qū)域。

雖然通過(guò)在第一介電層的第一表面24上積累(buildup)材料并且使用光成像技術(shù)限定開(kāi)口來(lái)應(yīng)用第三介電層23，然而第二介電層22被預(yù)先制造并且作為層通過(guò)層壓被應(yīng)用到第三介電層23。積累和光結(jié)構(gòu)化層的技術(shù)在晶圓級(jí)頻繁地用在半導(dǎo)體器件的制造中。將預(yù)先制造的面板或板接合在一起的層壓技術(shù)頻繁地用在電路板的制造中。因此，兩種不同技術(shù)的組合用于制造單個(gè)電子部件20。

介電層21、22、23中的至少一個(gè)可以用于將來(lái)自半導(dǎo)體管芯25的導(dǎo)電重新布線結(jié)構(gòu)支撐到布置在第一介電層21和第二介電層22中的一個(gè)或多個(gè)介電層的最外表面上的一個(gè)或多個(gè)接觸墊。在圖1的橫截面視圖中不可見(jiàn)的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電過(guò)孔可以用于將半導(dǎo)體管芯25電耦合至一個(gè)或多個(gè)接觸墊。

半導(dǎo)體管芯25可以是晶體管器件，諸如mosfet(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或者igbt(絕緣柵雙極型晶體管)或者bjt(雙極結(jié)型晶體管)。半導(dǎo)體管芯25還可以包括集成電路。

電子部件20不限于包括單個(gè)半導(dǎo)體管芯25，而是可以包括可以嵌入在第一介電層21中的彼此橫向地相鄰的兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體管芯25。例如，半導(dǎo)體管芯25可以包括用于控制一個(gè)或多個(gè)另外的半導(dǎo)體管芯的控制電路系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，包括用于開(kāi)關(guān)一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的柵極驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體管芯和所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件可以嵌入在第一介電層21中。

第三介電層23包括光可限定電介質(zhì)材料，諸如光可限定的聚合物組合物，例如聚酰亞胺。光可限定的聚合物組合物包括在暴露于光、例如電磁光譜的紫外或可見(jiàn)范圍內(nèi)的的光時(shí)改變其結(jié)構(gòu)的聚合物。結(jié)構(gòu)變化導(dǎo)致光可限定的聚合物組合物在被暴露于這種光時(shí)由于聚合物鏈交聯(lián)或者聚合物組合物的聚合作用而導(dǎo)致的硬化。包括光可限定的聚合物組合物的介電層在未固化狀態(tài)下可以包括單體、低聚物和光引發(fā)劑的混合物，其在暴露于光之后變?yōu)橛不木酆衔锊牧?。包括光可限定的聚合物組合物的介電層經(jīng)歷光誘導(dǎo)聚合作用以至少部分固化或者硬化介電層。

一些包括光可限定的聚合物組合物的介電層、諸如包括環(huán)氧樹(shù)脂的介電層可以除了通過(guò)暴露于光而進(jìn)行的部分固化處理之外還經(jīng)歷熱固化處理。一些介電層、諸如包括基于丙烯酸酯的聚合物的介電層可以僅使用光誘導(dǎo)聚合作用而基本上被完全固化。

提供第二介電層22的襯底包括嵌入在電介質(zhì)基體中的填料。填料可以用于在硬化或固化之前調(diào)節(jié)層的流變，調(diào)節(jié)熱膨脹系數(shù)(cte)和/或襯底的熱阻。填料還可以增加復(fù)合物的機(jī)械強(qiáng)度。填料可以具有多個(gè)纖維、諸如玻璃纖維或碳纖維的形式，其可以與電介質(zhì)材料、諸如聚合物交織和浸漬。填料不限于纖維，而是可以包括其他形狀。例如，填料可以包括多個(gè)粒子，粒子可以具有基本上球形形狀。襯底的電介質(zhì)基體可以包括熱固性樹(shù)脂、諸如環(huán)氧樹(shù)脂或者熱塑性塑料作為基體。

在一些實(shí)施例中，襯底可以由所謂的預(yù)浸材料(prepreg)的層提供，預(yù)浸材料包括部分固化或b階段的樹(shù)脂浸漬的交織玻璃纖維或者完全固化的樹(shù)脂浸漬的交織玻璃纖維。樹(shù)脂可以是環(huán)氧樹(shù)脂。在圖1中圖示的實(shí)施例中，襯底包括具有浸漬有熱固性樹(shù)脂31的玻璃纖維30的復(fù)合物。例如，第二介電層22可以包括fr4。

第一介電層21包括分解溫度為至少180℃、或者在一些實(shí)施例中為至少220℃的有機(jī)成分。有機(jī)成分是主要共價(jià)鍵合的含碳成分。分解溫度是有機(jī)成分開(kāi)始化學(xué)分解的溫度。因此，可以認(rèn)為有機(jī)成分在低于分解溫度的溫度下在化學(xué)上是穩(wěn)定的。

在一些實(shí)施例中，分解溫度在180℃到300℃的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，分解溫度在220℃到300℃的范圍內(nèi)。第一介電層21的有機(jī)成分可以被選擇為使得其在隨后的處理期間在化學(xué)上保持穩(wěn)定。

在一些實(shí)施例中，第一介電層21包括在第三介電層23和第二介電層22被應(yīng)用到第一介電層之前基本上完全固化的可固化電介質(zhì)材料。例如，第一介電層可以包括在應(yīng)用第三介電層23之前基本上完全固化的熱固性聚合物，諸如環(huán)氧樹(shù)脂。

在一些實(shí)施例中，第一介電層21由可以與第二介電層22包括相同的復(fù)合物的襯底來(lái)提供。在這些實(shí)施例中，第三介電層23布置在都包括填料的兩個(gè)襯底21、22之間。這兩個(gè)介電層21、22可以包括浸漬填料的熱固性電介質(zhì)，諸如環(huán)氧樹(shù)脂，并且可以包括諸如fr4等復(fù)合物。

在一些實(shí)施例中，如果電介質(zhì)材料具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度，則在嵌入有半導(dǎo)體管芯25的第一介電層21中不使用填料。例如，第一介電層21可以包括光可限定的聚合物組合物，光可限定的聚合物組合物在第三介電層23的應(yīng)用、成像和固化以及第二介電層22的應(yīng)用之前被固化。

光可限定的聚合物組合物可以基本上被完全固化使得第一介電層21不再通過(guò)暴露于光而可固化。因此，第一介電層21在第三介電層23的應(yīng)用和光結(jié)構(gòu)化期間在化學(xué)上和機(jī)械上保持穩(wěn)定。

在一些實(shí)施例中，第一介電層21的光可限定的聚合物組合物被部分固化使得與第三介電層23的某種交聯(lián)在隨后的固化過(guò)程期間發(fā)生。

在一些實(shí)施例中，第一介電層21和第二介電層22被預(yù)先制造。半導(dǎo)體管芯22可以在第一介電層21處于完全固化狀態(tài)或者b階段狀態(tài)時(shí)被嵌入在第一介電層21中。第三介電層23可以被應(yīng)用到第一介電層21的第一表面24和半導(dǎo)體管芯25，開(kāi)口26被形成并且填充有導(dǎo)電材料28。第二介電層22也被提供作為處于部分固化或者b階段狀態(tài)的包括填料和熱固性樹(shù)脂的面板形式的所謂的預(yù)浸或b階段材料。在b階段狀態(tài)下，面板具有機(jī)械完整性，并且可以具有輕微粘附性以便使得面板能夠被粘附到介電層23和導(dǎo)電材料27以產(chǎn)生具有層壓或多層堆疊布置的電子部件20。

在第一介電層21和第二介電層22中的一個(gè)或多個(gè)包括延伸通過(guò)相應(yīng)層的厚度的導(dǎo)電過(guò)孔的實(shí)施例中，可以形成通孔，并且在產(chǎn)生圖1中圖示的堆疊結(jié)構(gòu)的層壓過(guò)程之前或者之后應(yīng)用至少沿通孔的壁排列成行的導(dǎo)電材料。

圖2圖示包括第一介電層21、第二介電層22以及位于第一介電層21與第二介電層22之間的第三介電層23的電子部件40。圖示出在半導(dǎo)體管芯25與電子部件40的外部接觸墊46之間的導(dǎo)電重新分布結(jié)構(gòu)。電子部件40可以通過(guò)外部接觸墊46安裝到更高層的重新分布板(諸如電路板)上并且電耦合至該更高層的重新分布板。

半導(dǎo)體管芯25嵌入在第一介電層21中。半導(dǎo)體管芯25的厚度可以與第一介電層21的厚度基本上相同，或者可以小于第一介電層21的厚度，使得其背面35嵌入在第一介電層21內(nèi)。半導(dǎo)體管芯的側(cè)面36可以與第一介電層21的材料直接接觸，或者可以與第一介電層21的材料間隔開(kāi)。

在本特定實(shí)施例中，第一介電層21和第二介電層22通過(guò)包括填料和熱固性電介質(zhì)基體的襯底提供，并且第三介電層23包括通過(guò)暴露于具有合適波長(zhǎng)的光可固化的光可限定的聚合物組合物。第一介電層21和第二介電層22可以包括fr4，并且第三介電層可以包括聚酰亞胺。

第三介電層23包括兩個(gè)開(kāi)口26。第一開(kāi)口26布置在第一介電層21的第一表面24上，并且第二開(kāi)口26布置在半導(dǎo)體管芯25上方。開(kāi)口26填充有導(dǎo)電材料27。導(dǎo)電材料27例如可以是銅。第三介電層23包括沒(méi)有電耦合至彼此的導(dǎo)電材料27的分立的區(qū)域。

電子部件40使用兩個(gè)不同種類的制造技術(shù)來(lái)制造，并且可以被認(rèn)為是混合技術(shù)。通常在晶圓級(jí)處理中使用的光成像積累技術(shù)用于通過(guò)中央部分的沉積來(lái)制造層，并且通常用在印刷電路板制造中的層壓和微過(guò)孔(盲過(guò)孔)技術(shù)用于制造外部層。例如，第三介電層23使用光成像技術(shù)來(lái)沉積和結(jié)構(gòu)化，因?yàn)榈谌殡妼?3包括光可限定的聚合物組合物。可以通過(guò)施加壓力和熱量來(lái)將預(yù)先制造的第二介電層22層壓到第三介電層上。

圖2圖示在適合于安裝使得半導(dǎo)體管芯25的上表面41和第三介電層的上表面29面朝下的方位中的電子部件40。在圖2中圖示的實(shí)施例中，提供重新布線結(jié)構(gòu)，其從半導(dǎo)體管芯25的上表面41向第二介電層22的最外表面42延伸。第一導(dǎo)電層43布置在第三介電層23的上表面29和導(dǎo)電材料27的上表面28上使得其從被布置在被定位在半導(dǎo)體管芯25上的開(kāi)口26上的導(dǎo)電材料27向被布置在被布置在第一介電層21上的開(kāi)口26中的導(dǎo)電材料27延伸。第一介電層43電耦合導(dǎo)電材料27的兩個(gè)分立的區(qū)域，并且可以用于提供從半導(dǎo)體管芯25到與半導(dǎo)體管芯25相鄰的第一介電層21上延伸的電連接。

提供至少一個(gè)導(dǎo)電過(guò)孔44，其從第二介電層22的最外表面42向第一導(dǎo)電層43延伸。在圖示的實(shí)施例中，導(dǎo)電過(guò)孔44布置在被布置在第一介電層21上的導(dǎo)電區(qū)域45上方。

第二導(dǎo)電層46布置在第二介電層22的最外表面42上。第二導(dǎo)電層46可以被結(jié)構(gòu)化成提供電子部件40的外部接觸墊。第一導(dǎo)電層43、第二導(dǎo)電層46和導(dǎo)電材料27可以包括銅。

第三介電層23可以被沉積到第一介電層21上并且使用光刻技術(shù)被結(jié)構(gòu)化以形成分立的開(kāi)口26。導(dǎo)電材料27和第一導(dǎo)電層43可以通過(guò)電鍍來(lái)沉積。在將第一導(dǎo)電層43應(yīng)用到第三介電層23之后，第二介電層22被層壓到第一導(dǎo)電層43和第三介電層23上。可以提供箔形式的另外的導(dǎo)電層46，其被層壓到第二介電層22上?？梢酝ㄟ^(guò)施加壓力和熱量來(lái)將包括另外的導(dǎo)電層46的第二介電層22層壓到第一導(dǎo)電層43和第三介電層23上。

在將第二介電層層壓到第一介電層21上之后，可以通過(guò)從第一表面42向第二介電層22中引入過(guò)孔來(lái)形成導(dǎo)電過(guò)孔44，使得第一導(dǎo)電層43的部分形成過(guò)孔的基部。可以通過(guò)機(jī)械鉆孔或者激光鉆孔向第二介電層22中引入過(guò)孔。可以應(yīng)用導(dǎo)電材料以在過(guò)孔的側(cè)面上形成導(dǎo)電層從而產(chǎn)生導(dǎo)電過(guò)孔44并且將導(dǎo)電過(guò)孔44耦合至第二導(dǎo)電層46。

第一導(dǎo)電層43的最外表面47具有粗糙的表面以便改善第二介電層22與第一導(dǎo)電層43之間的粘附性。在一些實(shí)施例中，可以優(yōu)選地蝕刻提供第一導(dǎo)電層43的金屬的晶界以通過(guò)基本上v形晶界區(qū)域48提供如圖2中所示的表面粗糙度。

用于沉積第三介質(zhì)層23、導(dǎo)電材料27和第一導(dǎo)電層43的光成像方法與用于通過(guò)層壓來(lái)應(yīng)用第二介電層22和第二導(dǎo)電層46和形成導(dǎo)電過(guò)孔44的電路板制造方法的組合可以用于產(chǎn)生smd(表面安裝器件)部件。

光成像技術(shù)的使用允許實(shí)現(xiàn)非常高密度的連接以及大連接區(qū)域和小連接區(qū)域的制造?？梢酝ㄟ^(guò)導(dǎo)電材料27在半導(dǎo)體管芯25上的開(kāi)口26中的沉積以及另外的導(dǎo)電層43在半導(dǎo)體管芯25的導(dǎo)電材料上的沉積來(lái)接近半導(dǎo)體管芯25的表面積累厚度金屬層。可以認(rèn)為光成像過(guò)程是成本有效的，并且針對(duì)堆疊的內(nèi)部層支持簡(jiǎn)單的積累階段。最終的封裝是陽(yáng)性的，即最外導(dǎo)電層46比第二介電層22的周?chē)鷧^(qū)域高，這適合提供smd部件。

在一些未圖示出的實(shí)施例中，可以在第一介電層21與上表面41相對(duì)的第二表面49上布置具有嵌入在熱固性電介質(zhì)基體中的填料的襯底的形式的另外的介電層。另外的介電層可以覆蓋半導(dǎo)體管芯25和第一介電層21的最外表面47?？梢栽诘谌殡妼拥淖钔獗砻嫔喜贾昧硗獾膶?dǎo)電層。半導(dǎo)體管芯嵌入在中央介電層中的相同或者非常相似的結(jié)構(gòu)的三個(gè)介電層的堆疊(諸如嵌入在電介質(zhì)基體中的填料)可以用于補(bǔ)償電子部件內(nèi)產(chǎn)生的任何應(yīng)力。

將參考圖3到10來(lái)描述制造包括嵌入在電介質(zhì)面板中的半導(dǎo)體管芯的電子部件的方法。

圖3a圖示具有襯底50的包括多個(gè)部件位置的未圖示出的面板的單個(gè)部件位置的上表面51的透視平面視圖。圖3b圖示襯底50的下表面52的三維透視視圖。圖3c圖示沿著線a-a的橫截面視圖。

將參考單個(gè)部件位置來(lái)描述方法。然而，實(shí)際上，方法可以在包括多個(gè)部件位置、例如10個(gè)、100個(gè)或1000個(gè)部件位置的面板上執(zhí)行。

襯底50包括具有適合容納半導(dǎo)體管芯的尺寸的孔徑53。在本實(shí)施例中，襯底50提供包括熱固性聚合物的基體和諸如交織玻璃纖維的填料的介電層。然而，在其他實(shí)施例中，可以省略填料。襯底50包括分解溫度為180℃或更高的有機(jī)成分。在襯底50的上表面51的區(qū)域上并且在孔徑53的外圍周?chē)贾玫谝粚?dǎo)電層54。類似地，在襯底50的下表面52上布置第二導(dǎo)電層55。第一導(dǎo)電層54和第二導(dǎo)電層55可以包括金屬箔，諸如銅箔。一個(gè)或多個(gè)通孔或過(guò)孔56被設(shè)置為與用于半導(dǎo)體管芯的孔徑53相鄰，并且延伸通過(guò)第一導(dǎo)電層54、襯底50和第二導(dǎo)電層55。通孔56的側(cè)壁57由襯底50來(lái)界定和電絕緣。在其他未圖示出的實(shí)施例中，導(dǎo)電層可以設(shè)置在側(cè)壁57上以產(chǎn)生將第一導(dǎo)電層54電耦合至第二導(dǎo)電層55的導(dǎo)電過(guò)孔。

第一導(dǎo)電層54可以包括通過(guò)襯底50的中介區(qū)域彼此電絕緣的兩個(gè)或更多個(gè)分立的部分。第二導(dǎo)電層55還可以包括兩個(gè)或更多個(gè)分立的部分。通孔56可以設(shè)置在這些部分中的一個(gè)或多個(gè)部分中。在圖3中圖示的實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層54和第二導(dǎo)電層55布置在孔徑53的三個(gè)相鄰側(cè)面上。然而，第一導(dǎo)電層54和第二導(dǎo)電層55可以布置在孔徑53的更少或更多側(cè)面上，并且可以取決于所完成的電子部件的重新分布結(jié)構(gòu)而布置在彼此不同數(shù)目的側(cè)面上。

第一導(dǎo)電層54、襯底50和第二導(dǎo)電層55可以通過(guò)印刷電路板來(lái)提供，在印刷電路板中，孔徑53、通孔56和導(dǎo)電層54、55使用諸如機(jī)械鉆孔、激光鉆孔和蝕刻等技術(shù)被結(jié)構(gòu)化。

包括一個(gè)或多個(gè)部件位置的面板可以包括核心襯底，諸如在頂部和底部具有銅層的薄的fr4層壓件?？梢栽趯雽?dǎo)體管芯插入到孔徑中之前，對(duì)面板完全處理。例如，可以對(duì)通孔或過(guò)孔56進(jìn)行鉆取和銅蝕刻以形成從半導(dǎo)體管芯孔徑的所需要的拉回或間隔并且產(chǎn)生在襯底50上形成基本電路系統(tǒng)節(jié)點(diǎn)的分立的導(dǎo)電部分。包括提供金屬化的導(dǎo)電層54、55的總的襯底厚度可以匹配包括管芯金屬化的總的半導(dǎo)體管芯厚度。

可以在沒(méi)有向過(guò)孔的側(cè)壁應(yīng)用導(dǎo)電層的情況下來(lái)鉆取和蝕刻過(guò)孔。用于過(guò)孔的鍍制在隨后的鍍制階段期間可以不完全填充過(guò)孔。如果過(guò)孔僅被鍍制為過(guò)孔周?chē)耐盎蛑w，則在隨后的鍍制過(guò)程期間，孔可能呈帳篷狀以防止部分封閉和與化學(xué)誘捕(entrapment)相關(guān)聯(lián)的可能的風(fēng)險(xiǎn)。

圖4a圖示在襯底50的孔徑53中插入半導(dǎo)體管芯58之后的透視俯視圖，圖4b圖示透視仰視圖，圖4c圖示沿著線a-a的橫截面視圖。

半導(dǎo)體管芯58包括晶體管器件、特別地是垂直晶體管器件，其包括在上表面61上的源極墊59和柵極墊60以及在下表面63上的漏極墊62。然而，半導(dǎo)體管芯58不限于晶體管器件，而是可以包括其他類型的器件。半導(dǎo)體管芯58不限于包括垂直器件，而是可以包括墊布置在單個(gè)表面上的橫向器件，諸如橫向晶體管器件。

半導(dǎo)體管芯58的上表面61上的金屬化的上表面64與第一導(dǎo)電層54的上表面65基本上共面。布置在半導(dǎo)體管芯58的背面63上的金屬化的后部的下表面66與第二導(dǎo)電層55的下表面67基本上共面。在圖示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯58的厚度與襯底50的厚度基本上相同。柵極墊60和源極墊59的厚度與第一導(dǎo)電層54的厚度基本上相同。漏極墊62的厚度基本上對(duì)應(yīng)于第二導(dǎo)電層55的厚度。半導(dǎo)體管芯58的橫向尺寸使得半導(dǎo)體管芯58的側(cè)面69與定義孔徑53的側(cè)面70之間存在間隙68。

在將半導(dǎo)體管芯58插入襯底50中的孔徑53中之前，可以向襯底50的下表面52應(yīng)用粘附帶或載體板以在隨后的下一制造過(guò)程期間向孔徑53提供臨時(shí)基部以及用于半導(dǎo)體管芯58的支撐件。在設(shè)置有用于容納半導(dǎo)體管芯的凹部的實(shí)施例中，凹部的基部可以通過(guò)襯底50的部分或者附接至襯底50的下表面52的另外的襯底來(lái)提供。如果使用凹部，則可以省略粘附帶或載體板。

圖5a圖示特別地在第一導(dǎo)電層54與源極墊59和柵極墊60之間的區(qū)域中向襯底50的上表面51應(yīng)用的第一介電層71的透視俯視圖，圖5b圖示其透視仰視圖，圖5c圖示其橫截面視圖。第一介電層71在半導(dǎo)體管芯58與襯底50之間的間隙68之上延伸，并且用于在孔徑53中固定半導(dǎo)體管芯58。第一介電層71可以具有如下形式或結(jié)構(gòu)：該形式或結(jié)構(gòu)使得第一介電層71能夠被定位在第一導(dǎo)電層54、源極墊59和柵極墊60的部分的邊緣區(qū)域上并且覆蓋這些邊緣區(qū)域。邊緣區(qū)域的這一交疊可以用于在半導(dǎo)體管芯58與襯底50之間以及在第一介電層71與第一導(dǎo)電層54、源極墊59和柵極墊60之間提供附加機(jī)械支撐。

第二介電層72布置在襯底50的下表面52上并且在第二介電層55的部分之間以及在襯底50與半導(dǎo)體管芯58之間的區(qū)域中。如果在第一介電層71的沉積期間使用粘附帶在孔徑53中固定半導(dǎo)體管芯58，則這一粘附帶可以在第二介電層72的應(yīng)用之前被去除。第二介電層72布置在孔徑53的外圍使得其從襯底50向半導(dǎo)體管芯58延伸，縮小孔徑53的外圍處的間隙并且?guī)椭诳讖?3內(nèi)固定半導(dǎo)體管芯58。第二介電層72還可以具有橫向延伸，使得第二介電層55和漏極墊62的外圍區(qū)域被覆蓋。通孔56保持沒(méi)有介電層71、72。組件上的最高表面是介電層71、72的表面，其可以比周?chē)~區(qū)域高大約10-40μm。介電層71、72包括光可限定的聚合物組合物，并且可以通過(guò)光成像技術(shù)來(lái)結(jié)構(gòu)化。

帶或載體板可以用于隨后在襯底50的上表面51上應(yīng)用聚合物層、諸如光可成像的電介質(zhì)聚合物期間將半導(dǎo)體管芯58保持就位。帶可以是熱釋放帶或者uv釋放帶。熱釋放帶使得襯底50的上表面51上的聚合物層能夠通過(guò)成像、顯影以及完全或部分固化被完全處理。部分固化在第一層沒(méi)有被完全固化的情況下使能第二次應(yīng)用某種交叉聚合。電介質(zhì)聚合物可以包括環(huán)氧樹(shù)脂。環(huán)氧樹(shù)脂可以在150℃和200℃之間被固化。例如，帶可以具有粘附強(qiáng)度失效的175℃的溫度。

提供電介質(zhì)的材料可以包括高分子量的聚合物，并且具有可以通過(guò)添加揮發(fā)物控制的粘性(viscosity)。材料可以包括uv丙烯酸酯光敏成分以及也增加粘性的一種或多種填料。為了避免必須從厚膜去除溶劑，例如半導(dǎo)體管芯58與孔徑53的側(cè)面之間的間隙68中的材料，可以在管芯邊緣與襯底之間的垂直部分中使用不含揮發(fā)性元素的100％的固態(tài)樹(shù)脂系統(tǒng)。

在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)附加構(gòu)件73可以布置在孔徑53的側(cè)面70與半導(dǎo)體管芯58的側(cè)面69之間。附加構(gòu)件73也具有粘附功能并且?guī)椭鷮雽?dǎo)體管芯58的側(cè)面69固定到孔徑53的側(cè)面70。附加構(gòu)件73可以與被應(yīng)用到襯底50的上表面51的第一介電層71以及被應(yīng)用到襯底50的下表面52的第二介電層72二者接觸。

介電層71、72被結(jié)構(gòu)化或者圖案化以界定具有由半導(dǎo)體管芯58的金屬化的部分形成的基部的開(kāi)口74以及具有由布置在襯底50上的導(dǎo)電層54、55的部分形成的基部的開(kāi)口75。第一介電層71和第二介電層72與襯底50包括不同的結(jié)構(gòu)和/或組成。在一些實(shí)施例中，介電層71、72的電介質(zhì)材料可以光可成像以便能夠使用光刻技術(shù)來(lái)結(jié)構(gòu)化第一層71和第二層72從而提供多個(gè)開(kāi)口74、75。

圖6a圖示種子層的透視俯視圖，圖6b圖示種子層的透視仰視圖，圖6c圖示種子層的橫截面視圖。應(yīng)用導(dǎo)電種子層76，其可以基本上完全覆蓋第一介電層71、第一導(dǎo)電層54、柵極墊60、源極墊59、第二介電層72、漏極墊62和第二導(dǎo)電層55。另外，導(dǎo)電種子層76覆蓋通孔56的側(cè)壁57。導(dǎo)電種子層76可以通過(guò)諸如無(wú)電沉積的方法或者通過(guò)直接金屬化來(lái)應(yīng)用。導(dǎo)電種子層76可以包括例如銅。

由于導(dǎo)電種子層76在所有導(dǎo)電部件之間延伸，所以第一導(dǎo)電層54電耦合至第二導(dǎo)電層54以及半導(dǎo)體管芯58的每個(gè)接觸墊59、60、62。導(dǎo)電種子層76可以在隨后的制造過(guò)程中用于提供導(dǎo)電表面，一個(gè)或多個(gè)另外的導(dǎo)電層可以通過(guò)電鍍被應(yīng)用到該導(dǎo)電表面上。

圖7a圖示通過(guò)電鍍被應(yīng)用到種子層76的第三導(dǎo)電層77的透視俯視圖，圖7b圖示其透視仰視圖，圖7c圖示其橫截面視圖。第三導(dǎo)電層77布置在第一導(dǎo)電層54上并且延伸通過(guò)通孔56到襯底50的相對(duì)側(cè)并且還布置在第二導(dǎo)電層55上。第三導(dǎo)電層77還布置在柵極墊60、源極墊59和漏極墊62上。第三導(dǎo)電層77的橫向延伸可以通過(guò)掩膜78的使用來(lái)限定，掩膜78被應(yīng)用到布置在第一介電層71的上表面79和第二介電層72的下表面80上的種子層76的部分。掩膜78的橫向形狀對(duì)應(yīng)于下面的介電層71、72。第三導(dǎo)電層77在與孔徑53相鄰的區(qū)域中電耦合導(dǎo)電層54、55，并且可以填充延伸通過(guò)襯底50的通孔56。在一些實(shí)施例中，第三導(dǎo)電層77可以與通孔56的側(cè)壁57排列成行使得中央?yún)^(qū)域保持未被第三導(dǎo)電層77填充。

圖8圖示隨后去除掩膜78之后的圖7的布置。圖8圖示出，第三導(dǎo)電層77具有平面化效應(yīng)以產(chǎn)生具有基本上平坦的上下表面的布置。第三導(dǎo)電層77的厚度可以使得其上表面81與第一介電層71的上表面79基本上共面并且其下表面82與布置在襯底50的下表面52上的種子層76的下表面80基本上共面?？梢哉J(rèn)為第三介電層77填充由第一介電層71和第二介電層72所形成的開(kāi)口74、75。

圖9a圖示被應(yīng)用到第三導(dǎo)電層77的第四導(dǎo)電層83的透視俯視圖，圖9b圖示其透視仰視圖，圖9c圖示其橫截面視圖。可以通過(guò)向第三導(dǎo)電層77應(yīng)用第四導(dǎo)電層83來(lái)增加重新分布結(jié)構(gòu)的厚度?？梢韵虻谝唤殡妼?1和第二介電層72的部分應(yīng)用掩膜84使得所提供的開(kāi)口88的橫向延伸大于第三導(dǎo)電層77的下面區(qū)域的橫向延伸。掩膜84中的這些開(kāi)口88可以填充有第四導(dǎo)電層83。第四導(dǎo)電層83由于開(kāi)口的橫向布置而與第一介電層71和第二介電層72的外圍部分交疊。第四導(dǎo)電層83可以通過(guò)例如電鍍來(lái)應(yīng)用，因?yàn)榉N子層76布置在第一介電層71和第二介電層72的部分上。第四導(dǎo)電層83可以具有不同于第三導(dǎo)電層77的橫向延伸的橫向延伸。第四導(dǎo)電層83可以被布置成將被耦合至半導(dǎo)體管芯58的分立的導(dǎo)電區(qū)域耦合至與半導(dǎo)體管芯58相鄰的襯底50的第一表面51上的分立的導(dǎo)電區(qū)域。

第四導(dǎo)電層83的部分可以用于將源極墊59電耦合至被布置成在襯底50的上表面51上與孔徑53相鄰的第一導(dǎo)電層54的部分并且提供源極墊85。第四導(dǎo)電層83的另外的部分可以用于將柵極墊60電耦合至被布置成在襯底50的上表面51上與孔徑53相鄰的第一導(dǎo)電層54的部分并且提供柵極墊86。第四導(dǎo)電層83還用于將漏極墊62電耦合至填充通孔56的導(dǎo)電材料以及布置在下表面52上的第二導(dǎo)電層55的部分以及布置在襯底50的上表面52上的第一導(dǎo)電層54的部分。漏極墊62電耦合至由被布置在襯底50的相對(duì)側(cè)的第四導(dǎo)電層83的部分提供的漏極接觸墊87。

圖10圖示在去除掩膜84以及在第四導(dǎo)電層83的部分之間延伸的種子層76的部分以便將第四導(dǎo)電層83的各個(gè)部分彼此電絕緣之后的電子部件90?？梢酝ㄟ^(guò)例如濕法蝕刻來(lái)去除種子層76的其余的自由放置(free-lying)的部分?？梢允褂冒姿岬奈g刻劑來(lái)蝕刻包括銅的種子層。

電子部件90的重新分布結(jié)構(gòu)可以通過(guò)向襯底50上沉積至少一個(gè)介電層53和至少一個(gè)導(dǎo)電層77、83來(lái)積累。如圖10中圖示的，電子部件90具有下表面91和上表面92。下表面91包括電耦合至半導(dǎo)體管芯的源極墊59的墊85、僅電耦合至柵極墊60的墊86以及通過(guò)定位在通孔56中的第三導(dǎo)電層77、布置在電子部件90的上表面上的第四導(dǎo)電層83的部分93電耦合至漏極墊62的墊87。墊85、86、87可以提供半導(dǎo)體管芯58嵌入在襯底50中的表面可安裝電子部件90。

在剝?nèi)タ刮g劑或掩膜84之后，可以通過(guò)在整個(gè)表面上方使用的銅蝕刻的使用來(lái)去除種子層76。蝕刻可以從第四導(dǎo)電層83的頂部去除若干微米，并且可以在隨后的層壓過(guò)程中用作粗化蝕刻?？梢允褂眉姿峄瘜W(xué)蝕刻或“機(jī)械蝕刻”來(lái)產(chǎn)生用于粘附的表面，因?yàn)榧姿徇^(guò)程優(yōu)選地侵襲晶界。

電子部件90可以用在各種應(yīng)用中。在這些實(shí)施例中，接觸墊85、86、87可以提供電耦合至例如軟焊接至被布置在較高層襯底上的導(dǎo)電墊的電子部件90的外部接觸表面。然而，電子部件90還可以用在包括至少一個(gè)另外的襯底的層壓電子部件中。在這些實(shí)施例中，接觸墊85、86、87可以提供內(nèi)部重新分布結(jié)構(gòu)的部分，并且可以具有不同于層壓的電子部件的外部接觸墊的橫向布置的橫向布置。

電子部件包括由在襯底50上的四個(gè)層(例如導(dǎo)電層54、種子層76、第三導(dǎo)電層77和第四導(dǎo)電層83)以及在半導(dǎo)體管芯58上的管芯金屬化(諸如源極墊59、種子層76、第三導(dǎo)電層77和第四導(dǎo)電層83)積累的金屬部分。

圖11到13b圖示使用包括嵌入在襯底50中的半導(dǎo)體管芯的電子部件90來(lái)制造層壓電子部件，其中襯底50形成層壓的電子部件110的第一介電層。

圖11圖示在向電子部件90的下表面91應(yīng)用第二襯底100之后的電子部件90的橫截面視圖。另外的導(dǎo)電層101已經(jīng)被應(yīng)用到第二襯底100的最外表面102。第二襯底100可以與第一襯底50具有相同的組成。例如，第二襯底50可以包括浸漬熱固性樹(shù)脂、諸如環(huán)氧樹(shù)脂的交織纖維填料。第一和第二襯底50、100可以包括例如fr4。第二襯底100可以被應(yīng)用到電子部件90的下表面91并且同時(shí)處于部分固化狀態(tài)，使得其符合電子部件90的下表面91并且布置在接觸墊85、86、87之間的區(qū)域中。

在一些實(shí)施例中，第三襯底103可以被應(yīng)用到電子部件90的背面92，使得電子部件90能夠被認(rèn)為夾在兩個(gè)另外的襯底100、103之間。另外的導(dǎo)電層104可以布置在第三襯底103的最外表面105上。另外的導(dǎo)電層104可以與電子部件90電絕緣，并且可以用作用于散熱或者用于到另外的熱沉的熱耦合的有用的表面。

通過(guò)引入穿過(guò)導(dǎo)電層101的厚度并且各具有由第二襯底100的部分形成的基部的通孔106，第一導(dǎo)電層101可以提供層壓的器件的重新分布結(jié)構(gòu)的部分和/或用作掩膜。通孔106可以通過(guò)蝕刻來(lái)形成，并且可以用于引導(dǎo)穿過(guò)第二襯底100的厚度的通孔108的引入使得接觸墊85、86、87的部分在通孔108的基部中被暴露。通孔108可以通過(guò)例如激光鉆孔或者機(jī)械鉆孔來(lái)形成。由電子部件90的金屬化59、60、62、種子層76、第三導(dǎo)電層77和第四導(dǎo)電層83產(chǎn)生的半導(dǎo)體管芯58上方的厚的銅促進(jìn)深度鉆取過(guò)孔或通孔形成工藝的使用。

圖12圖示向最外表面102應(yīng)用的另外的導(dǎo)電層107的橫截面視圖，另外的導(dǎo)電層107至少與通孔108排列成行并且延伸到第二襯底100的最外表面102上。導(dǎo)電層107包括電耦合到半導(dǎo)體管芯58的電極之一并且通過(guò)第二襯底100的中介部分彼此電絕緣的分立的部分。另外的導(dǎo)電層107提供層壓的電子部件100的外部接觸。另外的導(dǎo)電層107可以包括布置在第二襯底100的最外表面102上的一個(gè)或多個(gè)漏極外部接觸115、一個(gè)或多個(gè)柵極外部接觸114以及一個(gè)或多個(gè)源極外部接觸113。

在一些實(shí)施例中，在第二襯底100的層壓并且在適用的情況下在第三襯底103的層壓之前，可以粗糙化第四導(dǎo)電層83的最外表面以便在第四導(dǎo)電層83與襯底100、103的材料之間產(chǎn)生附加機(jī)械互鎖。在一些實(shí)施例中，可以蝕刻第四導(dǎo)電層83以產(chǎn)生粗糙化的表面?？梢詧?zhí)行蝕刻以優(yōu)選地蝕刻第四導(dǎo)電層83的晶界從而增加第四導(dǎo)電層83的表面積。

在第二和第三襯底100、103在層壓時(shí)包括部分固化的熱固性樹(shù)脂的實(shí)施例中，堆疊可以經(jīng)歷固化處理以進(jìn)一步以及甚至完全固化第二襯底100和第三襯底103的熱固性樹(shù)脂。

圖13a和圖13b分別圖示層壓的電子部件、例如圖12的層壓的電子部件110的下表面111和上表面112的透視仰視圖和透視俯視圖。

圖13a圖示層壓的電子部件110的接觸墊的橫向布置。如在下表面111的三維透視視圖中可見(jiàn)，在本特定實(shí)施例中，層壓的電子部件110包括兩個(gè)源極墊113、113’、兩個(gè)柵極墊114、114’以及兩個(gè)漏極墊115、115’。柵極墊114布置在源極墊113與漏極墊115之間，柵極墊114’布置在源極墊113’與漏極墊115’之間。然而，層壓的電子部件110的接觸墊的數(shù)目和橫向布置不限于圖13a中圖示的布置，而是可以變化。

如圖13b中圖示的，層壓的電子部件110的上表面112可以包括通過(guò)第三襯底103與將半導(dǎo)體管芯58上的漏極墊62耦合至漏極墊115、115’的導(dǎo)電重新分布結(jié)構(gòu)電絕緣的導(dǎo)電層104的部分。

在通孔108沒(méi)有完全填充有導(dǎo)電材料的實(shí)施例中，通孔的部分可以在接觸墊113、113’、114、114’、115和115’中可見(jiàn)。

層壓的電子部件110可以是分立的功率器件。例如，層壓的電子部件110可以包括嵌入在第一襯底50中的單個(gè)晶體管器件。然而，本文中描述的方法不限于包括單個(gè)半導(dǎo)體管芯的部件，而是也可以應(yīng)用于半導(dǎo)體管芯安裝在相反方向上的多芯片模塊，例如第一晶體管器件可以具有源極向下、漏極向上布置，并且第二晶體管器件可以具有漏極向下、源極向上布置。

本文中描述的用于產(chǎn)生層壓的電子器件的方法可以被認(rèn)為是使用光成像和積累技術(shù)來(lái)制造內(nèi)部層、諸如電子部件90的介電層53以及第三和第四導(dǎo)電層77和83并且在最外電介質(zhì)層100、103上使用層壓和微過(guò)孔(盲過(guò)孔)技術(shù)的混合技術(shù)。在產(chǎn)生smd(表面安裝器件)部件時(shí)，這一混合技術(shù)可以用于產(chǎn)生高密度連接，從而產(chǎn)生大小連接區(qū)域?？梢越咏雽?dǎo)體管芯的表面積累厚的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，光成像加工可以是成本有效的，并且加工路線支持簡(jiǎn)單的積累階段。最終空間占用是陽(yáng)性的，因?yàn)槠涓哂谥車(chē)鷧^(qū)域。

空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)、諸如“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等用于方便描述以解釋一個(gè)元件相對(duì)于第二元件的定位。除了在附圖中描繪的這些方位，這些術(shù)語(yǔ)意圖包括器件的不同方位。另外，術(shù)語(yǔ)、諸如“第一”、“第二”等也用于描述各種元件、區(qū)域、部分等，并且也沒(méi)有意圖限制。相似的術(shù)語(yǔ)遍及描述指代相似的元件。

如本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“具有”、“包含”、“包括(including)”、“包括(comprising)”等是開(kāi)放式術(shù)語(yǔ)，其表示所陳述的元件或特征的存在，但不排除附加元件或特征。冠詞“一(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the)”意圖也包括復(fù)數(shù)，除非上下文另外清楚地指出。應(yīng)當(dāng)理解，本文中描述的各種實(shí)施例的特征可以彼此組合，除非另外具體指出。

雖然本文中已經(jīng)說(shuō)明和描述了具體實(shí)施例，然而本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以針對(duì)所示出和所描述的具體實(shí)施例做出各種替選和/或等同實(shí)現(xiàn)，而沒(méi)有偏離本發(fā)明的范圍。本申請(qǐng)意圖覆蓋本文中討論的具體實(shí)施例的任何適配或變化。因此，意圖在于，本發(fā)明僅受權(quán)利要求及其等同方案的限制。