本申請要求于2015年9月7日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2015-0126453號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開的示例性實施方式的一個或多個方面涉及有機發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：有機發(fā)光裝置為自發(fā)光裝置，其具有寬視角、高對比度和短響應(yīng)時間。另外，OLED呈現(xiàn)優(yōu)異的亮度、驅(qū)動電壓和響應(yīng)速度特性，并產(chǎn)生全色圖像。有機發(fā)光裝置可包括基板上的第一電極、以及順序布置在第一電極上的空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層、電子傳輸區(qū)和第二電極。由第一電極提供的空穴可穿過空穴傳輸區(qū)向發(fā)光層移動，并且由第二電極提供的電子可穿過電子傳輸區(qū)向發(fā)光層移動。載流子例如空穴和電子可在發(fā)光層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。根據(jù)電子自旋統(tǒng)計學(xué)，單線態(tài)激子和三線態(tài)激子以1:3的比例形成。單線態(tài)激子態(tài)和三線態(tài)激子態(tài)之間的躍遷通過系間竄越(ISC)和/或三線態(tài)-三線態(tài)融合(TTF)而發(fā)生。在使用熒光發(fā)光體的裝置中，單線態(tài)激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)從而產(chǎn)生光。在使用磷光發(fā)光體的裝置中，三線態(tài)激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)從而產(chǎn)生光。技術(shù)實現(xiàn)要素：本公開的示例性實施方式的一個或多個方面涉及具有長壽命的有機發(fā)光裝置。其它方面部分將會在接下來的說明書中列出，部分將從說明書中顯而易見，或可通過實行目前的實施方式而認識到。本公開的示例性實施方式的一個或多個方面提供有機發(fā)光裝置，包括：第一電極；面對所述第一電極的第二電極；在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層；在所述第一電極和所述發(fā)光層之間的空穴傳輸區(qū)，所述空穴傳輸區(qū)包括直接接觸所述發(fā)光層的第一空穴傳輸層(HTL)；以及在所述第二電極和所述發(fā)光層之間的電子傳輸區(qū)，其中所述第一HTL包括第一化合物和第二化合物，所述發(fā)光層包括第三化合物和第四化合物，所述第二化合物的電子親和性大于所述第一化合物的電子親和性，所述第四化合物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級大于所述第三化合物的LUMO能級，所述第二化合物和所述第三化合物彼此不同，且所述第二化合物的最小負離子分解能大于所述第三化合物的三線態(tài)能量。附圖說明結(jié)合附圖，本發(fā)明的這些和/或其它方面將從示例性實施方式的以下說明中變得顯而易見和更易于理解，其中：圖1說明了相關(guān)技術(shù)中的有機發(fā)光裝置的能級圖，包括在驅(qū)動亮度下的發(fā)光區(qū)中的注入/漏泄電荷濃度和激子濃度；圖2說明了以下能級圖，該能級圖表示空穴傳輸層(HTL)材料(NPB)、發(fā)光層(EML)主體(ADN)、發(fā)光層(EML)摻雜劑(FD1)和電子傳輸層(ETL)材料(ET1)的最高占有分子軌道(HOMO)能級和最低未占有分子軌道(LUMO)能級；圖3說明了有機發(fā)光裝置的發(fā)光層中的激子濃度分布；圖4說明了根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光裝置的示意圖；以及圖5說明了以下能級圖，該能級圖表示根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光裝置的HIL材料、第一空穴傳輸層(HTL1)材料、第二空穴傳輸層(HTL2)材料、EML材料和ETL材料的能級。圖6為計算H43和FD15(用于EML的材料)各自的LUMO能級、三線態(tài)能量和單線態(tài)能量的方法的示意圖。具體實施方式現(xiàn)更詳細地參考示例性實施方式，其實例在附圖中說明，其中通篇中相同的參考數(shù)字是指相同的元件。在這點上，本示例性實施方式可具有不同的形式并不應(yīng)解釋為限于本文列出的說明。因此，本示例性實施方式僅僅通過參考附圖在以下描述以解釋本說明書的方面。如文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個有關(guān)的所列項目的任意和全部組合。諸如“中的至少一個”、“中的一個”、“選自……中的至少一個”和“選自……中的一個”的表述，在一列元件之后時，修飾整列元件，而不是修飾該列中的單個元件。在附圖中，為了清楚，層、膜、板、區(qū)域等的厚度可被放大?？梢岳斫獾氖?，當一個元件比如層、膜、區(qū)域或基板被稱為在另一個元件“之上”時，它可直接在另一個元件之上或者也可存在中間元件。相比之下，當一個元件被稱為“直接”在另一個元件“之上”時，就不存在中間元件。當用在有機發(fā)光裝置中的有機分子的特定化學(xué)鍵由于與電荷或激子反應(yīng)而分解(例如斷裂)時，有機發(fā)光裝置的性能會劣化。因此，當使用具有更小分解速率常數(shù)的分子時，所制得的有機發(fā)光裝置會具有長的壽命。圖1說明了相關(guān)技術(shù)中的有機發(fā)光裝置的能級圖，包括在驅(qū)動亮度下的注入/漏泄電荷濃度和發(fā)光區(qū)中的激子濃度。在圖1中，Ne表示由電子傳輸層(ETL)注入至發(fā)光層(EML)的電子的濃度，Nh表示由空穴傳輸層(HTL)注入至EML的空穴的濃度，Nex表示由EML中的電子和空穴的復(fù)合而形成的激子的濃度，Nh'表示由EML漏泄至ETL的空穴的濃度，以及Ne'表示由EML漏泄至HTL的電子的濃度。用在有機發(fā)光裝置中的有機分子的化學(xué)鍵在有機分子接收激子能量時會分解。有機分子的分解速率常數(shù)會根據(jù)有機分子是否在正離子態(tài)、負離子態(tài)和/或中性態(tài)而變化。有機分子中的化學(xué)鍵的分解會導(dǎo)致有機發(fā)光裝置的效率改變。通過參照以下等式可描述有機發(fā)光裝置的壽命。等式1ηEQE＝γ×ηS/T×φPL×ηout。根據(jù)等式1，外量子效率(ηEQE)可由電荷平衡因子(γ)乘以允許發(fā)光的激子比(ηS/T)、EML的發(fā)光量子效率和外界光提取效率(ηout)的積而計算。壽命(R)可由在目標亮度時的外量子效率的變化率(例如，ηEQE關(guān)于時間的導(dǎo)數(shù))而計算，使得外量子效率的變化率取決于電荷平衡因子和EML的發(fā)光量子效率的變化率(例如，關(guān)于時間的導(dǎo)數(shù))。由于剩余兩個變量(ηS/T和ηout)隨時間的變化是可以忽略的，所以這兩個變量可被視為常數(shù)(C)。外量子效率關(guān)于時間的變化率示于等式2中：等式2根據(jù)等式2，由于EML中的材料的分解和/或電荷平衡因子的改變，有機發(fā)光裝置的性能會劣化。根據(jù)等式3可計算由EML的材料的分解而引起的與發(fā)光量子效率相對于時間的變化率(rex)有關(guān)的分解速率：等式3在等式3中，Nnu、N正離子和N負離子分別表示EML的材料在中性態(tài)、正離子態(tài)和負離子態(tài)時的濃度，Nex表示EML中的激子的濃度，且kdeg，nu、kdeg，正離子和kdeg，負離子分別表示EML的材料在中性態(tài)、正離子態(tài)和負離子態(tài)時的分解速率常數(shù)。由等式3描述的分解速率也可適用于EML中的有機分子的其它鍵。根據(jù)等式4可計算與電荷平衡因子(用在等式2中)關(guān)于時間的變化率(rbal)有關(guān)的分解速率：等式4rHT＝kdeg，HT,an·NHT，ex·Ne′+kdeg，HT，ca·NHT，ex·Nh+kdeg，HT，nu·NHT，nu·NHT，ex…rET＝kdeg，ET，ca·NET，ex·Nh′+kdeg，ET，an·NET，ex·Ne+kdeg，ET，nu·NET，nu·NET，ex…rEM＝kdeg，EM，ca·NEM，ex·Nh+kdeg，EM，an·NEM，ex·Ne+kdeg，EM，nu·NEM，nu·NEM，ex…。在等式4中，rHT、rET和rEM分別表示空穴傳輸層、電子傳輸層和EML材料的分解速率，且C1、C2和C3為常數(shù)。Na，b表示在“b”狀態(tài)中的材料的濃度，該材料包括在“a”層(例如HTL、ETL或EML)中，且kdeg，a，b表示在“b”的狀態(tài)中的分子的分解速率常數(shù)，該分子包括在“a”層中。用在等式3和4中的分解速率常數(shù)為雙分子速率常數(shù)，且可以等式5的形式概括：等式5在等式5中，A為與熵(頻率每單位體積的單位)有關(guān)的值，Ea為活化能，其與鍵-分解能有關(guān)，R為玻爾茲曼常數(shù)，且T為絕對溫度(例如以開爾文溫標計)。分子的分解能可根據(jù)分子是否在正離子態(tài)、負離子態(tài)、中性態(tài)或激子態(tài)而變化。當在正離子態(tài)、負離子態(tài)和/或中性態(tài)的分子的分解能小于激子態(tài)的分子的分解能時，在正離子態(tài)、負離子態(tài)和/或中性態(tài)的分子很有可能會分解。例如，在正離子態(tài)、負離子態(tài)和中性態(tài)時的分解能與NPB(用于空穴傳輸層的材料)、AND(用于EML的主體)、FD1(用于EML的摻雜劑)和ET1(用于電子傳輸層的材料)中的每一個相比，所得值示于表1中。通常，分解能按C-C雙鍵、C-C單鍵和C-N單鍵的順序減少，且表1示出了在每個分子中最弱鍵的分解能。為了比較，下表還示出了四種分子的單線態(tài)能量和三線態(tài)能量。通過參照以下評價例可理解用于計算分解能的方法。表1如表1所示，參照等式3和5，看到了在中性、正離子和/或負離子態(tài)時的AND(用于EML的主體)的分解能大于其單線態(tài)能量和三線態(tài)能量。因此，AND的分解由于單線態(tài)能量和/或三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移而不會發(fā)生。然而，當FD1(用于EML的摻雜劑)在負離子態(tài)時，C-N鍵的分解能小于單線態(tài)能量和三線態(tài)能量。當FD1在負離子態(tài)時，C-N鍵的分解速率常數(shù)大于其它的分解速率常數(shù)，因此，等式3可表達為(例如近似的)等式6：等式6也就是說，因為當FD1(用于EML的摻雜劑)在負離子態(tài)時，C-N鍵的分解速率常數(shù)是高的，所以發(fā)光量子效率會降低。圖2說明了以下能級圖，該能級圖表示HTL材料(NPB)、EML主體(ADN)、EML摻雜劑(FD1)和ETL材料(ET1)的最高占有分子軌道(HOMO)能級和最低未占有分子軌道(LUMO)能級。當EML中的主體和摻雜劑的能級相當時，就空穴而言，摻雜劑的能級位于俘獲位置，也就是說，在比主體的能級更穩(wěn)定的能級上，就電子而言，摻雜劑的能級位于散射位置，也就是說，在比主體的能級更高的能級上。也就是說，在空穴由HTL注入的情況下，空穴被摻雜劑材料捕獲，但是在電子由ETL注入的情況下，因為摻雜劑材料的能級位于散射位置，所以電子不會負離子化摻雜劑材料且只會負離子化主體材料。因為摻雜劑材料存在于負離子態(tài)中的可能性基本上是低的，所以EML劣化的可能性基本上是低的，且可降低摻雜劑材料對EML劣化的貢獻，其為等式2的分子中的第一項。為此，摻雜劑的LUMO能級應(yīng)該比主體的LUMO能級高。例如，摻雜劑分子的LUMO能級可比主體分子的LUMO能級大例如0.1eV或更多，或0.2eV或更多。參照表1以及等式4和5，NPB和ET1的分解能在負離子態(tài)時是最低的；且在NPB在負離子態(tài)時的情況下，C-N鍵的分解能小于AND和/或FD1的三線態(tài)能量。在ET1在負離子態(tài)時的情況下，C-N鍵的分解能大于AND的三線態(tài)能量和/或FD1的三線態(tài)能量且小于其各自的單線態(tài)能量，因此，ET1由于單線態(tài)能量轉(zhuǎn)移而會分解，但是ET1由于三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移而分解的可能性是低的。因而，因為NPB和ET1在負離子態(tài)時具有相對大的C-N鍵分解速率常數(shù)，且用于EML的主體材料具有相對小的分解速率常數(shù)，所以等式4可表達為(例如近似的)等式7：等式7也就是說，電荷平衡因子的變化率(其為等式2的分子中的第二項)取決于用于HTL的材料和用于ETL的材料的分解。圖3說明了相關(guān)技術(shù)中的有機發(fā)光裝置的EML中的激子濃度分布。在EML中，空穴位于捕獲位置，且電子位于散射位置。因此，在EML中，電子遷移率可比空穴遷移率高約102至103倍。由于遷移率的差異，在特定的施加電壓下在EML中電子比空穴移動更快，因此，EML中的激子濃度在HTL和EML之間的界面處會是最高的，且在從EML向EML和ETL之間的界面處移動的方向上會減小。單線態(tài)激子的躍遷時間可為例如幾納秒(ns)，且三線態(tài)激子的最快躍遷時間由于TTF誘導(dǎo)的熒光的延遲可為例如幾十微秒(μs)。因此，當考慮躍遷時間時，每單位時間，三線態(tài)激子的濃度可為單線態(tài)激子濃度的約1,000倍。由于EML中的空穴遷移率和電子遷移率之間的差異，在HTL和EML之間的界面處的EML中的單線態(tài)激子的濃度可為ETL和EML之間的界面處的EML中的單線態(tài)激子濃度的約100倍。并且，因為用于HTL的材料在負離子態(tài)時的鍵分解能比用于ETL的材料在負離子態(tài)時的鍵分解能小(例如0.5eV)，所以用于HTL的材料的分解速率常數(shù)大于用于ETL的材料的分解速率常數(shù)。因此，用于HTL的材料的分解的可能性基本上高于用于ETL的材料的分解的可能性。用于ETL的材料在負離子態(tài)時的鍵分解能大于用于EML的主體材料的三線態(tài)能量，因此，用于ETL的材料的分解速率常數(shù)是低的，因而，用于ETL的材料的分解的可能性是低的。然而，用于HTL的材料在負離子態(tài)時的鍵分解能小于用于EML的主體的三線態(tài)能量，使得用于HTL的材料可具有相對高的分解速率常數(shù)，因此，用于HTL的材料可由此具有較高的分解可能性。因此，用于HTL的材料的分解可為有機發(fā)光裝置的性能劣化的主要原因，且通過防止或降低用于HTL的材料的分解可獲得具有長壽命的有機發(fā)光裝置。圖4說明了根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光裝置10的示意圖。有機發(fā)光裝置10包括第一電極110、空穴傳輸區(qū)130、EML150、電子傳輸區(qū)170和第二電極190。在下文中，將結(jié)合圖4描述根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)和制造根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光裝置的方法。在圖4中，基板可在第一電極110之下和/或在第二電極190之上。所述基板可為玻璃基板和/或透明塑料基板，各自具有優(yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明性、表面光滑度、易操作性和/或防水性。第一電極110可通過在基板上沉積和/或濺射用于形成第一電極110的材料而形成。當?shù)谝浑姌O110是陽極時，用于第一電極110的材料可選自具有高功函以促進空穴注入的材料。第一電極110可為反射電極、半透射電極和/或透射電極。用于第一電極110的材料可為透明和/或高傳導(dǎo)性材料，且這種材料的非限制性實例可包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)和氧化鋅(ZnO)。當?shù)谝浑姌O110為半透射電極和/或反射電極時，可使用選自鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)中的至少一種作為用于形成第一電極110的材料。第一電極110可具有單層結(jié)構(gòu)和/或包括兩個或更多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極110可具有ITO/Ag/ITO的三層結(jié)構(gòu)，但第一電極110的結(jié)構(gòu)并不限于此。在第一電極110上，空穴傳輸區(qū)130、EML150和電子傳輸區(qū)170以該所述順序依次堆疊?？昭▊鬏攨^(qū)130包括直接接觸EML150的第一HTL，且所述第一HTL可包括第一化合物和第二化合物。所述第一化合物可選自m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、TCTA以及由式1A和1B表示的化合物：式1A式1B在式1A和1B中，L11至L15可各自獨立地選自取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60亞芳基、取代或未取代的C1-C60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團；a11至a14可各自獨立地選自0、1、2和3，a15可選自1、2、3、4和5；且R11至R14可各自獨立地選自取代或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團。在一些實施方式中，所述第一化合物可進一步由式1A(1)或1B(1)表示：式1A(1)式1B(1)在式1A(1)和1B(1)中，L11至L13、a11至a13、a15和R12至R14可各自與文中所描述的與式1A和1B有關(guān)的相同，且R111和R112可各自與文中所描述的與R13有關(guān)的相同，且R113至R116可各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團。例如，在式1A(1)和1B(1)中，L11至L13可各自獨立地選自：亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基、亞屈基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞咔唑基和亞三嗪基；以及各自被選自以下的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基、亞屈基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞咔唑基和亞三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，a11至a13可各自獨立地選自0和1，R12至R14、R111和R112可各自獨立地選自：苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，R113和R114可各自獨立地選自：C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；各自被選自以下的至少一個取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，R115和R116可各自獨立地選自：氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；各自被選自以下的至少一個取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，且a15可選自1和2。例如，式1A(1)中的R113和R114可彼此結(jié)合(例如偶合)并形成飽和或不飽和的環(huán)。所述第一化合物可由選自化合物HT1至HT20中的一個表示，但本公開的實施方式并不限于此：所述第二化合物可由選自式2A和2B中的一個表示：式2AAr21-[(L21)a21-R21]b21，式2B在式2A和2B中，Ar21可選自：萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基；以及各自被選自以下的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，L21可選自取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60亞芳基、取代或未取代的C1-C60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團，a21可選自0、1、2和3，R21至R24可各自獨立地選自：氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；各自被選自以下的至少一個取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，b21可選自1、2、3和4，且b1至b4可各自獨立地選自0至4的整數(shù)，其中Q31至Q33可各自獨立地選自氫、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C6-C60芳基和C1-C60雜芳基。在一些實施方式中，所述第二化合物可進一步由選自式2A(1)、式2A(2)和式2B(1)中的一個表示：式2A(1)式2A(2)式2B(1)在式2A(1)、2A(2)和2B(1)中，L21至L24可各自獨立地選自亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基和亞二苯并咔唑基；以及各自被選自以下的至少一個取代的亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基和亞二苯并咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基和二苯并咔唑基，a21至a24可各自獨立地為選自0至3的整數(shù)，R21至R24可各自獨立地選自：氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；各自被選自以下的至少一個取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基和萘基；苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、苯并咪唑基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、苯并咪唑基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、苯并咪唑基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，且b1至b4可各自獨立地為選自0至4的整數(shù)。在一些實施方式中，所述第二化合物可進一步由選自化合物1至4中的一個表示，但本公開的實施方式并不限于此：可選地，所述第二化合物可進一步由選自式601和602中的一個表示：式601Ar601-[(L601)xe1-E601]xe2。在式601中，Ar601可選自：萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基；以及各自被選自以下的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團和-Si(Q301)(Q302)(Q303)(其中Q301至Q303可各自獨立地選自氫、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C6-C60芳基或C1-C60雜芳基)，L601可與文中所描述的與L11有關(guān)的相同，E601可選自：吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；以及各自被選自以下的至少一個取代的吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基，xe1可選自0、1、2和3，且xe2可選自1、2、3和4。式602在式602中，X611可選自氮(N)和C-(L611)xe611-R611，X612可選自N和C-(L612)xe612-R612，X613可選自N和C-(L613)xe613-R613，且選自X611至X613的至少一個可為N，L611至L616可各自與文中所描述的與L11有關(guān)的相同，R611至R616可各自獨立地選自：苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，且xe611至xe616可各自獨立地選自0、1、2和3。由式601表示的化合物和由式602表示的化合物可各自獨立地選自化合物ET1至ET15：在一些實施方式中，所述第一HTL可包括選自由式1A和1B表示的化合物的第一化合物，以及選自由式2A和2B表示的化合物的第二化合物。在一些實施方式中，所述第一HTL可包括選自由式1A(1)和1B(1)表示的化合物的第一化合物，以及選自由式2A(1)、2A(2)和2B(1)表示的化合物的第二化合物。在一些實施方式中，所述第一HTL可包括選自化合物HT1至HT20的第一化合物，以及選自化合物1至4的第二化合物。在一些實施方式中，所述第一HTL可包括選自化合物HT1至HT20的第一化合物，以及選自化合物ET1至ET15的第二化合物。在所述第一HTL中所述第一化合物與所述第二化合物的重量比可為99:1至50:50，且在一些實施方式中，為99:1至80:20。當重量比在上述范圍內(nèi)時，由EML漏泄至第一HTL的電子可被捕獲，從而防止或減少所述第一化合物的負離子化。因此，可防止或降低有機發(fā)光裝置10的性能的劣化。所述第一HTL的厚度可為至且在一些實施方式中，為至當所述第一HTL的厚度在上述范圍內(nèi)時，可以在驅(qū)動電壓沒有增加下平衡有機發(fā)光裝置中的空穴和電子的移動?？昭▊鬏攨^(qū)130可進一步包括選自空穴傳輸層、空穴注入層以及在第一電極110和第一空穴傳輸層之間的緩沖層中的至少一個。例如，空穴傳輸區(qū)130可具有空穴注入層/第一空穴傳輸層、空穴注入層/緩沖層/第一空穴傳輸層、緩沖層/第一空穴傳輸層、空穴注入層/第二空穴傳輸層/第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層/第一空穴傳輸層、緩沖層/第二空穴傳輸層/第一空穴傳輸層和/或空穴注入層/緩沖層/第二空穴傳輸層/第一空穴傳輸層的結(jié)構(gòu)，其中每個結(jié)構(gòu)的層以所述順序依次堆疊在第一電極110上。然而，空穴傳輸區(qū)130的結(jié)構(gòu)的實施方式并不限于此?？昭▊鬏攨^(qū)可進一步包括直接接觸第一空穴傳輸層的第二HTL。所述第二HTL可包括第五化合物。所述第五化合物可與所述第一化合物是相同的或不同的。例如，所述第五化合物可與所述第一化合物是相同的。例如，所述第五化合物可由式1A和/或1B表示。在一些實施方式中，所述第五化合物可由式1A(1)和/或1B(1)表示。在一些實施方式中，所述第五化合物可選自化合物HT1至HT20，但本公開的實施方式并不限于此。所述第二HTL的厚度可為至且在一些實施方式中，為至2,000當所述第二HTL的厚度在上述范圍內(nèi)時，可以在驅(qū)動電壓沒有增加下平衡有機發(fā)光裝置中的空穴和電子的移動。當空穴傳輸區(qū)包括空穴注入層時，使用一種或多種合適的方法例如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、朗繆爾-布羅基特(Langmuir-Blodgett)(LB)法、噴墨打印、激光打印和/或激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)，可在第一電極110上形成空穴注入層。形成第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和緩沖層的方法可與用于形成空穴注入層的方法相同。當空穴注入層通過真空沉積形成時，取決于要沉積在空穴注入層中的化合物和要形成的空穴注入層的結(jié)構(gòu)，真空沉積例如可在約100℃至約500℃的沉積溫度、在約10-8托至約10-3托的真空度、和在約至約的沉積速率下進行。當空穴注入層通過旋轉(zhuǎn)涂布形成時，取決于要沉積在空穴注入層中的化合物和要形成的空穴注入層的結(jié)構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)涂布可以在約2,000rpm至約5,000rpm的涂布速率和在約80℃至200℃的熱處理溫度下進行?？昭▊鬏攨^(qū)的厚度可為約至約且在一些實施方式中，為約至約當空穴傳輸區(qū)包括空穴注入層和緩沖層時，空穴注入層的厚度可為約至約且在一些實施方式中，為約至約緩沖層的厚度可為約至約且在一些實施方式中，為約至約當空穴傳輸區(qū)、空穴注入層和緩沖層的厚度在這些范圍內(nèi)時，可以在驅(qū)動電壓沒有顯著增加下獲得令人滿意的空穴傳輸特性。除了上述材料以外，空穴傳輸區(qū)可進一步包括用于改善導(dǎo)電性質(zhì)的電荷產(chǎn)生材料。該電荷產(chǎn)生材料可均勻地和/或非均勻地分散于空穴傳輸區(qū)中。電荷產(chǎn)生材料可為，例如，p型摻雜劑。p型摻雜劑可為選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基的化合物中的一種，但本公開的實施方式并不限于此。p型摻雜劑的非限制性實例可包括醌衍生物(諸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)和/或2,2-(全氟-萘-2,6-二亞基)二丙二腈(F6-TCNNQ))，金屬氧化物(諸如鎢氧化物和/或鉬氧化物)，和化合物HT-D1，但本公開的實施方式并不限于此。F6-TCNNQ除了上述第一HTL以外，空穴傳輸區(qū)可進一步包括選自空穴注入層和緩沖層中的至少一個。緩沖層可根據(jù)由EML發(fā)射的光的波長來補償光學(xué)諧振距離(例如用于調(diào)整光學(xué)諧振距離以匹配由發(fā)光層發(fā)出的光的波長)，從而改善所形成的有機發(fā)光裝置的發(fā)光效率?？昭▊鬏攨^(qū)中所包括的材料也可用作緩沖層中所包括的材料。使用一種或多種合適的方法例如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI，可在第一電極110或空穴傳輸區(qū)上形成EML。當EML通過真空沉積和/或旋轉(zhuǎn)涂布形成時，用于EML的沉積和涂布條件可以與用于空穴注入層的沉積和涂布條件相似。當有機發(fā)光裝置10為全色有機發(fā)光裝置時，根據(jù)子像素可將EML圖案化為紅色EML、綠色EML和/或藍色EML?；蛘?，EML可具有其中紅色EML、綠色EML和藍色EML彼此堆疊的結(jié)構(gòu)，和/或其中在單層中紅光發(fā)光材料、綠光發(fā)光材料和藍光發(fā)光材料彼此混合的結(jié)構(gòu)，從而發(fā)射白光。所述EML可包括主體和摻雜劑。所述主體可為第三化合物，且所述摻雜劑可為第四化合物。所述第三化合物可由式3表示：式3Ar31-[(L31)a31-R31]b31。在式3中，Ar31可選自：蒽基和茚并蒽基；以及各自被選自以下的至少一個取代的蒽基和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，L31可選自取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60亞芳基、取代或未取代的C1-C60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團，a31可選自0、1、2和3，R31可選自：C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；各自被選自以下的至少一個取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，且b31可選自1、2、3和4，其中Q31至Q33可各自獨立地選自氫、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C6-C60芳基和C1-C60雜芳基。例如，在式3中，L31可選自：亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基和亞屈基；以及各自被選自以下的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基和亞屈基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基，且R31可選自：C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；各自被選自以下的至少一個取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基；苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基。所述第三化合物可由選自化合物H1至H25和H27至H45中的一個表示，但本公開的實施方式并不限于此：所述第四化合物可由式4表示：式4在式4中，Ar41可選自：萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基；以及各自被選自以下的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，L41至L43可各自獨立地選自：取代或未取代的C2-C60亞烯基、取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10亞環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60亞芳基、取代或未取代的C1-C60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團，a41和a42可各自獨立地選自0、1、2和3的整數(shù)，a43可為選自0至8的整數(shù)，R41和R42可各自獨立地選自：苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，且b41可為選自1、2、3和4的整數(shù)，其中Q31至Q33可各自獨立地選自氫、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C6-C60芳基和C1-C60雜芳基。例如，所述第四化合物可由選自化合物FD1至FD15中的一個表示，但本公開的實施方式并不限于此：在一些實施方式中，所述EML可包括由式3表示的第三化合物和由式4表示的第四化合物。在一些實施方式中，所述EML可包括選自化合物H1至H25和H27至H45的第三化合物和選自化合物FD1至FD15的第四化合物。在所述EML中所述第三化合物和所述第四化合物的重量比可為99:1至70:30，且在一些實施方式中，為98:2至90:10。當重量比在上述范圍內(nèi)時，有機發(fā)光裝置可具有高效率。所述EML的厚度可為約至約且在一些實施方式中，為約至約當EML的厚度在上述范圍內(nèi)時，可以在驅(qū)動電壓沒有顯著增加下獲得優(yōu)異的發(fā)光特性。在一些實施方式中，所述第一HTL可包括選自由式1A和1B表示的化合物中的第一化合物，以及選自由式2A和2B表示的化合物中的第二化合物，且所述EML可包括由式3表示的第三化合物和由式4表示的第四化合物。在一些實施方式中，所述第一HTL可包括選自由式1A(1)和1B(1)表示的化合物中的第一化合物，以及選自由式2A(1)、2A(2)和2B(1)表示的化合物中的第二化合物，且所述EML可包括由式3表示的第三化合物和由式4表示的第四化合物。在一些實施方式中，所述第一HTL可包括選自化合物HT1至HT20的第一化合物和選自化合物1至4的第二化合物，且所述EML可包括選自化合物H1至H25和H27至H45的第三化合物和選自化合物FD1至FD15的第四化合物。所述第二化合物和所述第三化合物是彼此不同的。.圖5說明了以下能級圖，該能級圖表示根據(jù)本公開的實施方式的有機發(fā)光裝置的HIL材料、第一HTL(HTL1)材料、第二HTL(HTL2)材料、EML材料和ETL材料的能級。所述第二化合物的電子親和性可大于所述第一化合物的電子親和性。例如，所述第二化合物的電子親和性和所述第一化合物的電子親和性之間的差可為0.2eV或更大。在一些實施方式中，所述第二化合物的電子親和性和所述第一化合物的電子親和性之間的差可為0.4eV或更大。當所述第二化合物的電子親和性大于所述第一化合物的電子親和性時，可防止或減少由于電子由EML漏泄至HTL1而引起的第一化合物的負離子化。因此，可防止或減少包括第一化合物的裝置的性能的劣化。所述第四化合物的LUMO能級可高于所述第三化合物的LUMO能級。例如，所述第四化合物的LUMO能級和所述第三化合物的LUMO能級之間的差可為0.1eV或更大，且在一些實施方式中，可為0.2eV或更大。當所述第四化合物的LUMO能級大于所述第三化合物的LUMO能級時，可防止或減少第四化合物的負離子化。因此，可防止或減少包括第一化合物的裝置的性能的劣化。所述第二化合物的最小負離子分解能可大于所述第三化合物的三線態(tài)能量。術(shù)語“最小負離子分解能”指的是斷裂以負離子態(tài)存在的分子中的共價鍵所需要的最小的能量。例如，所述第二化合物的最小負離子分解能和所述第三化合物的三線態(tài)能量之間的差可為0.1eV或更大。術(shù)語“當在負離子態(tài)時的分解能”和術(shù)語“負離子分解能”的定義可為相同的。當所述第二化合物的最小負離子分解能大于所述第三化合物的三線態(tài)能量時，可防止或減少由于三線態(tài)激子能量轉(zhuǎn)移而引起的第二化合物的分解。因此，所制得的有機發(fā)光裝置可具有長壽命。所述第二化合物的最小負離子分解能可大于所述第四化合物的單線態(tài)能量。例如，所述第二化合物的最小負離子分解能和所述第四化合物的單線態(tài)能量之間的差可為0.1eV或更大。當所述第二化合物的最小負離子分解能大于所述第四化合物的單線態(tài)能量時，可防止或減少由于單線態(tài)激子能量轉(zhuǎn)移而引起的第二化合物的分解。因此，所制得的有機發(fā)光裝置可具有長壽命。所述電子傳輸區(qū)170可在所述EML150之上。所述電子傳輸區(qū)170可包括選自空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個，但本公開的實施方式并不限于此。例如，所述電子傳輸區(qū)可具有電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)和/或空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，其中每個結(jié)構(gòu)的層以所述順序依次堆疊在EML上，但其結(jié)構(gòu)并不限于此。形成空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層的方法可與用于形成空穴注入層的方法相同?？昭ㄗ钃鯇涌砂ɡ邕x自BCP和Bphen中的至少一種，但本公開的實施方式并不限于此。所述ETL可包括選自由式601表示的化合物和由式602表示的化合物中的至少一種。所述由式601表示的化合物和所述由式602表示的化合物可各自獨立地選自化合物ET1至ET15。在一些實施方式中，所述ETL可包括選自BCP、Bphen、Alq3、BAlq、TAZ和NTAZ中的至少一種。所述ETL的厚度可為約至約且在一些實施方式中，可為約至約當ETL的厚度在上述范圍內(nèi)時，ETL可以在驅(qū)動電壓沒有顯著增加下具有令人滿意的電子傳輸特性。除了上述的材料以外，所述ETL可進一步包括含金屬的材料。含金屬的材料可包括Li絡(luò)合物。Li絡(luò)合物可包括，例如，化合物ET-D1(8-羥基喹啉鋰，LiQ)和/或ET-D2。電子傳輸區(qū)可包括電子注入層以促進電子由所述第二電極190的注入。使用一種或多種選自真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、LB法、噴墨打印、激光打印和LITI中的合適的方法，可在ETL上形成電子注入層。當電子注入層通過真空沉積和/或旋轉(zhuǎn)涂布形成時，用于電子注入層的沉積和涂布條件可以與用于空穴注入層的沉積和涂布條件相似。電子注入層可包括選自LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO和LiQ中的至少一種。電子注入層的厚度可為約至約且在一些實施方式中，為約至約當電子注入層的厚度在上述的范圍內(nèi)時，電子注入層可以在驅(qū)動電壓沒有顯著增加下具有令人滿意的電子注入特性。第二電極190在電子傳輸區(qū)170上。第二電極190可為充當電子注入電極的陰極。在這點上，用于第二電極190的材料可選自金屬、合金、導(dǎo)電性化合物和其混合物，其具有相對低的功函。用于第二電極190的材料的非限制性實例可包括鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)。在一些實施方式中，用于形成第二電極190的材料可為ITO和/或IZO。第二電極190可為半透射電極或透射電極。封裝層可形成在有機發(fā)光裝置10之上?？赏ㄟ^交替堆疊有機膜和無機膜而形成所述封裝層。所述封裝層可防止或減少外部水分和/或氧氣滲透進入有機發(fā)光裝置10中。所述封裝層可包括所述第二化合物。例如，所述封裝層可包括選自化合物1至4中的一種。如本文所使用的術(shù)語“C1-C60烷基”指的是具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈脂肪族烴單價基團。其非限制性實例可包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。如本文所使用的術(shù)語“C1-C60亞烷基”指的是具有與C1-C60烷基基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“C1-C60烷氧基”指的是由-O-A101表示的單價基團(其中，A101為C1-C60烷基)，且其非限制性實例可包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。如本文所使用的術(shù)語“C2-C60烯基”指的是在C1-C60烷基的主體內(nèi)(例如中間)或末端處包括至少一個碳雙鍵的烴基，且其非限制性實例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文所使用的術(shù)語“C2-C60亞烯基”指的是具有與C2-C60烯基基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“C2-C60炔基”指的是在C1-C60烷基的主體內(nèi)(例如中間)或末端處包括至少一個碳三鍵的烴基，且其非限制性實例可包括乙炔基和丙炔基。如本文所使用的術(shù)語“C2-C60亞炔基”指的是具有與C2-C60炔基基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“C3-C10環(huán)烷基”指的是具有3至10個碳原子的單價飽和烴單環(huán)基團，且其非限制性實例可包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。如本文所使用的術(shù)語“C3-C10亞環(huán)烷基”指的是具有與C3-C10環(huán)烷基基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“C1-C10雜環(huán)烷基”指的是具有至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原子和1至10個碳原子的單價單環(huán)基團，且其非限制性實例可包括四氫呋喃基和四氫噻吩基。如本文所使用的術(shù)語“C1-C10亞雜環(huán)烷基”指的是具有與C1-C10雜環(huán)烷基基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“C3-C10環(huán)烯基”指的是在其環(huán)中具有3至10個碳原子和至少一個雙鍵但不是芳香性的單價單環(huán)基團。其非限制性實例可包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基和環(huán)庚烯基。如本文所使用的術(shù)語“C3-C10亞環(huán)烯基”指的是具有與C3-C10環(huán)烯基基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“C1-C10雜環(huán)烯基”指的是在其環(huán)中具有至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原子、1至10個碳原子以及至少一個雙鍵的單價單環(huán)基團。C1-C10雜環(huán)烯基的非限制性實例可包括2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。如本文所使用的術(shù)語“C1-C10亞雜環(huán)烯基”指的是具有與C1-C10雜環(huán)烯基基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“C6-C60芳基”指的是具有碳環(huán)芳族系統(tǒng)(具有6至60個碳原子)的單價基團。如文中所使用的術(shù)語“C6-C60亞芳基”指的是具有碳環(huán)芳族系統(tǒng)(具有6至60個碳原子)的二價基團。C6-C60芳基的非限制性實例可包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和屈基。當C6-C60芳基和C6-C60亞芳基各自包括兩個或更多個環(huán)時，所述環(huán)可彼此稠合。如本文所使用的術(shù)語“C1-C60雜芳基”指的是具有碳環(huán)芳族系統(tǒng)的單價基團，該碳環(huán)芳族系統(tǒng)具有至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原子以及1至60個碳原子。如本文所使用的術(shù)語“C1-C60亞雜芳基”指的是具有碳環(huán)芳族系統(tǒng)的二價基團，該碳環(huán)芳族系統(tǒng)具有至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原子以及1至60個碳原子。C1-C60雜芳基的非限制性實例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基和異喹啉基。當C1-C60雜芳基和C1-C60亞雜芳基各自包括兩個或更多個環(huán)時，所述環(huán)可彼此稠合。如本文所使用的術(shù)語“C6-C60芳氧基”表示為-O-A102(其中A102為C6-C60芳基)，且如本文所使用的C6-C60芳硫基表示為-S-A103(其中A103為C6-C60芳基)。如本文所使用的術(shù)語“單價非芳族稠合多環(huán)基團”指的是具有彼此稠合(例如結(jié)合)的兩個或更多個環(huán)，僅有碳原子(例如，8至60個碳原子)作為成環(huán)原子，且整個分子結(jié)構(gòu)是非芳香性的單價基團。單價非芳族稠合多環(huán)基團的非限制性實例可包括芴基。如本文所使用的術(shù)語“二價非芳族稠合多環(huán)基團”指的是具有與單價非芳族稠合多環(huán)基團基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文所使用的術(shù)語“單價非芳族稠合雜多環(huán)基團”指的是具有彼此稠合(例如結(jié)合)的兩個或更多個環(huán)，除了碳原子(例如，1至60個碳原子)還具有選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原子，且整個分子結(jié)構(gòu)具有非芳香性的單價基團。單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的非限制性實例為咔唑基。如本文所使用的術(shù)語“二價非芳族稠合雜多環(huán)基團”指的是具有與單價非芳族稠合雜多環(huán)基團基本相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。在本說明書中，所述取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的C1-C10亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C10亞環(huán)烯基、取代的C1-C10亞雜環(huán)烯基、取代的C6-C60亞芳基、取代的C1-C60亞雜芳基、取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團、取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)烯基、取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60雜芳基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的至少一個取代基可選自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；各自被選自以下的至少一個取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團和-Si(Q11)(Q12)(Q13)；C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、聯(lián)苯基和三聯(lián)苯基；各自被選自以下的至少一個取代的C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、聯(lián)苯基和三聯(lián)苯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團和-Si(Q21)(Q22)(Q23)；以及-Si(Q31)(Q32)(Q33)，其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、聯(lián)苯基和三聯(lián)苯基。如本文所使用的術(shù)語“Ph”指的是苯基，如本文所使用的術(shù)語“Me”指的是甲基，如本文所使用的術(shù)語“Et”指的是乙基，且如本文所使用的術(shù)語“ter-Bu”或“But”指的是叔丁基。如本文所使用的術(shù)語“聯(lián)苯基”指的是由通過一個單鍵彼此連接的兩個苯組成的單價基團，且如本文所使用的術(shù)語“三苯基”指的是由通過兩個單鍵彼此連接的三個苯組成的單價基團。實施例實施例1將其上具有ITO/Ag/ITO陽極的玻璃基板(康寧公司的產(chǎn)品)切割成50mm×50mm×0.5mm的大小，使用異丙醇和純水各自超聲清洗15分鐘，暴露于紫外線30分鐘，然后暴露于臭氧。所得玻璃基板安裝在真空沉積裝置上。將HT3和F6-TCNNQ以97:3的重量比共沉積在陽極上以形成具有厚度的空穴注入層，且將HT3(第五化合物)沉積在空穴注入層上以形成具有厚度的第二HTL。接著，將化合物HT3(第一化合物)和化合物2(第二化合物)以95:5的重量比共沉積在第二HTL上以形成具有厚度的第一HTL。將化合物H43(第三化合物)和FD15(第四化合物)以95:5的重量比共沉積在第一HTL上以形成具有厚度的EML。接著，將化合物ET1和化合物ET-D1以50:50的重量比共沉積在EML上以形成具有厚度的ETL。將LiF沉積在ETL上以形成具有厚度的電子注入層。將鎂(Mg)和銀(Ag)以90:10的重量比共沉積在電子注入層上以形成具有厚度的陰極，且將HT3沉積在陰極上通過形成具有厚度的封裝層以改善光提取效率，從而完成有機發(fā)光裝置的制造?；衔?實施例2至4以與實施例1基本相同的方式制造有機發(fā)光裝置，除了使用表2所示的材料。對比例1以與實施例1基本相同的方式制造有機發(fā)光裝置，除了在形成第一空穴傳輸層時，不使用化合物2。對比例2以與實施例1基本相同的方式制造有機發(fā)光裝置，除了在形成第一空穴傳輸層時，使用TCTA代替化合物2。對比例3以與實施例1基本相同的方式制造有機發(fā)光裝置，除了在形成第一空穴傳輸層時，使用化合物H43代替化合物2。評價例1使用下述方法計算根據(jù)實施例1至4和對比例1至3制造的各個有機發(fā)光裝置的第一HTL中第一化合物和第二化合物的最小負離子分解能和電子親和性。結(jié)果總結(jié)于表2中。也如圖6中所示使用下述方法計算H43和FD15(用于EML的材料)各自的LUMO能級、三線態(tài)能量和單線態(tài)能量，且結(jié)果總結(jié)于表3中。最小負離子分解能根據(jù)等式1計算最小負離子分解能。等式1E最小負離子分解能＝E[A-B]--[EA-+EB.(或EA.+EB-)]。1、使用密度泛函理論(DFT)和/或從頭計算法以計算中性分子的基態(tài)。2、使用在過剩電子下的中性分子的結(jié)構(gòu)以計算分子的負離子態(tài)(E[A-B]-)。3、基于負離子態(tài)是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)(整體最小)，計算分解過程的能量：[A-B]-→Ax和By([EA-+EB.(或EA.+EB-)])。所述分解會產(chǎn)生i)A-+B.或ii)A.+B-，且從這兩個分解方式i和ii中，選擇出具有更小分解能值的分解方式用于計算。LUMO能級使用循環(huán)伏安法(CV)以獲得LUMO能級。電子親和性通過計算真空能級(0eV)和LUMO能級之間的能量差而獲得電子親和性。單線態(tài)能量和三線態(tài)能量通過在玻璃基板上形成為具有50nm厚度的薄膜的材料上進行光致發(fā)光(PL)測試而測量單線態(tài)能量和三線態(tài)能量。表2表3EML材料LUMO能級(eV)三線態(tài)能量(eV)單線態(tài)能量(eV)化合物H43-3.01.73.1化合物FD15-2.71.92.8評價例2使用吉時利SMU236和亮度計PR650測量根據(jù)實施例1至4和對比例1至3制造的各個有機發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓、效率、T90壽命和CIE色度圖。結(jié)果示于表4中。T90壽命表示當亮度降低至初始亮度的90％時所經(jīng)過的時間段，初始亮度在10mA/cm2的電流密度下測量并認為是100％。表4從表4可以看出，實施例1至4的有機發(fā)光裝置比對比例1至3的有機發(fā)光裝置具有更長的壽命。根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方式，有機發(fā)光裝置可具有長壽命。應(yīng)該理解的是，本文描述的示例性實施方式應(yīng)僅以描述性的意義而不是限制的目的被考慮。各個示例性實施方式中的特征或方面的描述通常應(yīng)被認為可用于其它示例性實施方式中的其它相似的特征或方面。如文中所使用的，術(shù)語“使用”、“正在使用”和“所使用的”可被認為分別與術(shù)語“利用”、“正在利用”和“所利用的”同義。而且，當描述本公開的實施方式時使用“可(可以)”指的是“本公開的一個或多個實施方式”。如文中所使用的，術(shù)語“基本上”、“約”和相似的術(shù)語用作近似的術(shù)語，而不是程度的術(shù)語，且意圖說明可被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所認識到的測量值或計算值的固有偏差。而且，本文所列出的任何數(shù)值范圍旨在包括歸入所列范圍內(nèi)具有相同數(shù)值精度的全部子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍旨在包括在1.0的所列最小值和10.0的所列最大值之間(且包括1.0的所列最小值和10.0的所列最大值)的全部子范圍，也就是說，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的全部子范圍，諸如，例如2.4至7.6。本文所列出的任何最大數(shù)值限制旨在包括歸入本文的全部更小的數(shù)值限制，且本說明書所列出的任何最小數(shù)值限制旨在包括歸入本文的全部更大的數(shù)值限制。因此，申請人保留修改包括所述權(quán)利要求的本說明書以明確列出任意子范圍(該子范圍歸入本文所明確列出的范圍之內(nèi))的權(quán)利。雖然參照附圖已經(jīng)描述了一個或多個示例性實施方式，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，可在不背離被權(quán)利要求及其等價物所限定的本公開的精神和范圍下作出形式和細節(jié)的各種改變。當前第1頁1 2 3