1.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，包括：
在一基底上形成多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)，相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)之間具有一開口；
形成一導(dǎo)體材料層，以覆蓋該些鰭狀結(jié)構(gòu)并填滿該開口；以及
圖案化該導(dǎo)體材料層以及該些鰭狀結(jié)構(gòu)，以形成一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)具有在一第一方向延伸的多個(gè)第一條狀物與在一第二方向延伸的多個(gè)第二條狀物，該些第一條狀物與該些第二條狀物交叉，且該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)具有多個(gè)孔洞，其中：
該些第一條狀物位于該基底上且位于與該些鰭狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的位置，該些第二條狀物位于該基底上且該些第二條狀物中的該導(dǎo)體材料層橫跨該些鰭狀結(jié)構(gòu)，
該些孔洞位于該開口中，且該些孔洞的周圍環(huán)繞有該些第一條狀物與該些第二條狀物，并且該些孔洞延伸至較該些鰭狀結(jié)構(gòu)的底部更靠近該基底的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中圖案化該導(dǎo)體材料層以及該些鰭狀結(jié)構(gòu)的步驟包括進(jìn)行一非選擇性刻蝕工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中將該導(dǎo)體材料層以及該些鰭狀結(jié)構(gòu)之間的刻蝕選擇比控制為0.7至1.3，以進(jìn)行該非選擇性刻蝕工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中形成該些鰭狀結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在該基底上形成一堆疊層，該堆疊層包括交互堆疊的至少一導(dǎo)體層以及至少一介電層；以及
形成一電荷儲(chǔ)存層，以覆蓋位于該開口的底部的該基底以及該堆疊層的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還包括：
形成多個(gè)介電柱，以至少填滿該些孔洞；以及
圖案化該些第一條狀物中的該導(dǎo)體材料層以及該些介電柱，以使經(jīng)圖 案化的該導(dǎo)體材料層形成多個(gè)梳狀結(jié)構(gòu)，每一梳狀結(jié)構(gòu)包括：
多個(gè)梳部，插入于相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)之間的該開口中且與相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸；以及
一連接部，在該第二方向延伸，位于該些鰭狀結(jié)構(gòu)上且連接該些梳部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中形成該些介電柱以及圖案化該些第一條狀物中的該導(dǎo)體材料層以及該些介電柱的步驟包括：
形成一介電材料層，以覆蓋該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)并填滿該些孔洞；以及
圖案化該介電材料層以及該些第一條狀物中的該導(dǎo)體材料層，以形成該些梳狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)頂蓋層以及該些介電柱，每一梳狀結(jié)構(gòu)包括該些梳部以及該連接部，每一頂蓋層位于該連接部上且沿著該第二方向延伸。
7.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：
一基底；
多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)，位于該基底上，且在一第一方向延伸，相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)之間具有一開口；
多個(gè)梳狀結(jié)構(gòu)，該些梳狀結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)體材料，每一梳狀結(jié)構(gòu)包括：
多個(gè)梳部，插入于相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)之間的該開口中且與相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸；以及
一連接部，在一第二方向延伸，位于該些鰭狀結(jié)構(gòu)上且連接該些梳部；以及
多個(gè)介電柱，插入于相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)之間的該開口中且與相鄰的該些鰭狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁以及該些梳部接觸，且延伸至較該些鰭狀結(jié)構(gòu)的底部更靠近該基底的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該些鰭狀結(jié)構(gòu)包括一堆疊層以及一電荷儲(chǔ)存層，該堆疊層包括交互堆疊的至少一導(dǎo)體層以及至少一介電層，該電荷儲(chǔ)存層覆蓋位于該開口的底部的該基底以及該堆疊層的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中每一介電柱分別具有不同的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中每一介電柱的高度大于每一鰭狀結(jié)構(gòu)的高度。