本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是，涉及一種半導(dǎo)體薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，濕法腐蝕一般在常壓下進(jìn)行，由于腐蝕過程中腐蝕性溶液與薄膜反應(yīng)產(chǎn)生氣泡，氣泡的殘留會影響到后續(xù)腐蝕過程，導(dǎo)致腐蝕的均勻性受到影響，因此，一般采用人工操作抖動的方式去除去氣泡，但由于人工操作的不一致性，使得產(chǎn)品批次間差異較大，影響產(chǎn)品的整體良品率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體薄膜的制備方法，有效解決了腐蝕過程中氣泡殘留的問題，保證了腐蝕的均勻性，提高了產(chǎn)品的整體良品率。
為解決上述問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：
一種半導(dǎo)體薄膜的制備方法，包括以下步驟：
S101.提供基底；
S102.在基底上形成薄膜；
S103.在薄膜上通過涂膠、曝光和顯影光刻自定義圖形：光刻膠形成掩蔽層，在沒有光刻膠的薄膜部分形成腐蝕窗口；
S104.真空條件下，對腐蝕窗口內(nèi)的薄膜進(jìn)行濕法腐蝕；
S105.去除顯影后剩余的光刻膠。
優(yōu)選的，所述步驟S101中，所述基底為硅晶圓。
優(yōu)選的，所述步驟S102中，所述薄膜通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或薄膜沉積法獲得。
優(yōu)選的，所述步驟S104中，濕法腐蝕中采用的腐蝕性溶液為堿性溶液或酸性溶液。
優(yōu)選的，所述步驟S104中，所述堿性溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液。
優(yōu)選的，所述步驟S104中，所述酸性溶液為硝酸、鹽酸、氫氟酸、硫酸、醋酸中一種或幾種。
優(yōu)選的，所述步驟S104中，腐蝕溫度為25℃-80℃，腐蝕時(shí)間為5-60min。
相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果在于：
1、本發(fā)明中使用真空環(huán)境，腐蝕液揮發(fā)的有害物質(zhì)可以直接被抽走，不會對人和設(shè)備造成危害；2、本發(fā)明中真空環(huán)境可以更快的帶走因腐蝕產(chǎn)生的氣泡，使得腐蝕的均勻性更好；3、本發(fā)明中制備方法減少生產(chǎn)過程因?yàn)槿瞬僮鞑町悓?dǎo)致的產(chǎn)品腐蝕差異，降低批次間的差異，提高了產(chǎn)品整體良品率。
附圖說明
圖1為本發(fā)明中半導(dǎo)體薄膜的制備方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
參見圖1，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體薄膜的制備方法，包括以下步驟：
S101.提供基底；
S102.在基底上形成薄膜；
S103.在薄膜上通過涂膠、曝光和顯影光刻自定義圖形：光刻膠形成掩蔽層，在沒有光刻膠的薄膜部分形成腐蝕窗口；
S104.真空條件下，對腐蝕窗口內(nèi)的薄膜進(jìn)行濕法腐蝕；
S105.去除顯影后剩余的光刻膠。
優(yōu)選的，所述步驟S101中，所述基底為硅晶圓。所述步驟S101中，所述薄膜通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或薄膜沉積法獲得。所述步驟S104中，濕法腐蝕中采用的腐蝕性溶液為堿性溶液或酸性溶液；所述堿性溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液；所述步驟S104中，所述酸性溶液為硝酸、鹽酸、氫氟酸、硫酸、醋酸中一種或幾種；腐蝕溫度為25℃-80℃，腐蝕時(shí)間為5-60min。
實(shí)施例1
參照圖1中流程，制備半導(dǎo)體薄膜
S101.提供硅晶圓基底，硅晶圓基底使用前經(jīng)洗滌干燥；
S102.在硅晶圓基底上采用薄膜沉積法濺射形成厚度為2000nm的鋁膜；
S103.在鋁膜上通過涂膠、曝光和顯影光刻自定義圖形：光刻膠形成掩蔽層，在沒有光刻膠的薄膜部分形成腐蝕窗口；
S104.真空條件下，對腐蝕窗口內(nèi)的薄膜進(jìn)行濕法腐蝕，采用磷酸，硝酸和醋酸的混合液進(jìn)行腐蝕，腐蝕溫度為60℃，腐蝕時(shí)間為30min；
S105.用O等離子體去除顯影后剩余的光刻膠。
實(shí)施例2
參照圖1中流程，制備半導(dǎo)體薄膜
S101.提供硅晶圓基底，硅晶圓基底使用前經(jīng)洗滌干燥；
S102.在硅晶圓基底上采用薄膜沉積法依次形成厚度為200nm的鈦，200nm的鎳，3000nm的銀，形成鈦/鎳/銀薄膜；
S103.在鋁膜上通過涂膠、曝光和顯影光刻自定義圖形：光刻膠形成掩蔽層，在沒有光刻膠的薄膜部分形成腐蝕窗口；
S104.真空條件下，對腐蝕窗口內(nèi)的鈦/鎳/銀薄膜進(jìn)行濕法腐蝕，采用稀醋酸，稀硝酸和稀氫氟酸的混合液進(jìn)行腐蝕，腐蝕溫度為23℃，腐蝕時(shí)間為8min；
S105.用有機(jī)剝離劑去除顯影后剩余的光刻膠。
實(shí)施例3
參照圖1中流程，制備半導(dǎo)體薄膜
S101.提供硅晶圓基底，硅晶圓基底使用前經(jīng)洗滌干燥；
S102.在硅晶圓基底上采用低壓化學(xué)氣相沉積法形成厚度為1500nm的氧化硅薄膜；
S103.在鋁膜上通過涂膠、曝光和顯影光刻自定義圖形：光刻膠形成掩蔽層，在沒有光刻膠的薄膜部分形成腐蝕窗口；
S104.真空條件下，對腐蝕窗口內(nèi)的氧化硅薄膜進(jìn)行濕法腐蝕，采用氫氧化鈉溶液進(jìn)行腐蝕，腐蝕溫度為25℃，腐蝕時(shí)間為5min；
S105.用有機(jī)剝離劑去除顯影后剩余的光刻膠。
本發(fā)明中使用真空環(huán)境，腐蝕液揮發(fā)的有害物質(zhì)可以直接被抽走，不會對人和設(shè)備造成危害，且真空環(huán)境可以更快的帶走因腐蝕產(chǎn)生的氣泡，使得腐蝕的均勻性更好。對實(shí)施例1-3中獲得的半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行檢測發(fā)現(xiàn)，其腐蝕的均勻性遠(yuǎn)好于現(xiàn)有方法，進(jìn)一步保證產(chǎn)品的良品率。
對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。