技術(shù)編號：12369744
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體元件的集成化，為了達(dá)到高密度以及高效能的目標(biāo)，在制造半導(dǎo)體元件時，傾向形成向上堆疊的結(jié)構(gòu)，以更有效利用晶圓面積。因此，小尺寸元件中經(jīng)常出現(xiàn)高深寬比(highaspectratio)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或開口。在制造上述元件時，為了形成具有高深寬比(highaspectratio)的溝道，通常會采用非常高的刻蝕選擇比進(jìn)行圖案化工藝。然而，在使用非常高的刻蝕選擇比的情況下，會有位于溝道的側(cè)壁的材料層無法完全被移除的問題。一旦溝道的側(cè)壁殘留有材料層且...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。