技術總結(jié)
本發(fā)明公開一種降低微負載效應的蝕刻方法，包含在一基底上分別形成一高密度結(jié)構和一低密度結(jié)構，之后形成一第一材料層覆蓋高密度結(jié)構和低密度結(jié)構，并且部分的低密度結(jié)構由第一材料層曝露出來，然后形成一第二材料層覆蓋第一材料層，然后蝕刻第二材料層，以移除位于高密度結(jié)構上的第二材料層和移除位于低密度結(jié)構上的部分的第二材料層，接著同時蝕刻位于高密度結(jié)構上的第一材料層以及位于低密度結(jié)構上的第二材料層，之后蝕刻位于高密度結(jié)構上和低密度結(jié)構上的第一材料層，使得高密度結(jié)構曝露出一第一部分，低密度結(jié)構曝露出一第二部分，最后移除第一部分和第二部分。

技術研發(fā)人員：蘇柏文;王志堅;吳承璋;謝昕佑;呂水煙
受保護的技術使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
文檔號碼：201510294310
技術研發(fā)日：2015.06.02
技術公布日：2017.01.04