1.一種蝕刻方法，包含：
提供一基底，其中一高密度結(jié)構(gòu)和一低密度結(jié)構(gòu)分別設(shè)于該基底上；
形成一第一材料層覆蓋并接觸該高密度結(jié)構(gòu)和該低密度結(jié)構(gòu)，其中部分的該低密度結(jié)構(gòu)由該第一材料層曝露出來；
形成一第二材料層覆蓋該高密度結(jié)構(gòu)和該低密度結(jié)構(gòu)以及接觸由該第一材料層曝露出來的該低密度結(jié)構(gòu)；
蝕刻該第二材料層，以移除位于該高密度結(jié)構(gòu)上的該第二材料層和移除位于該低密度結(jié)構(gòu)上的部分的該第二材料層；
同時(shí)蝕刻位于該高密度結(jié)構(gòu)上的該第一材料層以及位于該低密度結(jié)構(gòu)上的該第二材料層；
蝕刻位于該高密度結(jié)構(gòu)上和該低密度結(jié)構(gòu)上的該第一材料層，使得該高密度結(jié)構(gòu)曝露出一第一部分，該低密度結(jié)構(gòu)曝露出一第二部分；以及
移除該第一部分和該第二部分。
2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第一材料層的蝕刻率大于該第二材料層的蝕刻率。
3.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中在形成該第一材料層覆蓋并接觸該高密度結(jié)構(gòu)和該低密度結(jié)構(gòu)時(shí)，該第一材料層具有一第一上表面，該高密度結(jié)構(gòu)具有一第二上表面，該第一上表面和該第二上表面切齊。
4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第一材料層包含光致抗蝕劑材料、光吸收氧化材料、旋涂式玻璃、底部抗反射層或犧牲光吸收材料。
5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第二材料層包含光致抗蝕劑材料、光吸收氧化材料、旋涂式玻璃、底部抗反射層或犧牲光吸收材料。
6.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中在形成該第一材料層覆蓋并接觸該高密度結(jié)構(gòu)和該低密度結(jié)構(gòu)時(shí)，覆蓋該高密度結(jié)構(gòu)的該第一材料層具有一第一厚度，覆蓋該低密度結(jié)構(gòu)的該第一材料層具有一第二厚度，該第一厚度大于該第二厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中在形成該第二材料層覆蓋該高密度結(jié)構(gòu)和該低密度結(jié)構(gòu)時(shí)，覆蓋該高密度結(jié)構(gòu)的該第二材料層具有一第三厚度，覆蓋該低密度結(jié)構(gòu)的該第二材料層具有一第四厚度，該第四厚度大于該 第三厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該高密度結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第一結(jié)構(gòu)，該低密度結(jié)構(gòu)包含多個(gè)第二結(jié)構(gòu)，相鄰的該多個(gè)第一結(jié)構(gòu)之間具有一第一間距，相鄰的該多個(gè)第二結(jié)構(gòu)之間具有一第二間距，該第二間距大于該第一間距。
9.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第一部分和該第二部分為相同材料。
10.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中該第一材料層和第二材料層為相同材料。