技術總結
本發(fā)明涉及一種具有分離式集電極的平面柵IGBT，包括襯底、依次設置在襯底上的正面金屬電極、隔離氧化膜和平面柵極，平面柵極與襯底之間的P阱區(qū)，依次設置于P阱區(qū)內N+型摻雜區(qū)和P+型摻雜區(qū)，依次設置于襯底背面的背面N型低摻雜緩沖區(qū)和背面P+集電區(qū)，在背面P+集電區(qū)上設有采用絕緣介質填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集電區(qū)的厚度，絕緣介質完全或部分填充凹槽，絕緣介質與P+集電區(qū)有交疊，本發(fā)明在傳統(tǒng)的平面柵型IGBT基礎上，通過增加淺凹槽或氧化層隔離結構形成分離式集電極，此結構有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免過大的反向恢復電荷；有效抑制IGBT器件關斷過程中的拖尾電流，降低關斷損耗，使得開關速度更快。

技術研發(fā)人員：李曉平;劉江;趙哿;高明超;王耀華;劉鉞楊;吳迪;何延強;李立;喬慶楠;曹功勛;董少華;金銳;溫家良
受保護的技術使用者：國網智能電網研究院;國網浙江省電力公司;國家電網公司
文檔號碼：201510249973
技術研發(fā)日：2015.05.15
技術公布日：2017.01.04