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技術(shù)編號：12370319

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本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制作方法，具體講涉及一種具有分離式集電極的平面柵IGBT及其制作方法。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管(Insulate-GateBipolarTransistor—IGBT)綜合了電力晶體管(GiantTransistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管(PowerMOSFET)的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。絕緣柵雙極晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于...
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