1.一種具有分離式集電極的平面柵IGBT，所述平面柵IGBT包括襯底、從上到下依次設(shè)置在襯底上的正面金屬電極、隔離氧化膜和平面柵極，平面柵極與襯底之間的P阱區(qū)，從上到下依次設(shè)置于P阱區(qū)內(nèi)N+型摻雜區(qū)和P+型摻雜區(qū)，依次設(shè)置于襯底背面的背面N型低濃度摻雜緩沖區(qū)和背面P+集電區(qū)；其特征在于，在背面P+集電區(qū)上設(shè)有采用絕緣介質(zhì)填充的背面凹槽，所述背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集電區(qū)的厚度，所述絕緣介質(zhì)完全或者部分填充在凹槽中，所述絕緣介質(zhì)與P+集電區(qū)有交疊，以避免背面金屬電極和N型材料接觸；
所述襯底為均勻摻雜的N型單晶硅片襯底，所述N型單晶硅片襯底包括從上到下依次分布的襯底N-層以及襯底N+層。
2.如權(quán)利要求1所述的平面柵IGBT，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)填充部分和背面凹槽形成IGBT背面隔離氧化層。
3.如權(quán)利要求1所述的平面柵IGBT，其特征在于，所述N型單晶硅片襯底包括：
A、電場(chǎng)截止FS型襯底：形成方式是先將均勻摻雜的N型單晶硅片進(jìn)行襯底減薄至所需要的襯底厚度；正面采用氧化和淀積的方式生長(zhǎng)保護(hù)犧牲層，然后采用離子注入方式進(jìn)行硅片背面的N型低濃度緩沖區(qū)進(jìn)行摻雜；采用高溫長(zhǎng)時(shí)間熱退火方式對(duì)N型低濃度緩沖區(qū)的雜質(zhì)進(jìn)行激活與推結(jié)，形成N型低濃度摻雜緩沖區(qū)；最后形成終端結(jié)構(gòu)和有源區(qū)元胞結(jié)構(gòu)；最后通過摻雜注入形成襯底背面P型電導(dǎo)調(diào)制層；
所述N型低濃度摻雜緩沖區(qū)的最高摻雜濃度為N型單晶硅片襯底濃度的5e2至1e4倍；
B、非穿通NPT型襯底：形成方式是先進(jìn)行終端結(jié)構(gòu)和有源區(qū)源胞結(jié)構(gòu)的形成；在IGBT器件表面結(jié)構(gòu)形成后，進(jìn)行均勻摻雜的N型單晶硅片減薄至所需要的襯底厚度；最后形成襯底背面P型電導(dǎo)調(diào)制層摻雜注入。
4.如權(quán)利要求1所述的平面柵IGBT，其特征在于，當(dāng)N型單晶硅片襯底采用軟穿通SPT型或電場(chǎng)截止FS型時(shí)，所述平面柵IGBT包括位于N型單晶硅片襯底背面的N型低濃度緩沖區(qū)；若N型單晶硅片襯底采用非穿通NPT型時(shí)，則不需要N型低濃度緩沖區(qū)。
5.一種如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的平面柵IGBT的制作方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：
(一)對(duì)N型單晶硅片襯底預(yù)處理：所述N型單晶硅片襯底的N雜質(zhì)摻雜濃度與厚度需要根據(jù)平面柵IGBT不同的擊穿電壓和正向?qū)▔航颠M(jìn)行選擇，并通過酸、堿、去離子水超聲清洗工序，對(duì)N型單晶硅片襯底表面進(jìn)行化學(xué)處理；
(二)制作N型低濃度摻雜緩沖區(qū)：對(duì)均勻摻雜的N型單晶硅片襯底正面采用氧化或淀 積的方式生長(zhǎng)保護(hù)犧牲膜質(zhì)，在硅片背面采用離子注入方式進(jìn)行N型低濃度摻雜發(fā)緩沖區(qū)的雜質(zhì)生成，再進(jìn)行退火工藝，進(jìn)行離子的激活與推結(jié)，推結(jié)到所需要的深度，形成N型低濃度摻雜緩沖區(qū)后去除正面保護(hù)犧牲層膜質(zhì)，若軟穿通SPT型或電場(chǎng)截止FS型時(shí)需要N型低濃度摻雜緩沖區(qū)，若襯底為非穿通NPT型時(shí)則不需要N型低濃度摻雜緩沖區(qū)；
(三)制作平面柵極：對(duì)均勻摻雜的N型單晶硅片襯底進(jìn)行高溫氧化的方式，在硅片表面生長(zhǎng)氧化膜，并采用淀積方式生長(zhǎng)多晶硅電極，再進(jìn)行光刻和刻蝕形成平面柵極；
(四)制作P阱區(qū)：對(duì)平面柵極形成的柵極開口通過注入方式進(jìn)行P型摻雜，再進(jìn)行高溫退火，將P型摻雜推結(jié)，形成IGBT有源區(qū)的P阱區(qū)；
(五)制作N+型摻雜區(qū)：淀積光刻膠，通過光刻形成掩膜，對(duì)P阱區(qū)的多晶開口采用注入方式進(jìn)行N+摻雜，形成N+型摻雜區(qū)；
(六)制作平面柵IGBT表面P+型摻雜區(qū)：通過淀積方式生長(zhǎng)氧化膜，全面反刻形成多晶側(cè)壁保護(hù)結(jié)構(gòu)，采用自對(duì)準(zhǔn)離子注入方式進(jìn)行P+摻雜，形成P+型摻雜區(qū)；
(七)制作平面柵IGBT背面P+集電區(qū)：若襯底采用軟穿通SPT型或者電場(chǎng)截止FS型，在硅片背面采用離子注入方式進(jìn)行P+摻雜區(qū)域的雜質(zhì)生成，再進(jìn)行退火工藝，進(jìn)行離子的激活與推結(jié)；若襯底采用非穿通NPT型，則在背面金屬電極結(jié)構(gòu)前制作背面P+摻雜區(qū)；
(八)制作芯片背面隔離氧化層結(jié)構(gòu)：淀積光刻膠，通過光刻形成掩膜，刻蝕P+集電區(qū)，形成背面凹槽，凹槽深度選擇大于、等于或者小于P+集電區(qū)的厚度，采用淀積或蒸發(fā)方式生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)，填充凹槽，完全填充或部分填充，絕緣介質(zhì)的下表面到P+集電區(qū)下表面的距離在0至1微米范圍內(nèi)，絕緣介質(zhì)必須部分覆蓋P+集電區(qū)，避免背面集電極金屬和N型材料接觸；
(九)制作正面金屬電極：使用化學(xué)淀積方式生長(zhǎng)硼磷摻雜玻璃膜質(zhì)，進(jìn)行平面柵IGBT器件隔離，進(jìn)行接觸孔的光刻和刻蝕形成隔離氧化膜結(jié)構(gòu)，使用物理淀積或蒸發(fā)方式生長(zhǎng)鋁合金，進(jìn)行金屬的光刻和刻蝕，形成正面金屬電極，完成了平面柵IGBT正面電極連接；
(十)制作背面金屬電極：對(duì)N型單晶硅片襯底進(jìn)行研磨減薄或濕法刻蝕洗凈，采用物理淀積或蒸發(fā)形成背面金屬電極，完成平面柵IGBT背面電特性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟(一)中，平面柵IGBT的正向?qū)▔航禐?00V至6500V。
7.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟(二)中，所述退火工藝的溫度為1100度至1150度，時(shí)間為600分鐘至1800分鐘。
8.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟(三)中，在硅片表面生長(zhǎng)的氧化膜為0.1至0.2微米。
9.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟(四)中，是將P型摻雜推結(jié)到4至6微米，形成IGBT有源區(qū)的P阱區(qū)。
10.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟(七)中，離子被推結(jié)到0.5至1微米范圍內(nèi)。