本發(fā)明涉及半導體技術，尤其涉及一種VDMOS器件的制作方法。

背景技術：

VDMOS(Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，垂直雙擴散金屬氧化物半導體)器件兼有雙極晶體管和普通MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)器件的優(yōu)點，無論是開關應用還是線形應用，VDMOS器件都是理想的功率器件。目前VDMOS器件的應用領域非常廣泛，例如電機調速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。

現(xiàn)有技術中，VDMOS器件的制造過程為：首先，在重摻雜N+襯底上生長一層N型外延層，然后，通過光刻工藝形成柵氧化層和柵氧化層上面的柵極，接著分別由P型基區(qū)與N+源區(qū)的兩次橫向擴散結深之差形成溝道，這兩個區(qū)域在離子注入過程中都是通過光刻工藝形成掩膜，并在掩膜掩蔽的情況下注入各自的摻雜雜質。其中，兩個P型摻雜區(qū)即JFET的柵極，兩個P型體區(qū)之間的N型半導體區(qū)即JFET的溝道，N型半導體的兩端分別為JFET的源極和漏極。

縮小VDMOS器件的柵極的寬度能夠提高VDMOS器件的集成度，但同時也帶來了JFET(Junction Field Effect Transistor,結型場效應晶體管)區(qū)電阻增大的問題。為了避免縮小VDMOS的柵極的寬度帶來的JFET區(qū)電阻增大的問題，在形成柵氧化層之前，會在JFET區(qū)會進行高濃度的離子注入。但是，這樣會使得制作VDMOS時增加一次光刻，進而增加了VDMOS的生產成本。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種VDMOS器件的制作方法，以解決現(xiàn)有技術中由于對JFET區(qū)進行高濃度的離子注入帶來的生產成本增加的問題。

本發(fā)明提供一種VDMOS器件的制作方法，包括：

在基底上形成掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜，進行離子注入，形成高濃度的JFET的溝道區(qū)；

在所述JFET的溝道區(qū)上形成氧化層；

在所述氧化層上形成柵極；

去除所述掩膜層；

以所述柵極為掩膜，進行離子注入，形成體區(qū)。

如上所述的VDMOS器件的制作方法，可選地，在所述氧化層上形成柵極包括：

在所述掩膜層和所述氧化層上通過沉積方式形成柵極材料層；

采用化學機械拋光方式去除所述掩膜層高于所述氧化層上的所述柵極材料層的部分，形成所述柵極，所述掩膜層的頂部與所述柵極的頂部齊平。

如上所述的VDMOS器件的制作方法，可選地，在所述JFET的溝道區(qū)上形成氧化層包括：

采用熱氧化方式在所述JFET的溝道區(qū)上形成所述氧化層。

如上所述的VDMOS器件的制作方法，可選地，去除所述掩膜層包括:

采用濕法方式去除所述掩膜層。

如上所述的VDMOS器件的制作方法，可選地，所述基底包括N型襯底和形成在所述N型襯底上的N型外延層。

如上所述的VDMOS器件的制作方法，可選地，所述在基底上形成掩膜層包括：

在所述基底上沉積形成掩膜層；

刻蝕所述掩膜層，以形成具有圖案的所述掩膜層。

如上所述的VDMOS器件的制作方法，可選地，在所述形成體區(qū)之后，還包括：

對所述基底進行離子注入，在所述柵極的兩側且在所述體區(qū)中形成源區(qū)；

在所述柵極上形成介質層，所述介質層的寬度大于所述柵極的寬度；

在所述體區(qū)和所述介質層上形成所述金屬層。

由上述技術方案可知，本發(fā)明提供的VDMOS器件的制作方法，通過先形成高濃度的JFEP的溝道區(qū)，然后進行柵極以及體區(qū)的形成工藝，能夠避免在 對JFEP進行高濃度離子需要單獨進行的光刻工藝，進而避免生產成本的增加。而且由于在形成高濃度的JFEP的溝道區(qū)時所采用的掩膜可以應用于形成柵極，因此，進一步地可以減少一次光刻工藝，進而進一步地節(jié)省生產成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的VDMOS器件的制作方法的流程示意圖；

圖2A至2G所示為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的VDMOS器件的制作方法的各個步驟的結構示意圖。

具體實施方式

實施例一

本實施例提供過一種VDMOS器件的制作方法，用于制作VDMOS器件。如圖1所示，為根據(jù)本實施例的VDMOS器件的制作方法的流程示意圖。本實施例的VDMOS器件的制作方法包括：

步驟101，在基底上形成掩膜層。

具體可以采用化學氣相沉積的方式在基底上形成掩膜材料層或者采用氧化的方式形成掩膜材料層，例如對基底進行氧化，以在基底的表層上形成氧化層，將該氧化層作為掩膜材料層。接著對該掩膜材料層進行光刻工藝，形成掩膜層。

步驟102，以掩膜層為掩膜，進行離子注入，形成高濃度的JFET的溝道區(qū)。

該JFET區(qū)具體形成于基底內。JFET的溝道區(qū)的離子濃度需大于或等于9×10¹¹原子/平方厘米。

步驟103，在JFET的溝道區(qū)上形成氧化層。

具體可以采用氧化的方式在JFEP的溝道上形成氧化層。

步驟104，在氧化層上形成柵極。

本實施例可以先在步驟103所形成的器件上沉積柵極材料層，然后進行光刻工藝或者化學機械拋光工藝，僅保留氧化層上方的柵極。

步驟105，去除掩膜層。

具體可以采用刻蝕工藝去除掩膜層。

步驟106，以柵極為掩膜，進行離子注入，形成體區(qū)。

該步驟中，以柵極為掩膜，在基底進行離子注入，形成體區(qū)。

接著，進行后續(xù)地形成源區(qū)、介質層以及金屬層等后續(xù)工藝，以完成整個VDMOS器件的制作，后續(xù)工藝均為現(xiàn)有技術，在此不再贅述。

本實施例中，通過先形成高濃度的JFEP的溝道區(qū)，然后進行柵極以及體區(qū)的形成工藝，能夠避免在對JFEP進行高濃度離子需要單獨進行的光刻工藝，進而避免生產成本的增加。而且由于在形成高濃度的JFEP的溝道區(qū)時所采用的掩膜可以應用于形成柵極，因此，進一步地可以減少一次光刻工藝，進而進一步地節(jié)省生產成本。

實施例二

本實施例對上述實施例的VDMOS器件的制作方法做進一步補充說明。

如圖2A至2G所示，為根據(jù)本實施例的VDMOS器件的制作方法的各個步驟的結構示意圖。

如圖2A所示，在基底201上形成掩膜層202。

本實施例的基底201包括N型襯底2011以及形成在N型襯底2011之上的N型外延層2012。氧化層層202可以通過沉積或氧化的方式形成于N型外延層2012之上。本實施例的掩膜層202具體可以是氮化硅、氧化硅等。

如圖2B所示，刻蝕氧化層201以形成具有圖案的掩膜層203，并以掩膜層203為掩膜，進行離子注入，形成高濃度的JFET的溝道區(qū)204。

刻蝕掩膜層202，直至露出基底201，即露出N型外延層2012。此外，對N型外延層2012進行離子注入，以形成溝道區(qū)204。

如圖2C所示，在JFET的溝道區(qū)204上形成氧化層205，在掩膜層203和掩膜層202上通過沉積方式形成柵極材料層206。

例如，采用熱氧化的方式，對溝道區(qū)204進行氧化，以形成氧化層205。具體地，以化學氣相沉積的方式，在圖2C所示的器件的表面形成柵極材料層206，該柵極材料層206具體可以是多晶硅。

如圖2D所示，采用化學機械拋光方式去除掩膜層203高于掩膜層202上的柵極材料層206的部分，形成柵極207，掩膜層203的頂部與柵極207的頂部齊平。

從圖2D中可以看出，采用化學機械拋光方式不僅除了氧化層205上的柵極材料層206的部分，即留下的是氧化層205上柵極材料層206作為柵極207，而且也去除了高于柵極207的掩膜層203的部分。

如圖2E所示，采用濕法方式去除掩膜層203。

如圖2F所示，以柵極207為掩膜，進行離子注入，形成體區(qū)208。

具體地，對N型外延層2012進行P型離子注入，并進行高溫驅逐工藝，以形成體區(qū)208。

如圖2G所示，對基底201進行離子注入，在柵極207的兩側且在體區(qū)208中形成源區(qū)209，在柵極207上形成介質層210，介質層210的寬度大于柵極207的寬度，并在體區(qū)208和介質層210上形成金屬層211。

具體地，首先對N型外延層2012進行離子注入工藝，形成N型源區(qū)209。接著，在柵極207上采用沉積工藝形成介質材料層，并對介質材料層進行光刻工藝以形成介質層210，介質層210需完全覆蓋柵極207。接著，在體區(qū)208和介質層210上以沉積的方式形成金屬層211。

根據(jù)本實施例的VDMOS器件的制作方法，既可以縮小多晶柵極的尺寸，了較濃的JFET的溝道區(qū)204，而不會帶來JFET區(qū)電阻過高的問題，還可以避免JFET的溝道區(qū)204進行高濃度的離子注入時的光刻工藝，大大節(jié)省了成本，從而提升競爭力。

本領域普通技術人員可以理解：實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。

最后應說明的是：以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。