1.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，包括：
一感測芯片，具有相對的一第一上表面與一第一下表面，且包括：
位于鄰近該第一上表面處的一感測組件及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊；
多個第一貫通孔，位于該第一下表面且露出該多個第一貫通孔所對應的導電墊的表面；
多個導電結構，設置于該第一下表面；及
一重布線層，位于該第一下表面以及該多個第一貫通孔內，用以分別連接每一該導電墊以及每一該導電結構；
一間隔層，設置于該感測芯片上，且環(huán)繞該感測組件，其中該間隔層具有相對的一第二上表面、一第二下表面及一貫穿該第二上表面與該第二下表面的開口，該開口對應于該感測組件，且該開口的內壁與該感測組件保持一預定的距離d，且d>0；以及
一第一黏著層，位于該間隔層的該第二下表面與該感測芯片的該第一上表面之間。
2.根據權利要求1所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
3.根據權利要求2所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
4.根據權利要求1所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，還包括一蓋板設置于該間隔層上、及一第二黏著層夾于該蓋板與該間隔層的該第二上表面之間。
6.根據權利要求5所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于， 該蓋板的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
7.根據權利要求5所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
8.根據權利要求1所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該第一貫通孔的截面積自鄰近該第一上表面處往鄰近該第一下表面處遞增。
9.根據權利要求1所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
10.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，包括：
一感測芯片，具有相對的一第一上表面與一第一下表面、一第一側壁及一第二側壁，該第一側壁及該第二側壁分別連接該第一上表面以及該第一下表面的相對兩側，該感測芯片包括：
位于鄰近該第一上表面處的一感測組件及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊，該第一側壁及該第二側壁分別裸露出一該導電墊的側邊；
多個導電結構，設置于該第一下表面；及
一重布線層，位于該第一下表面、該第一側壁以及該第二側壁，用以分別連接每一該導電墊以及每一該導電結構；
一間隔層，設置于該感測芯片上且環(huán)繞該感測組件，其中該間隔層具有相對的一第二上表面、一第二下表面及一貫穿該第二上表面與該第二下表面的開口，該開口對應于該感測組件，且該開口的內壁與該感測組件間保持一預定的距離d，且d>0；以及
一第一黏著層，位于該間隔層的該第二下表面與該感測芯片的該第一上表面之間。
11.根據權利要求10所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
12.根據權利要求11所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
13.根據權利要求10所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
14.根據權利要求10～13中任一項所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，還包括一蓋板設置于該間隔層上、及一第二黏著層夾于該蓋板與該間隔層的該第二上表面之間。
15.根據權利要求14所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該蓋板的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
16.根據權利要求14所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
17.根據權利要求10所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
18.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：
提供一感測組件晶圓，該感測組件晶圓具有相對的一第一上表面和一第一下表面，且包括多個芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括一感測組件位于鄰近該第一上表面處、及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊；
提供一間隔層，該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面，且該第二下表面包括有多個凹穴，每一該凹穴分別對應于每一該芯片區(qū)的該感測組件；
涂布一第一黏著層于該多個凹穴以外的該第二下表面，且通過該第一黏著層，使該間隔層的該第二下表面結合至該感測組件晶圓的該第一上表面，且每一該凹穴分別環(huán)繞該凹穴所對應的一該感測組件，其中每一該凹穴的內 壁與該凹穴所環(huán)繞的每一該感測組件保持一預定的距離d，且d>0；
薄化該感測組件晶圓的該第一下表面，形成一厚度較該第一下表面更薄的第三下表面；
在該第三下表面形成多個第一貫通孔，且每一該第一貫通孔分別暴露出每一該導電墊；
形成一介電層于該第三下表面以及該多個第一貫通孔所暴露的側壁及該多個導電墊，且該介電層上形成有多個暴露出該多個導電墊的第二貫通孔，且每一該第二貫通孔與每一該第一貫通孔貫通；
形成一重布線層于該介電層上，并通過該多個第二貫通孔與每一該導電墊電性連接；
形成一鈍化保護層于該重布線層上，且該鈍化保護層上形成有多個暴露出該重布線層的第三貫通孔；
研磨該間隔層的該第二上表面，直到貫通每一該凹穴，形成多個開口，且每一該開口內均有一被該間隔層環(huán)繞的感測組件；
形成多個導電結構于該第三貫通孔內，且每一該導電結構分別與該重布線層電性連接；以及
切割該多個芯片區(qū)，以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體。
19.根據權利要求18所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
20.根據權利要求19所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
21.根據權利要求18所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或 前述的組合。
22.根據權利要求18～21中任一項所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，在切割該多個芯片區(qū)以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體前，還包括先提供一表面涂布有一第二黏著層的蓋板晶圓，并通過該第二黏著層使該蓋板晶圓結合至該該間隔層的該第二上表面。
23.根據權利要求22所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該蓋板晶圓的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
24.根據權利要求22所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
25.根據權利要求18所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一貫通孔的截面積自鄰近該第一上表面處往鄰近該第一下表面處遞增。
26.根據權利要求18所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
27.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：
提供一感測組件晶圓，該感測組件晶圓具有相對的一第一上表面和一第一下表面，且包括多個芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括一感測組件位于鄰近該第一上表面處、及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊；
提供一間隔層，該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面，且該第二下表面包括有多個凹穴，每一該凹穴分別對應于每一該芯片區(qū)的該感測組件；
涂布一第一黏著層于該多個凹穴以外的該第二下表面，通過該第一黏著 層，使該間隔層的該第二下表面結合至該感測組件晶圓的該第一上表面，且每一該凹穴分別環(huán)繞該凹穴所對應的一感測組件，其中每一該凹穴的內壁與該凹穴所環(huán)繞的每一該感測組件保持一預定的距離d，且d>0；
研磨該間隔層的該第二上表面，直到貫通每一該凹穴，形成多個開口，且每一該開口內均有一被該間隔層環(huán)繞的感測組件；
提供一表面涂布有一第二黏著層的蓋板晶圓，并通過該第二黏著層，使該蓋板晶圓結合至該間隔層的該第二表面；
薄化該感測組件晶圓的該第一下表面，形成一厚度較該第一下表面更薄的第三下表面；
在該第三下表面形成多個第一貫通孔，且每一該第一貫通孔分別暴露出每一該導電墊；
形成一介電層于該第三下表面以及該多個第一貫通孔所暴露的側壁及該多個導電墊，且該介電層上形成有多個暴露出該多個導電墊的第二貫通孔，且每一該第二貫通孔與每一該第一貫通孔貫通；
形成一重布線層于該介電層上，并通過該多個第二貫通孔與每一該導電墊電性連接；
形成一鈍化保護層于該重布線層上，且該鈍化保護層上形成有多個暴露出該重布線層的第三貫通孔；
形成多個導電結構于該第三貫通孔內，且每一該導電結構分別與該重布線層電性連接；以及
切割該多個芯片區(qū)，以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體。
28.根據權利要求27所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
29.根據權利要求28所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
30.根據權利要求27所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
31.根據權利要求27所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該蓋板晶圓的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
32.根據權利要求27所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
33.根據權利要求27所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一貫通孔的截面積自鄰近該第一上表面處往鄰近該第一下表面處遞增。
34.根據權利要求27所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
35.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：
提供一感測組件晶圓，該感測組件晶圓具有相對的一第一上表面和一第一下表面，且包括多個芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括一感測組件位于鄰近該第一上表面處、及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊；
提供一堆棧層，該堆棧層包括一間隔層、一固定于該間隔層上的蓋板晶圓及一夾于該間隔層與該蓋板晶圓之間的第二黏著層，其中該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面、多個貫通該第二上表面與該第二下表面的開口，而該蓋板晶圓則是固定于該間隔層的該第二上表面，每一該開口分別對應于每一該芯片區(qū)的該感測組件；
涂布一第一黏著層于該多個開口以外的該第二下表面；
通過該第一黏著層，使該間隔層的該第二下表面結合至該感測組件晶圓的該第一上表面，且每一該開口分別環(huán)繞該開口所對應的一該感測組件，其中每一該開口的內壁與該開口所環(huán)繞的每一該感測組件保持一預定的距離d，且d>0；
薄化該感測組件晶圓的該第一下表面，形成一厚度較該第一下表面更薄的第三下表面；
在該第三下表面形成多個第一貫通孔，且每一該第一貫通孔分別暴露出每一該導電墊；
形成一介電層于該第三下表面以及該多個第一貫通孔所暴露的側壁及該多個導電墊，且該介電層上形成有多個暴露出該多個導電墊的第二貫通孔，且每一該第二貫通孔與每一該第一貫通孔貫通；
形成一重布線層于該介電層上，并通過該多個第二貫通孔與每一該導電墊電性連接；
形成一鈍化保護層于該重布線層上，且該鈍化保護層上形成有多個暴露出該重布線層的第三貫通孔；
形成多個導電結構于該第三貫通孔內，且每一該導電結構分別與該重布線層電性連接；以及
切割該多個芯片區(qū)，以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體。
36.根據權利要求35所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該堆棧層的制造步驟包括：
提供一間隔層，該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面，且該第二上表面具有多個凹穴，該多個凹穴分別對應于該多個芯片區(qū)；
提供一表面涂布有一第二黏著層的蓋板晶圓，并通過該第二黏著層使該 蓋板晶圓結合至該間隔層的該第二上表面；以及
研磨該第二下表面，直到每一該凹穴底部被貫穿，形成多個開口，且每一該開口內均有一被該間隔層環(huán)繞的感測組件。
37.根據權利要求35所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
38.根據權利要求37所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
39.根據權利要求35所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
40.根據權利要求35所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該蓋板晶圓的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
41.根據權利要求35所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
42.根據權利要求35所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一貫通孔的截面積自鄰近該第一上表面處往鄰近該第一下表面處遞增。
43.根據權利要求35所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
44.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：
提供一感測組件晶圓，該感測組件晶圓具有相對的一第一上表面和一第一下表面，且包括多個芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括一感測組件位于鄰近該第一 上表面處、及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊；
提供一間隔層，該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面，且該第二下表面包括有多個凹穴，每一該凹穴分別對應于每一該芯片區(qū)的該感測組件；
涂布一第一黏著層于該多個凹穴以外的該第二下表面；
通過該第一黏著層，使該間隔層的該第二下表面結合至該感測組件晶圓的該第一上表面，且每一該凹穴分別環(huán)繞該凹穴所對應的一感測組件，其中每一該凹穴的內壁與該凹穴所環(huán)繞的每一該感測組件保持一預定的距離d，且d>0；
薄化該感測組件晶圓的該第一下表面，形成一厚度較該第一下表面更薄的第三下表面；
形成多個貫穿該第三下表面以及該第一上表面的第四貫通孔；
形成一介電層于該第三下表面以及該多個第四貫通孔；
去除鄰近該第四貫通孔的該介電層、部分該第一黏著層及部分該多個導電墊，形成多個凹槽，其中每一該凹槽具有一第一側壁、一第二側壁及一底部，且分別裸露出一導電墊側邊；
形成一重布線層于該介電層上，并且覆蓋于該多個凹槽內的該第一側壁、該第二側壁及該底部，以分別連接該第一側壁、該第二側壁上所裸出的該導電墊側邊；
形成一鈍化保護層于該重布線層上，且該鈍化保護層上形成有多個暴露出該重布線層的第五貫通孔；
研磨該間隔層的該第二上表面，直到貫通每一該凹穴，形成多個開口，且每一該開口內均有一被該間隔層環(huán)繞的感測組件；
形成多個導電結構于該第五貫通孔內，且每一該導電結構分別與該重布線層電性連接；以及
切割該多個芯片區(qū)，以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體。
45.根據權利要求44所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
46.根據權利要求45所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
47.根據權利要求44所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
48.根據權利要求44～47中任一項所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，在切割該多個芯片區(qū)以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體前，還包括先提供一表面涂布有一第二黏著層的蓋板晶圓，并通過該第二黏著層使該蓋板晶圓結合至該間隔層的該第二上表面。
49.根據權利要求48所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該蓋板晶圓的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
50.根據權利要求48所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
51.根據權利要求44所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
52.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：
提供一感測組件晶圓，該感測組件晶圓具有相對的一第一上表面和一第 一下表面，且包括多個芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括一感測組件位于鄰近該第一上表面處、及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊；
提供一間隔層，該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面，且該第二下表面包括有多個凹穴，每一該凹穴分別對應于每一該芯片區(qū)的該感測組件；
涂布一第一黏著層于該多個凹穴以外的該第二下表面，通過該第一黏著層，使該間隔層的該第二下表面結合至該感測組件晶圓的該第一上表面，且每一該凹穴分別環(huán)繞該凹穴所對應的一該感測組件，其中每一該凹穴的內壁與該凹穴所環(huán)繞的每一該感測組件保持一預定的距離d，且d>0；
研磨該間隔層的該第二上表面，直到貫通每一該凹穴，形成多個開口，且每一該開口內均有一被該間隔層環(huán)繞的感測組件；
提供一蓋板晶圓，并在該蓋板晶圓表面涂布一第二黏著層，通過該第二黏著層使該蓋板晶圓結合至該間隔層的該第二上表面；
薄化該感測組件晶圓的該第一下表面，形成一厚度較該第一下表面更薄的第三下表面；
形成多個貫穿該第三下表面以及該第一上表面的第四貫通孔；
形成一介電層于該第三下表面以及該多個第四貫通孔；
去除鄰近該第四貫通孔的該介電層、部分該第一黏著層及部分該多個導電墊，形成多個凹槽，其中每一該凹槽具有一第一側壁、一第二側壁及一底部，且分別裸露出一導電墊側邊；
形成一重布線層于該介電層上，并且覆蓋于該多個凹槽內的該第一側壁、該第二側壁及該底部，以分別連接該第一側壁、該第二側壁上所裸出的該導電墊側邊；
形成一鈍化保護層于該重布線層上，且該鈍化保護層上形成有多個暴露出該重布線層的第五貫通孔；
形成多個導電結構于該第五貫通孔內，且每一該導電結構分別與該重布線層電性連接；以及
切割該多個芯片區(qū)，以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體。
53.根據權利要求52所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
54.根據權利要求53所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
55.根據權利要求52所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
56.根據權利要求52所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該蓋板晶圓的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
57.根據權利要求52所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
58.根據權利要求52所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
59.一種芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：
提供一感測組件晶圓，該感測組件晶圓具有相對的一第一上表面和一第一下表面，且包括多個芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括一感測組件位于鄰近該第一上表面處、及位于該第一上表面且相鄰該感測組件的多個導電墊；
提供一堆棧層，該堆棧層包括一間隔層、一固定于該間隔層上的蓋板晶 圓及一夾于該間隔層與該蓋板晶圓之間的第二黏著層，其中該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面、多個貫通該第二上表面與該第二下表面的開口，而該蓋板晶圓則固定于該間隔層的該第二上表面，且每一該開口分別對應于每一該芯片區(qū)的該感測組件；
涂布一第一黏著層于該多個開口以外的該第二下表面；
通過該第一黏著層，使該間隔層的該第二下表面結合至該感測組件晶圓的該第一上表面，且每一該開口分別環(huán)繞該開口所對應的一感測組件，其中每一該開口的內壁與該開口所環(huán)繞的每一該感測組件保持一預定的距離d，且d>0；
薄化該感測組件晶圓的該第一下表面，形成一厚度較該第一下表面更薄的第三下表面；
形成多個貫穿該第三下表面以及該第一上表面的第四貫通孔；
形成一介電層于該第三下表面以及該多個第四貫通孔；
去除鄰近該第四貫通孔的該介電層、部分該第一黏著層及部分該多個導電墊，形成多個凹槽，其中每一該凹槽具有一第一側壁、一第二側壁及一底部，且分別裸露出一導電墊側邊；
形成一重布線層于該介電層上，并且覆蓋于該多個凹槽內的該第一側壁、該第二側壁及該底部，以分別連接該第一側壁、該第二側壁上所裸出的該導電墊側邊；
形成一鈍化保護層于該重布線層上，且該鈍化保護層上形成有多個暴露出該重布線層的第五貫通孔；
形成多個導電結構于該第五貫通孔內，且每一該導電結構分別與該重布線層電性連接；以及
切割該多個芯片區(qū)，以獲得多個獨立的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體。
60.根據權利要求59所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該堆棧層的制造步驟包括：
提供一間隔層，該間隔層具有相對的一第二上表面與一第二下表面，且該第二上表面具有多個凹穴，該多個凹穴分別對應于該多個芯片區(qū)；
提供一表面涂布有一第二黏著層的蓋板晶圓，并通過該第二黏著層使該蓋板晶圓結合至該間隔層的該第二上表面；以及
研磨該第二下表面，直到每一該凹穴貫穿該第二上表面與該第二下表面，形成多個開口，且每一該開口內均有一被該間隔層環(huán)繞的感測組件。
61.根據權利要求60所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的材料選自硅、氮化鋁、玻璃或陶瓷，或前述的組合。
62.根據權利要求61所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該間隔層的厚度大于該感測芯片的厚度。
63.根據權利要求59所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
64.根據權利要求59所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該蓋板晶圓的材料包括玻璃、藍寶石、氮化鋁或陶瓷材料。
65.根據權利要求59所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二黏著層的材料選自光阻、聚亞酰胺、膠帶或環(huán)氧樹脂，或前述的組合。
66.根據權利要求59所述的芯片尺寸等級的感測芯片封裝體的制造方法，其特征在于，該導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。