本發(fā)明涉及一種微電子芯片封裝處理材料，屬于微電子芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

微電子技術(shù)是隨著集成電路，尤其是超大型規(guī)模集成電路而發(fā)展起來(lái)的一門(mén)新的技術(shù)。微電子技術(shù)包括系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)、器件物理、工藝技術(shù)、材料制備、自動(dòng)測(cè)試以及封裝、組裝等一系列專門(mén)的技術(shù)，微電子技術(shù)是微電子學(xué)中的各項(xiàng)工藝技術(shù)的總和。微電子芯片安裝過(guò)程中，有必要采用合適的方式改善其封裝處理效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種微電子芯片封裝處理材料，以便更好地實(shí)現(xiàn)微電子芯片封裝處理材料的使用功能，使產(chǎn)品具有更好的封裝性能，改善產(chǎn)品使用性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下。

一種微電子芯片封裝處理材料，由以下質(zhì)量份數(shù)的組分組成：聚氨基甲酸酯18～22份、尿素甲醛樹(shù)脂16～20份、丙烯酸丁酯16～20份、甲基丙烯酸甲酯14～18份、改性酚醛樹(shù)脂16～20份、甲基異丁基甲醇16～20份、牛脂基二羥乙基氧化胺14～18份、N-甲基吡咯烷酮16～20份、丙酸戊酯16～20份、二乙二醇乙醚14～18份、硼酸鈣14～18份、二苯并呋喃14～18份、十六烷基溴16～20份、咪唑啉14～18份、氟硅酸銨12～16份、白云石粉末16～20份、氮化鈦粉末14～18份、二氟化鉛粉末12～16份、二氧化鈦粉末14～18份、氟化鈣粉末12～16份、錫酸鋅12～16份、聚噻吩12～16份、聚磷酸銨10～14份、對(duì)甲苯酚6～10份、三甘醇二異辛酸酯4～8份、硬脂酸聚乙二醇酯4～8份、乙酰檸檬酸三丁酯4～8份、乙二醇一異丁醚4～8份、次磺酰胺類促進(jìn)劑4～8份、2-硫醇基苯駢噻唑4～8份。

進(jìn)一步地，上述微電子芯片封裝處理材料，由以下質(zhì)量份數(shù)的組分組成：聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛樹(shù)脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛樹(shù)脂16份、甲基異丁基甲醇16份、牛脂基二羥乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸鈣14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸銨12份、白云石粉末16份、氮化鈦粉末14份、二氟化鉛粉末12份、二氧化鈦粉末14份、氟化鈣粉末12份、錫酸鋅12份、聚噻吩12份、聚磷酸銨10份、對(duì)甲苯酚6份、三甘醇二異辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰檸檬酸三丁酯4份、乙二醇一異丁醚4份、次磺酰胺類促進(jìn)劑4份、2-硫醇基苯駢噻唑4份。

進(jìn)一步地，上述微電子芯片封裝處理材料，由以下質(zhì)量份數(shù)的組分組成：聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛樹(shù)脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛樹(shù)脂18份、甲基異丁基甲醇18份、牛脂基二羥乙基氧化胺16份、N-甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、二乙二醇乙醚16份、硼酸鈣16份、二苯并呋喃16份、十六烷基溴18份、咪唑啉16份、氟硅酸銨14份、白云石粉末18份、氮化鈦粉末16份、二氟化鉛粉末14份、二氧化鈦粉末16份、氟化鈣粉末14份、錫酸鋅14份、聚噻吩14份、聚磷酸銨12份、對(duì)甲苯酚8份、三甘醇二異辛酸酯6份、硬脂酸聚乙二醇酯6份、乙酰檸檬酸三丁酯6份、乙二醇一異丁醚6份、次磺酰胺類促進(jìn)劑6份、2-硫醇基苯駢噻唑6份。

進(jìn)一步地，上述微電子芯片封裝處理材料，由以下質(zhì)量份數(shù)的組分組成：聚氨基甲酸酯22份、尿素甲醛樹(shù)脂20份、丙烯酸丁酯20份、甲基丙烯酸甲酯18份、改性酚醛樹(shù)脂20份、甲基異丁基甲醇20份、牛脂基二羥乙基氧化胺18份、N-甲基吡咯烷酮20份、丙酸戊酯20份、二乙二醇乙醚18份、硼酸鈣18份、二苯并呋喃18份、十六烷基溴20份、咪唑啉18份、氟硅酸銨16份、白云石粉末20份、氮化鈦粉末18份、二氟化鉛粉末16份、二氧化鈦粉末18份、氟化鈣粉末16份、錫酸鋅16份、聚噻吩16份、聚磷酸銨14份、對(duì)甲苯酚10份、三甘醇二異辛酸酯8份、硬脂酸聚乙二醇酯8份、乙酰檸檬酸三丁酯8份、乙二醇一異丁醚8份、次磺酰胺類促進(jìn)劑8份、2-硫醇基苯駢噻唑8份。

進(jìn)一步地，上述微電子芯片封裝處理材料制備方法步驟如下：

(1)將所述質(zhì)量份數(shù)的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛樹(shù)脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛樹(shù)脂、甲基異丁基甲醇、牛脂基二羥乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸鈣、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸銨、白云石粉末、氮化鈦粉末、二氟化鉛粉末、二氧化鈦粉末、氟化鈣粉末予以混合，超聲高速分散，超聲波頻率為20～40KHz，分散速度5000～5400r/min左右，分散時(shí)間為30～60min；

(2)加入所述質(zhì)量份數(shù)的錫酸鋅、聚噻吩、聚磷酸銨、對(duì)甲苯酚、三甘醇二異辛酸酯，超聲高速分散，超聲波頻率為20～35KHz，分散速度4800～5200r/min左右，分散時(shí)間為30～50min；

(3)加入所述質(zhì)量份數(shù)的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰檸檬酸三丁酯、乙二醇一異丁醚、次磺酰胺類促進(jìn)劑、2-硫醇基苯駢噻唑，超聲高速分散，超聲波頻率為20～30KHz，分散速度4600～4800r/min左右，分散時(shí)間為20～40min；混合均勻后制得本品。

該發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明中的微電子芯片封裝處理材料，由以下組分組成：聚氨基甲酸酯、尿素甲醛樹(shù)脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛樹(shù)脂、甲基異丁基甲醇、牛脂基二羥乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸鈣、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸銨、白云石粉末、氮化鈦粉末、二氟化鉛粉末、二氧化鈦粉末、氟化鈣粉末、錫酸鋅、聚噻吩、聚磷酸銨、對(duì)甲苯酚、三甘醇二異辛酸酯、硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰檸檬酸三丁酯、乙二醇一異丁醚、次磺酰胺類促進(jìn)劑、2-硫醇基苯駢噻唑。本發(fā)明通過(guò)對(duì)微電子芯片的封裝材料進(jìn)行優(yōu)化，顯著的提高了微電子芯片封裝材料的折射率、硬度和粘結(jié)強(qiáng)度。本發(fā)明的方法制備得到的微電子芯片封裝材料邵氏硬度為74A至86A，粘結(jié)強(qiáng)度為7.8MPa至8.6MPa。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行描述，以便更好的理解本發(fā)明。

實(shí)施例1

本實(shí)施例中的微電子芯片封裝處理材料，由以下質(zhì)量份數(shù)的組分組成：聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛樹(shù)脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛樹(shù)脂16份、甲基異丁基甲醇16份、牛脂基二羥乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸鈣14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸銨12份、白云石粉末16份、氮化鈦粉末14份、二氟化鉛粉末12份、二氧化鈦粉末14份、氟化鈣粉末12份、錫酸鋅12份、聚噻吩12份、聚磷酸銨10份、對(duì)甲苯酚6份、三甘醇二異辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰檸檬酸三丁酯4份、乙二醇一異丁醚4份、次磺酰胺類促進(jìn)劑4份、2-硫醇基苯駢噻唑4份。

上述微電子芯片封裝處理材料制備方法步驟如下：

(1)將所述質(zhì)量份數(shù)的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛樹(shù)脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛樹(shù)脂、甲基異丁基甲醇、牛脂基二羥乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸鈣、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸銨、白云石粉末、氮化鈦粉末、二氟化鉛粉末、二氧化鈦粉末、氟化鈣粉末予以混合，超聲高速分散，超聲波頻率為20kHz，分散速度5400r/min左右，分散時(shí)間為60min；

(2)加入所述質(zhì)量份數(shù)的錫酸鋅、聚噻吩、聚磷酸銨、對(duì)甲苯酚、三甘醇二異辛酸酯，超聲高速分散，超聲波頻率為20kHz，分散速度5200r/min左右，分散時(shí)間為50min；

(3)加入所述質(zhì)量份數(shù)的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰檸檬酸三丁酯、乙二醇一異丁醚、次磺酰胺類促進(jìn)劑、2-硫醇基苯駢噻唑，超聲高速分散，超聲波頻率為20kHz，分散速度4800r/min左右，分散時(shí)間為40min；混合均勻后制得本品。

本發(fā)明的方法制備得到的微電子芯片封裝材料邵氏硬度為74A，粘結(jié)強(qiáng)度為7.8MPa。

實(shí)施例2

本實(shí)施例中的微電子芯片封裝處理材料，由以下質(zhì)量份數(shù)的組分組成：聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛樹(shù)脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛樹(shù)脂18份、甲基異丁基甲醇18份、牛脂基二羥乙基氧化胺16份、N-甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、二乙二醇乙醚16份、硼酸鈣16份、二苯并呋喃16份、十六烷基溴18份、咪唑啉16份、氟硅酸銨14份、白云石粉末18份、氮化鈦粉末16份、二氟化鉛粉末14份、二氧化鈦粉末16份、氟化鈣粉末14份、錫酸鋅14份、聚噻吩14份、聚磷酸銨12份、對(duì)甲苯酚8份、三甘醇二異辛酸酯6份、硬脂酸聚乙二醇酯6份、乙酰檸檬酸三丁酯6份、乙二醇一異丁醚6份、次磺酰胺類促進(jìn)劑6份、2-硫醇基苯駢噻唑6份。

上述微電子芯片封裝處理材料制備方法步驟如下：

(1)將所述質(zhì)量份數(shù)的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛樹(shù)脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛樹(shù)脂、甲基異丁基甲醇、牛脂基二羥乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸鈣、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸銨、白云石粉末、氮化鈦粉末、二氟化鉛粉末、二氧化鈦粉末、氟化鈣粉末予以混合，超聲高速分散，超聲波頻率為30kHz，分散速度5200r/min左右，分散時(shí)間為45min；

(2)加入所述質(zhì)量份數(shù)的錫酸鋅、聚噻吩、聚磷酸銨、對(duì)甲苯酚、三甘醇二異辛酸酯，超聲高速分散，超聲波頻率為27kHz，分散速度5000r/min左右，分散時(shí)間為40min；

(3)加入所述質(zhì)量份數(shù)的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰檸檬酸三丁酯、乙二醇一異丁醚、次磺酰胺類促進(jìn)劑、2-硫醇基苯駢噻唑，超聲高速分散，超聲波頻率為25kHz，分散速度4700r/min左右，分散時(shí)間為30min；混合均勻后制得本品。

本發(fā)明的方法制備得到的微電子芯片封裝材料邵氏硬度為78A，粘結(jié)強(qiáng)度為8.2MPa。

實(shí)施例3

本實(shí)施例中的微電子芯片封裝處理材料，由以下質(zhì)量份數(shù)的組分組成：聚氨基甲酸酯22份、尿素甲醛樹(shù)脂20份、丙烯酸丁酯20份、甲基丙烯酸甲酯18份、改性酚醛樹(shù)脂20份、甲基異丁基甲醇20份、牛脂基二羥乙基氧化胺18份、N-甲基吡咯烷酮20份、丙酸戊酯20份、二乙二醇乙醚18份、硼酸鈣18份、二苯并呋喃18份、十六烷基溴20份、咪唑啉18份、氟硅酸銨16份、白云石粉末20份、氮化鈦粉末18份、二氟化鉛粉末16份、二氧化鈦粉末18份、氟化鈣粉末16份、錫酸鋅16份、聚噻吩16份、聚磷酸銨14份、對(duì)甲苯酚10份、三甘醇二異辛酸酯8份、硬脂酸聚乙二醇酯8份、乙酰檸檬酸三丁酯8份、乙二醇一異丁醚8份、次磺酰胺類促進(jìn)劑8份、2-硫醇基苯駢噻唑8份。

上述微電子芯片封裝處理材料制備方法步驟如下：

(1)將所述質(zhì)量份數(shù)的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛樹(shù)脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛樹(shù)脂、甲基異丁基甲醇、牛脂基二羥乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸鈣、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸銨、白云石粉末、氮化鈦粉末、二氟化鉛粉末、二氧化鈦粉末、氟化鈣粉末予以混合，超聲高速分散，超聲波頻率為40kHz，分散速度5000r/min，分散時(shí)間為30min；

(2)加入所述質(zhì)量份數(shù)的錫酸鋅、聚噻吩、聚磷酸銨、對(duì)甲苯酚、三甘醇二異辛酸酯，超聲高速分散，超聲波頻率為35kHz，分散速度4800r/min，分散時(shí)間為30min；

(3)加入所述質(zhì)量份數(shù)的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰檸檬酸三丁酯、乙二醇一異丁醚、次磺酰胺類促進(jìn)劑、2-硫醇基苯駢噻唑，超聲高速分散，超聲波頻率為30kHz，分散速度4600r/min左右，分散時(shí)間為20min；混合均勻后制得本品。

本發(fā)明的方法制備得到的微電子芯片封裝材料邵氏硬度為86A，粘結(jié)強(qiáng)度為8.6MPa。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。