本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于低溫多晶硅的陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

在LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)元件制作中，需要通過源極、漏極接觸ITO(Indium-Tin Oxide，氧化銦錫)來供給公共電極電壓信號。目前傳統(tǒng)的設(shè)計方式中，通過在平坦層上開孔作為公共電極走線，源極、漏極與ITO的接觸阻抗較大，使得輸入公共電極的電壓更多被源極、漏極與ITO接觸阻抗消耗掉，或者由于蝕刻不均或其他異常造成源極、漏極與ITO接觸不良，使得有效顯示區(qū)實際公共電極電壓較低造成顯示不良。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供了一種基于低溫多晶硅的陣列基板及其制作方法，可以減小源極、漏極與公共電極的接觸阻抗，降低源極、漏極與公共電極的接觸不良率，進而改善顯示效果。

為了實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案：

一種基于低溫多晶硅的陣列基板的制作方法，包括：

制作絕緣層；

在所述絕緣層上制作金屬層，并在所述金屬層上刻蝕形成第一圖案；

在所述第一圖案上涂布一層平坦層，并沿所述平坦層的長度方向在所述平坦層上挖出包括貫穿其厚度方向的長槽的第二圖案；

在所述平坦層上覆蓋一層透明導(dǎo)電層，并刻蝕出第三圖案。

作為其中一種實施方式，所述金屬層為鈦或鋁。

優(yōu)選地，所述長槽開設(shè)在非顯示區(qū)域，且所述長槽為一個，且與非顯示區(qū)域的所述金屬層的形狀相同。

或者，所述長槽開設(shè)在非顯示區(qū)域，且所述長槽為多個，間隔設(shè)置在非顯示區(qū)域的所述金屬層的延伸方向上。

或者，所述長槽開設(shè)在非顯示區(qū)域，且所述長槽為多個，且每個所述長槽與非顯示區(qū)域的所述金屬層的形狀相同，并排設(shè)置在非顯示區(qū)域的所述金屬層的寬度方向上。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種基于低溫多晶硅的陣列基板，包括在非顯示區(qū)域自下而上依次設(shè)置的絕緣層、金屬層、平坦層和透明導(dǎo)電層，所述平坦層包括貫穿其厚度方向的長槽，所述透明導(dǎo)電層包括形成在所述長槽內(nèi)、貼合在所述金屬層表面的下沉部分。

作為其中一種實施方式，所述金屬層為鈦或鋁。

優(yōu)選地，所述長槽開設(shè)在非顯示區(qū)域，且所述長槽為一個，且與非顯示區(qū)域的所述金屬層的形狀相同。

或者，所述長槽開設(shè)在非顯示區(qū)域，且所述長槽為多個，間隔設(shè)置在非顯示區(qū)域的所述金屬層的延伸方向上。

或者，所述長槽開設(shè)在非顯示區(qū)域，且所述長槽為多個，且每個所述長槽與非顯示區(qū)域的所述金屬層的形狀相同，并排設(shè)置在非顯示區(qū)域的所述金屬層的寬度方向上。

本發(fā)明通過在平坦層上制作出具有貫穿其厚度方向的長槽的第二圖案，使得陣列基板的公共電極層與漏極之間能夠更方便、可靠地制作出連接二者的下沉部分，增加了下沉部分與漏極之間的接觸面積，減小了接觸阻抗，降低源極、漏極與公共電極的接觸不良率，進而改善了顯示效果。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的金屬層制作工藝示意圖。

圖2為本發(fā)明實施例的金屬層制作后的局部斷面示意圖。

圖3為本發(fā)明實施例的平坦層制作工藝示意圖。

圖4為本發(fā)明實施例的平坦層制作后的局部斷面示意圖。

圖5為本發(fā)明實施例的透明導(dǎo)電層制作工藝示意圖。

圖6為本發(fā)明實施例的透明導(dǎo)電層制作后的局部斷面示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參閱圖1～6，本發(fā)明實施例的基于低溫多晶硅的陣列基板的制作方法包括：

制作絕緣層10；

在絕緣層10上制作金屬層20，并在金屬層20上刻蝕形成第一圖案(如圖1和圖2)；

在第一圖案上涂布一層平坦層30，并沿平坦層30的長度方向在平坦層30上挖出包括貫穿其厚度方向的長槽300的第二圖案(如圖3和圖4)；

在平坦層30上覆蓋一層透明導(dǎo)電層40，并刻蝕出第三圖案(如圖5和圖6)。

優(yōu)選地，金屬層20為鈦或鋁，金屬層20上刻蝕形成第一圖案后即為低溫多晶硅薄膜晶體管的漏極，透明導(dǎo)電層40即為透明導(dǎo)電ITO，作為公共電極?？梢岳斫獾氖?，絕緣層10下部具有玻璃基板，同時還可設(shè)置有柵電極等。

本實施例的長槽300開設(shè)在非顯示區(qū)域，并且長槽300只有一個，其形狀與非顯示區(qū)域的金屬層20的形狀相同，即繞顯示區(qū)域延伸。由于整個平坦層30只在其寬度中部開設(shè)有一條溝道狀的長槽300，其上部的透明導(dǎo)電層40刻蝕制程會很順暢，不會出現(xiàn)刻蝕不均或其他異常而造成接觸不良，因此可以很好地改善制作工藝。

在其他實施方式中，長槽300開設(shè)也在非顯示區(qū)域，但長槽300設(shè)置有多個，間隔設(shè)置在非顯示區(qū)域的金屬層20的延伸方向上，例如，對應(yīng)金屬層20的每條邊，平坦層30上開設(shè)有一條貫穿對應(yīng)邊的長度方向的長槽300。或者，長槽300開設(shè)在非顯示區(qū)域，且長槽300為多個，但每個長槽300與非顯示區(qū)域的金屬層20的形狀相同，并排設(shè)置在非顯示區(qū)域的金屬層20的寬度方向上，即在金屬層20的寬度方向開設(shè)多條細(xì)長的長槽300。但這兩種工藝仍然無法與上述優(yōu)選實施例相比，透明導(dǎo)電層40的蝕刻仍有可能出現(xiàn)刻蝕不均的現(xiàn)象。

因此，根據(jù)上述制作方法，本發(fā)明實施例的的陣列基板具有在非顯示區(qū)域自下而上依次設(shè)置的絕緣層10、金屬層20、平坦層30和透明導(dǎo)電層40，平坦層30包括貫穿其厚度方向的長槽300，透明導(dǎo)電層40包括形成在長槽300內(nèi)、貼合在金屬層20表面的下沉部分400。

正是由于減少了長槽300的數(shù)量、增大的單個長槽300的面積，使得透明導(dǎo)電層40的刻蝕過程中不容易出現(xiàn)殘留、不均或缺口等現(xiàn)象，透明導(dǎo)電層40具有貫穿該長槽300并貼合在金屬層20表面的下沉部分400(如圖6)。長槽300與現(xiàn)有技術(shù)相比面積更大，有效地減小了公共電極與漏極的接觸阻抗，保證了點燈畫面的正常。

綜上所述，本發(fā)明通過在平坦層上制作出具有貫穿其厚度方向的長槽的第二圖案，使得陣列基板的公共電極層與漏極之間能夠更方便、可靠地制作出連接二者的下沉部分，增加了下沉部分與漏極之間的接觸面積，減小了接觸阻抗，降低源極、漏極與公共電極的接觸不良率，進而改善了顯示效果。

以上所述僅是本申請的具體實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本申請的保護范圍。