技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、觸控面板、觸控顯示裝置及陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸控面板(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸控面板按照工作原理可以分為：電阻式、電容式、紅外線式以及表面聲波式。其中，電容式觸控面板由于能夠?qū)崿F(xiàn)真正的多點(diǎn)控制和高靈敏度而成被業(yè)內(nèi)廣泛應(yīng)用。

電容觸摸屏按組成結(jié)構(gòu)可分為：外掛式觸摸屏、覆蓋表面式觸摸屏以及內(nèi)嵌式觸摸屏。其中，外掛式觸摸屏是將觸摸屏與顯示屏分開生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本高、光透過率較低、組模較厚等確定。而內(nèi)嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電機(jī)內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本。因此，內(nèi)嵌式觸摸屏受到各大面板廠家青睞。

以觸摸屏內(nèi)嵌于ADS(Advanced Super Dimension Switch，高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換，簡稱ADS)模式顯示屏的其中一個(gè)具體應(yīng)用為例。其中，ADS模式的顯示屏通過網(wǎng)狀的第一電極層與板狀的第二電極層之間形成多維電場，使液晶盒內(nèi)所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

上述內(nèi)嵌于ADS模式顯示屏的觸摸屏，第一電極層包括交叉分布的驅(qū)動(dòng)電極和探測電極，驅(qū)動(dòng)電極和探測電極在交叉處絕緣設(shè)置。驅(qū)動(dòng)電路可以對(duì)第一電極層分時(shí)驅(qū)動(dòng)，從而使第一電極層工作于不同的狀態(tài)，例如，在第一時(shí)間段作為公共電極層與板狀的第二電極層形成多維電場，在第二時(shí)間段作為驅(qū)動(dòng)電極和探測電極，兩者在交叉處產(chǎn)生互感電容。

其中，公共電極層多采用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，簡稱ITO)材質(zhì)，由于ITO的阻抗較高，通常在公共電極層上濺射形成金屬層，來減小探測電極的負(fù)載，進(jìn)而提高觸控顯示裝置的觸控靈敏度。

然而，在形成公共電極層之前，通常需要形成平坦層來對(duì)位于其下方的結(jié)構(gòu)進(jìn)行平坦化處理，這導(dǎo)致在公共電極層上方濺射形成金屬層時(shí)，極易對(duì)平坦層造成沖擊，進(jìn)而使平坦層釋放雜質(zhì)，污染工藝腔室，并影響觸控顯示裝置的產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板、觸控面板、觸控顯示裝置及陣列基板的制造方法，在提高觸控顯示裝置的觸控靈敏度的基礎(chǔ)上，提高其產(chǎn)品品質(zhì)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括襯底基板以及在襯底基板前側(cè)依次設(shè)置的平坦層、第一鈍化層、公共電極層、金屬層、第二鈍化層以及像素電極層，所述公共電極層包括交叉設(shè)置的第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極在交叉處絕緣設(shè)置。

在本發(fā)明實(shí)施例中，平坦層與公共電極層之間設(shè)置有第一鈍化層，當(dāng)在公共電極層表面濺射形成金屬層時(shí)，第一鈍化層可以防止金屬直接濺射到平坦層上，進(jìn)而防止平坦層受到?jīng)_擊并釋放雜質(zhì)，保障了工藝腔室的清潔性，在提高觸控顯示裝置靈敏度的同時(shí)，又提高了觸控顯示裝置的產(chǎn)品品質(zhì)。

優(yōu)選的，所述襯底基板與所述平坦層之間設(shè)置有薄膜晶體管，所述第二鈍化層具有第一過孔，所述公共電極具有第二過孔，所述第一鈍化層具有第三過孔，所述平坦層具有第四過孔，所述像素電極層通過第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔與薄膜晶體管的源極或者漏極連接，所述第二鈍化層還具有第五過孔，所述像素電極層通過第五過孔與金屬層連接。

優(yōu)選的，所述第一鈍化層與所述第二鈍化層材質(zhì)相同。

可選的，所述第一鈍化層包括氮化硅或者二氧化硅。

優(yōu)選的，所述第一過孔與所述第三過孔位置相對(duì)。采用這樣的設(shè)計(jì)，第一過孔與第三過孔可以通過一次掩模構(gòu)圖工藝形成，相比現(xiàn)有技術(shù)，沒有額外增加新的構(gòu)圖工藝，因此，該陣列基板的制造工藝較為簡單，生產(chǎn)成本較低。

具體的，所述第一鈍化層的厚度為100nm～500nm。

優(yōu)選的，所述襯底基板與所述薄膜晶體管之間設(shè)置有光阻擋層。采用這樣的設(shè)計(jì)，當(dāng)襯底基板一側(cè)有光線射入時(shí)，光阻擋層可以保護(hù)薄膜晶體管不受損壞，進(jìn)而使薄膜晶體管內(nèi)的載流子濃度保持相對(duì)穩(wěn)定。

優(yōu)選的，所述光阻擋層與所述薄膜晶體管之間設(shè)置有緩沖層。當(dāng)襯底基板存在缺陷時(shí)，緩沖層可以使陣列基板的產(chǎn)品品質(zhì)不受襯底基板缺陷的影響。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種觸控面板，包括上述任一技術(shù)方案的陣列基板。該觸控面板的觸控靈敏度較高，且產(chǎn)品品質(zhì)較高。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸控顯示裝置，包括上述任一技術(shù)方案的觸控面板。該觸控顯示裝置的觸控靈敏度較高，且產(chǎn)品品質(zhì)較高。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板前側(cè)形成平坦層；

在平坦層的前側(cè)形成第一鈍化層；

在第一鈍化層的前側(cè)形成公共電極層；

在公共電極層的前側(cè)形成金屬層；

在金屬層的前側(cè)形成第二鈍化層；

在第二鈍化層的前側(cè)形成像素電極層；

其中，所述公共電極層包括交叉設(shè)置的第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極在交叉處絕緣設(shè)置。

采用該方法制造的陣列基板應(yīng)用于觸控顯示裝置時(shí)，觸控顯示裝置的觸控靈敏度較高，且產(chǎn)品品質(zhì)較高。

優(yōu)選的，所述制造方法還包括：

在所述襯底基板與所述平坦層之間形成薄膜晶體管；

在形成平坦層后，通過一次掩模構(gòu)圖工藝在平坦層上形成第四過孔；

在形成公共電極后，通過一次掩模構(gòu)圖工藝在公共電極上形成第二過孔；

在形成第二鈍化層后，通過一次掩模構(gòu)圖工藝在第二鈍化層上形成第一過孔和第五過孔，以及在第一鈍化層上形成第三過孔；其中：

所述像素電極層通過第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔與薄膜晶體管的源極或者漏極連接，所述像素電極層通過第五過孔與金屬層連接。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例金屬層與漏極連接處的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制造方法流程圖。

附圖標(biāo)記說明：

10-襯底基板

11-光阻擋層

12-緩沖層

13-有源層

14-源極

15-漏極

16-柵絕緣層

17-柵極

18-平坦層

19-第一鈍化層

20-公共電極層

21-金屬層

22-第二鈍化層

23-像素電極層

220-第一過孔

221-第五過孔

200-第二過孔

190-第三過孔

180-第四過孔

30-薄膜晶體管

具體實(shí)施方式

為了在提高觸控顯示裝置的觸控靈敏度的基礎(chǔ)上，提高其產(chǎn)品品質(zhì)，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、觸控面板、觸控顯示裝置及陣列基板的制造方法。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括襯底基板10以及在襯底基板10前側(cè)依次設(shè)置的平坦層18、第一鈍化層19、公共電極層20、金屬層21、第二鈍化層22以及像素電極層23，公共電極層20包括交叉設(shè)置的第一電極和第二電極(圖中由于視角原因未示出)，第一電極和第二電極在交叉處絕緣設(shè)置。

在本發(fā)明各實(shí)施例中，所述“前側(cè)”可以理解為顯示裝置中該部件靠近觀看者的一側(cè)，相應(yīng)的，所述“背側(cè)”可以理解為顯示裝置中該部件遠(yuǎn)離觀看者的一側(cè)，以下若無特殊說明，“前側(cè)”和“背側(cè)”均按此定義理解。

其中，襯底基板10的具體材質(zhì)不限，例如可以選用透明的玻璃、樹脂等。在形成公共電極層20之前，通常需要形成平坦層18來對(duì)位于其背側(cè)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行平坦化處理，有利于在其上進(jìn)行下一步構(gòu)圖工藝。平坦層18的具體材質(zhì)不限，通常情況下，采用樹脂等材質(zhì)形成平坦層。

作為實(shí)現(xiàn)觸控的部分，第一電極可以為驅(qū)動(dòng)電極，則第二電極為探測電極，或者，第一電極為探測電極，則第二電極為驅(qū)動(dòng)電極。

第一鈍化層19的具體厚度不限，例如可以為100nm～500nm。

在本發(fā)明實(shí)施例中，平坦層18與公共電極層20之間設(shè)置有第一鈍化層19，當(dāng)在公共電極層20表面濺射形成金屬層時(shí)，第一鈍化層19可以防止金屬直接濺射到平坦層18上，進(jìn)而防止平坦層18受到?jīng)_擊并釋放雜質(zhì)，保障了工藝腔室的清潔性，在提高觸控顯示裝置靈敏度的同時(shí)，又提高了觸控顯示裝置的產(chǎn)品品質(zhì)。

在本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖1～圖3所示，襯底基板10與平坦層18之間設(shè)置有薄膜晶體管30，第二鈍化層22具有第一過孔220，公共電極層20具有第二過孔200，第一鈍化層19具有第三過孔190，平坦層18具有第四過孔180，像素電極層23通過第一過孔220、第二過孔200、第三過孔190以及第四過孔180與薄膜晶體管的源極14或者漏極15連接，第二鈍化層22還具有第五過孔221，像素電極層23通過第五過孔221與金屬層21連接。

在該實(shí)施例中，像素電極層23通過第一過孔220、第二過孔200、第三過孔190以及第四過孔180與薄膜晶體管的源極14或者漏極15連接，同時(shí)，像素電極層23通過第五過孔221與金屬層21連接，進(jìn)而，金屬層21與源極14或者漏極15通過像素電極層23實(shí)現(xiàn)連接(圖3所示為金屬層21與漏極15連接)。相比現(xiàn)有技術(shù)，本方案中金屬層21與源極14或漏極15沒有直接連接，因而可以避免濺射金屬層時(shí)，平坦層釋放雜質(zhì)進(jìn)而出現(xiàn)的工藝腔室被污染的情況，從而提高了陣列基板的產(chǎn)品品質(zhì)，此外，該實(shí)施例沒有額外增加新的掩模構(gòu)圖工藝，因而該陣列基板的制造工藝較為簡單，生產(chǎn)成本較低。

其中，薄膜晶體管的具體類型不限，例如可以為底柵型薄膜晶體管(此時(shí)有源層位于柵線層的上方)或者頂柵型薄膜晶體管(此時(shí)有源層位于柵線層的下方)等。薄膜晶體管各膜層的結(jié)構(gòu)位置可以有很多種變化，只要制作出顯示裝置驅(qū)動(dòng)所必要的元素(比如柵極、有源層、源極、漏極和像素電極等)，確保顯示裝置正常驅(qū)動(dòng)即可。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，采用的薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，頂柵型薄膜晶體管包括：位于襯底基板10前側(cè)的有源層13，位于有源層13前側(cè)的源極14和漏極15，位于源極14和漏極15前側(cè)的柵絕緣層16，以及位于柵絕緣層16前側(cè)的柵極17。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，第一鈍化層19與第二鈍化層22材質(zhì)相同。第一鈍化層與第二鈍化層的具體材質(zhì)不限，例如可以為氮化硅或者二氧化硅等等。

基于上述實(shí)施例的一個(gè)實(shí)施例中，第二鈍化層22的第一過孔220與第一鈍化層19的第三過孔190位置相對(duì)。采用這樣的設(shè)計(jì)，第一過孔與第三過孔可以通過一次掩模構(gòu)圖工藝形成，相比現(xiàn)有技術(shù)，沒有額外增加新的構(gòu)圖工藝，因此，該陣列基板的制造工藝較為簡單，生產(chǎn)成本較低。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖1所示，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，襯底基板10與薄膜晶體管30之間設(shè)置有光阻擋層11。光阻擋層11的具體材質(zhì)不限，只要能夠阻擋光線即可，例如可以為金屬層。采用該方案，當(dāng)襯底基板一側(cè)有光線射入時(shí)，光阻擋層可以保護(hù)薄膜晶體管不受損壞，進(jìn)而使薄膜晶體管內(nèi)的載流子濃度保持相對(duì)穩(wěn)定。

在本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，光阻擋層11與薄膜晶體管30之間設(shè)置有緩沖層12。采用該方案，當(dāng)襯底基板存在缺陷時(shí)，緩沖層可以使陣列基板的產(chǎn)品品質(zhì)不受襯底基板缺陷的影響。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸控面板，包括前述任一實(shí)施例的陣列基板。該觸控面板的觸控靈敏度較高，且產(chǎn)品品質(zhì)較高。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸控顯示裝置，包括前述任一實(shí)施例的觸控面板。該觸控顯示裝置的觸控靈敏度較高，且產(chǎn)品品質(zhì)較高。該顯示裝置可以是顯示器、手機(jī)、電視、筆記本或者一體機(jī)等等。對(duì)于顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。

如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

步驟101：在襯底基板前側(cè)形成平坦層；

步驟102：在平坦層的前側(cè)形成第一鈍化層；

步驟103：在第一鈍化層的前側(cè)形成公共電極層；

步驟104：在公共電極層的前側(cè)形成金屬層；

步驟105：在金屬層的前側(cè)形成第二鈍化層；

步驟106：在第二鈍化層的前側(cè)形成像素電極層。

其中，公共電極層包括交叉設(shè)置的第一電極和第二電極，第一電極和第二電極在交叉處絕緣設(shè)置。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，陣列基板的制造方法還包括：

在襯底基板與平坦層之間形成薄膜晶體管；

在形成平坦層后，通過一次掩模構(gòu)圖工藝在平坦層上形成第四過孔；

在形成公共電極后，通過一次掩模構(gòu)圖工藝在公共電極上形成第二過孔；

在形成第二鈍化層后，通過一次掩模構(gòu)圖工藝在第二鈍化層上形成第一過孔和第五過孔，以及在第一鈍化層上形成第三過孔；其中：

像素電極層通過第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔與薄膜晶體管的源極或者漏極連接，像素電極層通過第五過孔與金屬層連接。

在該實(shí)施例中，像素電極層通過第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔與薄膜晶體管的源極或者漏極連接，同時(shí)，像素電極層通過第五過孔與金屬層連接，進(jìn)而，金屬層與源極或者漏極通過像素電極層實(shí)現(xiàn)連接。相比現(xiàn)有技術(shù)，本方案中金屬層與源極或漏極沒有直接連接，因而可以避免濺射金屬層時(shí)，平坦層釋放雜質(zhì)進(jìn)而出現(xiàn)的工藝腔室被污染的情況，從而提高了陣列基板的產(chǎn)品品質(zhì)，此外，該方法實(shí)施例沒有額外增加新的掩模構(gòu)圖工藝，因而該陣列基板的制造工藝較為簡單，生產(chǎn)成本較低。

采用上述方法制造的陣列基板應(yīng)用于觸控顯示裝置時(shí)，觸控顯示裝置的觸控靈敏度較高，且產(chǎn)品品質(zhì)較高。

具體的，以下僅舉一個(gè)具體實(shí)施例來說明陣列基板的制造方法，但讀者應(yīng)知，陣列基板的制造方法并不局限于此，凡是基于本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制造方法，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。在該具體實(shí)施例中，陣列基板的制造方法包括：

第一步：在襯底基板前側(cè)，通過第一次掩模構(gòu)圖工藝形成光阻擋層；

光阻擋層通常為金屬層，如鋁、鉻、鎢、鉭、鈦或鉬等。

第二步：在光阻擋層前側(cè)形成緩沖層；

緩沖層通常為氮化硅或者氧化硅等。

第三步：在緩沖層前側(cè)，通過第二次掩模構(gòu)圖工藝形成有源層；

有源層材質(zhì)可以為非晶硅、氫化非晶硅等。

第四步：在有源層前側(cè)，通過第三次掩模構(gòu)圖工藝形成源極和漏極；

源、漏電極材質(zhì)可以采用鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬或鉬鎳的單層薄膜，也可以采用由上述單層薄膜構(gòu)成的多層復(fù)合薄膜。

第五步：在源極和漏極前側(cè)，形成柵絕緣層；

柵極絕緣層的絕緣成分可以為氮化硅等。

第六步：在柵絕緣層前側(cè)，通過第四次掩模構(gòu)圖工藝形成柵極；

柵極金屬可以采用鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬或鉬鎳的單層薄膜，也可以采用由上述單層薄膜構(gòu)成的多層復(fù)合薄膜。

第七步：在柵極前側(cè)形成平坦層，通過第五次掩模構(gòu)圖工藝形成平坦層的第四過孔；

平坦層的材質(zhì)可以為樹脂等。

第八步：在平坦層前側(cè)形成第一鈍化層；

第一鈍化層的材質(zhì)可以為氮化硅或者氧化硅等。

第九步：在第一鈍化層前側(cè)形成公共電極層，通過第六次掩模構(gòu)圖工藝形成公共電極層的第二過孔；

公共電極層包括交叉設(shè)置的第一電極和第二電極，第一電極和第二電極在交叉處絕緣設(shè)置。公共電極層的材質(zhì)通常采用氧化銦錫等。

第十步：在公共電極層前側(cè)，通過第七次掩模構(gòu)圖工藝形成金屬層；

第十一步：在金屬層前側(cè)形成第二鈍化層，通過第八次掩模構(gòu)圖工藝形成第二鈍化層的第一過孔、第五過孔以及第一鈍化層的第三過孔；

第二鈍化層的材質(zhì)可以為氮化硅或者氧化硅等。

第十二步：在第二鈍化層前側(cè)，通過第九次掩模構(gòu)圖工藝形成像素電極層，像素電極層通過第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔與薄膜晶體管的源極或者漏極連接，且像素電極層通過第五過孔與金屬層連接。

像素電極層的材質(zhì)可以為氧化銦錫等。

上述方法步驟提到的掩模構(gòu)圖工藝中，在基板上形成膜層通常包括沉積、涂布、濺射等多種成膜方式，根據(jù)薄膜層的材質(zhì)不同，所選擇的成膜工藝也不盡相同。例如，對(duì)于金屬層薄膜通常采用物理氣相沉積方式成膜，而對(duì)于非金屬層薄膜通常采用化學(xué)氣相沉積方式成膜。

采用上述方法制造的陣列基板應(yīng)用于觸控顯示裝置時(shí)，該觸控顯示裝置的觸控靈敏度較高，且產(chǎn)品品質(zhì)較高，此外，由于第一鈍化層的第三過孔和第二鈍化層的第一過孔可以在同一次掩模構(gòu)圖工藝中形成，且金屬層與源極或者漏極通過像素電極層連接，相比現(xiàn)有技術(shù)，沒有增加額外的構(gòu)圖工藝，因此，該陣列基板的制造工藝較為簡單，生產(chǎn)成本較低。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。