本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

平面顯示器(Flat Panel Display，F(xiàn)PD)己成為市場上的主流產(chǎn)品，平面顯示器的種類也越來越多，如液晶顯示器(Liquid Crysta1Disp1ay，LCD)、有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitted Diode，OLED)顯示器、等離子體顯示器(P1asma Disp1ay Pane1，PDP)及場發(fā)射顯示器(Field Emission Display，F(xiàn)ED)等。作為FPD產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)基板技術(shù)，也在經(jīng)歷著深刻的變革。尤其是金屬氧化物薄膜晶體管(Metal Oxide Thin Film Transistor，MOTFT)，由于具有遷移率高、漏電流低、透明以及可柔性等特點，因此MOTFT技術(shù)自誕生以來便備受業(yè)界矚目。

現(xiàn)有的制備具有金屬氧化物薄膜晶體管基板的工藝，一般包括4次mask工藝，分別為形成柵電極和柵極焊盤的第一次mask工藝，形成具有與柵極焊盤對應(yīng)的過孔的柵絕緣層的第二次mask工藝，形成有源層的第三次mask工藝，形成源漏電極的第四次mask工藝。由于mask的數(shù)量較多，成本就會提高。因此為了減少mask次數(shù)，有人將上述第三次mask工藝和第四次mask工藝合并為一次mask工藝。合并后的mask工藝，一般是依次形成半導(dǎo)體層、金屬層和光刻膠層，采用灰調(diào)掩膜板光刻技術(shù)對光刻膠曝光、顯影，形成具有非保留區(qū)、保留區(qū)、半保留區(qū)的光刻膠；其中保留區(qū)對應(yīng)源漏極區(qū)域，半保留區(qū)對應(yīng)TFT溝道區(qū)的區(qū)域，之后直接采用刻蝕液對未覆蓋光刻膠的金屬層進行刻蝕，再通過光刻膠的灰化工藝去除半保留區(qū)的光刻膠，然后再采用刻蝕液對半保留區(qū)的金屬層進行刻蝕以形成TFT溝道區(qū)，最后去除剩余的光刻膠。由于上述合并后的mask工藝中，為了形成TFT溝道區(qū)，需要經(jīng)過兩次采用刻蝕液刻蝕金屬層的過程，導(dǎo)致金屬層和剩余的光刻膠處于刻蝕液的時間較長，并且一般刻蝕液的粘度較低，使得刻蝕液的鉆刻性較高，導(dǎo)致在兩次刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離的情況，從而導(dǎo)致形成的源漏電極的圖形變形，進而影響薄膜晶體管的電學(xué)特性。

因此，如何在不增加mask工藝的情況下，提高光刻膠與金屬層表面的黏附性以避免源漏電極的圖形變形是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置，用于在不增加mask工藝的前提下，避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。

因此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵電極與柵極焊盤的圖形；

通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述柵電極與所述柵極焊盤的襯底基板上形成有源層以及具有第一過孔的柵絕緣層的圖形；其中，所述第一過孔所在區(qū)域在所述襯底基板的正投影位于所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影內(nèi)；

通過一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上至少形成源漏電極的圖形。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述柵電極與所述柵極焊盤的襯底基板上形成有源層以及具有第一過孔的柵絕緣層的圖形，具體包括：

在形成有所述柵電極與所述柵極焊盤的襯底基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一光刻膠層；

形成具有保留區(qū)、半保留區(qū)以及第二過孔的第一光刻膠層的圖形；其中，所述保留區(qū)對應(yīng)所述有源層區(qū)域，所述第二過孔在所述襯底基板的正投影位于所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影內(nèi)；

刻蝕與所述第二過孔對應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層和半導(dǎo)體層，形成貫穿所述柵絕緣層和所述半導(dǎo)體層的第三過孔；

采用灰化工藝形成位于所述保留區(qū)的第一光刻膠層的圖形；

形成有源層的圖形。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，通過一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上至少形成源漏電極的圖形，具體包括：

在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成金屬層和第二光刻膠層；

對所述第二光刻膠層曝光、顯影、后烘堅膜，形成與所述源漏電極對應(yīng)區(qū)域的第二光刻膠的圖形；

至少形成所述源漏電極的圖形。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，在形成所述源漏電極的圖形的同時還形成位于所述柵絕緣層上的導(dǎo)電層的圖形；其中所述導(dǎo)電層通過所述第一過孔與所述柵極焊盤電性連接。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，形成的導(dǎo)電層在所述襯底基板的正投影與形成的柵極焊盤在所述襯底基板的正投影至少具有交疊區(qū)域。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，形成的柵極焊盤包括至少兩層子?xùn)艠O焊盤層；其中，

鄰近所述襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為銅或鋁；

遠(yuǎn)離所述襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為鉬合金、銅合金、碳、含鉬的氧化物或氮化物、含銅的氧化物或氮化物中之一或組合。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，在襯底基板上形成柵電極與柵極焊盤的圖形之前，還包括：

在所述襯底基板上形成緩沖層。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種采用本發(fā)明實施例提供的上述任一種制作方法制作的陣列基板，包括：襯底基板、位于所述襯底基板一側(cè)的柵電極與柵極焊盤、位于所述柵電極與所述柵極焊盤背離所述襯底基板一側(cè)且具有第一過孔的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)的有源層、位于所述有源層背離所述襯底基板一側(cè)的源漏電極；其中，

所述第一過孔所在區(qū)域在所述襯底基板的正投影位于所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影內(nèi)。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：通過所述第一過孔與所述柵極焊盤電性連接的導(dǎo)電層，并且所述導(dǎo)電層與所述源漏電極同層同材料。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述導(dǎo)電層在所述襯底基板的正投影與所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影至少具有交疊區(qū)域。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種陣列基板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置，通過調(diào)整構(gòu)圖工藝以將形成具有第一過孔的柵絕緣層圖形的一次構(gòu)圖工藝和形成有源層圖形的一次構(gòu)圖工藝，合并為一次構(gòu)圖工藝，可以在不增加構(gòu)圖工藝的前提下，通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極的圖形。由于在形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，只需要經(jīng)過一次刻蝕液的刻蝕過程即可形成源漏電極的圖形，可以降低構(gòu)圖工藝中光刻膠和金屬層處于刻蝕液的時間，從而可以避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。并且由于在形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，一般還具有對光刻膠的后烘堅膜處理，可以提高光刻膠與金屬層表面的黏附性，從而可以進一步避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖2a至圖2k為本發(fā)明實施例一執(zhí)行各步驟后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細(xì)地說明。

附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法，如圖1所示，包括：

S101、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵電極與柵極焊盤的圖形；

S102、通過一次構(gòu)圖工藝在形成有柵電極與柵極焊盤的襯底基板上形成有源層以及具有第一過孔的柵絕緣層的圖形；其中，第一過孔所在區(qū)域在襯底基板的正投影位于柵極焊盤在襯底基板的正投影內(nèi)；

S103、通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上至少形成源漏電極的圖形。

本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法，通過調(diào)整構(gòu)圖工藝以將形成具有第一過孔的柵絕緣層圖形的一次構(gòu)圖工藝和形成有源層圖形的一次構(gòu)圖工藝，合并為一次構(gòu)圖工藝，可以在不增加構(gòu)圖工藝的前提下，通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極的圖形。由于在形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，只需要經(jīng)過一次刻蝕液的刻蝕過程即可形成源漏電極的圖形，可以降低構(gòu)圖工藝中光刻膠和金屬層處于刻蝕液的時間，從而可以避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。并且由于在形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，一般還具有對光刻膠的后烘堅膜處理，可以提高光刻膠與金屬層表面的黏附性，從而可以進一步避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。

需要說明的是，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，構(gòu)圖工藝可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。在具體實施時，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上至少形成源漏電極的圖形，具體包括：

在形成有有源層的襯底基板上依次形成金屬層和第二光刻膠層；

對第二光刻膠層曝光、顯影、后烘堅膜，形成與源漏電極對應(yīng)區(qū)域的第二光刻膠的圖形；

至少形成源漏電極的圖形。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，由于形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，只需要經(jīng)過一次刻蝕液的刻蝕過程即可形成源漏電極的圖形，可以降低構(gòu)圖工藝中光刻膠和金屬層處于刻蝕液的時間，從而可以避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。并且由于在形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，對光刻膠進行了后烘堅膜處理，可以提高光刻膠與金屬層表面的黏附性，從而可以進一步避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，在襯底基板上形成柵電極與柵極焊盤的圖形之前，還包括：

在襯底基板上形成緩沖層。這樣可以提高柵電極與柵極焊盤與襯底基板的黏附性。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，通過一次構(gòu)圖工藝在形成有柵電極與柵極焊盤的襯底基板上形成有源層以及具有第一過孔的柵絕緣層的圖形，具體包括：

在形成有柵電極與柵極焊盤的襯底基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一光刻膠層；

形成具有保留區(qū)、半保留區(qū)以及第二過孔的第一光刻膠層的圖形；其中，保留區(qū)對應(yīng)有源層區(qū)域，第二過孔在襯底基板的正投影位于柵極焊盤在襯底基板的正投影內(nèi)；

刻蝕與第二過孔對應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層和半導(dǎo)體層，形成貫穿柵絕緣層和半導(dǎo)體層的第三過孔；

采用灰化工藝形成位于保留區(qū)的第一光刻膠層的圖形；

形成有源層的圖形。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，柵極焊盤的材料可以為銅?；一に囈话闶峭ㄟ^氧等離子體與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，實現(xiàn)對光刻膠刻蝕的目的。在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，由于在灰化工藝之前已經(jīng)形成了第三過孔，并且柵極焊盤的材料為銅，因此在灰化工藝中柵極焊盤是暴露在氧等離子體環(huán)境中的，這樣可能會造成柵極焊盤氧化而在柵極焊盤的表面生成氧化銅的問題。因此，為了解決柵極焊盤的表面生成氧化銅的問題，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，在形成有源層的圖形之后，在通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極的圖形之前，還包括：采用氧化銅清洗劑去除柵極焊盤背離襯底基板一側(cè)的氧化銅。該氧化銅清洗劑為現(xiàn)有技術(shù)中專用于去除氧化銅的清洗劑，在此不作詳述。

或者，為了減少工藝過程，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，形成有源層的圖形，具體包括：采用刻蝕溶液刻蝕形成有第三過孔的半導(dǎo)體層和柵極焊盤背離襯底基板一側(cè)的氧化銅，去除柵極焊盤背離襯底基板一側(cè)的氧化銅以及形成與保留區(qū)對應(yīng)的有源層的圖形。其中，刻蝕溶液為能同時刻蝕半導(dǎo)體層和氧化銅的刻蝕溶液。例如，一般半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，刻蝕溶液可以為由硝酸、硫酸和草酸根據(jù)比例混合成的IGZO刻蝕液。

或者，為了解決柵極焊盤的表面生成氧化銅的問題，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，形成的柵極焊盤包括至少兩層子?xùn)艠O焊盤層；其中，鄰近襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為銅；遠(yuǎn)離襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為鉬合金、銅合金、碳、含鉬的氧化物或氮化物、含銅的氧化物或氮化物中之一或組合。當(dāng)然，為了進一步避免銅氧化，鄰近襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料也可以為鋁，在此不作限定。

由于電阻并聯(lián)后的等效電阻會比獨立的電阻的電阻值小，為了減少柵極焊盤的電阻，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，在形成源漏電極的圖形的同時還形成位于柵絕緣層上的導(dǎo)電層的圖形；其中導(dǎo)電層通過第一過孔與柵極焊盤電性連接。這樣還可以不用增加額外制作導(dǎo)電層的工藝，只需要在制作陣列基板時在形成源漏電極時改變原有的構(gòu)圖圖形，即可通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極和導(dǎo)電層的圖形，可以簡化制備工藝，節(jié)省生產(chǎn)成本。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，形成的導(dǎo)電層在襯底基板的正投影與形成的柵極焊盤在襯底基板的正投影至少具有交疊區(qū)域。這樣可以減少導(dǎo)電層與柵極焊盤在襯底基板所占用的面積。

一般陣列基板還包括具有多個薄膜晶體管的柵極驅(qū)動電路。在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，形成的導(dǎo)電層可以為柵極驅(qū)動電路中驅(qū)動薄膜晶體管的源電極或漏電極，柵極焊盤可以為柵極驅(qū)動電路的薄膜晶體管的柵電極。這樣通過將薄膜晶體管的柵電極和薄膜晶體管的源電極或漏電極進行搭接，可以減小柵極驅(qū)動電路占用陣列基板的面積。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，在形成源漏電極的圖形之后，還包括：通過一次構(gòu)圖工藝在形成有源漏電極的圖形的襯底基板上形成具有第四過孔的第一絕緣層的圖形；其中，源漏電極中的源電極或漏電極在襯底基板的正投影覆蓋第四過孔在襯底基板的正投影；

在形成有第一絕緣層的圖形的襯底基板上形成第一電極的圖形；

在形成有第一電極的圖形的襯底基板上形成具有第五過孔的第二絕緣層的圖形；其中，第五過孔在襯底基板的正投影覆蓋第四過孔在襯底基板的正投影；

在形成有第二絕緣層的圖形的襯底基板上形成第二電極的圖形，并且第二電極通過第四過孔和第五過孔與源漏電極電性連接。由于這些結(jié)構(gòu)和膜層的設(shè)置均與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不作詳述。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，第一電極和第二電極的材料為透明導(dǎo)電材料；例如，第一電極和第二電極的材料可以為氧化銦錫(ITO)材料，在此不作限定。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，第二電極可以為條狀。

下面以柵極焊盤包括兩層子?xùn)艠O焊盤層；其中，鄰近襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為銅，遠(yuǎn)離襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為鉬合金為例，對本發(fā)明提供的制備方法進行說明，但不限制本發(fā)明。

實施例一、

該陣列基板的制作過程，具體可以包括以下步驟：

(1)通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板100上形成柵電極110與柵極焊盤120的圖形；如圖2a所示。

(2)在形成有柵電極110與柵極焊盤120的襯底基板100上依次形成柵絕緣層130、半導(dǎo)體層140、第一光刻膠層150；如圖2b所示。

(3)形成具有保留區(qū)151、半保留區(qū)152以及第二過孔153的第一光刻膠層150的圖形；其中，保留區(qū)151對應(yīng)有源層區(qū)域，第二過孔153在襯底基板100的正投影位于柵極焊盤120在襯底基板100的正投影內(nèi)；如圖2c所示，

(4)刻蝕與第二過孔對應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層130和半導(dǎo)體層140，形成貫穿柵絕緣層130和半導(dǎo)體層140的第三過孔154；如圖2d所示。

(5)采用灰化工藝形成位于保留區(qū)的第一光刻膠層150的圖形，如圖2e所示。

(6)形成有源層141的圖形和具有第一過孔131的柵絕緣層130的圖形；如圖2f所示。

(7)通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板100上形成源漏電極中的源電極160_1和漏電極160_2的圖形以及形成導(dǎo)電層170的圖形；如圖2g所示。

(8)通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板100上形成具有第四過孔181的第一絕緣層180的圖形；其中，源漏電極中的漏電極160_2在襯底基板100的正投影覆蓋第四過孔181在襯底基板100的正投影；如圖2h所示。

(9)通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板100上形成第一電極190的圖形；如圖2i所示。

(10)通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板100上形成具有第五過孔210的第二絕緣層200的圖形；其中，第五過孔210在襯底基板100的正投影覆蓋第四過孔在襯底基板100的正投影；如圖2j所示。

(11)通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板100上形成多個第二電極220的圖形，并且第二電極220通過第四過孔181和第五過孔210與漏電極160_2電性連接；如圖2k所示。

在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，步驟(4)具體可以包括：刻蝕與第二過孔對應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層，形成貫穿半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層過孔；

刻蝕與半導(dǎo)體層過孔對應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層，形成貫穿柵絕緣層的柵絕緣層過孔，柵絕緣層過孔和半導(dǎo)體層過孔共同組成了第三過孔。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種采用上述任一種制作方法制作的陣列基板，如圖2k所示，包括：襯底基板100、位于襯底基板100一側(cè)的柵電極110與柵極焊盤120、位于柵電極110與柵極焊盤120背離襯底基板100一側(cè)且具有第一過孔131的柵絕緣層130、位于柵絕緣層130背離襯底基板100一側(cè)的有源層141、位于有源層141背離襯底基板100一側(cè)的源漏電極160_m(m＝1、2)；其中，

第一過孔131所在區(qū)域在襯底基板100的正投影位于柵極焊盤120在襯底基板100的正投影內(nèi)。

由于電阻并聯(lián)后的等效電阻會比獨立的電阻的電阻值小，為了減少柵極焊盤的電阻，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2k所示，還包括：通過第一過孔131與柵極焊盤120電性連接的導(dǎo)電層170，并且導(dǎo)電層170與源漏電極160_m(m＝1、2)同層同材料。這樣可以不用增加額外制作導(dǎo)電層的工藝，只需要在制作陣列基板時在形成源漏電極時改變原有的構(gòu)圖圖形，即可通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極和導(dǎo)電層的圖形，可以簡化制備工藝，節(jié)省生產(chǎn)成本。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2k所示，導(dǎo)電層170在襯底基板100的正投影與柵極焊盤120在襯底基板100的正投影至少具有交疊區(qū)域。這樣可以減少導(dǎo)電層與柵極焊盤在陣列基板所占用的面積。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2k所示，還包括：位于源漏電極160_m(m＝1、2)背離襯底基板一側(cè)且具有第四過孔181的第一絕緣層180。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2k所示，還包括：位于第一絕緣層180背離襯底基板100一側(cè)的第一電極190。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2k所示，還包括：位于第一電極190背離襯底基板100一側(cè)且具有第五過孔210的第二絕緣層200；其中，第五過孔210在襯底基板100的正投影覆蓋第四過孔181在襯底基板100的正投影。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2k所示，還包括：位于第二絕緣層200背離襯底基板100一側(cè)的第二電極220；其中，第二電極220通過第四過孔181和第五過孔210與漏電極160_2電性連接。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，柵極焊盤的材料為銅；或者，

柵極焊盤包括至少兩層子?xùn)艠O焊盤層；其中，鄰近襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為銅或鋁；遠(yuǎn)離襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為鉬合金、銅合金、碳、含鉬的氧化物或氮化物、含銅的氧化物或氮化物中之一或組合。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種陣列基板。該顯示面板解決問題的原理與前述陣列基板相似，因此該顯示面板的實施可以參見前述陣列基板的實施，重復(fù)之處在此不再贅述。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏。該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實施可以參見上述陣列基板的實施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置，通過調(diào)整構(gòu)圖工藝以將形成具有第一過孔的柵絕緣層圖形的一次構(gòu)圖工藝和形成有源層圖形的一次構(gòu)圖工藝，合并為一次構(gòu)圖工藝，可以在不增加構(gòu)圖工藝的前提下，通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極的圖形。由于在形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，只需要經(jīng)過一次刻蝕液的刻蝕過程即可形成源漏電極的圖形，可以降低構(gòu)圖工藝中光刻膠和金屬層處于刻蝕液的時間，從而可以避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。并且由于在形成源漏電極圖形的構(gòu)圖工藝中，一般還具有對光刻膠的后烘堅膜處理，可以提高光刻膠與金屬層表面的黏附性，從而可以進一步避免在刻蝕金屬層的過程中光刻膠出現(xiàn)剝離以及源漏電極的圖形發(fā)生變形的問題。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。