1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵電極與柵極焊盤的圖形；
通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成有所述柵電極與所述柵極焊盤的襯底基板上形成有源層以及具有第一過(guò)孔的柵絕緣層的圖形；其中，所述第一過(guò)孔所在區(qū)域在所述襯底基板的正投影位于所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影內(nèi)；
通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上至少形成源漏電極的圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成有所述柵電極與所述柵極焊盤的襯底基板上形成有源層以及具有第一過(guò)孔的柵絕緣層的圖形，具體包括：
在形成有所述柵電極與所述柵極焊盤的襯底基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第一光刻膠層；
形成具有保留區(qū)、半保留區(qū)以及第二過(guò)孔的第一光刻膠層的圖形；其中，所述保留區(qū)對(duì)應(yīng)所述有源層區(qū)域，所述第二過(guò)孔在所述襯底基板的正投影位于所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影內(nèi)；
刻蝕與所述第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵絕緣層和半導(dǎo)體層，形成貫穿所述柵絕緣層和所述半導(dǎo)體層的第三過(guò)孔；
采用灰化工藝形成位于所述保留區(qū)的第一光刻膠層的圖形；
形成有源層的圖形。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上至少形成源漏電極的圖形，具體包括：
在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成金屬層和第二光刻膠層；
對(duì)所述第二光刻膠層曝光、顯影、后烘堅(jiān)膜，形成與所述源漏電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的第二光刻膠的圖形；
至少形成所述源漏電極的圖形。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，在形成所述源漏電極的圖形的同時(shí)還形成位于所述柵絕緣層上的導(dǎo)電層的圖形；其中所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述柵極焊盤電性連接。
5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成的導(dǎo)電層在所述襯底基板的正投影與形成的柵極焊盤在所述襯底基板的正投影至少具有交疊區(qū)域。
6.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，形成的柵極焊盤包括至少兩層子?xùn)艠O焊盤層；其中，
鄰近所述襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為銅或鋁；
遠(yuǎn)離所述襯底基板的子?xùn)艠O焊盤層的材料為鉬合金、銅合金、碳、含鉬的氧化物或氮化物、含銅的氧化物或氮化物中之一或組合。
7.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板上形成柵電極與柵極焊盤的圖形之前，還包括：
在所述襯底基板上形成緩沖層。
8.一種采用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制作方法制作的陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板、位于所述襯底基板一側(cè)的柵電極與柵極焊盤、位于所述柵電極與所述柵極焊盤背離所述襯底基板一側(cè)且具有第一過(guò)孔的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)的有源層、位于所述有源層背離所述襯底基板一側(cè)的源漏電極；其中，
所述第一過(guò)孔所在區(qū)域在所述襯底基板的正投影位于所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，還包括：通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述柵極焊盤電性連接的導(dǎo)電層，并且所述導(dǎo)電層與所述源漏電極同層同材料。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層在所述襯底基板的正投影與所述柵極焊盤在所述襯底基板的正投影至少具有交疊區(qū)域。
11.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求8-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。
12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求11所述的顯示面板。