本發(fā)明涉及基板制作技術領域，尤其涉及一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法。

背景技術：

ltps(lowtemperaturepoly-silicon，即低溫多晶硅)制程中，在顯影時為控制曝光的偏移，需要使用maskblade(掩模板遮擋板)設計來檢測曝光偏移量。

bito(backsideindiumtinoxide，即背鍍氧化銦錫)的下一制程是鍍p-sin(等離子體氮化硅)絕緣膜，在實際生產中發(fā)現鍍膜制程后，bitomaskblade容易發(fā)生等離子體氮化硅脫落的現象，脫落的材料在后續(xù)面板制程中形成盒內異物，造成產品報廢。其主要原因是等離子體氮化硅和階梯形狀的bito邊緣的覆蓋性不佳，造成等離子體氮化硅附著性不佳。

技術實現要素：

鑒于現有技術存在的不足，本發(fā)明提供了一種改善離子體氮化硅脫落現象的低溫多晶硅陣列基板及其制作方法。

為了實現上述的目的，本發(fā)明采用了如下的技術方案：

一種低溫多晶硅陣列基板，包括低溫多晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管上方的平坦層、背鍍氧化銦錫層以及所述背鍍氧化銦錫層表面的絕緣層；所述背鍍氧化銦錫層上形成有刻度標記，所述刻度標記為所述背鍍氧化銦錫層上開設的鏤空圖案，所述絕緣層貼合在所述背鍍氧化銦錫層表面并完全覆蓋所述刻度標記。

本發(fā)明提供的另一種技術方案是：

一種低溫多晶硅陣列基板，包括低溫多晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管上方的平坦層、背鍍氧化銦錫層以及所述背鍍氧化銦錫層表面的絕緣層；所述背鍍氧化銦錫層上形成有刻度標記；所述絕緣層鏤空設置，露出所述刻度標記的中間區(qū)域。

作為其中一種實施方式，所述絕緣層為沿所述背鍍氧化銦錫層邊緣設置的一圈封閉的環(huán)形結構。

作為其中一種實施方式，所述刻度標記包括一條第一方向延伸的第一刻度和若干條沿第二方向延伸的第二刻度，所述第一刻度與所述第二刻度交叉設置。

作為其中一種實施方式，所述第一刻度與所述第二刻度相互垂直。

作為其中一種實施方式，所述背鍍氧化銦錫層在所述第二刻度的端部倒角設置。

作為其中一種實施方式，所述背鍍氧化銦錫層在所述第一刻度與所述第二刻度的側壁倒角設置。

作為其中一種實施方式，所述背鍍氧化銦錫層在所述第一刻度與所述第二刻度的交叉處倒角設置。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種低溫多晶硅陣列基板的制作方法，包括：

制作平坦層；

在所述平坦層上制作背鍍氧化銦錫層；

在所述背鍍氧化銦錫層上制作絕緣層；

其中，所述背鍍氧化銦錫層上制作有刻度標記，所述刻度標記為所述背鍍氧化銦錫層上開設的鏤空圖案，所述絕緣層貼合在所述背鍍氧化銦錫層表面并完全覆蓋所述刻度標記。

本發(fā)明提供的另一種技術方案是：

一種低溫多晶硅陣列基板的制作方法，包括：

制作平坦層；

在所述平坦層上制作背鍍氧化銦錫層；

在所述背鍍氧化銦錫層上制作絕緣層；

其中，所述背鍍氧化銦錫層上制作有刻度標記，所述絕緣層鏤空設置，以露出所述刻度標記的中間區(qū)域。

本發(fā)明的低溫多晶硅陣列基板制作方法簡單，通過將背鍍氧化銦錫層上的刻度標記與其上的絕緣層經過特別設計后，可以有效地改善離子體氮化硅脫落現象，大幅提高基板產品的良率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一種低溫多晶硅陣列基板的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1的bito層的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例1的低溫多晶硅陣列基板的部分制作過程示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例1的另一種bito層的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例2的bito層的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例2的低溫多晶硅陣列基板的部分制作過程示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例2的另一種bito層的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參閱圖1，本發(fā)明的低溫多晶硅陣列基板包括低溫多晶硅薄膜晶體管10、位于低溫多晶硅薄膜晶體管10上方的平坦層20、背鍍氧化銦錫層30以及背鍍氧化銦錫層30表面的絕緣層40。其中，背鍍氧化銦錫層30上形成有刻度標記，以作為掩模板遮擋板，用以作為檢測曝光偏移量的標尺，通過對比背鍍氧化銦錫層30的刻度標記與其下方的平坦層20上曝光后形成的圖案判斷曝光偏移量。

實施例1

如圖2所示，本實施例的刻度標記為背鍍氧化銦錫層30上開設的鏤空圖案，絕緣層40貼合在背鍍氧化銦錫層30表面，并完全覆蓋刻度標記。該刻度標記包括一條第一方向延伸的孔狀的第一刻度31和若干條沿第二方向延伸的孔狀的第二刻度32，第一刻度31與第二刻度32交叉設置。由于絕緣層40完全覆蓋刻度標記，使得背鍍氧化銦錫層30與絕緣層40具有最大的接觸面積，背鍍氧化銦錫層30的第一刻度31、第二刻度32的周圍能最大限度地貼合在絕緣層40表面，具有較強的附著性。

本實施例中，第一刻度31與第二刻度32相互垂直，第一刻度31作為貫穿背鍍氧化銦錫層30長度方向的長孔，將所有的第二刻度32銜接在一起，第一刻度31作為每條第二刻度32的對稱中心線，其每側各延伸有第二刻度32的一部分。

如圖3所示，本實施例還提供一種低溫多晶硅陣列基板的制作方法，主要包括：

制作平坦層20；

在平坦層20上制作背鍍氧化銦錫層30；

在背鍍氧化銦錫層30上制作絕緣層40；

其中，背鍍氧化銦錫層30上制作有刻度標記，刻度標記為背鍍氧化銦錫層30上開設的鏤空圖案，絕緣層40貼合在背鍍氧化銦錫層30表面并完全覆蓋刻度標記，絕緣層40的材料為離子體氮化硅。

由于絕緣層40貼合并完全覆蓋背鍍氧化銦錫層30的刻度標記，刻度標記的邊界處的階梯狀邊緣仍具有較強的附著力，其周圍的絕緣層40不容易脫落，因此提高了低溫多晶硅陣列基板產品的良率。

如圖4所示，為本實施例的另一種背鍍氧化銦錫層的結構示意圖，在該背鍍氧化銦錫層30中，長孔形的第二刻度32的端部倒角設置。第一刻度31與第二刻度32的內側壁倒角設置，第一刻度31與第二刻度32的交叉處也倒角設置，其中，倒角最好是倒圓角。第二刻度32的端部、第一刻度31與第二刻度32的交叉處倒角設置使得第一刻度31與第二刻度32的邊界輪廓處與上方的絕緣層40具有更大的接觸面積，貼合更自然而不會出現直角，可以進一步提高該受力薄弱處的附著力，另外，第一刻度31與第二刻度32的內側壁倒角設置，即在背鍍氧化銦錫層30的厚度方向上(尤其是朝向絕緣層40一側)做傾斜的倒角，傾斜方向朝向絕緣層40呈喇叭狀開口，使得背鍍氧化銦錫層30的鏤空側壁具有傾斜的上表面，刻度標記從截面方向看具有一定的坡度，在鍍附絕緣層40后，一部分離子體氮化硅材料可以填充在該倒角面上，進一步增加附著面積，間接提高背鍍氧化銦錫層30與絕緣層40的附著強度。

實施例2

結合圖5和圖6所示，與實施例1不同，本實施例的絕緣層40鏤空設置，露出刻度標記的中間區(qū)域。而背鍍氧化銦錫層30形成為標尺結構，由一條第一方向延伸的孔狀的第一刻度31和若干條沿第二方向延伸的孔狀的第二刻度32連接而成，第一刻度31與第二刻度32交叉設置。絕緣層40為沿背鍍氧化銦錫層30邊緣設置的一圈封閉的環(huán)形結構，這里，平坦層20為矩形，絕緣層40則形成為一圈封閉的邊框。

本實施例中，第一刻度31與第二刻度32相互垂直，第一刻度31作為貫穿背鍍氧化銦錫層30長度方向的長條，將所有的第二刻度32銜接在一起，第一刻度31作為每條第二刻度32的對稱中心線，其每側各延伸有第二刻度32的一部分。

如圖6，本實施例還提供一種低溫多晶硅陣列基板的制作方法，主要包括：

制作平坦層20；

在平坦層20上制作背鍍氧化銦錫層30；

在背鍍氧化銦錫層30上制作絕緣層40；

其中，背鍍氧化銦錫層30上制作有刻度標記，絕緣層40鏤空設置，以露出刻度標記的中間區(qū)域，絕緣層40的材料為離子體氮化硅。

由于絕緣層40僅僅只有沿背鍍氧化銦錫層30邊緣設置的一圈環(huán)形結構，該環(huán)形結構貼合并覆蓋背鍍氧化銦錫層30外圍的刻度標記，背鍍氧化銦錫層30中部的刻度標記并不被覆蓋，因此不會發(fā)生絕緣層40脫落在低溫多晶硅陣列基板內的現象，因此也提高了低溫多晶硅陣列基板產品的良率。

如圖7所示，為本實施例的另一種背鍍氧化銦錫層的結構示意圖，該背鍍氧化銦錫層30在第二刻度32的端部倒角設置(倒圓角或倒斜角)，第一刻度31與第二刻度32的側壁倒角設置，第一刻度31與第二刻度32的交叉處也倒角設置。第二刻度32的端部、第一刻度31與第二刻度32的交叉處倒角設置使得第一刻度31與第二刻度32的邊界輪廓處與上方的絕緣層40具有更大的接觸面積，貼合更自然而不會出現直角，可以進一步提高該受力薄弱處的附著力，另外，第一刻度31與第二刻度32的內側壁倒角設置，使得刻度標記從截面方向看具有一定的坡度，在鍍附絕緣層40后，一部分離子體氮化硅材料可以填充在該倒角面上，進一步增加附著面積，間接提高背鍍氧化銦錫層30與絕緣層40的附著強度。

綜上所述，本發(fā)明的低溫多晶硅陣列基板制作方法簡單，通過將背鍍氧化銦錫層上的刻度標記與其上的絕緣層經過特別設計后，可以有效地改善離子體氮化硅脫落現象，大幅提高基板產品的良率。

以上所述僅是本申請的具體實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本申請的保護范圍。