本發(fā)明涉及一種觸摸屏，具體涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)：

自從iphone4采用電容式觸摸顯示屏以來(lái)，大眾對(duì)于觸摸屏的體驗(yàn)要求也隨之提高，觸摸屏已經(jīng)成為顯示領(lǐng)域的主流。

目前應(yīng)用最廣的觸摸屏為外掛于顯示屏外側(cè)的外掛式觸摸屏(addontouchpanel)和內(nèi)嵌于顯示屏內(nèi)的內(nèi)嵌式觸摸屏(incelltouchpanel)。內(nèi)嵌式觸摸屏是將觸摸功能集成于lcd內(nèi)部，大大的滿足了消費(fèi)者對(duì)于薄化顯示器的需求，同時(shí)也是高階產(chǎn)品的代名詞。

但是對(duì)于現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸摸屏陣列基板的設(shè)計(jì)，各膜層結(jié)構(gòu)和工藝流程都比較復(fù)雜，掩膜版數(shù)量較多，導(dǎo)致制備成本較高，限制了其廣泛發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種陣列基板及其制造方法，以減少觸摸屏制程中的掩膜版數(shù)量，降低成本。

技術(shù)方案：一種內(nèi)嵌式觸摸屏陣列基板，包括縱橫交錯(cuò)的柵極線和數(shù)據(jù)線、觸控走線、由柵極線和數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)像素區(qū)域、位于柵極線和數(shù)據(jù)線交叉處的tft開(kāi)關(guān)、位于柵極線上的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上的氧化物半導(dǎo)體、覆蓋氧化物半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)線的第一絕緣層、覆蓋第一絕緣層的第三絕緣層、位于第三絕緣層上且位于像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和位于觸控走線下方的墊層、覆蓋觸控走線和像素電極的第二絕緣層、位于第二絕緣層上的多個(gè)公共電極。

進(jìn)一步，每個(gè)公共電極對(duì)應(yīng)多個(gè)像素區(qū)域，假設(shè)像素區(qū)域設(shè)有x個(gè)，公共電極設(shè)有y個(gè)，每個(gè)公共電極對(duì)應(yīng)n個(gè)像素區(qū)域，則，y*n＝x。

進(jìn)一步，所述墊層與像素電極同時(shí)形成。

進(jìn)一步，第三絕緣層為有機(jī)絕緣層。

進(jìn)一步，第一絕緣層和第三絕緣層內(nèi)設(shè)有第一接觸孔，通過(guò)第一接觸孔像素電極與漏極連接。

進(jìn)一步，第二絕緣層內(nèi)設(shè)有第二接觸孔，公共電極通過(guò)第二接觸孔與觸控走線連接。

一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟：

第一步：在基板上形成由第一金屬形成的柵極線；

第二步：在柵極線上覆蓋柵極絕緣層；

第三步：在柵極絕緣層上制作氧化物半導(dǎo)體的圖形；

第四步：在柵極絕緣層上形成由第二金屬形成位于氧化物半導(dǎo)體的兩側(cè)進(jìn)行源極和漏極的圖案化制作；

第五步：在基板上沉積第一絕緣層，第一絕緣層上沉積第三絕緣層，使用灰階掩膜版對(duì)第三絕緣層進(jìn)行曝光，像素區(qū)域?yàn)橥耆毓鈪^(qū)并且形成第一接觸孔，外圍走線區(qū)域?yàn)椴糠制毓鈪^(qū)形成第三接觸孔；將完全曝光區(qū)中第一接觸孔下方的第一絕緣層刻蝕掉，保留部分曝光區(qū)第三接觸孔下方的第一絕緣層，通過(guò)對(duì)第三接觸孔中第三絕緣層的灰化處理，去除孔中殘留的第三絕緣層；

第六步：在完全曝光區(qū)的第一接觸孔及第三絕緣層上制作像素電極，同時(shí)在所需觸控走線的下方也進(jìn)行墊層的圖形化；

第七步：在墊層上形成由第三金屬形成的觸控走線，并在第三絕緣層上制作第二絕緣層；像素區(qū)域中，第二絕緣層覆蓋觸控走線、第三絕緣層和第一像素電極，并刻蝕形成供公共電極與觸控走線相連的第二接觸孔，外圍走線區(qū)域內(nèi)，對(duì)第三接觸孔中的第一絕緣層和第二絕緣層進(jìn)行刻蝕，供公共電極與源漏極相連；

第八步：在第二絕緣層上形成多個(gè)公共電極。

進(jìn)一步，在第二步中，柵極絕緣層的周邊區(qū)域形成第一金屬和第二金屬連接的第四接觸孔。

進(jìn)一步，每個(gè)公共電極對(duì)應(yīng)多個(gè)像素區(qū)域，假設(shè)像素區(qū)域設(shè)有x個(gè)，公共電極設(shè)有y個(gè)，每個(gè)公共電極對(duì)應(yīng)n個(gè)像素區(qū)域，則，y*n＝x。

一種由陣列基板及其制造方法的顯示裝置，所述顯示裝置為用于集成顯示和觸控驅(qū)動(dòng)的芯片及其控制的顯示面板。

有益效果：本發(fā)明使用灰階掩膜版通過(guò)較少的掩模工藝，制備出具有觸控功能的陣列基板，相對(duì)于常規(guī)設(shè)計(jì)明顯簡(jiǎn)化陣列基板制備工藝，提高陣列基板良品率，降低成本。

附圖說(shuō)明

圖1(a)～(j)為陣列基板的制造過(guò)程示意圖；

圖2為本發(fā)明陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。

實(shí)施例：一種陣列基板，具體制造過(guò)程如下：

步驟一：如圖1(a)所示，在基板glass1上采用第一金屬通過(guò)成膜、曝光、顯影、刻蝕的方法形成柵極線gate2金屬層、與該柵極線gate2連接的柵極，第一金屬線為鋁、鉬、銅、鈦、鉻、釹的單層膜或者為其中任意組合的復(fù)合膜。

步驟二：如圖1(b)所示，在柵極線gate2金屬層上形成柵極絕緣層gi3的薄膜，該材料可以是氧化硅或者氮化硅的單一體，或者兩者疊加，厚度約為在柵極絕緣層gi3上通過(guò)成膜、曝光、顯影、刻蝕的方法形成氧化物半導(dǎo)體os4的圖形，該半導(dǎo)體不僅限于氧化銦鎵鋅，也可用本領(lǐng)域所用的其他氧化物半導(dǎo)體材料完成。

步驟三：在完成上述工藝后，通過(guò)掩膜版對(duì)柵極絕緣層gi3的周邊進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕形成第四接觸孔400，為了面板的周邊電路中第一金屬與第二金屬，如圖1(c)所示；

步驟四：第二金屬通過(guò)成膜、曝光、顯影、刻蝕的方法在柵極絕緣層gi3上氧化物半導(dǎo)體os4的兩側(cè)形成源漏極sd5(其中一個(gè)源極s，一個(gè)是漏極d，一般左邊是源極s，右邊是漏極d)、以及與柵極縱橫交錯(cuò)的數(shù)據(jù)線，如圖1(d)所示，第二金屬為鋁、鉬、銅、鈦、鉻、釹的單層膜或者為其中任意組合的復(fù)合膜。

步驟五：在上述氧化物半導(dǎo)體os4和源漏極sd5上進(jìn)行第一絕緣層pas16的成膜，在第一絕緣層pas16上進(jìn)行第三絕緣層jas7的成膜，如圖1(e)所示。第一絕緣層pas16為無(wú)機(jī)絕緣層，第一絕緣層pas16的材料可以是氧化硅或者氮化硅的單一體，或者兩者疊加，厚度為第三絕緣層jas7為有機(jī)絕緣層，第三絕緣層jas7的厚度約為

使用灰階掩膜版技術(shù)對(duì)第三絕緣層jas7進(jìn)行曝光，預(yù)定的像素區(qū)域?yàn)橥耆毓鈪^(qū)，形成深度d1的第一接觸孔100；外圍走線區(qū)域?yàn)椴糠制毓鈪^(qū)，形成深度d2的第三接觸孔300，第一接觸孔100的深度d1大于第三接觸孔300的深度d2，如圖1(f)所示，第三接觸孔300的深度d2的值根據(jù)工藝進(jìn)行調(diào)整。

具體地，灰階掩膜版(graytonemask)技術(shù)是在掩膜版上形成半透明的圖形區(qū)域，和全透明的區(qū)域，在曝光過(guò)程中，光線可以全部通過(guò)全透明區(qū)域，光線只能部分透過(guò)半透明的圖形區(qū)域，通過(guò)控制曝光量，可以使光線通過(guò)掩膜版上半透明的區(qū)域后照射到光刻膠上，使這個(gè)區(qū)域的光刻膠只能部分曝光，而全透明區(qū)域的光刻膠可以充分曝光。通過(guò)控制半透明的圖形區(qū)域的光透過(guò)率，可以控制d2的深度。

接著用干刻將完全曝光區(qū)第一接觸孔下方的第一絕緣層pas16刻掉，形成圖案；部分曝光區(qū)第三接觸孔300下方第一絕緣層pas16保留，如圖1(g)所示：

最后進(jìn)行灰化處理，去除第三接觸孔下方剩余的第三絕緣層jas7，形成圖案，如圖1(h)所示。

步驟六：如圖1(i)所示，采用氧化銦錫材料在預(yù)定的像素區(qū)域進(jìn)行像素電極pix181的鍍膜、曝光、顯影、刻蝕，并同時(shí)采用氧化銦錫材料在像素區(qū)域外圍形成墊層82，即即pix2。由于在實(shí)際制作過(guò)程中，觸控走線m39不能直接與第三絕緣層jas7接觸，兩者的接觸粘附性較差，因此在所需觸控走線m39的下方進(jìn)行由氧化銦錫材料材料形成墊層82的圖形化，此方法可以節(jié)省一道絕緣層掩膜版。此外，在第一接觸孔中及第三絕緣層jas7上制作需要的像素電極pix181的圖形。

步驟七：如圖1(j)所示，在墊層82上進(jìn)行由第三金屬形成觸控走線m39的鍍膜、曝光、顯影、刻蝕，形成圖形；所用第三金屬為鋁、鉬、銅、鈦、鉻、釹的單層膜或者為其中任意組合的復(fù)合膜。

步驟八：在完成上述的制程后，進(jìn)行第二絕緣層pas210的成膜、曝光、顯影、刻蝕。在像素區(qū)，第二絕緣層pas210覆蓋在第三絕緣層jas7、像素電極pix181和觸控走線走線m39上；在外圍走線區(qū)，第二絕緣層pas210直接覆蓋在第三絕緣層jas7上。

像素區(qū)域只對(duì)第二絕緣層pas210進(jìn)行刻蝕，形成第二接觸孔200，用于觸控走線m39與公共電極com11的連接。外圍走線區(qū)域?qū)Φ谌佑|孔300中的第一絕緣層pas16和第二絕緣層pas210進(jìn)行刻蝕，用于外圍走線區(qū)域源漏極sd5與公共電極com11的連接，如圖1(k)所示。第二絕緣層pas210材料可以是氧化硅或者氮化硅的單一體，或者兩者疊加，厚度約為

步驟九：公共電極com11的成膜、曝光、顯影、刻蝕，形成圖案化，公共電極com11分成若干小塊，與觸控走線m39相連，通過(guò)觸控走線m39連入芯片，當(dāng)觸控的時(shí)候，公共電極com11作為觸控走線m39使用，所用材料為氧化銦錫，在顯示屏工作的過(guò)程中，公共電極com11與觸控驅(qū)動(dòng)是分時(shí)操作的。

制成的陣列基板如圖2所示，包括外圍走線區(qū)域和像素區(qū)域。

陣列基板包括縱橫交錯(cuò)的柵極線gate2和數(shù)據(jù)線、觸控走線m39、由柵極線gate2和數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)像素區(qū)域、位于柵極線gate2和數(shù)據(jù)線交叉處的tft開(kāi)關(guān)、位于柵極線gate2上的柵極絕緣層gi3、位于柵極絕緣層gi3上的氧化物半導(dǎo)體os4、覆蓋氧化物半導(dǎo)體os4和數(shù)據(jù)線的第一絕緣層pas16、覆蓋第一絕緣層pas16的第三絕緣層jas7、位于第三絕緣層jas7上且位于像素區(qū)域內(nèi)的像素電極pix181和位于觸控走線m39下方的墊層82、覆蓋觸控走線m39和像素電極pix181的第二絕緣層pas210、位于第二絕緣層pas210上的多個(gè)公共電極com11。

其中，每個(gè)公共電極com11對(duì)應(yīng)多個(gè)像素區(qū)域，如像素區(qū)域設(shè)有x個(gè)，公共電極com11設(shè)有y個(gè)，每個(gè)公共電極com11對(duì)應(yīng)n個(gè)像素區(qū)域，則，yn＝x。

其中，墊層82與像素電極pix181同時(shí)形成。第三絕緣層pas16為有機(jī)絕緣層。

第一絕緣層pas16和第三絕緣層pas16內(nèi)設(shè)有第一接觸孔100，通過(guò)第一接觸孔100像素電極pix181與漏極sd5連接。第二絕緣層pas210內(nèi)設(shè)有第二接觸孔200，公共電極com11通過(guò)第二接觸孔200與觸摸走線m39連接。

具體的，公共電極com11為不連續(xù)的，分成若干小塊，每塊公共電極com11對(duì)應(yīng)多個(gè)像素區(qū)域，通過(guò)觸控走線m39將所有的公共電極com11連入芯片，通過(guò)芯片偵測(cè)出面板上容值的改變，從而給出觸摸點(diǎn)位。第一絕緣層pas16和第二絕緣層pas210為無(wú)機(jī)絕緣層，第三絕緣層jas7為有機(jī)絕緣層。第一接觸孔100的深度小于第三接觸孔300的深度。

本實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括上述陣列基板，以及陣列基板上與其對(duì)應(yīng)的彩膜基板201，兩者之間設(shè)有介質(zhì)層液晶301，如圖3所示。

本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板以及控制顯示面板的芯片，該芯片用于面板的集成顯示和觸控驅(qū)動(dòng)。