等離子處理裝置以及等離子處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種等離子處理裝置以及等離子處理方法，使得即使在實(shí)施等離子處理的情況下保持片也不會受到不良影響。具備：在室(11)內(nèi)產(chǎn)生等離子的等離子源(13)；設(shè)置于室(11)內(nèi)且載置輸送載體(5)的臺(16)；配置于臺(16)的上方且覆蓋保持片(6)和框(7)，具有在厚度方向上貫通地形成的窗部(33)的蓋子(31)；和將蓋子(31)相對于臺(16)的相對位置變更為第1位置和第2位置的驅(qū)動機(jī)構(gòu)(38)。第2位置是蓋子(31)與保持片(6)、框(7)、以及基板(2)不接觸的位置。蓋子(31)至少具備向框(7)的上表面延伸的頂面(36b)、和相對于在框(7)的內(nèi)徑側(cè)露出的保持片(6)的上表面逐漸接近地傾斜的傾斜面(36c)。
【專利說明】等離子處理裝置以及等離子處理方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及等離子處理裝置以及等離子處理方法，尤其涉及對由環(huán)狀框和保持片 構(gòu)成的輸送載體所保持的晶片的等離子處理有效的技術(shù)。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為等離子處理裝置，已知專利文獻(xiàn)1公開的等離子處理裝置。該等離子處理裝 置，將由環(huán)狀框和保持片構(gòu)成的輸送載體所保持的晶片作為處理對象。而且，在用等離子對 晶片進(jìn)行切割時，通過用遮蓋物覆蓋環(huán)狀框，使得環(huán)狀框不暴露在等離子中。
[0003] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1 :JP特開2012-248741號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 發(fā)明要解決的課題
[0007] 近年來，出于生產(chǎn)率提高的要求，存在為了提高處理速度而提高等離子密度等的 傾向。在專利文獻(xiàn)1記載的裝置中，若要提高處理速度，則遮蓋物被等離子加熱而成為設(shè)想 以上的高溫。于是，產(chǎn)生了如下問題：受到來自遮蓋物的熱影響的輸送載體的保持片發(fā)生變 形、收縮、熔融等而難以通過機(jī)械手來輸送。
[0008] 因此，本發(fā)明的課題在于，提供一種即使在對由環(huán)狀框和保持片構(gòu)成的輸送載體 所保持的晶片實(shí)施等離子處理的情況下，保持片也不會受到不良影響的等離子處理裝置以 及等離子處理方法。
[0009] 解決課題的手段
[0010] 本發(fā)明的一個方式，
[0011] 是一種等離子處理裝置，其對由環(huán)狀的框和保持片構(gòu)成的輸送載體所保持的基板 實(shí)施等離子處理，所述等離子處理裝置的特征在于，
[0012] 具備：
[0013] 室，其具有能夠減壓的內(nèi)部空間；
[0014] 等離子源，其在所述室內(nèi)產(chǎn)生等離子；
[0015] 臺，其設(shè)置于所述室內(nèi)并載置所述輸送載體；
[0016] 蓋子，其配置于所述臺的上方并覆蓋所述保持片和所述框，具有在厚度方向上貫 通地形成的窗部；和
[0017] 驅(qū)動機(jī)構(gòu)，其將所述蓋子相對于所述臺的相對位置，變更為第1位置和第2位置， 其中所述第1位置是離開所述臺并容許所述輸送載體相對于所述臺的裝卸的位置，所述第 2位置是所述蓋子覆蓋在所述臺上載置的所述輸送載體的所述保持片和所述框、且所述窗 部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置，
[0018] 所述第2位置是所述蓋子與所述保持片、所述框、以及所述基板不接觸的位置，
[0019] 所述蓋子至少具備：頂面，其向所述框的上表面延伸；和傾斜面，其相對于在所述 框的內(nèi)徑側(cè)露出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜。
[0020] 根據(jù)該構(gòu)成，能夠充分獲得蓋子與輸送載體的距離，能夠抑制等離子對保持片的 熱影響。
[0021] 優(yōu)選的是，所述蓋子的所述頂面與所述框的上表面之間的間隔，比構(gòu)成所述窗部 的內(nèi)周緣下部與所述保護(hù)片之間的間隔更大。
[0022] 根據(jù)該構(gòu)成，能夠充分獲得蓋子與輸送載體的距離，并且防止等離子從窗部進(jìn)入 到在蓋子與輸送載體之間形成的空間，能夠有效地阻止保持片的變形等。
[0023] 優(yōu)選的是，所述蓋子，在比所述頂面更靠近內(nèi)徑側(cè)的區(qū)域，具備向著所述窗部逐漸 接近所述輸送載體的上表面。
[0024] 根據(jù)該構(gòu)成，能夠使提供給窗部的等離子，沿著蓋子的上表面流暢地向外徑側(cè)流 動，能夠更加有效地阻止進(jìn)入到在蓋子與輸送載體之間形成的空間內(nèi)。
[0025] 優(yōu)選的是，所述蓋子具備與所述傾斜面連續(xù)，且與所述輸送載體最接近地平行延 伸的對置面。
[0026] 根據(jù)該構(gòu)成，能夠確保能阻止等離子進(jìn)入到對置面和輸送載體的對置部分的區(qū) 域。
[0027] 優(yōu)選的是，所述蓋子的窗部，使所述基板的比外緣區(qū)域更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域露出。
[0028] 根據(jù)該構(gòu)成，蓋子的窗部對基板的露出區(qū)域進(jìn)行限制，由此保持片不易暴露于在 室內(nèi)產(chǎn)生的等離子中。因此，保持片不會受到因等離子而變形等的損壞。
[0029] 本發(fā)明的其他方式，
[0030] 是一種等離子處理方法，是對由環(huán)狀的框和保持片構(gòu)成的輸送載體所保持的基板 實(shí)施等離子處理的等離子處理方法，所述等離子處理方法的特征在于，
[0031] 在具有能夠減壓的內(nèi)部空間的室內(nèi)的臺上載置輸送載體，
[0032] 通過具有在厚度方向上貫通地形成的窗部的蓋子來覆蓋在所述臺上載置的所述 輸送載體的所述保持片和所述框的上方，并且使所述保持片上的基板從所述窗部露出，
[0033] 在所述蓋子覆蓋所述保持片和所述框的狀態(tài)下，在所述內(nèi)部空間產(chǎn)生等離子，并 對從所述窗部露出的基板進(jìn)行等離子處理，
[0034] 所述蓋子至少具備：頂面，其向所述框的上表面延伸；和傾斜面，其相對于在所述 框的內(nèi)徑側(cè)露出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜，至少在進(jìn)行等離子處理的過程中，所 述蓋子與所述保持片、所述框、以及所述基板不接觸。
[0035] 發(fā)明效果
[0036] 根據(jù)本發(fā)明，蓋子至少具備向框的上表面延伸的頂面、和相對于在框的內(nèi)徑側(cè)露 出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜的傾斜面，因此能夠充分獲得蓋子與輸送載體的距 離，能夠抑制等離子對保持片的熱影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037] 圖1是本實(shí)施方式所涉及的干蝕裝置的簡要正面剖面圖。
[0038] 圖2是圖1所示的干蝕裝置的蓋子的俯視圖。
[0039] 圖3A是圖2的A-A線剖面圖（上升位置）。
[0040] 圖3B是圖2的A-A線剖面圖（下降位置）。
[0041] 圖4A是圖3A的部分放大圖。
[0042] 圖4B是圖3B的部分放大圖。

【具體實(shí)施方式】
[0043] 以下，按照附圖對本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在以下的說明中，根 據(jù)需要使用表示特定的方向、位置的用語（例如，包含"上"、"下"、"側(cè)"、"端"的用語），但這 些用語的使用是為了容易參照附圖理解發(fā)明，并不是通過這些用語的意思來限定本發(fā)明的 技術(shù)范圍。此外，以下的說明本質(zhì)上不過是例示，并不是意圖限制本發(fā)明、其應(yīng)用物、或者其 用途。
[0044] 圖1至圖4B表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子處理裝置的一例的干蝕 裝置1。在本實(shí)施方式中，通過該干蝕裝置1，對晶片（基板）2實(shí)施等離子切割及其后續(xù) 的灰化（ashing)。等離子切割是指，對形成了多個1C部（半導(dǎo)體裝置）的晶片，在邊界線 (切割道）利用干蝕進(jìn)行切斷，分割為各個1C部的工藝。參照圖4A以及圖4B，在本實(shí)施方 式中為圓形的晶片2具備形成了未圖示的1C部等的表面2a、和與該表面2a相反側(cè)的背面 2b (未形成1C部等）。此外，在晶片2的表面2a以用于等離子切割的圖案形成了掩膜3。
[0045] 干蝕裝置1具備具有能減壓的內(nèi)部空間的室11。在該室11中，能夠經(jīng)由未圖示的 出入口將輸送載體5收納于內(nèi)部空間。輸送載體5具備可拆裝地保持晶片2的保持片6。 作為保持片6,例如，可以使用能夠彈性地伸展、且雖然通過粘著力來保持晶片2但由于紫 外線的照射而化學(xué)特性發(fā)生變化從而粘著力大幅減少的所謂UV膠帶。如圖4A所示，一個 面是具有粘著性的面（粘著面6a)而另一面是不具有粘著性的面（非粘著面6b)。保持片 6柔軟且僅其自身而言容易彎曲而無法維持一定形狀。因此，在保持片6的外周緣附近的粘 著面6a，貼著大致環(huán)狀且厚度薄的框（環(huán)狀框）7?？?例如由金屬構(gòu)成，具有能夠與保持 片6 -起保持形狀的剛性。
[0046] 在輸送載體5的保持片6上，通過在粘著面6a上貼著背面2b而保持有晶片2。如 圖2所示，在保持片6的粘著面6a中被框7包圍的圓形區(qū)域6c的中央配置有晶片2。具體 來說，將晶片2相對于保持片6的位置設(shè)定為使得圓形區(qū)域6c的中心Cs與晶片2的中心 Cw(從表面2a或背面2b觀察晶片2時的中心）大體一致。通過將晶片2配置在圓形區(qū)域 6c的中央，在保持片6的晶片2與框7之間以一定寬度形成寬幅的環(huán)狀區(qū)域6d。
[0047] 參照圖1至圖4B，在對干蝕裝置1的室（真空容器）11的頂部進(jìn)行封閉的電介質(zhì) 壁12的上方，配置有作為上部電極的天線（等離子源）13。天線13與第1高頻電源部14A 電連接。另一方面，在室11內(nèi)的底部側(cè)，配置有載置如前述那樣保持了晶片2的輸送載體 5的臺部16。在室11的氣體導(dǎo)入口 11a連接有工藝氣體源17和灰化氣體源18,在排氣口 lib連接有包含用于對室11內(nèi)進(jìn)行真空排氣的真空泵的減壓機(jī)構(gòu)19。
[0048] 臺部16具備：與第2高頻電源部14B電連接的電極部（第2電極部）21 ;包圍電 極部21的外周的第1封裝部22A ;以及包圍第1封裝部22A的外周的第2封裝部22B。電 極部21如后述那樣，內(nèi)置靜電吸附用電極26的上端面21a附近、即最上部由電介質(zhì)構(gòu)成， 而其他部分為金屬制。電極部21的上端面21a和第1封裝部22A的上端面22a，構(gòu)成載置 保持了晶片2的輸送載體5的一個水平面即載置面23。第1封裝部22A由電介質(zhì)構(gòu)成，第 2封裝部22B由接地屏蔽材料（具有導(dǎo)電性以及耐蝕刻性的金屬）構(gòu)成。輸送載體5以保 持片6的保持著晶片2的面（粘著面6a)朝上的姿勢載置于臺部16,保持片6的非粘著面 6a載置在臺部16的載置面23上。輸送載體5通過未圖不的輸送機(jī)構(gòu)，以相對于臺部16的 載置面23而言預(yù)先決定的位置以及姿勢（包括圍繞保持片6的圓形區(qū)域6c的中心Cs的 旋轉(zhuǎn)角度位置）而被載置。以下，將該預(yù)先決定的位置以及姿勢記載為正規(guī)位置。
[0049] 干蝕裝置1在臺部16具備冷卻裝置24。該冷卻裝置24具備在電極部21內(nèi)形成 的冷媒流路21b、和使被溫度調(diào)節(jié)后的冷媒在冷媒流路21b中循環(huán)的冷媒循環(huán)裝置25。
[0050] 在電極部21的上端面21a附近，內(nèi)置有在本實(shí)施方式中為單極型的靜電吸附用電 極26。在該靜電吸附用電極26上電連接有直流電源27。
[0051] 在室11內(nèi)具備能夠在臺部16的載置面23的上方升降的蓋子31。在以下與蓋子 31相關(guān)的說明中，在提及輸送載體5及其所保持的晶片2的情況下，只要沒有特別指定，則 輸送載體5配置于臺部16的載置面23的正規(guī)位置。
[0052] 蓋子31的外形輪廓為圓形且具有一定的較薄的厚度，在等離子處理中將輸送載 體5的保持片6和框7覆蓋而從等離子中保護(hù)起來。因此，蓋子31與輸送載體5的外形輪 廓相比形成為足夠大。另外，在本實(shí)施方式中，蓋子31例如由陶瓷這種電介質(zhì)構(gòu)成，并設(shè)為 從第2封裝部22B向外側(cè)露出的尺寸。
[0053] 如圖4A以及圖4B所示，在蓋子31上，在上表面形成有向著中央部逐漸變低的錐 狀凹陷32c。在錐狀凹陷32c的中央部，形成有從上表面32a至下表面32b在厚度方向上貫 通的窗部33。窗部33被設(shè)為輸送載體5上的保持片6不會直接暴露于如后述那樣產(chǎn)生的 等離子中的尺寸以及形狀。在此，由于晶片2的形狀為圓形，因此窗部33與之對應(yīng)地形成 為圓形，且其內(nèi)徑尺寸Dwi比所配置的晶片的外徑尺寸Dwa更小。
[0054] 此外，對于蓋子31，在下表面32b，從外周部起向著內(nèi)周的開口部，首先具備載置 于驅(qū)動桿37A、37B的上端面而被固定的載置面36a。桿37A、37B貫通臺部16的第2封裝部 22B，使蓋子31升降。蓋子31在后述的下降位置，其載置面36a與第2封裝部22B的上表 面面接觸。在該面接觸狀態(tài)下，在蓋子31暴露于等離子中而溫度上升的情況下，其熱經(jīng)由 面接觸部分而向第2封裝部22B散熱。即，蓋子31被冷卻。此外，內(nèi)周面從載置面36a的 內(nèi)周緣向上方延伸，具備從內(nèi)周面上端向著環(huán)狀框的內(nèi)周部上方側(cè)與環(huán)狀框的上表面平行 地延伸的頂面36b。進(jìn)而，還具備傾斜面36c，其在與錐狀凹陷32c對應(yīng)的部分幾乎不變更 厚度地從頂面36b向斜下方延伸。進(jìn)而還具備對置面36d，其與輸送載體5的上表面最接近 地從傾斜面36c平行地延伸。
[0055] 驅(qū)動桿37A、37B被僅在圖1中概念性地示出的驅(qū)動機(jī)構(gòu)38進(jìn)行升降驅(qū)動。蓋子 31通過驅(qū)動桿37A、37B的升降而升降。具體來說，蓋子31能夠移動到圖3A以及圖4A所示 的上升位置（第1位置）、和圖3B以及圖4B所示的下降位置（第2位置）。
[0056] 如圖3A以及圖4A所不，上升位置的蓋子31，具有充足間隔地位于臺部16的載置 面23的上方。因此，若蓋子31位于上升位置，則能夠進(jìn)行在載置面23放置輸送載體5 (保 持有晶片2)的作業(yè)、和反之從載置面23取下輸送載體5的作業(yè)。
[0057] 如圖3B以及圖4B所示，下降位置的蓋子31覆蓋位于正規(guī)位置的輸送載體5的保 持片6 (除了保持有晶片2的部分以外）和框7。此時，蓋子31的頂面36b，相對于框7具 有充足的間隙a(例如，5_)，防止等離子處理時的熱影響。此外，蓋子31的傾斜面36c相 對于在框7的內(nèi)徑側(cè)露出的保持片6而言確保充足的距離。進(jìn)而，對置面36d與晶片2的 外周部對置，其間隙b被設(shè)為與所述間隙a相比足夠小的值。從附圖可知，下降位置的蓋子 31，與框7、保持片6、晶片2的任意一者都不接觸，在其內(nèi)徑側(cè)的對置面36d最接近輸送載 體5。
[0058] 此外，下降位置（圖3B以及圖4B)的蓋子31，使位于正規(guī)位置的輸送載體5的保 持片6所保持的晶片2經(jīng)由窗部33而露出。即，使晶片2的比外周區(qū)域（例如，從外周緣 起向內(nèi)徑側(cè)5_以內(nèi)的區(qū)域）更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域露出。晶片2的外周區(qū)域，原本就是與產(chǎn)品 化無關(guān)的、被廢棄的區(qū)域。因此，通過用蓋子31覆蓋該區(qū)域，能夠充分抑制等離子對該外周 側(cè)的保持片6的影響。通過蓋子31將晶片2的外周區(qū)域覆蓋多少，只要考慮和對置面36d 與晶片2的間隙b之間的關(guān)系、即等離子對保持片6產(chǎn)生多少影響來決定即可。若增大間 隙b，則能夠抑制蓋子31對保持片6產(chǎn)生的放射熱的影響，但暴露于等離子的可能性變高。 另一方面，若減小間隙b，則保持片6不易暴露于等離子中，但對保持片6產(chǎn)生的放射熱的影 響變大。因此，只要決定間隙b和蓋子31所覆蓋的范圍，使得能夠同時抑制放射熱和等離 子的影響即可。
[0059] 通過具備所述構(gòu)成的蓋子31，等離子不會到達(dá)保持片6。即，不會發(fā)生保持片6暴 露于等離子中而受到熱影響發(fā)生變形、或者熔敷于蓋子31等的不良情況。
[0060] 僅在圖1中示意性地示出的控制裝置40,對包括第1以及第2高頻電源部14A、 14B、工藝氣體源17、灰化氣體源18、減壓機(jī)構(gòu)19、冷卻裝置24、直流電源27、以及驅(qū)動機(jī)構(gòu) 38在內(nèi)的構(gòu)成干蝕裝置1的要素的動作進(jìn)行控制。
[0061] 接著，對本實(shí)施方式的干蝕裝置1的動作進(jìn)行說明。
[0062] 首先，將在保持片6的圓形區(qū)域6c的中央貼著晶片2的輸送載體5通過未圖示的 輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)入室11內(nèi)，并配置在臺部16的載置面23上的正規(guī)位置。此時，蓋子31位于上 升位置（圖3A以及圖4A)。
[0063] 然后，通過驅(qū)動機(jī)構(gòu)38對驅(qū)動桿37A、37B進(jìn)行驅(qū)動，使蓋子31從上升位置（圖3A 以及圖4A)下降到下降位置（圖3B以及圖4B)。若蓋子31成為下降位置，則輸送載體5的 保持片6和框7被蓋子31覆蓋，晶片2從其窗部33露出。但是，晶片2的外周區(qū)域2c被 窗部33的內(nèi)周緣部33a覆蓋。
[0064] 接下來，從直流電源27對靜電吸附用電極26施加直流電壓，通過靜電吸附而將晶 片2保持于臺部16的載置面23 (電極部21的上端面21a)。
[0065] 進(jìn)而，一邊從工藝氣體源17向室11內(nèi)導(dǎo)入等離子切割用的工藝氣體，一邊通過減 壓機(jī)構(gòu)19進(jìn)行排氣，將處理室15維持在規(guī)定壓力。然后，從高頻電源部14A對天線13供 給高頻電力，在室11內(nèi)產(chǎn)生等離子P，并照射到從蓋子31的窗部33露出的晶片2。此時， 從高頻電源部14B向臺部16的電極部21施加偏置電壓。此外，臺部16被冷卻裝置24冷 卻。對于晶片2的從掩膜3露出的部分（切割道），通過等離子P中的自由基（radical)和 離子的物理化學(xué)作用而從表面2a至背面2b被除去，晶片2被分割為單獨(dú)的芯片。
[0066] 等離子切割完成后，執(zhí)行灰化。一邊從灰化氣體源18向室11內(nèi)導(dǎo)入灰化用的工 藝氣體（例如，氧氣體），一邊通過減壓機(jī)構(gòu)19進(jìn)行排氣，將處理室15維持在規(guī)定壓力。然 后，從高頻電源部14A對天線13供給高頻電力，在室11內(nèi)產(chǎn)生等離子P，并照射到從蓋子 31的窗部33露出的晶片2。通過氧等離子P的照射，掩膜3從半導(dǎo)體晶片2的表面2a被 完全地除去。
[0067] 灰化后，通過驅(qū)動機(jī)構(gòu)38對驅(qū)動桿37A、37B進(jìn)行驅(qū)動，使蓋子31從下降位置向上 升位置移動。然后，通過未圖示的輸送機(jī)構(gòu)將輸送載體5運(yùn)出到室11外。
[0068] 另外，所述等離子處理中，蓋子31位于下降位置，雖然等離子P照射到從窗部33 露出的晶片2,但這是除了被蓋子31覆蓋的晶片2的外周區(qū)域2c之外的內(nèi)徑側(cè)。因此，與 晶片2的外周區(qū)域相比更位于外徑側(cè)的保持片6 (尤其是，環(huán)狀區(qū)域6d的內(nèi)周部）不會暴 露于等離子P，能夠防止因熱而產(chǎn)生變形、變質(zhì)。當(dāng)然，不會產(chǎn)生等離子P向框7的集中所引 起的晶片2的蝕刻效率的下降。
[0069] 此外，所述等離子處理中，在位于下降位置的蓋子31的頂面36b與輸送載體5的 框7之間設(shè)置有充足的間隙a。因此，能夠充分抑制從蓋子31向框7的放射熱的影響。
[0070] 此外，即使是蓋子31的錐狀凹陷32c，也由于形成有傾斜面36c，因此與保持片6 之間也能夠確保充足的距離。因此，不會由于來自蓋子31的放射熱，而使保持片6發(fā)生變 形并粘貼于蓋子31。
[0071] 進(jìn)而，晶片2的外周緣與在蓋子31上形成的窗部33的內(nèi)周緣部33a之間的間隙 b，如前所述，決定與蓋子31所覆蓋的范圍之間的關(guān)系，使得能夠同時抑制放射熱和等離子 的影響。因此，既不會產(chǎn)生覆蓋晶片2的范圍過大而白白被廢棄的產(chǎn)品部分，反之也不會發(fā) 生保持片6暴露于等離子中而受到損壞的情況。
[0072] 進(jìn)而還有，所產(chǎn)生的等離子P沿著錐狀凹陷32c的上表面流暢地向外徑側(cè)流動。因 此，也不會在蓋子31的窗部33滯留而向保持片6側(cè)流動。
[0073] 另外，本發(fā)明不限定于所述實(shí)施方式所記載的構(gòu)成，能夠進(jìn)行各種變更。
[0074] 本實(shí)施方式所涉及的蓋子31，整體由單一的材料構(gòu)成，但例如，也可以采用對耐熱 性優(yōu)異的材料和熱傳導(dǎo)優(yōu)異的材料進(jìn)行組合的復(fù)合體。
[0075] 此外，本實(shí)施方式的驅(qū)動機(jī)構(gòu)38經(jīng)由驅(qū)動桿37A、37B使蓋子31相對于臺部16而 升降，但也可以使臺16相對于固定于室11內(nèi)的蓋子31而升降。
[0076] 此外，靜電吸附用電極不限定于實(shí)施方式這種單極型，也可以是雙極型。
[0077] 進(jìn)而，通過干蝕裝置1執(zhí)行的處理不限定于等離子切割和灰化，例如也可以是通 常的干蝕。此外，干蝕裝置不限定于實(shí)施方式這種ICP型，也也可以是平行平板型。進(jìn)而， 本發(fā)明不限定于干蝕裝置，也可以應(yīng)用于CVD裝置等其他等離子處理裝置。
[0078] 符號說明
[0079] 1干蝕裝置
[0080] 2晶片（基板）
[0081] 2a 表面
[0082] 2b 背面
[0083] 2c外周區(qū)域
[0084] 3 掩膜
[0085] 5輸送載體
[0086] 6保持片
[0087] 6a粘著面
[0088] 6b非粘著面
[0089] 6c 圓形區(qū)域
[0090] 6d環(huán)狀區(qū)域
[0091] 7 框
[0092] 11 室
[0093] 11a氣體導(dǎo)入口
[0094] lib 排氣口
[0095] 12電介質(zhì)壁
[0096] 13天線（等離子源）
[0097] 14AU4B高頻電源
[0098] 15 處理室
[0099] 16 臺部
[0100] 17工藝氣體源
[0101] 18灰化氣體源
[0102] 19減壓機(jī)構(gòu)
[0103] 21電極部
[0104] 21a上端面
[0105] 21b冷媒流路
[0106] 22A第1封裝部
[0107] 22B第2封裝部
[0108] 22a上端面
[0109] 23載置面
[0110] 24冷卻裝置
[0111] 25冷媒循環(huán)裝置
[0112] 26靜電吸附用電極
[0113] 27直流電源
[0114] 31 蓋子
[0115] 32a上表面
[0116] 32b 下表面
[0117] 32c錐狀凹陷
[0118] 33 窗部
[0119] 33a內(nèi)周緣部
[0120] 36a載置面
[0121] 36b 頂面
[0122] 36c傾斜面
[0123] 36d對置面
[0124] 37A、37B 驅(qū)動桿
[0125] 38驅(qū)動機(jī)構(gòu)
[0126] 40控制裝置
【權(quán)利要求】
1. 一種等離子處理裝置，其對由環(huán)狀的框和保持片構(gòu)成的輸送載體所保持的基板實(shí)施 等離子處理，所述等離子處理裝置的特征在于， 具備： 室，其具有能夠減壓的內(nèi)部空間； 等離子源，其在所述室內(nèi)產(chǎn)生等離子； 臺，其設(shè)置于所述室內(nèi)并載置所述輸送載體； 蓋子，其配置于所述臺的上方并覆蓋所述保持片和所述框，具有在厚度方向上貫通地 形成的窗部；和 驅(qū)動機(jī)構(gòu)，其將所述蓋子相對于所述臺的相對位置，變更為第1位置和第2位置，其中 所述第1位置是離開所述臺并容許所述輸送載體相對于所述臺的裝卸的位置，所述第2位 置是所述蓋子覆蓋在所述臺上載置的所述輸送載體的所述保持片和所述框、且所述窗部使 保持于所述保持片的所述基板露出的位置， 所述第2位置是所述蓋子與所述保持片、所述框、以及所述基板不接觸的位置， 所述蓋子至少具備：頂面，其向所述框的上表面延伸；和傾斜面，其相對于在所述框的 內(nèi)徑側(cè)露出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述蓋子的所述頂面與所述框的上表面之間的間隔，比構(gòu)成所述窗部的內(nèi)周緣下部與 所述保護(hù)片之間的間隔更大。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述蓋子，在比所述頂面更靠近內(nèi)徑側(cè)的區(qū)域，具備向著所述窗部逐漸接近所述輸送 載體的上表面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述蓋子具備與所述傾斜面連續(xù)，且與所述輸送載體最接近地平行延伸的對置面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述蓋子的窗部，使所述基板的比外緣區(qū)域更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域露出。
6. -種等離子處理方法，是對由環(huán)狀的框和保持片構(gòu)成的輸送載體所保持的基板實(shí)施 等離子處理的等離子處理方法，所述等離子處理方法的特征在于， 在具有能夠減壓的內(nèi)部空間的室內(nèi)的臺上載置輸送載體， 通過具有在厚度方向上貫通地形成的窗部的蓋子來覆蓋在所述臺上載置的所述輸送 載體的所述保持片和所述框的上方，并且使所述保持片上的基板從所述窗部露出， 在所述蓋子覆蓋所述保持片和所述框的狀態(tài)下，在所述內(nèi)部空間產(chǎn)生等離子，并對從 所述窗部露出的基板進(jìn)行等離子處理， 所述蓋子至少具備：頂面，其向所述框的上表面延伸；和傾斜面，其相對于在所述框的 內(nèi)徑側(cè)露出的保持片的上表面逐漸接近地傾斜，至少在進(jìn)行等離子處理的過程中，所述蓋 子與所述保持片、所述框、以及所述基板不接觸。
【文檔編號】H01L21/3065GK104143509SQ201410113773
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月9日
【發(fā)明者】西崎展弘, 針貝篤史, 巖井哲博, 廣島滿 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社